JPS60106205A - モノリシツクｆｅｔ発振器 - Google Patents
モノリシツクｆｅｔ発振器Info
- Publication number
- JPS60106205A JPS60106205A JP21444983A JP21444983A JPS60106205A JP S60106205 A JPS60106205 A JP S60106205A JP 21444983 A JP21444983 A JP 21444983A JP 21444983 A JP21444983 A JP 21444983A JP S60106205 A JPS60106205 A JP S60106205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- conductor
- slot
- conductors
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＦＥＴ （電界効果トランジスタ）を能動素
子としてモノリシック集積回路化され、マイクロ波およ
びミリ波などの発振に適するモノリシックＦＥＴ発振器
に関するものである。
子としてモノリシック集積回路化され、マイクロ波およ
びミリ波などの発振に適するモノリシックＦＥＴ発振器
に関するものである。
〈従来技術〉
第１図及び第２図は従来のハイブリッド集積回路化され
たＦＥＴ発振器の例を示す。接地導体１の上に誘電体基
板２，３が設けられ、誘電体基板２゜３上にマイクロス
トリップ線路４，５、これに一端が接続されたマイクロ
ストリップの高周波阻止フィルタ６．７、そのフィルタ
の他端に接続された直流印加端子８，９などの受動回路
が形成されている。誘電体基板２，３間の接地導体１に
ＦＥＴテップ１１が搭載され、金属線１２ 、１３によ
、！ｌ） ＦＥＴチップ１１の電極とマイクロストリッ
プ線路４，５とが接続されている。
たＦＥＴ発振器の例を示す。接地導体１の上に誘電体基
板２，３が設けられ、誘電体基板２゜３上にマイクロス
トリップ線路４，５、これに一端が接続されたマイクロ
ストリップの高周波阻止フィルタ６．７、そのフィルタ
の他端に接続された直流印加端子８，９などの受動回路
が形成されている。誘電体基板２，３間の接地導体１に
ＦＥＴテップ１１が搭載され、金属線１２ 、１３によ
、！ｌ） ＦＥＴチップ１１の電極とマイクロストリッ
プ線路４，５とが接続されている。
この従来の発振器においてはＦＥＴチップ１１の取りつ
け位置、金属線１２ 、１３の長さ、金属線１２ 、１
３の接続位置々と製作精度を確保するのが困難な部分が
多く、このため回路組立後の調整が可可欠であるという
欠点があった。さらに、直流バイアスを供給するために
高周波阻止フィルタ６．７を必要とし、回路が大形化す
るという欠点もあった。
け位置、金属線１２ 、１３の長さ、金属線１２ 、１
３の接続位置々と製作精度を確保するのが困難な部分が
多く、このため回路組立後の調整が可可欠であるという
欠点があった。さらに、直流バイアスを供給するために
高周波阻止フィルタ６．７を必要とし、回路が大形化す
るという欠点もあった。
〈発明の概要〉
この発明の目的は比較的高い寸法２位置績度を容易に得
ることができ、しかも製造か容易で量産し易く、小形に
作ることができるモノリフツクＦＥＴ発振器を提供する
ことにある。
ることができ、しかも製造か容易で量産し易く、小形に
作ることができるモノリフツクＦＥＴ発振器を提供する
ことにある。
この発明によれば半導体基板上にＦＥＴを形成し、その
ＦＥＴを形成した半導体基板上にスロット線路によりＦ
ＥＴを含む発振回路を形成する。
ＦＥＴを形成した半導体基板上にスロット線路によりＦ
ＥＴを含む発振回路を形成する。
〈実施例〉
第３図及び第４図はこの発明の実施例を示し、半導体基
板２１上にＦＥＴ ２２が形成される。ＦＥＴ ２２の
ゲート電極２３．ドレイン電極２４及びノース電、極２
５とそれぞれ接続された導体２６ 、２７及び２８がそ
れぞれ半導体基板２１上に形成される。導体２６及び２
７によりスロット線路２９が構成され、導体２７及び２
８によりスロット線路３１が構成される。スロット線路
２９のＦＥＴ２２と反対側の端はキャパシタ３２で終端
される。即ちスロット線路３１のこの端部はそのスロッ
ト線路を構成する両側の導体２６ 、２７が絶縁ｆＴｇ
Ｅ３３を介して重ね合わされてキャパシタ３２がｆｔ’
４ 成すれる。同様々キャパシタ３４によりスロット線
路３１ヲ構成する一方の導体２７はそのドレイン電極２
４側２７ａと出力ボート３５側２７ｂとて直流的に分離
される。導体２６ 、２７及び２８にそれぞれＦＥＴ
２２に対する直流バイアス印加端子３６ 、３７及び３
８が接続される。
板２１上にＦＥＴ ２２が形成される。ＦＥＴ ２２の
ゲート電極２３．ドレイン電極２４及びノース電、極２
５とそれぞれ接続された導体２６ 、２７及び２８がそ
れぞれ半導体基板２１上に形成される。導体２６及び２
７によりスロット線路２９が構成され、導体２７及び２
８によりスロット線路３１が構成される。スロット線路
２９のＦＥＴ２２と反対側の端はキャパシタ３２で終端
される。即ちスロット線路３１のこの端部はそのスロッ
ト線路を構成する両側の導体２６ 、２７が絶縁ｆＴｇ
Ｅ３３を介して重ね合わされてキャパシタ３２がｆｔ’
４ 成すれる。同様々キャパシタ３４によりスロット線
路３１ヲ構成する一方の導体２７はそのドレイン電極２
４側２７ａと出力ボート３５側２７ｂとて直流的に分離
される。導体２６ 、２７及び２８にそれぞれＦＥＴ
２２に対する直流バイアス印加端子３６ 、３７及び３
８が接続される。
ここで、ＦＥＴ２２からスロット線路２９をみたインピ
ーダンスが誘導性となる位置にキャパシタ３２をおけば
発振条件が満たされ、スロット線路３１より出力ポート
３５だ発振出力が得られる。この発振の原理は第１図及
び第２図に示した従来の発振器と同一である。なお、ス
ロット線路２９は、キャパシタ３２で終端する代わりに
、適当な長さで開放終端してもよい。高周波電界はスロ
ット線路２９ 、３１の近傍に集中するため、直流バイ
アス印加端子３６〜３８をスロット線路２８．３１から
離して各導体に接続することにより高周波阻止用フィル
タは不要となる。
ーダンスが誘導性となる位置にキャパシタ３２をおけば
発振条件が満たされ、スロット線路３１より出力ポート
３５だ発振出力が得られる。この発振の原理は第１図及
び第２図に示した従来の発振器と同一である。なお、ス
ロット線路２９は、キャパシタ３２で終端する代わりに
、適当な長さで開放終端してもよい。高周波電界はスロ
ット線路２９ 、３１の近傍に集中するため、直流バイ
アス印加端子３６〜３８をスロット線路２８．３１から
離して各導体に接続することにより高周波阻止用フィル
タは不要となる。
第５図、第６図はこの発明の第２の実施例を示し、第２
高調波を取り出す発振器である。第３図及び第４図に示
したものと同様の構造をもつ２個の発振回路４１ 、４
２が同一半導体基板２１上に対称に配置される。発振回
路４１の第３図、第４図と対応する部分には同一符号を
付け、発振回路４２の対応する部分には同一番号にダッ
シュ「′」を付けである。スロット線路２９ 、２９’
を対向平行させ、スロット線路３１ 、３１’ も同
様に対向平行させ、ド１／イン？［１，極２４ 、２４
’ と接続された導体２７ 、２７’は共通の導体どさ
れである。スロット線路３１ 、３１’ ）ＦＥＴ ２
２ 、２２’と反対側はコプレーナ線路４３の一端に接
続される。コプレーナ線路４３も半導体基板２１上に形
成され、コプレーナ線路４３の内導体４３ａに、スロッ
ト線路３１ 、３１’ 肌の導体２７が延長接ｈ；され
、コプレーナ線路４３の両側の外導体は導体２８ 、２
８’が延長して形成される。スロット線路３１ 、３１
’とコプレーナ線路４３との接続部において、コプレー
ナ線路４３の両側の外導体２８ 、２８’が短絡導体４
４で接続される。
高調波を取り出す発振器である。第３図及び第４図に示
したものと同様の構造をもつ２個の発振回路４１ 、４
２が同一半導体基板２１上に対称に配置される。発振回
路４１の第３図、第４図と対応する部分には同一符号を
付け、発振回路４２の対応する部分には同一番号にダッ
シュ「′」を付けである。スロット線路２９ 、２９’
を対向平行させ、スロット線路３１ 、３１’ も同
様に対向平行させ、ド１／イン？［１，極２４ 、２４
’ と接続された導体２７ 、２７’は共通の導体どさ
れである。スロット線路３１ 、３１’ ）ＦＥＴ ２
２ 、２２’と反対側はコプレーナ線路４３の一端に接
続される。コプレーナ線路４３も半導体基板２１上に形
成され、コプレーナ線路４３の内導体４３ａに、スロッ
ト線路３１ 、３１’ 肌の導体２７が延長接ｈ；され
、コプレーナ線路４３の両側の外導体は導体２８ 、２
８’が延長して形成される。スロット線路３１ 、３１
’とコプレーナ線路４３との接続部において、コプレー
ナ線路４３の両側の外導体２８ 、２８’が短絡導体４
４で接続される。
ここで、スロット線路３１ 、３１’の長さを適当に選
べば、第５図に電界の向きを矢印で示すように２つの発
振回路４１ 、４２の出力は互いに逆相で同期し、出力
波のうち基本周波数成分は短絡導体４４により短絡され
、出力線路のコプレーナ線路４３へは現れない。一方、
第２高調波成分は互いに同相になるためコプレーナ線路
４３よシ出力ポート３５に取りだすことができる。
べば、第５図に電界の向きを矢印で示すように２つの発
振回路４１ 、４２の出力は互いに逆相で同期し、出力
波のうち基本周波数成分は短絡導体４４により短絡され
、出力線路のコプレーナ線路４３へは現れない。一方、
第２高調波成分は互いに同相になるためコプレーナ線路
４３よシ出力ポート３５に取りだすことができる。
これらの実施例においては、スロット線路を用いること
によ、！２ ＦＥＴと受動回路を接続するワイヤがなく
、また高周波耐重のだめのフィルタが不要であるため、
再現性が良好であるとともに極めて小形に作ることがで
きる。
によ、！２ ＦＥＴと受動回路を接続するワイヤがなく
、また高周波耐重のだめのフィルタが不要であるため、
再現性が良好であるとともに極めて小形に作ることがで
きる。
〈効 果〉
以上説明したように、この発明の発振器においては受動
回路とＦＥＴを同一半導体基板上に形成し、かつスロッ
ト線路を用いているため、量産性尾富むとともにフィル
タを省略でき回路寸法を小形化できる利点がある。
回路とＦＥＴを同一半導体基板上に形成し、かつスロッ
ト線路を用いているため、量産性尾富むとともにフィル
タを省略でき回路寸法を小形化できる利点がある。
第１図は従来のＦＥＴ発振器を示す平面図、第２図は第
１図の正面図、第３図はこの発明の第１の実施例を示す
平面図、第４図は第３図のＡＡ’線断面図、第５図はこ
の発明の第２の実施例を示す平面図、第６図は第５図の
ＢＢ’線断面図である。 ２１・半導体基板、２２−ＦＥＴ、 ２３・・ゲート電
極、２４・・トレイン電極、２５・・ソース電極、２６
、２７ 、２８・・導体、２９ 、３１・・・スロッ
ト線路、３２ 、３４・・キャパシタ、３５・・・出力
ボート、３６ 、３７ 、３８−・バイアス印加端子、
４１ 、４２−発振回路、４３ コプレーナ線路、４４
・・・短絡導体。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 草野 卓 布 １ （支） オ ２ 臣 １１ １ オ ３圓 ７ 汗４囮 沙 ５図 十 〇 図
１図の正面図、第３図はこの発明の第１の実施例を示す
平面図、第４図は第３図のＡＡ’線断面図、第５図はこ
の発明の第２の実施例を示す平面図、第６図は第５図の
ＢＢ’線断面図である。 ２１・半導体基板、２２−ＦＥＴ、 ２３・・ゲート電
極、２４・・トレイン電極、２５・・ソース電極、２６
、２７ 、２８・・導体、２９ 、３１・・・スロッ
ト線路、３２ 、３４・・キャパシタ、３５・・・出力
ボート、３６ 、３７ 、３８−・バイアス印加端子、
４１ 、４２−発振回路、４３ コプレーナ線路、４４
・・・短絡導体。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 草野 卓 布 １ （支） オ ２ 臣 １１ １ オ ３圓 ７ 汗４囮 沙 ５図 十 〇 図
Claims (2)
- （１）半導体基板上ＫＦＥＴＣ電界効果トランジスタ）
が形成され、そのＦＥＴのゲート電極を、ドレイン電極
及びソース電極とそれぞれ接続された第１、第２．及び
第３の導体が上記半導体基板上に形成され、これら第１
の導体と第２の導体とによシ第１のスロット線路が構成
され、第２の導体と第３の導体とにより第２のスロッ）
Ｋｌ路が構成され、上記第１のスロット線路は上記Ｆ
ＥＴから有限長の位置で開放終端、あるいはキャパシタ
により終端され、上記第２のスロット線路が出力線路と
されているモノリシックＪｉ’ＥＴ発振器。 - （２）半導体基板上に、特許請求範囲第１項記載の発振
器が２細膜られ、そのドレイン電極に接続された導体が
共通され、かつスロット線路からなる２本の出力線路の
方向が同一となるように対称に配置され、その２本の出
方線路は１本のコプレーナ線路に接続され、そのコプレ
ーナ線路が共通の出力線路とされ、かつそのコプレーナ
線路の２つの外側導体が短絡導体で接続されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のモノリシック
ＦＥＴ発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21444983A JPS60106205A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | モノリシツクｆｅｔ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21444983A JPS60106205A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | モノリシツクｆｅｔ発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106205A true JPS60106205A (ja) | 1985-06-11 |
Family
ID=16655944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21444983A Pending JPS60106205A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | モノリシツクｆｅｔ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2839219A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-31 | Murata Manufacturing Co | Dispositif de circuit haute frequence utilisant une ligne de fente et appareil de communication comportant un dispositif de circuit haute frequence. |
| US6737687B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Field-effect transistor device having a uniquely arranged gate electrode |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP21444983A patent/JPS60106205A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737687B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Field-effect transistor device having a uniquely arranged gate electrode |
| FR2839219A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-31 | Murata Manufacturing Co | Dispositif de circuit haute frequence utilisant une ligne de fente et appareil de communication comportant un dispositif de circuit haute frequence. |
| US6778031B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-08-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd | High-frequency circuit device using slot line and communication apparatus having high frequency circuit device |
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