JPS60110471A - 感熱記録ヘッド - Google Patents
感熱記録ヘッドInfo
- Publication number
- JPS60110471A JPS60110471A JP58220023A JP22002383A JPS60110471A JP S60110471 A JPS60110471 A JP S60110471A JP 58220023 A JP58220023 A JP 58220023A JP 22002383 A JP22002383 A JP 22002383A JP S60110471 A JPS60110471 A JP S60110471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- wiring
- ball
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1、産業上の利用分野
本発明は感熱記録ヘッドに関するものである。
2、従来技術
感熱記録ヘッド(以下、単にヘッドと略す。)は、被記
録紙又は感熱紙等の被記録体に対して直接的に若しくは
インクフィルムを介して当接された状態で、記録用の電
気信号によって発熱部がドツト状に選択加熱され、これ
によって被記録体に画像等を記録できるように構成され
ている。
録紙又は感熱紙等の被記録体に対して直接的に若しくは
インクフィルムを介して当接された状態で、記録用の電
気信号によって発熱部がドツト状に選択加熱され、これ
によって被記録体に画像等を記録できるように構成され
ている。
従来のヘッドでは一般に、基板上に発熱体層を設け、こ
の上に多数の対向電極を形成して発熱部を構成しておプ
、その(信号)[極に対し基板外に配した集積回路(以
下、ICと称する。)部から目的とする画像パターンに
対応した信号を与えるようにしている。
の上に多数の対向電極を形成して発熱部を構成しておプ
、その(信号)[極に対し基板外に配した集積回路(以
下、ICと称する。)部から目的とする画像パターンに
対応した信号を与えるようにしている。
こうしたヘッドとしては、例えば特開昭56−7898
5号、57−8177号、57−8178号、57−8
179号、57−8180号、57−43883号、5
7−43884号、57−107866号、57−10
7867号、57−107868−W、57−1824
61号、57−185170号、57−203571号
、57−203572号、等各公報に開示されたものが
ある。
5号、57−8177号、57−8178号、57−8
179号、57−8180号、57−43883号、5
7−43884号、57−107866号、57−10
7867号、57−107868−W、57−1824
61号、57−185170号、57−203571号
、57−203572号、等各公報に開示されたものが
ある。
ヘッドには、ダイオードマトリックス方式(以下、DM
方式と称する)と、ダイレクトドライブ方式(以下、D
D方式と称する)との2棟類の駆動方式が知られている
。いずれの方式でも、発熱体構成要素(ドツト)の数は
例えばB4サイズの記録では2048個と非常に多く、
これらの構成要素に対し同数のダイオード(1)M方式
)又は工Cチップ(DD方式)を接続することが必要と
される。この場合、それらの電気的接続個所(例えばダ
イオード又はICチップの実装部分、発熱部と隣接した
回路素子との間)の数は発熱体構成要素数の数倍にも及
んでいる。しかも、各発熱体構成要素の大きさは、分解
能の面から8本/mmとすれば12F1mピッチで11
00pの幅となシ、極めて微細なものとなる。従って、
こうした微細な構成要素に対する電気的接続は、高精度
であること、及び高信頼性、経済性を保持することが要
求される。
方式と称する)と、ダイレクトドライブ方式(以下、D
D方式と称する)との2棟類の駆動方式が知られている
。いずれの方式でも、発熱体構成要素(ドツト)の数は
例えばB4サイズの記録では2048個と非常に多く、
これらの構成要素に対し同数のダイオード(1)M方式
)又は工Cチップ(DD方式)を接続することが必要と
される。この場合、それらの電気的接続個所(例えばダ
イオード又はICチップの実装部分、発熱部と隣接した
回路素子との間)の数は発熱体構成要素数の数倍にも及
んでいる。しかも、各発熱体構成要素の大きさは、分解
能の面から8本/mmとすれば12F1mピッチで11
00pの幅となシ、極めて微細なものとなる。従って、
こうした微細な構成要素に対する電気的接続は、高精度
であること、及び高信頼性、経済性を保持することが要
求される。
従来から知られている電気的接続方式には次の3つがあ
る。
る。
(1)、Auのボールボンディング
(2)、フィルムキャリア
(3)、Atのウェッジボンディング
しかしながら、これらの接続方式はいずれも次の如き欠
点を有している。
点を有している。
まずAuのボールボンディングでは、Auの価格が高く
て経済性が悪いことに加えて、ダイオードやICチップ
のポンディングパッドがAtからなっているためにボン
ディング個所はAu −At接合となり、この接合は温
度上昇時に合金化してもろくなり、破壊し易く々って断
線を生じ易い。
て経済性が悪いことに加えて、ダイオードやICチップ
のポンディングパッドがAtからなっているためにボン
ディング個所はAu −At接合となり、この接合は温
度上昇時に合金化してもろくなり、破壊し易く々って断
線を生じ易い。
しかも、Auは重くて振動の影響を受け易い。
また、フィルムキャリアの場合、テープの製作費が高く
、シかもヘッドの如く高精度に多数の接続を行なう製品
では接続の自動化を行なうことが困難である。
、シかもヘッドの如く高精度に多数の接続を行なう製品
では接続の自動化を行なうことが困難である。
また、AAのウェッジボンディングは、第1のボンディ
ングの終了後に次の第2のボンディング位置へAtワイ
ヤを導ひくときに、第1のボンディングの方向をそのま
ま保持して第2のボンディングを行なわねばならないか
ら、第2のボンディング位置が制限される。このため、
ボンディングの自由度が低く、生産性はAuのボールボ
ンディングよりも悪くなる。これに加えて、A4ワイヤ
を押し潰してボンディングするためにボンディング位置
でのワイヤ径(厚み)が細くなり、強度が低下して断線
を生じ易く、かつ上記したボンディング位置の制限によ
シ、オートボンダーとボンディングステージとを相対的
に回転させなければ所望の接続を行なえないため位置精
度が悪い。
ングの終了後に次の第2のボンディング位置へAtワイ
ヤを導ひくときに、第1のボンディングの方向をそのま
ま保持して第2のボンディングを行なわねばならないか
ら、第2のボンディング位置が制限される。このため、
ボンディングの自由度が低く、生産性はAuのボールボ
ンディングよりも悪くなる。これに加えて、A4ワイヤ
を押し潰してボンディングするためにボンディング位置
でのワイヤ径(厚み)が細くなり、強度が低下して断線
を生じ易く、かつ上記したボンディング位置の制限によ
シ、オートボンダーとボンディングステージとを相対的
に回転させなければ所望の接続を行なえないため位置精
度が悪い。
このように、従来のボンディング方式はいずれも、ヘッ
ドの如き多数でかつ微細な接続個所のある製品における
接続には不適当である。
ドの如き多数でかつ微細な接続個所のある製品における
接続には不適当である。
3、発明の目的
本発明の目的は、高精度にして信頼性及び生産性良く、
低コストにボンディングが可能なヘッド構造を提供する
ことにある。
低コストにボンディングが可能なヘッド構造を提供する
ことにある。
4、発明の構成
即ち、本発明は、発熱部と、この発熱部を駆動する集積
回路部(IC部)とを有する感熱記録ヘッドにおいて、
互いに電気的に接続されるべき複数の個所がアルミニウ
ムのボールボンディングによって接続されていることを
特徴とする感熱記録ヘッドに係るものである。
回路部(IC部)とを有する感熱記録ヘッドにおいて、
互いに電気的に接続されるべき複数の個所がアルミニウ
ムのボールボンディングによって接続されていることを
特徴とする感熱記録ヘッドに係るものである。
5、実施例
以下、本発明を実施例について詳細に説明する。
まず第1図につき、DN方式のヘッド200基本的回路
構成を説明する。これによれば、発熱部2の各構成要素
(抵抗で示しである)Rは例えば32ブロツクに分けら
れ、各ブロックには逆流防止ダイオードDが64個ずつ
接続され、各ブロック毎にドライブ回路(図示せず)に
よシ群制御が行なわれる。構成要素Rの他端側は夫々、
64本の信号ラインから記録信号Sinが選択的に印加
され、この信号に対応して上記ブロックにドライブ信号
が入った場合に、構成要素■(がジュール熱によりドツ
ト状に発熱することになる。
構成を説明する。これによれば、発熱部2の各構成要素
(抵抗で示しである)Rは例えば32ブロツクに分けら
れ、各ブロックには逆流防止ダイオードDが64個ずつ
接続され、各ブロック毎にドライブ回路(図示せず)に
よシ群制御が行なわれる。構成要素Rの他端側は夫々、
64本の信号ラインから記録信号Sinが選択的に印加
され、この信号に対応して上記ブロックにドライブ信号
が入った場合に、構成要素■(がジュール熱によりドツ
ト状に発熱することになる。
ここで、第1図に一点鎖線26で示したラインは、各ダ
イオードDと要素Rとが電気的に接続される個所を示し
、この接続個所数は2048個所にも及ぶ。本実施例に
よれば、これらの多数の接続を第2図〜第4図に示すk
tのボールボンディングで行々っている。
イオードDと要素Rとが電気的に接続される個所を示し
、この接続個所数は2048個所にも及ぶ。本実施例に
よれば、これらの多数の接続を第2図〜第4図に示すk
tのボールボンディングで行々っている。
即ち、各ダイオードDは、基体(例えばアルミニウム)
1上に固定されたプリント基板5にマウントされたIC
チップ27に形成されていて、Si基板28に公知の半
導体技術で拡散形成されたP型ウェル29及びN+型領
領域30の接合ダイオードからなっている。ICチップ
27は簡略化して示されておシ、表面側にはS i02
からなるパツシベーシヨン層31が形成され、この膜に
設けた貫通孔にAt電極32が被着され、更に絶縁膜3
3を介して電極32に接続されたAtポンディングパッ
ド34が被着されている。プリント基板5上には、IC
チップ27に隣接して発熱部2へ導ひかれるA7配線3
5が各ダイオードDに対応し−て設けられている。そし
て、上記のダイオードDのAtポンディングパッド34
と上記At配線35とは、同じAt製のワイヤ36によ
って互いに電気的に接続されるが、この接続がボールボ
ンディング方式で行なわれていることに注目すべきであ
る。
1上に固定されたプリント基板5にマウントされたIC
チップ27に形成されていて、Si基板28に公知の半
導体技術で拡散形成されたP型ウェル29及びN+型領
領域30の接合ダイオードからなっている。ICチップ
27は簡略化して示されておシ、表面側にはS i02
からなるパツシベーシヨン層31が形成され、この膜に
設けた貫通孔にAt電極32が被着され、更に絶縁膜3
3を介して電極32に接続されたAtポンディングパッ
ド34が被着されている。プリント基板5上には、IC
チップ27に隣接して発熱部2へ導ひかれるA7配線3
5が各ダイオードDに対応し−て設けられている。そし
て、上記のダイオードDのAtポンディングパッド34
と上記At配線35とは、同じAt製のワイヤ36によ
って互いに電気的に接続されるが、この接続がボールボ
ンディング方式で行なわれていることに注目すべきであ
る。
このボンディング方式によれば、Atワイヤ36の一端
側は予めボール状に形成されていて、このボール部分3
6aを上記パッド34上に加熱下で押し付けることによ
ってパッド34に対し電気的(更には機械的)に結合せ
しめられる。従って、コノホンディング部分は同じ八t
Nのボール部分36a とパッド34との接合からなる
ために、両者は充分に一体化して強力に結合し合い、破
壊に充二分に耐える構造となる。まだ、Atワイヤ3・
6の他端側36bFiAt配線35上にウェッジボンデ
ィングと同様の構造で結合せしめられるが、両者は共に
A4製であるためにAuとAtの様々もろい合金化が生
じず、結合強度は充分である。但、ば、実用上充分に破
壊に耐えると共に、上記一端側36 aがボールボンデ
ィングでパッド34と接続されているためにワイヤ36
全体としての結合強度は強力なものとなっている。これ
に反し、従来のAtウェッジボンディングを第3図に適
用した場合、AAワイヤの両端部が共にウェッジボンデ
ィングでパッド34及び配線35に接続されることにな
るから、本例によるボンディング構造に比べて強度的に
ずっと弱くなる。々お、ワイヤ36として例えばAA−
8i(99:1)製のものを使用するワイヤ自体の強度
を大きくできる。
側は予めボール状に形成されていて、このボール部分3
6aを上記パッド34上に加熱下で押し付けることによ
ってパッド34に対し電気的(更には機械的)に結合せ
しめられる。従って、コノホンディング部分は同じ八t
Nのボール部分36a とパッド34との接合からなる
ために、両者は充分に一体化して強力に結合し合い、破
壊に充二分に耐える構造となる。まだ、Atワイヤ3・
6の他端側36bFiAt配線35上にウェッジボンデ
ィングと同様の構造で結合せしめられるが、両者は共に
A4製であるためにAuとAtの様々もろい合金化が生
じず、結合強度は充分である。但、ば、実用上充分に破
壊に耐えると共に、上記一端側36 aがボールボンデ
ィングでパッド34と接続されているためにワイヤ36
全体としての結合強度は強力なものとなっている。これ
に反し、従来のAtウェッジボンディングを第3図に適
用した場合、AAワイヤの両端部が共にウェッジボンデ
ィングでパッド34及び配線35に接続されることにな
るから、本例によるボンディング構造に比べて強度的に
ずっと弱くなる。々お、ワイヤ36として例えばAA−
8i(99:1)製のものを使用するワイヤ自体の強度
を大きくできる。
また、本例による上記のAtボールボンディング方式は
、軽量のAtワイヤ36を使用するものであるから、振
動に強くガっておシ、これも破壊が生じない一因である
。しかも、コストが非常に安いので経済的にも有利であ
る。
、軽量のAtワイヤ36を使用するものであるから、振
動に強くガっておシ、これも破壊が生じない一因である
。しかも、コストが非常に安いので経済的にも有利であ
る。
更に、Atワイヤ36によるポールボンディングである
から、ダイオードDと配線35との間をオートボンダー
によって高精度でかつ自動的に接続することができる。
から、ダイオードDと配線35との間をオートボンダー
によって高精度でかつ自動的に接続することができる。
なお、上記の配線35は、セラミックス等の抵抗体板3
上に対応した個数設けられた発熱体層(例えば窒化メン
タル膜)8(第1図のRに相当)上に導びかれ、対向し
たAt配線に(第1図のSinの印加されるライン)と
の間に流れる電流で発熱体層8を選択的に発熱させる構
造となっている。
上に対応した個数設けられた発熱体層(例えば窒化メン
タル膜)8(第1図のRに相当)上に導びかれ、対向し
たAt配線に(第1図のSinの印加されるライン)と
の間に流れる電流で発熱体層8を選択的に発熱させる構
造となっている。
第4図には、本例によるボンディングの状況が示されて
いる。キャピラリー37の中心部には公知のウェッジボ
ンディングの場合と同様にAtワイヤ36が通されるが
、その下端部36aは公知の放電又は水素トーチによる
加熱で溶融せしめられて予めボール状に形成される。そ
して、キャピラリー37を下方38へ下げ、加熱下にパ
ッド34上に押し付けてボール状にパッド34と接続セ
ージめた後、キャピラリー37を配a35上に移動ぜせ
、その下端エツジ37aでワイヤ36を押し潰した後、
ワイヤをクランプし、矢印39方向へ移動させると、ワ
イヤ端36bが切断され、配線35上に結合せしめられ
る。
いる。キャピラリー37の中心部には公知のウェッジボ
ンディングの場合と同様にAtワイヤ36が通されるが
、その下端部36aは公知の放電又は水素トーチによる
加熱で溶融せしめられて予めボール状に形成される。そ
して、キャピラリー37を下方38へ下げ、加熱下にパ
ッド34上に押し付けてボール状にパッド34と接続セ
ージめた後、キャピラリー37を配a35上に移動ぜせ
、その下端エツジ37aでワイヤ36を押し潰した後、
ワイヤをクランプし、矢印39方向へ移動させると、ワ
イヤ端36bが切断され、配線35上に結合せしめられ
る。
この人tボールボンディングによれば、キャピラリー3
7下に露出したAAクワイヤ下端36aを予めボール状
にしているので、パッド34上への接続後、次のボンデ
ィング位置のキャピラリー37の移動方向はボール部分
36aの全周において任意に選択できる。従って、図示
した配線35の如くパッド34に対し一定の方向で対応
している第2のボンディング位置へのキャピラリー37
の移動は、配線35の位置が仮にずれていても常に実現
可能であり、ボンディング方向の自由度及びボンディン
グの位置精度を高くする仁とができる。
7下に露出したAAクワイヤ下端36aを予めボール状
にしているので、パッド34上への接続後、次のボンデ
ィング位置のキャピラリー37の移動方向はボール部分
36aの全周において任意に選択できる。従って、図示
した配線35の如くパッド34に対し一定の方向で対応
している第2のボンディング位置へのキャピラリー37
の移動は、配線35の位置が仮にずれていても常に実現
可能であり、ボンディング方向の自由度及びボンディン
グの位置精度を高くする仁とができる。
こうして、ダイオードDと発熱部構成要素との間におけ
る2000〜3000個所にも及ぶ接続個所を高精度に
して信頼性良く、低コストに接続することができ、接続
の歩留シもAtウェッジボンディングの不良率(4〜5
本/1000本)及びAuボールボンディングの不良率
(1〜2本/ 100027.)に比べ1本以下/10
00本の不良率に向上さぜることか可能である。
る2000〜3000個所にも及ぶ接続個所を高精度に
して信頼性良く、低コストに接続することができ、接続
の歩留シもAtウェッジボンディングの不良率(4〜5
本/1000本)及びAuボールボンディングの不良率
(1〜2本/ 100027.)に比べ1本以下/10
00本の不良率に向上さぜることか可能である。
このことは、次の実験事実にょシ確認された。
第2図及び第3図において、各部を次の如くに形成した
。
。
A、aパッド34:1+5+厚、1.00X100/1
77!Atパツド34の数=1ブロック当シロ4個At
ワイヤ36 m AA+IXS+、25pmφボンディ
ング個所: 4096個所(Atワイヤ本数で2048
本) ボンディング条件: Atバッド34上ヘノ抑圧: 400mN(= ユ゛−
トン) Atバッド34上への抑圧時間:30m5ec超音波振
幅:0.7pm(周波数60 Kl−Jz )ボール部
分36a:Arガス中、容量放電(capacitor
discharge )法により形成 配線35:At薄膜(又はPct−Ag薄膜)配線35
(又は12):1100p幅、125pmピッチ 結果は以下の通シであシ、従来のボンディング方式と比
較して示した。
77!Atパツド34の数=1ブロック当シロ4個At
ワイヤ36 m AA+IXS+、25pmφボンディ
ング個所: 4096個所(Atワイヤ本数で2048
本) ボンディング条件: Atバッド34上ヘノ抑圧: 400mN(= ユ゛−
トン) Atバッド34上への抑圧時間:30m5ec超音波振
幅:0.7pm(周波数60 Kl−Jz )ボール部
分36a:Arガス中、容量放電(capacitor
discharge )法により形成 配線35:At薄膜(又はPct−Ag薄膜)配線35
(又は12):1100p幅、125pmピッチ 結果は以下の通シであシ、従来のボンディング方式と比
較して示した。
ボンディング速度:0.2sec以下/ワイヤ1本(従
来のAAウェッジボ ンディングでは約0.5sec /ワイヤ1本) 歩留り:不良率1本以下/2000本 (従来のAtウェッジボンディング では4〜5本/1000本) 完全自動化:Auボールボンディングとほぼ同様の装置
で実現可能 信頼性:耐熱、熱サイクル試験(耐熱試験は250℃で
1000hrで、熱サイクル試験は一50℃から250
℃まで1000cyc l eで、いずれも各2000
本をチェックし、接続抵抗変化と、引張強 度を調べた。)でAuボールボンデ ィングやAtウェッジボンディング より良好 次に、本発明の第2の実施例を第5図〜第7図につき述
べる。
来のAAウェッジボ ンディングでは約0.5sec /ワイヤ1本) 歩留り:不良率1本以下/2000本 (従来のAtウェッジボンディング では4〜5本/1000本) 完全自動化:Auボールボンディングとほぼ同様の装置
で実現可能 信頼性:耐熱、熱サイクル試験(耐熱試験は250℃で
1000hrで、熱サイクル試験は一50℃から250
℃まで1000cyc l eで、いずれも各2000
本をチェックし、接続抵抗変化と、引張強 度を調べた。)でAuボールボンデ ィングやAtウェッジボンディング より良好 次に、本発明の第2の実施例を第5図〜第7図につき述
べる。
この例のヘッド20はDD方式であって、共通の基体(
例えばアルミニウム基板)1上に、発熱部2を設けた抵
抗体板(例えばアルミナ等のセラミックス板)3と、多
数(例えば64個)のICチップ4を固定したプリント
基板(例えばガラス拳エポキシ又はセラミックス板)5
とが一定の間隙6を置いて対向して固定されている。I
Cチップ4と発熱部2との電気的接続は、上記間隙6上
にてプリント基板5と抵抗体板3との間に架は渡された
フィルムキャリアテープ7によって行なわれている。
例えばアルミニウム基板)1上に、発熱部2を設けた抵
抗体板(例えばアルミナ等のセラミックス板)3と、多
数(例えば64個)のICチップ4を固定したプリント
基板(例えばガラス拳エポキシ又はセラミックス板)5
とが一定の間隙6を置いて対向して固定されている。I
Cチップ4と発熱部2との電気的接続は、上記間隙6上
にてプリント基板5と抵抗体板3との間に架は渡された
フィルムキャリアテープ7によって行なわれている。
この接続方式を詳述すると、発熱部2は、抵抗体板3上
に被着された発熱体(例えば窒化タンタル)層8上に形
成されている例えばアルミニウム環の共通の接地電極9
と、同発熱体層8上において接地電極9の長さ方向に多
数本(B4サイズでは8本/耐)配列せしめられている
例えばアルミニウム環の信号電極10との各対向部分1
1によって形成されている。一方、ICチップ4は一定
個数毎に、30で示した分離ラインで互いに接合された
別々のプリント基板5上にマウントされ、そのAt製ポ
ンディングパッド40と、プリント基板5上に所定パタ
ーンに設けられた例えばアルミニウム環の配線12との
間がAtのワイヤ13によって上述したと同様のボール
ボンディングによりボンディングされている。なお、上
記の各配線パターンは簡略図示され、かつ他の配線部分
は図示省略されている。また、発熱体層8は発熱部2に
のみ設けられてよい。
に被着された発熱体(例えば窒化タンタル)層8上に形
成されている例えばアルミニウム環の共通の接地電極9
と、同発熱体層8上において接地電極9の長さ方向に多
数本(B4サイズでは8本/耐)配列せしめられている
例えばアルミニウム環の信号電極10との各対向部分1
1によって形成されている。一方、ICチップ4は一定
個数毎に、30で示した分離ラインで互いに接合された
別々のプリント基板5上にマウントされ、そのAt製ポ
ンディングパッド40と、プリント基板5上に所定パタ
ーンに設けられた例えばアルミニウム環の配線12との
間がAtのワイヤ13によって上述したと同様のボール
ボンディングによりボンディングされている。なお、上
記の各配線パターンは簡略図示され、かつ他の配線部分
は図示省略されている。また、発熱体層8は発熱部2に
のみ設けられてよい。
フィルムキャリアテープ7は、例えばポリイミド基板1
4上に、上記信号電極1o及び配線12に対応した本数
(例えば64本)の例えば銅箔製のリード15が接着さ
れたものからなっている。
4上に、上記信号電極1o及び配線12に対応した本数
(例えば64本)の例えば銅箔製のリード15が接着さ
れたものからなっている。
これらのリード15と信号電極10及び配1i1112
との接続はいわゆるビームリード方式で行なってよく、
リード15の両端部を予め幾分張出させておき、ここを
熱圧着して接続を行なうことができる。
との接続はいわゆるビームリード方式で行なってよく、
リード15の両端部を予め幾分張出させておき、ここを
熱圧着して接続を行なうことができる。
なお、上記した各電極又は配線の形成、ICチップのマ
ウント及びワイヤボンディングは、公知の半導体装技術
によって行なえるので、それらの詳細な説明は省略する
。また、図示省略したが、第3図において抵抗体板3上
には更に、5in2膜及び酸化タンタル膜(耐摩耗被膜
)が順次被着される。
ウント及びワイヤボンディングは、公知の半導体装技術
によって行なえるので、それらの詳細な説明は省略する
。また、図示省略したが、第3図において抵抗体板3上
には更に、5in2膜及び酸化タンタル膜(耐摩耗被膜
)が順次被着される。
上記の如くに構成されたヘッドにおいては、ICチップ
4のパッド40に対しAtワイヤ13のボール状部分が
ボールボンディング方式で結合され、かつ他端部は配線
12に対しウェッジボンディングで結合されている。こ
のようなボンディング方式では、ICチップ4の各ポン
ディングパッドに対しAtボールボンディングが採用さ
れているので、既述した如くAtボール部分があらゆる
方向において第2のボンディング位置に対し等価であシ
、配線12に対し位置的な制約を受けることなくボンデ
ィングが可能となる。従ってAtワイヤによるボンディ
ングを高精度に行なうことができると共に、キャピラリ
ーとプリント基板とを相対的に回転させなくてもキャピ
ラリーのみを所定方向へ動かすだけでボンディングが可
能である。
4のパッド40に対しAtワイヤ13のボール状部分が
ボールボンディング方式で結合され、かつ他端部は配線
12に対しウェッジボンディングで結合されている。こ
のようなボンディング方式では、ICチップ4の各ポン
ディングパッドに対しAtボールボンディングが採用さ
れているので、既述した如くAtボール部分があらゆる
方向において第2のボンディング位置に対し等価であシ
、配線12に対し位置的な制約を受けることなくボンデ
ィングが可能となる。従ってAtワイヤによるボンディ
ングを高精度に行なうことができると共に、キャピラリ
ーとプリント基板とを相対的に回転させなくてもキャピ
ラリーのみを所定方向へ動かすだけでボンディングが可
能である。
第8図は、本発明の他の実施例を示すものである。
この例では、上記のフィルムキャリアテープ7に代えて
、両配線12−10の接続KAtワイヤ16によるワイ
ヤボンディングを適用している。
、両配線12−10の接続KAtワイヤ16によるワイ
ヤボンディングを適用している。
仁の接続は、既述したAtボールボンディング方式によ
って行なっている。これは、ICチップ4と配線12と
をAtボールボンディングで接続することと併用してよ
い。
って行なっている。これは、ICチップ4と配線12と
をAtボールボンディングで接続することと併用してよ
い。
なお、第6図においてテープ7上にリード15を形成す
る代りに通常の配線を形成し、これらを上記配線12.
10とAtボールボンディングすることも可能である。
る代りに通常の配線を形成し、これらを上記配線12.
10とAtボールボンディングすることも可能である。
また、第8図では、 ICチップ4は、上記したように
ワイヤボンディングで配線12と接続する以外にも、フ
リップチップ方法がなく、接続の信頼性がよシ向上する
。
ワイヤボンディングで配線12と接続する以外にも、フ
リップチップ方法がなく、接続の信頼性がよシ向上する
。
第9図は、更に他の実施例を示すものである。
この例によれば、上述した例とは異なって、発熱部2と
IC部とを共通の基体21の表、裏に夫々設けている。
IC部とを共通の基体21の表、裏に夫々設けている。
このためには、基体21の端部にスルーホール17を形
成し、公知のスルーホールメッキ技術等によってAt配
線10を基体21の表側から裏側にまで延設し、との延
設部分を上述した配線12に置き換えて使用することが
できる。
成し、公知のスルーホールメッキ技術等によってAt配
線10を基体21の表側から裏側にまで延設し、との延
設部分を上述した配線12に置き換えて使用することが
できる。
このようにすれば、ヘッドを更にコンパクト化できると
同時に、発熱部とIC部との接続にワイヤボンディング
やフィルムキャリアテープが不要となるから、信頼性が
更に向上する。但、発熱部20発熱がIC部へ影響しな
いように、基体21を!サンドイッチ構造とし、中間層
として一点鎖線で示す如き断熱層(例えばセラミックス
)18を設けるのが望ましい。
同時に、発熱部とIC部との接続にワイヤボンディング
やフィルムキャリアテープが不要となるから、信頼性が
更に向上する。但、発熱部20発熱がIC部へ影響しな
いように、基体21を!サンドイッチ構造とし、中間層
として一点鎖線で示す如き断熱層(例えばセラミックス
)18を設けるのが望ましい。
なお、第9図において、スルーホール17を介しての接
続以外にも、配線10を基体21の側端面上で表から裏
へと延設しても差支えない。
続以外にも、配線10を基体21の側端面上で表から裏
へと延設しても差支えない。
なお、上述した各側によるヘッドはいずれも、発熱部2
と共にICチップ4を共通の支持体である基体上に設け
ているので、ヘッド構成が著しく簡略化若しくはコンパ
クトなものとなる。との場合、特にIC部は、ICチッ
プ4のマウント及び配線へのワイヤボンディングで実装
されるが、作動時にICチップ4から発生する熱は下地
の基板5(更には1)を通して放散されるから、ICの
熱破壊を効果的に防止できる。また、プリント基板5は
発熱部2側の抵抗体板3に対し上記間隙6を置いて分離
して対向配置されているので、発熱部2で生じた熱はプ
リント基板5側へ殆んど伝達されることはなく、この点
でもIC部を有効に保護することができる。
と共にICチップ4を共通の支持体である基体上に設け
ているので、ヘッド構成が著しく簡略化若しくはコンパ
クトなものとなる。との場合、特にIC部は、ICチッ
プ4のマウント及び配線へのワイヤボンディングで実装
されるが、作動時にICチップ4から発生する熱は下地
の基板5(更には1)を通して放散されるから、ICの
熱破壊を効果的に防止できる。また、プリント基板5は
発熱部2側の抵抗体板3に対し上記間隙6を置いて分離
して対向配置されているので、発熱部2で生じた熱はプ
リント基板5側へ殆んど伝達されることはなく、この点
でもIC部を有効に保護することができる。
プリント基板5と抵抗体板3とが上記のように分離して
設けることの他の利点としては、そのように構成するこ
とによって抵抗体板3自体の幅を狭くできる(即ち小幅
で長尺状の抵抗体板にできる)から、発熱体層8を例え
ばスパッタ法で形成する際に抵抗体板3をスパッタ装置
内へ装入し易く、また一度に処理される抵抗体板の個数
も増やせるために量産性が向上することになる。
設けることの他の利点としては、そのように構成するこ
とによって抵抗体板3自体の幅を狭くできる(即ち小幅
で長尺状の抵抗体板にできる)から、発熱体層8を例え
ばスパッタ法で形成する際に抵抗体板3をスパッタ装置
内へ装入し易く、また一度に処理される抵抗体板の個数
も増やせるために量産性が向上することになる。
また、ICチップ4をマウントするプリント基板5は、
上述した如く、ICチップの一定個数毎に別々に設けら
れているので、ICチップのワイヤボンディングとの関
連で顕著な効果がある。一般に知られているように、全
自動化されたワイヤボンディング時の歩留りは、ボンデ
ィング位置のずれ等の要因から0.998(99,8%
)であるとされ、ワイヤ数(n)に応じて(0,998
)n になるものとされている。従って仮に、上記とは
異なって1枚のみのプリント基板上に多数のICチップ
をマウントしたとき、例えばワイヤの総本数を、300
0本とすれば歩留は(o、 99 B )18000キ
0.0025となることがある。これに対し、本実施例
のようにプリント基板5を幾つかに分けると、プリント
基板上のICチップ数(従ってワイヤ本数)を減らせる
から、各プリント基板5上のICチップ数に応じたワイ
ヤ数を各プリント基板につき例えば500本にでき、こ
のためにワイヤボンディングの歩留は各プリント基板に
ついて夫々(0,998)560キ0.3675となる
。従って、本実施例のようにプリント基板を複数(例え
ば6枚)に分けることによって、歩留が大幅に向上する
ことになる。
上述した如く、ICチップの一定個数毎に別々に設けら
れているので、ICチップのワイヤボンディングとの関
連で顕著な効果がある。一般に知られているように、全
自動化されたワイヤボンディング時の歩留りは、ボンデ
ィング位置のずれ等の要因から0.998(99,8%
)であるとされ、ワイヤ数(n)に応じて(0,998
)n になるものとされている。従って仮に、上記とは
異なって1枚のみのプリント基板上に多数のICチップ
をマウントしたとき、例えばワイヤの総本数を、300
0本とすれば歩留は(o、 99 B )18000キ
0.0025となることがある。これに対し、本実施例
のようにプリント基板5を幾つかに分けると、プリント
基板上のICチップ数(従ってワイヤ本数)を減らせる
から、各プリント基板5上のICチップ数に応じたワイ
ヤ数を各プリント基板につき例えば500本にでき、こ
のためにワイヤボンディングの歩留は各プリント基板に
ついて夫々(0,998)560キ0.3675となる
。従って、本実施例のようにプリント基板を複数(例え
ば6枚)に分けることによって、歩留が大幅に向上する
ことになる。
ICチップ4は各プリント基板5毎にマウントされ、ワ
イヤボンディングされた後に、各プリント基板5が基体
1上に接着等で固定されるが、この際、基体1には必ず
と言ってよい程反りがあシ、その表面は全体として平担
ではない。このため、仮に、1枚のみのプリント基板を
基体1上に固定した場合、両者の密着性が悪く、接着不
良が生じ易い。しかし、本実施例によれば、プリント基
板を分割し、個々に基体1上に固定できるので、上記に
比べて基体1の表面性の影響を緩和し、個々のプリント
基板5の基体1に対する密着性は良くなり、接着強度が
向上する。
イヤボンディングされた後に、各プリント基板5が基体
1上に接着等で固定されるが、この際、基体1には必ず
と言ってよい程反りがあシ、その表面は全体として平担
ではない。このため、仮に、1枚のみのプリント基板を
基体1上に固定した場合、両者の密着性が悪く、接着不
良が生じ易い。しかし、本実施例によれば、プリント基
板を分割し、個々に基体1上に固定できるので、上記に
比べて基体1の表面性の影響を緩和し、個々のプリント
基板5の基体1に対する密着性は良くなり、接着強度が
向上する。
なお、本実施例において、上記の如くに位置調整された
プリント基板5上の各配線12と、発熱部2側の信号電
極配線10との間が、フィルムキャリアテープ7のリー
ド15によってビームリード方式で電気的(及び機械的
)に接接される場合、ICチップ4の複数個(例えば2
個)当たり1枚のテープ7が夫々使用されている。1個
のICチップ4に対し1枚のテープ7を使用してもよい
が、上記のように複数のICチップ当91枚のテープ7
を使用すれば、ヘッド全体としてのフィルムキャリアテ
ープの使用枚数を減らせ、この分かなシのコストダウン
を図れることになる。但、いずれの場合も、フィルムキ
ャリアテープ7を用い、ICチップ4を別のプリント基
板5上にマウントすると、テープ上には配線としてのC
u1J−ド15のみを所定パターンに設けるだけでよく
、そのパターは簡略化できる。第8図の例では、フィル
ムキャリアテープを用いていないのでコストダウンが可
能である。しかも、ICチップ4をすべてプリント基板
5側に配し、これを配線12、リード15、配線10を
介して発熱部2に接続すれは、ICチップの実装密度を
高めることができ、テープ7では配線本数に応じた数の
リードを公知のメタライジング技術で容易かつ正確に形
成することができる。
プリント基板5上の各配線12と、発熱部2側の信号電
極配線10との間が、フィルムキャリアテープ7のリー
ド15によってビームリード方式で電気的(及び機械的
)に接接される場合、ICチップ4の複数個(例えば2
個)当たり1枚のテープ7が夫々使用されている。1個
のICチップ4に対し1枚のテープ7を使用してもよい
が、上記のように複数のICチップ当91枚のテープ7
を使用すれば、ヘッド全体としてのフィルムキャリアテ
ープの使用枚数を減らせ、この分かなシのコストダウン
を図れることになる。但、いずれの場合も、フィルムキ
ャリアテープ7を用い、ICチップ4を別のプリント基
板5上にマウントすると、テープ上には配線としてのC
u1J−ド15のみを所定パターンに設けるだけでよく
、そのパターは簡略化できる。第8図の例では、フィル
ムキャリアテープを用いていないのでコストダウンが可
能である。しかも、ICチップ4をすべてプリント基板
5側に配し、これを配線12、リード15、配線10を
介して発熱部2に接続すれは、ICチップの実装密度を
高めることができ、テープ7では配線本数に応じた数の
リードを公知のメタライジング技術で容易かつ正確に形
成することができる。
次に、上述した各実施例によるヘッド、例えば第5図〜
第7図に示したヘッドを使用した感熱記録方法及びその
装置を説明する。
第7図に示したヘッドを使用した感熱記録方法及びその
装置を説明する。
第10図の例によれば、第5図〜第7図に示したヘッド
20をインクフィルム41を介して被記録紙33に当接
させた感熱転写タイプの感熱記録装置59において、ケ
ース53内に感熱記録のだめの各種装置が組込まれてい
る。
20をインクフィルム41を介して被記録紙33に当接
させた感熱転写タイプの感熱記録装置59において、ケ
ース53内に感熱記録のだめの各種装置が組込まれてい
る。
被記録紙63は、例えばカセット64内に折畳み状態で
収能され、ローラー55を経て熱転写部56へ、送られ
、転写後は矢印Aの如く装置外へ排紙される。インクフ
ィルム41は、供給ロール42から、ガイドローラ43
、駆動ローラー44を経て熱転写部56へ送られ、更に
駆動ローラー45から巻取りローラー46に巻取られる
。なお、インクフィルム41は、例えば供給ロール42
とガイドローラー43との間で、熱溶融性インク(図示
せず)が塗布されるように構成されている。
収能され、ローラー55を経て熱転写部56へ、送られ
、転写後は矢印Aの如く装置外へ排紙される。インクフ
ィルム41は、供給ロール42から、ガイドローラ43
、駆動ローラー44を経て熱転写部56へ送られ、更に
駆動ローラー45から巻取りローラー46に巻取られる
。なお、インクフィルム41は、例えば供給ロール42
とガイドローラー43との間で、熱溶融性インク(図示
せず)が塗布されるように構成されている。
インクフィルム41の移動経路中において、駆動ローラ
−440手前位置に熱溶融性インクを塗布したインクフ
ィルム41を検出するだめの7オトセンサ(例えば赤外
光センサ)47が配されている。まだ被記録紙63の検
出用として、圧接ローラー48の手前位置にフォトセン
サ(例えば赤外光センサ)49が配されている。
−440手前位置に熱溶融性インクを塗布したインクフ
ィルム41を検出するだめの7オトセンサ(例えば赤外
光センサ)47が配されている。まだ被記録紙63の検
出用として、圧接ローラー48の手前位置にフォトセン
サ(例えば赤外光センサ)49が配されている。
熱転写部56には、上述したヘッド20とプラテンロー
ラー54との組が設けられている。また、被記録紙33
及びインクフィルム41を挾着するための圧接ローラー
48が配されている。
ラー54との組が設けられている。また、被記録紙33
及びインクフィルム41を挾着するための圧接ローラー
48が配されている。
なお、図面中の矢印Bは、圧接駆動機構を有することを
示している。
示している。
こうした感熱記録装置59において注目すべきことは、
第11図に拡大図示する如くにプラテンローラー54と
ヘッド20との間に被記録紙63とインクフィルム41
とを発熱部2の位置で挾着して記録を行なう(即ち、イ
ンクフィルム4]上の熱溶融性インク50を選択的に加
熱、溶融せしめて被記録紙63上に記録パターン50′
を形成する)際に、上述した如きヘッド構成に基いて発
熱部2を図中のへ□ラド左端側に設けることができるこ
とから、記録直後に被記録紙63をヘッド20外へ取出
せることである。この結果、記録後、寸もない時間内に
被記録紙63上の記録パターン50′を目視することが
でき、椿めて都合がよい。これに反し、従来のヘッドの
ように、発熱部がヘッドの中間位置にある場合には、発
熱部とヘッド端部との間には本実施例のヘッドに比較(
−てかなりの距離があるため、その分だけ記録直後に被
記録紙が出てくるまでに時間を要し、使用者にとって扱
いすらいという問題が生じる。
第11図に拡大図示する如くにプラテンローラー54と
ヘッド20との間に被記録紙63とインクフィルム41
とを発熱部2の位置で挾着して記録を行なう(即ち、イ
ンクフィルム4]上の熱溶融性インク50を選択的に加
熱、溶融せしめて被記録紙63上に記録パターン50′
を形成する)際に、上述した如きヘッド構成に基いて発
熱部2を図中のへ□ラド左端側に設けることができるこ
とから、記録直後に被記録紙63をヘッド20外へ取出
せることである。この結果、記録後、寸もない時間内に
被記録紙63上の記録パターン50′を目視することが
でき、椿めて都合がよい。これに反し、従来のヘッドの
ように、発熱部がヘッドの中間位置にある場合には、発
熱部とヘッド端部との間には本実施例のヘッドに比較(
−てかなりの距離があるため、その分だけ記録直後に被
記録紙が出てくるまでに時間を要し、使用者にとって扱
いすらいという問題が生じる。
第12図には、感熱紙を用いる感熱記録装置59を示し
、これによれば、ケース53内にて感熱紙61が供給ロ
ール62から送出され、ヘッド20と(23) プラテンローラー74との間で挾着されてヘッド20に
よる加熱で選択的に発色せしめられる。そして、この感
熱紙は画像が色パターンとして記録された状態で搬送ロ
ーラー65及び66間から排出される。
、これによれば、ケース53内にて感熱紙61が供給ロ
ール62から送出され、ヘッド20と(23) プラテンローラー74との間で挾着されてヘッド20に
よる加熱で選択的に発色せしめられる。そして、この感
熱紙は画像が色パターンとして記録された状態で搬送ロ
ーラー65及び66間から排出される。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、発熱部及びIC部の配置や形状、層構成、材料
、電気的接続方式等は種々変更してよい。
、電気的接続方式等は種々変更してよい。
上述のプリント基板はヘッド全長に亘って1枚のみ使用
してよいし、また発熱部とICとは単一の基体に対し直
接設けることもできる。また、上述のAtボールボンデ
ィングが適用される個所は、上述した位置に限定される
ことばなく、ヘッドにおける他の電気的接続個所にも適
用可能である。
してよいし、また発熱部とICとは単一の基体に対し直
接設けることもできる。また、上述のAtボールボンデ
ィングが適用される個所は、上述した位置に限定される
ことばなく、ヘッドにおける他の電気的接続個所にも適
用可能である。
6 発明の作用効果
本発明は上述した如く、Atのボールボンディングによ
多接続するようにしたので、コストダウンを図れると共
に、At−At間の強力な結合が得られかつ断線のしに
くい信頼性の高いボンディング(24) と、第2のボンディング位置へはあらゆる方向であるこ
とによる高精度で自由度のあるボンディングとが可能と
なる。
多接続するようにしたので、コストダウンを図れると共
に、At−At間の強力な結合が得られかつ断線のしに
くい信頼性の高いボンディング(24) と、第2のボンディング位置へはあらゆる方向であるこ
とによる高精度で自由度のあるボンディングとが可能と
なる。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は感
熱記録ヘッドの等価回路図、第2図はこのヘッドの一部
分の拡大平面図、第3図は第2図のX−X線拡大断面図
、第4図はAtボールボンディングの状況を示す断面図
、 第5図は他の感熱記録ヘッドの一部分の平面図、 第6図は第5図のY−X線拡大断面図、第7図は第5図
のZ−Z線拡大断面図、第8図、第9図は更に他の感熱
記録ヘッドの各断面図、 第10図は感熱転写記録装置全体の概略断面図、 第11図は第10図の要部拡大図、 第12図は感熱紙を用いる感熱記録装置全体の概略断面
図 である。 なお、図面に示された符号において、 1.21*s**110・基体 2・・・・・・・・・・・発熱部 3・・・・・・・・・・・抵抗体板 4.27・・・・・・・ICチップ 5・・・・・・・・・・・プリント基板8、 R・・・
・・・・・発熱体層 10、 12 、35 壷 ・ ・ At 配線13.
16.36 ・・・Atワイヤ 2.0・・拳・・・・−・書ヘッド 34.40 ・e・・・争Atパッド 35 B −e * * −e −−−ボール状部分3
7・・・・・・・・會・キャピラリーD ・・・・・・
・・・・ダイオード である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏(他1名)(27) C)
熱記録ヘッドの等価回路図、第2図はこのヘッドの一部
分の拡大平面図、第3図は第2図のX−X線拡大断面図
、第4図はAtボールボンディングの状況を示す断面図
、 第5図は他の感熱記録ヘッドの一部分の平面図、 第6図は第5図のY−X線拡大断面図、第7図は第5図
のZ−Z線拡大断面図、第8図、第9図は更に他の感熱
記録ヘッドの各断面図、 第10図は感熱転写記録装置全体の概略断面図、 第11図は第10図の要部拡大図、 第12図は感熱紙を用いる感熱記録装置全体の概略断面
図 である。 なお、図面に示された符号において、 1.21*s**110・基体 2・・・・・・・・・・・発熱部 3・・・・・・・・・・・抵抗体板 4.27・・・・・・・ICチップ 5・・・・・・・・・・・プリント基板8、 R・・・
・・・・・発熱体層 10、 12 、35 壷 ・ ・ At 配線13.
16.36 ・・・Atワイヤ 2.0・・拳・・・・−・書ヘッド 34.40 ・e・・・争Atパッド 35 B −e * * −e −−−ボール状部分3
7・・・・・・・・會・キャピラリーD ・・・・・・
・・・・ダイオード である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏(他1名)(27) C)
Claims (1)
- 1、発熱部と、この発熱部を駆動する集積回路部とを有
する感熱記録ヘッドにおいて、互いに電気的に接続され
るべき複数の個所がアルミニウムのポールボンディング
によって接続されていることを特徴とする感熱記録ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220023A JPS60110471A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 感熱記録ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220023A JPS60110471A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 感熱記録ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110471A true JPS60110471A (ja) | 1985-06-15 |
| JPH055670B2 JPH055670B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16744719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58220023A Granted JPS60110471A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 感熱記録ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110471A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578177A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
| JPS5764944A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Hitachi Ltd | Forming and bonding methods for ball of metallic wire |
| JPS57116665A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thermal head incorporated in driving circuit |
| JPS5819953A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-05 | Nec Corp | マイクロプログラム制御方式 |
| JPS5827329A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Toshiba Corp | ワイヤ−ボンデイング方法 |
| JPS5832427A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-25 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | ボ−ルボンデイングの為のアルミニウムボ−ルを形成する装置及び方法 |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58220023A patent/JPS60110471A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578177A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
| JPS5764944A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Hitachi Ltd | Forming and bonding methods for ball of metallic wire |
| JPS57116665A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thermal head incorporated in driving circuit |
| JPS5819953A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-05 | Nec Corp | マイクロプログラム制御方式 |
| JPS5832427A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-25 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | ボ−ルボンデイングの為のアルミニウムボ−ルを形成する装置及び方法 |
| JPS5827329A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Toshiba Corp | ワイヤ−ボンデイング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH055670B2 (ja) | 1993-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2658657B2 (ja) | サーマルヘッド及びその駆動用ic | |
| JPS60110471A (ja) | 感熱記録ヘッド | |
| JPS63179764A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
| JPH02196476A (ja) | Ledプリントヘッド | |
| JPS6080233A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH0351096B2 (ja) | ||
| JPH055669B2 (ja) | ||
| JPS60110467A (ja) | 感熱記録ヘッド | |
| JPS60110470A (ja) | 感熱記録ヘッド | |
| JPS6052365A (ja) | 感熱記録ヘッド | |
| JPH07131075A (ja) | 画像装置 | |
| JPS63237968A (ja) | Ledプリンタヘツド | |
| JPS6097871A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
| JPS6148424B2 (ja) | ||
| JPS60110475A (ja) | 感熱記録ヘッド | |
| JPH05160215A (ja) | 半導体装置用評価装置 | |
| JPS61244567A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JP2506793Y2 (ja) | リ―ドボンダ | |
| JPS60143977A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
| JPS60122173A (ja) | 感熱記録ヘッド | |
| JPS60143640A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS61230961A (ja) | 薄膜サ−マルヘツド | |
| JPS62246745A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0630447Y2 (ja) | 光プリンタヘッド | |
| JPS60135269A (ja) | 感熱記録ヘツド |