JPS60103690A - コンデンサ内蔵セラミツク基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵セラミツク基板Info
- Publication number
- JPS60103690A JPS60103690A JP58211208A JP21120883A JPS60103690A JP S60103690 A JPS60103690 A JP S60103690A JP 58211208 A JP58211208 A JP 58211208A JP 21120883 A JP21120883 A JP 21120883A JP S60103690 A JPS60103690 A JP S60103690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- substrate
- conductor
- capacitor
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J17/00—Joints
- B25J17/02—Wrist joints
- B25J17/0241—One-dimensional joints
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Program-controlled manipulators
- B25J9/02—Program-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type
- B25J9/04—Program-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type by rotating at least one arm, excluding the head movement itself, e.g. cylindrical coordinate type or polar coordinate type
- B25J9/046—Revolute coordinate type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａｌ 発明の技術分野
本発明はコンデンサを内蔵したセラミック基板（以下Ｃ
基板と略称する）の構成に関する。
基板と略称する）の構成に関する。
（ｂ） 技術の背景
電子機器の小形化、高密度実装化に対応するために、薄
いセラミックを誘電体層として導体層と該誘電体層を交
互に積層し、大容量のコンデンサをセラミック基板の内
部に形成するアイデアは既に発表されている。
いセラミックを誘電体層として導体層と該誘電体層を交
互に積層し、大容量のコンデンサをセラミック基板の内
部に形成するアイデアは既に発表されている。
しかし既に発表されているアイデアは単一のセラミンク
で構成されたＣ基板であり、単一のセラミックでコンデ
ンサの誘電体として要求される電気的特性、セラミック
基板として要求される機械的特性の両方を充足すること
は困難である。例えば大きい静電容量を得るためには、
誘電率の大きいセラミックを誘電体層として用いなけれ
ばならない。また各種の電子回路を搭載するセラミック
基板は曲げ強度が強く、熱伝導度の大きいことが要求さ
れ、更に表面に薄膜素子を形成するために表面粗さが小
さくなければならない。
で構成されたＣ基板であり、単一のセラミックでコンデ
ンサの誘電体として要求される電気的特性、セラミック
基板として要求される機械的特性の両方を充足すること
は困難である。例えば大きい静電容量を得るためには、
誘電率の大きいセラミックを誘電体層として用いなけれ
ばならない。また各種の電子回路を搭載するセラミック
基板は曲げ強度が強く、熱伝導度の大きいことが要求さ
れ、更に表面に薄膜素子を形成するために表面粗さが小
さくなければならない。
（Ｃ１従来技術と問題点
前述のＣ基板において大きい静電容量を得るためには、
誘電率の大きいＢａＴｉＯ３系セラミックを誘電体層と
して用いなければならない。既に発表されているアイデ
アは単一のセラミックで構成されたＣ基板であり、その
単一のセラミックを誘電率の大きいＢａＴｉＯ３系セラ
ミックとすれば、曲げ強度が弱く （約７００ｋｇ／ｃ
４） 、熱伝導率が小さい（約０．００６ｃａｌ ／
ｓｅｅ ｃｍ ’Ｃ）ため、この基板上に形成した抵抗
等の発熱素子の信頼性および端子強度に問題が生じる。
誘電率の大きいＢａＴｉＯ３系セラミックを誘電体層と
して用いなければならない。既に発表されているアイデ
アは単一のセラミックで構成されたＣ基板であり、その
単一のセラミックを誘電率の大きいＢａＴｉＯ３系セラ
ミックとすれば、曲げ強度が弱く （約７００ｋｇ／ｃ
４） 、熱伝導率が小さい（約０．００６ｃａｌ ／
ｓｅｅ ｃｍ ’Ｃ）ため、この基板上に形成した抵抗
等の発熱素子の信頼性および端子強度に問題が生じる。
またＢａＴｉＯ３系では一般に析出物が発生するため表
面粗さが大きくなり、たとえ表面研磨を行ってもその表
面に薄膜素子を形成することは困難である。
面粗さが大きくなり、たとえ表面研磨を行ってもその表
面に薄膜素子を形成することは困難である。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的はコンデンサとして要求される電気的特性
、セラミック基板として要求される機械的特性の両方を
、同時に充足することのできるＣ基板の構成を提供する
ことにある。
、セラミック基板として要求される機械的特性の両方を
、同時に充足することのできるＣ基板の構成を提供する
ことにある。
（８１発明の構成
そしてこの目的はＢａＴｉＯ３系セラミックを誘電体層
とし、導体層と該誘電体層を交互に積層してコンデンサ
を形成し、その上下に７＋０２系セラミツクよりなる保
護層を設けたことで達成している。
とし、導体層と該誘電体層を交互に積層してコンデンサ
を形成し、その上下に７＋０２系セラミツクよりなる保
護層を設けたことで達成している。
（ｆｌ 発明の実施例
第１図は本発明になるＣ基板である。ＰｄまたはＰｄと
Ａｇの混合物よりなる導体層１とＢａＴｉＯ３系セラミ
ックよりなる誘電体層２を交互に積層してコンデンサを
形成し、その上下にＴｉＱｚ系セラミックよりなる保護
層３を設けてＣ基板を構成し、表面に端子パターン、導
体パターン、抵抗パターンなどのパターン４を形成する
。また導体Ｎ１間の接続および導体層１々パターン４と
の接続は、誘電体層２および保護層３に綬けた窓を介し
て行い、平滑な表面を得るために研磨を行う。
Ａｇの混合物よりなる導体層１とＢａＴｉＯ３系セラミ
ックよりなる誘電体層２を交互に積層してコンデンサを
形成し、その上下にＴｉＱｚ系セラミックよりなる保護
層３を設けてＣ基板を構成し、表面に端子パターン、導
体パターン、抵抗パターンなどのパターン４を形成する
。また導体Ｎ１間の接続および導体層１々パターン４と
の接続は、誘電体層２および保護層３に綬けた窓を介し
て行い、平滑な表面を得るために研磨を行う。
ＴｉＯ２系セラミックは曲げ強度が約１５００ ｋｇ
／ ｃａ 。
／ ｃａ 。
熱伝導率が約０．０２ｃａｌ／ｓｅｃ ｃｍ’ｃでＢａ
ＴｉＯ３系セラミックより２倍以上優れており、熱膨張
係数は約８×ｉｏ”６／”ＣでＢａＴｉＯ３系セラミッ
クの熱膨張係数的１０ ｘ １０−６／ ”ｃと殆ど同
等である。また別の利点としてＴｉ０ｚ系セラミツクは
ＢａＴｉＯ３系セラミックと同じ温度で焼成できる。
ＴｉＯ３系セラミックより２倍以上優れており、熱膨張
係数は約８×ｉｏ”６／”ＣでＢａＴｉＯ３系セラミッ
クの熱膨張係数的１０ ｘ １０−６／ ”ｃと殆ど同
等である。また別の利点としてＴｉ０ｚ系セラミツクは
ＢａＴｉＯ３系セラミックと同じ温度で焼成できる。
なお曲げ強度、熱伝導率を高めるために保護層３として
Ａｌ２Ｏ３系セラミックの使用も考えられるが、熱膨張
係数が約７ Ｘ １０−６ ／ ”ＣでＢａＴｉ０：＋
系セラミックの熱膨張係数との差が大きくなり、また焼
成温度を一致させることが難しく 、Ａ１２０３とＢａ
ＴｉＯ３が反応するためＣ基板には適さない。
Ａｌ２Ｏ３系セラミックの使用も考えられるが、熱膨張
係数が約７ Ｘ １０−６ ／ ”ＣでＢａＴｉ０：＋
系セラミックの熱膨張係数との差が大きくなり、また焼
成温度を一致させることが難しく 、Ａ１２０３とＢａ
ＴｉＯ３が反応するためＣ基板には適さない。
次ぎに本発明になるＣ基板が実際上どのように具体化さ
れるかを実施例で説明する。
れるかを実施例で説明する。
まず次表に示した組成のセラミック粉末に有機バインダ
を加えてペースト状にする。そして厚さが２０μｍのＢ
ａＴｉＯ３セラミックよりなる誘電体層と、厚さが３〜
４μｌ程度の導体層とを交互に印刷して多層化（実施例
では導体層４層、誘電体層５Ｎ）し、その上下に厚さが
０．４ｍｍになるようにＴｉＯ２セラミックよりなる保
護層を印刷した後、これを１３００℃で２時間焼成した
結果、１１ Ｘ １１ｍｍの大きさのＣ基板で０．４７
μＦの静電容量を得ることができた。
を加えてペースト状にする。そして厚さが２０μｍのＢ
ａＴｉＯ３セラミックよりなる誘電体層と、厚さが３〜
４μｌ程度の導体層とを交互に印刷して多層化（実施例
では導体層４層、誘電体層５Ｎ）し、その上下に厚さが
０．４ｍｍになるようにＴｉＯ２セラミックよりなる保
護層を印刷した後、これを１３００℃で２時間焼成した
結果、１１ Ｘ １１ｍｍの大きさのＣ基板で０．４７
μＦの静電容量を得ることができた。
表
次いで上記Ｃ基板の表面を研磨して表面粗さをＲｍａｘ
Ｏ，１μｍ以下にし、その上に薄膜回路を形成した結
果、導体幅および導体間隔が５０μｍの導体パターンを
形成することができた。
Ｏ，１μｍ以下にし、その上に薄膜回路を形成した結
果、導体幅および導体間隔が５０μｍの導体パターンを
形成することができた。
本発明の別の実施例として前述の組成のセラミック粉末
からグリーンシートを作成し、誘電体層と導体層とを交
互に積層した後、さらに上下に保護層を重ねて焼成する
ことにより、前述の実施例によるＣ基板と同等の基板が
得られた。なお基板の平坦性については前述の実施例に
よるＣ基板よりも本実施例により構成したＣ基板の方が
優れている。
からグリーンシートを作成し、誘電体層と導体層とを交
互に積層した後、さらに上下に保護層を重ねて焼成する
ことにより、前述の実施例によるＣ基板と同等の基板が
得られた。なお基板の平坦性については前述の実施例に
よるＣ基板よりも本実施例により構成したＣ基板の方が
優れている。
（明 発明の効果
以上述べたように本発明によれば、コンデンサとして要
求される電気的特性、セラミック基板として要求される
機械的特性の両方を、同時に充足することのできるＣ基
板の構成を提供することができる。
求される電気的特性、セラミック基板として要求される
機械的特性の両方を、同時に充足することのできるＣ基
板の構成を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明になるＣ基板である。図において１は導
体層、２はＢａＴｉＯ３系セラミックよりなる誘電体層
、３はＴｉ０ｚ系セラミツクよりなる保護層、４は端子
パターン、導体パターン、抵抗パターンなどのパターン
をしめす。 第１図
体層、２はＢａＴｉＯ３系セラミックよりなる誘電体層
、３はＴｉ０ｚ系セラミツクよりなる保護層、４は端子
パターン、導体パターン、抵抗パターンなどのパターン
をしめす。 第１図
Claims (1)
- ＢａＴｉＯ３系セラミックを誘電体層とし、導体層と該
誘電体層を交互に積層してコンデンサを形成し、その上
下にＴｉＯ２系セラミックよりなる保護層を設けたこと
を特徴とするコンデンサ内蔵セラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211208A JPS60103690A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | コンデンサ内蔵セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211208A JPS60103690A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | コンデンサ内蔵セラミツク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103690A true JPS60103690A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16602120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58211208A Pending JPS60103690A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | コンデンサ内蔵セラミツク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103690A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4907467A (en) * | 1986-12-24 | 1990-03-13 | Fanuc Ltd. | Structure of first arm of industrial robot having articulated horizontal arms |
| US5577902A (en) * | 1994-05-16 | 1996-11-26 | Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Robot hand for forging working |
| JP2014183188A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| WO2018198330A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | ゼンテルジャパン株式会社 | キャパシタ装置とその製造方法 |
| US12317521B2 (en) | 2017-04-28 | 2025-05-27 | AP Memory Technology Corp. | Capacitor device and manufacturing method therefor |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP58211208A patent/JPS60103690A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4907467A (en) * | 1986-12-24 | 1990-03-13 | Fanuc Ltd. | Structure of first arm of industrial robot having articulated horizontal arms |
| US5577902A (en) * | 1994-05-16 | 1996-11-26 | Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Robot hand for forging working |
| JP2014183188A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| US9460852B2 (en) | 2013-03-19 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor |
| WO2018198330A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | ゼンテルジャパン株式会社 | キャパシタ装置とその製造方法 |
| JPWO2018198330A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2020-01-16 | ゼンテルジャパン株式会社 | キャパシタ装置とその製造方法 |
| US11038012B2 (en) | 2017-04-28 | 2021-06-15 | AP Memory Technology Corp. | Capacitor device and manufacturing method therefor |
| US12317521B2 (en) | 2017-04-28 | 2025-05-27 | AP Memory Technology Corp. | Capacitor device and manufacturing method therefor |
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