JPS60106084A - デイスクカ−トリツジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、例えば磁気ディスクカートリッジなどのディ
スクカートリッジに係り、特にそれの記憶ディスクの中
央部に設置されるノ・ブの構成に関する。

〔背景技術〕

（１１気ディスクカートリッジは、第１図に示すＪ：う
に上ケース１αと下ケース１ｈとからなるカートリッジ
ケース１と、その内側に回転可能に収容された記憶ディ
スク２とを備えている。カートリッジケースｌは所定位
置に駆動軸挿入口３．センサーホール４ならびに磁気ヘ
ッド挿入口５などが形成されている。記憶ディスク２は
、例えばポリエステルなどの有機高分子化合物からなる
ベースフィルムの片面あるいは両面に磁性層（いずれも
図示せず）を塗着形成したものからなり、記憶再生装置
の駆動軸（図示せず）が挿入するノ・プロが記憶ディス
ク２の中央に設けられている。

このハブ６は第１のハブ半休と第２のハブ半休とからな
り、これらは合成樹脂で射出成形されている。そして例
えば第１のハブ半休の内周には、駆動軸の周面に当接す
る２つの基準受面７が形成　′されている。また第２の
ハブ半休には、前記基準受面７と対応するように押圧部
８が形成されている。この２つのハブ半休によって記憶
ディスク２の中央部が上下の両側から挾持され、ノ・ブ
半体どうしの接会部が超音波融着などの適宜な手段によ
って連結される。

この磁気ディスクカートリッジを記憶再生装置に装着し
た際、駆動軸が基準受面７と押圧部８との間に圧入され
、そのため抑圧部８は径方向外側へ若干押し寄せられて
弾発力を生じる。この弾発力を利用して基準受面７が駆
動軸の周面に弾接され、それによって駆動軸に対する記
憶ディスク２の七ンター合せが行なわれるようになって
いる。

ところで従来のディスクカートリッジは、抑圧部８のク
リープを防止して常に安定したバネ弾性を維持するため
、抑圧部８を設ける第２のハブ半休はもちろんのこと、
基準受面７が形成される第１のハブ半休も同一種類のボ
リアリレートやポリアセタールなどの耐クリープ性、バ
ネ弾性に優れた合成樹脂で成形されていた。

前記ボリアリレートの線膨張係数は６Ｘ１０’關／詣゛
Ｃ、ポリアセタールの線膨張係数はｌＯ×１０　闘／、
″Ｃであり、ステンレス（ＳＵＳ　４０２Ｊ２）製部動
軸の線膨張係数（２Ｘ　１０　ｍ　／　ｍ℃）よりも３
〜５倍太きい。そのためディスクカートリッジの使用温
度範囲（約５〜５０℃とされている）内で温度変化があ
った場什、基準受面７による駆動軸と記憶ディスク２と
の七ンター合せが不正確になり、結局、記憶ディスク２
が駆動軸の回転中心からずれて支持され、適正なトラッ
キングが行なわれな（なり、信頼性の点で問題がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を解消し、駆
動軸に対する基準受面の弾接が常に安定しており、しか
も温度変化があっても駆動軸に対するｉ己憶ディスクの
センターずれがほとんどない信頼性の高いディスクカー
トリッジを提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するため、本発明は、所定位置に駆動軸
挿入口を有するカートリッジケースと、前記駆動軸挿入
口に臨むノ１ブを中央に有して前記カートリッジケース
内に回転可能に収容された記憶ディスクとを備え、前記
ハブが、前ｆｔｅ駆動軸の周面に当接する基準受面を内
周忙有する第１０ノ・ブ半体と、その基準受面を駆動軸
周面に弾接するために基準受面と対応するように設けら
れた抑圧部を有する第２のハブ半休とからなり、この両
ノ１プ半体によって前記記憶ディスクの中央部が挾持さ
れるディスクカートリッジにおいて、前記第１のハブ半
休が駆動軸とほぼ同等の線膨張係数を有する材料から構
成され、かつ前記第２のハブ半休がバネ弾性の優れた材
料から構成されていることを特徴とするものである。

前記第１のハブ半休は、ボリアリレート、ポリアセター
ルおよびポリブチレンテレフタレートのグループから選
択された少なくとも１種の有機高分子化合物に、例えば
チタン酸カリウムウィスカー、ガラス繊維、炭素繊維、
アルミニウムシリケート繊維、ジルコニア繊維、アルミ
ナ繊維、炭化ケイ素繊維などの無機化合物を少量混合し
た複合材料を射出成形して得られる。

前記チタン酸カリウムウィスカー（Ｋ２Ｏ−ｎＴ１０２
）は、平約繊維長さ１０〜２０μｍ、繊維径０．２〜０
．５μｍ、モース硬度４．ｏ、引張強さ５００〜７００
に９ｆ／ｍ２．引張弾性本釣２８．０００に９ｆ／ｍ２
　、体積抵抗率３．３　Ｘ　１０１５Ω確の特性を有し
ている。

このチタン酸カリウムウィスカーは、ガラス繊維に比べ
て直径が１／２０．長さが１／１００　の針状結晶体で
、これを混合して成形したハブ半休は、耐摩耗性に優れ
ているうえ、駆動軸を削って表面に損傷を与えるような
ことはない。

前記無機化合物の添加率は約５〜４０重量％。

好ましくは約１５〜２５重量％である。無機化合物のう
ち特に短繊維状物質は、有機高分子化合物との絡み合い
によってハブ半休の線膨張係数を有効に下げて、駆動軸
とほぼ同じ線膨張係数（２ｘ１０　闘／鴎℃）となる。

ボリアリレート、ポリアセタールおよびポリブチレンテ
レフタレートのグループから選択された１種もしくは２
種以上の有機高分子化合物は優れた成形性を有している
。そのため前述の如く短繊維状などの無機化合物を添加
して成形する場合。

他の有機高分子化合物に前述のような無機化合物を添加
して成形する場合よりも成形し易（、しかも無機化合物
の添加ｔ′Ｆ容範囲を拡張することが可能で、ハブ牛体
の線膨張係数を下げるのに有効である。

前記第２のハブ半休は、ボリアリレート、ポリアセター
ルおよびポリブチレンテレフタレートのグループから選
択された１種もしくは２種以上の有機高分子化合物を射
出成形して得られる。これら有機高分子化合物は成形性
が良好であるばかりでなく、バネ弾性ならびに耐クリー
プ性に優れているため、抑圧部を有する第２のハブ半休
の成形材料として好適であり、長期間使用しても抑圧部
がクリープすることなく、常に安定したバネ弾性が維持
できる。なお、この第２のハブ半休に第１のハブ半休と
同様に無機化合物を混入すると、バネ弾性が低下するた
め好ましくない。

〔発明の実施例〕

次に本発明の実施例に係る磁気ディスクカートリッジの
具体的な構造について、第２図ないし第８図を用いて説
明する。

第２図は第１のハブ半休の平面図、第３図は第７図Ｃ−
Ｃ線上の断面図、第４図は金属リングの平面図、第５図
は第２のハブ半休の平面図、第６図は第７図Ｃ−Ｃ線上
の断面図、第７図は組苑合わされたハブの平面図、第８
図は第７図Ｃ−Ｃ線上の断面図である。

最初、第１のハブ半体６αについて、第２図および第３
図を用いて説明する。第１のハブ半体６ａは、前述のよ
うな材料を用いて射出成形される。

中央には透孔９が穿設され、内周部にはこの透孔９の中
心に向けて台形をした第１受部１０と第２受部１１とが
所定の間隔をおいて突設され、両受部１０．１１の間は
連結部１２によって一体に連なっている。第１受部１０
の先端面にはフラットな第１受面７αが、第２受部１１
の先端面にも同様にフラットな第２受而７ｂがそれぞれ
形成され、これら両受部７α、７ｂで基準受面７が構成
されている。両受面７α、７Ａは第３図および第８図に
示すようにノ・プロの軸方向に沿って平行に延びており
、かつ、第２図に示す如く両受面７α、７ｂは内側に回
り゛て互に拡角になるように配（４されているから、両
受面７α、７ｈによってほぼＶ字形の溝が）・プロの軸
方向に沿って形成された形になっている。

第２図に示すように第１のノ・プ半体６αの内周部で前
記連結部１２と対向する位置には、平面形状が扇形の切
欠部１３が形成されている。

ハブ半体６αの上面でかつ前記透孔９の外周部には環状
の収容凹部１４が設けられ、その収容凹部１４からは周
方向に所定の間隔をおいて４本の連結ピン１５がそれぞ
れ立設されている。

ハブ半体６αの前記収容四部１４には、第４図に示す金
屈す／グ１６が挿入される。この金属リング１６は記憶
再生装置の駆動軸とほぼ同じ線膨張係敬を有する材料、
例えば駆！ｌ１ｌＩＩｌＩＩと同じようにステンレス（
ＳＵＳ３０４）で作られる。金属リング１６の中央孔１
７はノ＼プ半体１６αの透孔９とほぼ同寸かあるいはそ
れより若干径太になっており、所定位置に連結ピ／１５
が挿通する挿通孔１８がそれぞれ穿設されている。

次に第２のハブ半体６／ＩＫついて、第５図および第６
図を用いて説明する。第２のハブ半体６ｂは、前述のよ
うな拐料で射出成形される。中央には透孔１９が穿設さ
れ、内周部には抑圧部８が設けられている。この抑圧部
８は第５図に示すように、ハブ半休６ｂの内周部に連結
された基部２０と、その基部２０から内周面に沿って弧
状に延びたアーム部２１と、そのアーム部２１の自由端
に設けられた平面形状がほぼ三角形の抑圧頭部２２とか
ら構成されている。同図に示す如くアーム部２１と押圧
頭部２２はハブ半体６ｈの内周面より若干離れて内側に
位置しており、抑圧頭部２２のうちの１つの角部２３が
透孔１９の中心を向くように成形され、また、第６図に
示すように押圧頭部２２はハブ半体６ｂの軸方向に沿っ
て肉厚になるよう所定の厚さを有している。

さらにハブ半体６ｂには、前記第１のハブ半体６ａの連
結ピン１５と対向する位置には貫通孔２４がそれぞれ穿
設されている。

第７図および第８図は、第１のハブ半体６αとｗＪ２の
ハブ半体６ｂを組会わせた状態を示す図である。すなわ
ち、金属リング１６の挿通孔１８（第４図参照）に第１
のハブ半体６αの連結ピン１５を挿通しながら、金属リ
ング１６を第１のノ為ブ半休６ｃＬの収容凹部１４内に
嵌入する。この連結ピン１５により、金属リング１６の
位置決めと、第１のハブ半体６αとの連結がなされる。

金属リング１６の上には、ベースフィルム上に磁性層を
形成した磁気シートよりなる記憶ディスク２の内周部が
配置される。この記憶ディスク２にも連結ピン１５と対
応する個所には透孔が穿設されており、連結ピン１５の
挿通によって位置決めされる。

なお、図示していないが、記憶ディスク２と金属リング
１６との間は接着剤によって接着される。

この接着剤には、温度、湿度の変化に係り−なく、記憶
ディスク２と金属リング１６との接着力を安定させるも
のとして、アクリルゴムにイソシアネートを反応させた
接着剤が好適である。

前記アクリルゴムとして、■エチルアクリレート、ブチ
ルアクリレート、２エチルへキンルアクリレートのうち
の少なくとも１種の主モノマーと。

■酢酸ビニル、アクリルニトリル、アクリルアミド、ス
チレン、メチルメタクリレート、メチルアクリレートの
うちの少なくとも１種のコポリマーと、■メタクリル酸
、アクリル酸、イタコン酸。

ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピル
メタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート
のうちの少なくとも１種の官能基含有モノマーとを含有
したものが望ましい。

記憶ディスク２の上から第２のハブ半体６ｂが　゛載置
され、連結ピン１５を第２のハブ半体６ｈの貫通孔２４
に通し、貫通孔２４かも突出した頭部を熱圧着して、第
８図に示す如く第１のハブ半体６αと第２のハブ半体６
ｂとな記憶ディスク２を間にして連結する。

また、このハブ半体６α、６ｂの組合せにより、第７図
に示す如く押圧頭部２２が切欠部１３内に挿入されて、
基準受面７（第１受面７α、第２受面７ｂ）と対応する
ようになる。

このようにハブ６（ハブ半体６α、６ｈ）を付設した記
憶ディスク２を第１図に示すようなカートリッジケース
１に回転可能に収容して、ディスクカートリッジの組立
てを終了する。

このディスクカートリッジを記憶再生装置に装着した際
、第７図に一点鎖線で示す如く駆動軸２５が基準受面７
と抑圧部８との間に圧入され、それにより抑圧部８のア
ーム部２１ならびに抑圧頭部２２が径方向外側に押しや
られて弾発力を生じる。この弾発力を利用して基準受面
７である第１受面７αならびに第２受面７ｂがそれぞれ
駆動軸２５０周而周面接して、駆動軸２５に対する記憶
ディスク２のセンター合ぜが自動的に行なわれる。

前記実施例では、平面状の第１受面７αと第２受面７ｈ
を設ける場合について説明したが、基準受面は必ずしも
平面状でなくても平面形状が円弧状の周面でも構わない
。

前記実施例では連結ピンを介して第１のハブ半休と金属
リングを連結したが、両者を直接接着剤で連結するか、
あるいは第１のハブ半体を射出成形するときにインサー
トモールド法あるいはアウトサートモールド法を用いて
ハブ半休と金属リングを連結することもできる。いずれ
の方法にしても、第１のハブ半休に、そのハブ半休の周
方向に沿って金ｆｉ　ＩＪングを連結しておけば、第１
のハブ半休と駆動軸との間に僅かな熱膨張の差があって
も、それな金属リングによって抑制することができる。

有機高分子化合物からなるベースフィルム上に磁性層を
形成した記憶ディスクは、駆動軸とほぼ同じ線膨張係数
を有している。従って記憶ディスクは第２のハブ半休に
連結されるよりも、駆動軸とほぼ同じ線膨張係数を有す
る第１の・・プ半体の方へ連結した方が、温度変化にと
もなう記憶ディスクへの応力の掛り具合が少なくなるた
め好ましい。なお、記憶ディスクを第１のハブ半休に連
結する手段としては、前記実施例のように第１のノ・ブ
半体に連結される金属リングに記憶ディスクを接着する
方法の他に、第１のハブ半休に直接記憶ディスクを接着
あるいは融着する方法などもある。

〔発明の効果〕

本発明は前述のように基準受面を有する第１のハブ半休
を駆動軸とはぼ同じ線膨張係数を有する材料で構成した
から、温度変化があっても駆動軸と記憶ディスクのセン
タずれが生じることがなく、常に適正なトラッキングが
行なわれる。一方、押圧部を有する第２のハブ半休はバ
ネ弾性の優れた材料で構成したから、駆動軸とハブとの
係合が常に安定し、記憶ディスクの回転駆動が適正に行
なわれる。以上のようなことから、信頼性の高いディス
クカートリッジが提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気ディスクカートリッジの斜視図、第２図は
第１のハブ半休の平面図、第３図は第２図Ａ−Ａ線上の
断面図、第４図は金属リングの平面図、第５図は第２の
ハブ半休の平面図、第６図は第５図Ｂ−Ｂ線上の断面図
、第７図は組み合わされたハブの平面図、第８図はＭＳ
７図ｃ−ｃ６上の断面図である。 ｌ・・・・・・カートリッジケース、２・・・・・・記
憶ディスク、６・・・・・・ハブ、６α・・・・・・第
１のノープ半体、６ｈ・・・・・・第２のノ・プ半体、
７・・・・・・基準受面、７α・・・・・・第１受面、
７ｂ・・・・・・第２受面、１５・・・・・・連結ビン
。 １６・・・・・・金属リング、２５・・・・・・駆動軸
。 第１１２」 第２０ ；’、＋’５３図 ’４：ｊ’５４図 ４了５　５　１Ｍ：１ ２０　２１ 第６図 ｂ ＼ 鮨’５７図 ε１′Ｓ８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）、所定位置に駆動軸挿入口を有するカートリッジ
   ケースと、前記駆動軸挿入口に臨むノ・プを中央に有し
   て前記カートリッジケース内に回転可能に収容された記
   憶ディスクとを備え、前記・・プが、前記駆動軸の局面
   に当接する基準受面を内周に有する第１のノ・プ半体と
   、その基準受面を駆動軸周面に弾接するために基準受面
   と対応するように設けられた抑圧部を有する第２０ノ・
   ブ半体とからなり、この両ハブ半休によって前記記憶デ
   ィスクの中央部が挾持されるディスクカートリッジにお
   いて、前記第１のノ・ブ半体が駆動軸とほぼ同等の線膨
   張係数を有する材料から構成され、かつ前記第２のハブ
   半休がバネ弾性の優れた材料から構成されていることを
   特徴とするディスクカートリッジ。 （２、特許請求の範囲第（１）項記載において、前記第
   １のハブ半休が無機化合物を混合した有機高分子化合物
   で成形され、前記第２のハブ半休が有機高分子化合物で
   成形されていることを特徴とするディスクカートリッジ
   。 （３）、特許請求の範囲第（２）項記載において、前記
   無機化合物が短繊維状物質であることを特徴とするディ
   スクカートリッジ。 （４）、特許請求の範囲第（３）項記載において、前記
   短繊維状物質がチタン酸カリクムクイスカーであること
   を特徴とするディスクカートリッジ。 （５）、特許請求の範囲第（２）項記載において、前記
   有機高分子化合物がボリアリレート、ポリアセタールお
   よびポリブチレンテレフタレートのグループから選択さ
   れた少なくとも１種の有機高分子化合物であることを特
   徴とするディスクカートリッジ。 （６）、特許請求の範囲第（１）項記載において、前記
   基準受面が、平面状の第１受面と、その第１受面と鎖交
   する方向に配置された平面状の第２受面とで構成されて
   いることを特徴とするディスクカートリッジ。 （７）、特許請求の範囲第（１）項記載において、前記
   記憶ディスクが、有機高分子化合物からなるベースフィ
   ルムと、そのベースフィルム上に形成された磁性層とか
   らなり、この記憶ディスクが前記第１のハブ半体側に連
   結されていることを特徴とするディスクカートリッジ。 （８）、特許請求の範囲第（１）項記載において、第１
   のハブ半休に、そのハブ半休の周方向に沿って金属リン
   グが連結されていることを特徴とするディスクカートリ
   ッジ。 （９）、特許請求の範囲ｍ　（８１項記載において、前
   記金属リングに、有機高分子化合物からなるベースフィ
   ルムの表面に磁性層を形成した記憶ディスクが接着され
   ていることを特徴とするディスクカートリッジ。