JPS60130748A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［極相分野］ 本発明は、光（ここでは広義の光で・、紫外光線、゛可
視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような電磁
波に感受性□のある光導電部材に関する。

［従来技術］ □固□体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写
真□用像形′成部材や原稿読取装置における光導電層を
形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光電
流（Ｉｐ’）／暗電流（Ｉｄ）　］が高く、照ｊｔする
電磁波のスペクトル特性にマツチングした吸収スペクト
ル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値
を有すること、使用時において人体に対して無公害であ
ること、更には固体撮像装置においては、残像を所定時
間内に容易に処理することができること等の特性が要求
される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、」ニ
記の使用時における無公害性は重要な点である。

このような観点に立脚して、最近注目Ｓれている光導電
材料にアモルファスシリコン（以後ａ−５ｉと表記する
）があり、例えば独国公開第２７４８９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材への
応用が、また、独国公開第２９３３４１１号公報には光
電変換読取装置δへの応用がそれぞれ記載されている。

しかしながら、従来のａ−５ｉで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、および耐湿性等の使用
環境特性の点、更には経時的安定性の点において、総合
的な特性向上を図る必要があるという更に改善されるべ
き問題点かあるのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰り返し使用し
続けると、繰り返し使用による疲労の蓄積が起って、残
像が生ずる所謂ゴースト現象を発するようになったり、
あるいは高速で繰り返し使用すると応答性が次第に低ド
したりする等の不都合な点が少なくなかった。

更には、　ａ−３ｉは可視光領域の短波長側に比べて、
長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比
較的小さく、現在実用化されている半導体レーザーとの
マツチングに於いて、また通畠使用されているハロケン
ランプや蛍光灼を光源とする場合長波長側の光を有効に
使用し得ないという点に於いて、それぞれ改良されるべ
き余地か残っている。あるいは、照射される光が光導電
層中に於いて十分吸収されずに支持体に到達する光の星
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過してくる光
に対する反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多
重反射による干渉が起って、画像の「ホケ」か生ずる一
要因となる。この影響は、解像度を上げるために照射ス
ポットを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザー
を光源とする場合には大きな問題となっている。　史に
、ａ−９ｉ材料で光導電層を構成する場合には、その電
気的、光導電的特性の改良を図るために、水素Ｊｊ；（
子あるいはフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、お
よび電気伝導型の制御のためにホウ素原子やリン原ｒ等
が、あるいはその他の特性改良のために他の原子が、各
々構成原子として光導電層中に含有されるが、これ等の
構成原子の含イ１の様相いかんによっては、形成した層
の電気的あるいは光導電的特性に問題が生ずる場合があ
る。

すなわち、例えば形成した光導電層中に光照射によって
発生したフォトキャリアの該層中での寿命が十分でない
ことに基づき十分な画像濃度か得られなかったり、ある
いは暗部に於いて、支持体側からの電荷の注入の阻止か
十分でないことに基つく問題等を生ずる場合か多い。

従って、　ａ　−Ｓ　ｉ材料そのものの４．ｌＩ性の改
良が図られる一方で、光導電部材を設計する際しこ、上
記したような所望の電気的及び光学的特性か得られるよ
う工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−３ｉに
関し電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括曲に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン（Ｓｉ）を母体とする非晶質材料、殊にシリコン原
子（Ｓｌ）をｎｊ体とし、水素原子（Ｈ）またはハロゲ
ン原子（Ｘ）のｌ、Ｘずれか一方を少なくとも含有する
アモルファス材料、すなわち所謂水素化アモルファスシ
リコン、ハロゲン化アモルファスシリコンあるｌ、Ｘは
／＼ロゲン含含有水素化７ルルフアスシリコン以後これ
等を総称的にａ−３ｉ（）１．　Ｘ）と表記する〕と、
シリコン原子（Ｓｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを
母体とｊる非晶″Ｒ材料、麻にこれらの原子を母体とし
、ネ素原子（Ｈ）またはハロゲン原子（Ｘ）のいずれが
一方を少なくとも含有するアモルファス材料、すなわち
所謂水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロケ
ン化アモルファスシリコンゲルマニウムあるいはハロゲ
ン含有水素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後
これ等を総称的にａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）と表記する〕
とから構成される光導電部材を、以降に説明するように
その層構造を特定化して作成された光導電部材は、実用
上着しく優れた特性を示すばかりで痴＜、従来の光導電
部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していることおよび長波長側に於ける吸収スペク
トル特性に優れていることを見出した点に基づくもので
ある。

［発明の目的］ 本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
て、殆ど使用環境の影響を受けない金環境型マあり、長
波長側の光感受特性に優れるとともに耐光疲労特性に著
しく長け、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず、
残留電位が全くまたは殆ど観測されない光導電部材を提
供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全ｂｆ視光誠に於いて光感度が高
く、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、かつ光
応答の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電１ト写真用の像形成部材として
適用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用
され得る程度に静電像形成のための帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、ｆ：を度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出てかつ解像度が高く１画像欠陥、画像流れ
の生じない高品質画像を得ることが容易にできる電子写
真用の光導電部材を提供することである。

本発明の更にもう一つの目的は、暗抵抗が十分高く、十
分な受容電位が得られる光導電部材を提供することであ
り、また、各層間の密着性を良くし、生産性を向上する
ことにある。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

［発明の構成］ すなわち本発明の光導電部材は、光導電部材用−の支持
体と、この支持体上に設けられ、光導電性を有する光受
容層とを有する光導電部材に於いて、前記光受容層が、
前記支持体側から、シリコン原子を含む非晶質材料で構
成された第１の層（Ｉ）と、シリコン原子とゲルマニウ
ム原子とを含む非晶質材料で構成された第２の層（ＩＩ
　）と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で
構成された第３の層（ｍ）とから構成され、かつ前記第
１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一
方に、ハロゲン原子が含有されていることを特徴とする
。前記第２の層（Ｈ）中に於けるゲルマニウム原子の分
布状態は、層厚方向および支持体の表面に平行な面内に
於いて均・である。水素原子は、前記第１の層ＣＩ）中
および＋ｉｉｊ記第２の層（ＩＩ　）中の少なくともい
ずれか−・カルこ含有されていればよい。また、前記第
１の層（Ｉ）中および前記第２の層（ＩＩ）中の少なく
ともいっれか一方には伝導性を支配する物質か含有され
ていることが好ましい。

光受容層が上記したような層構造を取るようにして構成
された本発明の光導電部材は、　＋ｊｉｊ記した（い 諸問題の総てを解決することかでき、極めて優れた電気
的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性および使用環
境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材とじて適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており、高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、＃光疲労、繰り返し使用特性に長け、画像濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、かつ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰り返し得ることができる
。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、
かつ光応答が速い。

［発明を実施するための最良の形態］ 以下、図面に従って、本発明の光導電部材について詳細
に説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に層構造を模式的に示した図である。

本発明の光導電部材１００は、第１図に示されるよう光
導電部材用の支持体１０１上に、十分な体積抵抗と光導
電性を有する光受容層１０２をイｊする。光受容層１０
２は、前記支持体側からａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる第
１の層（■）ｌＯ３、ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる
第２の層（ＩＩ）１０４、ａ−５ｉＧ（Ｈ、Ｘ）からな
る：ｉ′Ｓ３の層（Ｉ［Ｉ）１０５をイ１して構成され
る。光導電性は、第１の層（１）および第２の層（ＩＩ
　）のいずれに荷わせてもよいが、いずれにしても入射
される光が到達する層が光導電性を有するよう層設計さ
れる必要がある。

また、この場合、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ
　）の両者がそれぞれ所望の光に対して光導電性を有し
、かつ十分な量のフォトキャリアを発生し得る層として
設計されるのか望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）または
第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に伝導性を支配す
る物質（Ｃ）を含有させることによって、含有される層
の伝導性を所望に従って制御することかできる。該物質
（Ｃ）は、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ　）の
両方あるいはそれぞれに於いて、層厚方向には均・でも
不均一でもいずれの分布状態であってもよいように含有
される。また、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）
に於いて、その層厚方向に、物質（Ｃ）は連続的に、均
一あるいは不均一な分布状態となるように含イづされる
。

例えば第２の層（ＩＩ　）の層厚を第１の層（Ｉ）の層
厚より厚くし、主に第２の層（ＩＩ　）を電荷発生層と
電荷輸送層としての機能を持たせるようにして用いる場
合には、伝導性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｉ
）では支持体側で多くなるような分布状ｊ魚となるよう
にすることが望ましく、また伝導性を支配する物質（Ｃ
）は第２の層（ＩＩ　）では、第１の層（Ｉ）と第２の
層（ＩＩ　）との界面または界面近くで多くなるような
分布状態とすることか望ましい。

このような伝導性を支配する物質（Ｇ）としては、所謂
、半導体分野でいわれる不純物を挙げることができ、本
発明に於いては、ＳｉまたはＧｅに対してｐ型伝導特性
を与えるｐ型不純物およびｎ型伝導特性をｆえるｎ型不
純物を挙げることができる。其体的には、ｐ型不純物と
しては、周期律表第ｌｌ１Ｉ族に属する原子（第■族原
子）、例えばＢ、Ａ１、Ｇａ、ｊｎ、　ＴＩ等があり、
殊に好適に用いられるのはＢ　、　Ｇａである。ｎ型不
純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原
子）、例えばＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ１．等があり、殊に好
適に用いられるのはＰ　、　Ａｓである。

本発明に於いて、光受容層中に設けられる伝導性を支配
する物質（Ｃ）の含有されている層領域（ＰＮ）中に含
有される伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、該層
領域（ＰＮ）に黄求される伝導特性、あるいは該層領域
（ＰＮ）が支持体に直に接して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて適宜選択することかできる。また、前記層
領域（ＰＮ）に直に接して設けられる他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮して伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量か適宜選
択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性
を支配する物質（Ｃ）の含有罎としては、好ましくは０
．０１〜５Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ま
しくは０．５〜ＩＸ　１０′Ｘａｔｏｍｉｃ　ｐｐｆｌ
ｌ、最適には　１〜５Ｘ　１０ｊａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるのか望ましい。

本発明に於いては、層領域（ＰＮ）に於ける伝導性を支
配する物質（Ｃ）の含イ匂’ｉｉｓを、好ましくは３０
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好ましくは５０ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には　１００１００ａｔｏ　
ｐｐｍ以りにすることによっ　例えば該物質（Ｇ）が前
記ｐ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が一シ極
性に帯電処理を受けた際に、支持体側からの光受容層中
への電子の注入を効果的に駆出することができ、一方、
前記物質（Ｇ）が前記ｎ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面がθ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側
からの光受容層中への正孔の注入を効果的に阻止するこ
とができる。

上記のような場合には、前記層領域（ＰＮ）を除いた部
分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性の伝導性
を支配する物質（Ｇ）を含有ｙせてもよいし、あるいは
同極性の伝導性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ
）に含有される量よりも一段と少ない昂にして含有させ
てもよい。

このような場合、前記層領域（Ｚ）に含有される前記伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域（
ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応
じて適宜決定されるものであるが、好ましくは０．００
１−１０００ａｔｏｌＩｌｉｃ　ｐｐｍ、より好ましく
は０−０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、＠適には０
．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望まし
い。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）および層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（ｃ）を含イｊさせる場合
には、層領域（Ｚ）に於ける含４４Ｍとしては、好まし
くは３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい
。上記した場合の他に、本発明に於いては、光受容層中
に一方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配す
る物質（ｃ）を含有させた層領域とを直に接するように
設けで、ｌｉＡ′接触領域に所謂空乏層を設けることも
できる。すなわち、例えば光受容層中に前記のｐ型不純
物を含イｊする層領域と前記のｎ型不純物を含有する層
領域とを直に接するように設けて所３ｔ’ｌＰｎ接合を
形成して、空乏層を設けることができる。

本発明に於いて、必要に応じて第１の層（Ｉ）中に含有
されるハロゲンＪｇＦ（Ｘ）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフッ素、
塩素を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第１
の層ＣＩ）を形成するには、例えばグロー放電法、スパ
ッタリング法、あるいはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空ｔイ＃、積法が適用される。

例えばグロー放電法によって、ａ−５ｉ（）１．　Ｘ）
で構成される第１の層（Ｉ）を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
カスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス及び／又
はハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、その内部を
減圧にし得る堆積室内に所定のＪｇ合比とガス流量にな
るようにして導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させこれ等のガスのプラ
スマ雰囲気を形成することによって、予め所定位置に設
置されている支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）から構
成される第１の層（Ｉ）を形成する。

また、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベースと
した混合カスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲット
をスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）及び／又はハ
ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆
積室に導入してやれば良い。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効
なものとして挙げられる。

先ず、Ｓｉ供給用の原料カスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ４、Ｓ＋２Ｈ６、５１３ＨＢ　、　ＳｉＪ　ｌｏ
　等（１）ガス状態のまたはガス化し得る水素化ケイ素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げら
れる。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
ケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４゜５ｉ２Ｆ　６　、５
ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化ケイ素が好ましい
ものとして挙げられることができ、更には、Ｓ　ｉ　Ｈ
２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ１２、Ｓｉｌ［１３
、ＳｉＨｌＢｒ２　、５ｉＨＢｒ３等１７）／’ロゲン
置換水素化ケイ素、等々のガス状態のあるいはガス化し
得る、水素原子を構成要素の−っとするハロゲン化物も
有効な第１の層（Ｉ）形成用の出発物質として挙げるこ
とができる。

これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、前述したように層形成条件の適切な選択
によって、形成されるｉｌの層（Ｉ）中にＳｉと共にハ
ロゲン原子（Ｘ）を導−入することができる。

本発明に於いて、第１の層ＣＩ）を形成するのに使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンカス、ＣＩＦ　、　Ｃ
ｌＦ３、ＢｒＦ　、ＢｒＦ３、ＢｒＦ３、ＩＦ３　、Ｉ
Ｆ７　、１ＣＩ　、　ＩＢｒ等ハロゲン間化合物、ＨＦ
、ＨＣＩ　、ＨＢｒ　、ＨＩ等のハロゲン化水素を挙げ
ることができる。

第１の層（Ｉ）を構成する層領域中に伝導性を支配する
物質（Ｃ）、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第■族原子導入用の
出発物質または第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状７
／３で堆積室中に第１の層（Ｉ）を形成するだめの他の
出発物質と共に導入してやればよい。このような第■族
原子導入用の出発物質用となり得るものとしては、常温
常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条件ドで容易に
ガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

このような第■族原子導入用の出発物質としては、具体
的には、ホウ素原ｒ導入用としては。

Ｂ２Ｈ６・Ｂ４Ｈ１Ｏ・８５　Ｈ９・Ｂ５Ｈ１１・８６
　Ｈｌ　Ｏ，Ｂ６　Ｈｌ　２．８６Ｈ１４等の水素化ホ
ウ素、ＢＦ、　、　ＢＣ：１３、ＢＢｒ３等のハロゲン
化ホウ素等か挙げられる。また、この他、他の第■族原
子導入用として、　ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ３゜Ｇａ（Ｃ
Ｈ３）ｊ、Ｉｒ＋Ｃ：１３　ｒｌｃ１３等を挙げること
ができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、リン、す；（子導入用としては、
ＰＨ３，９２Ｈ４等の水素化リン、Ｐ）（４１、ＰＦ３
．　ＰＦｓ　、ＰＣ：ｈ、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３、ＰＢｒ
３、ＰＩ３等のハロゲン化リン等が挙げられる。この他
、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣ：１３　、ＡｓＢｒ３　
、　Ａ３ＦＳ、　ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５、ＳＭ
：Ｉ３　、５ｂＧｌ　５　、　ＢｉＩ３、ＢｉＣｌ３　
、８ｉＢｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることができる。　゛ 本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に含有される伝導性を
支配する物質（Ｇ）の含有量は、該第１の層（Ｉ）に要
求される伝導特性、あるいは該層（Ｉ）に直に接して設
けられる他の層の特性や、該層の層との接触界面に於は
特性等との関係等、有機的関連性の上で適宜選択される
。

本発明に於いて、第１（７）層（Ｉ）中に含有される伝
導性を支配する物質の含有量としては、好ましくは０．
００１〜５Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ま
しくは０．５〜ＬＸ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐ＋ｏ、
最適には１〜５Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層ＣＩ）中に含有されてもよい
水素原子（Ｈ）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の量または水
素原子とハロゲン原子との最の和（）ｌ＋Ｘ）は、好ま
しくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｉ）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例え
ば支持体温度、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ）を
含有させるために使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、あるいは放電電力等を制御してやればよい
。

本発明の第１の層（Ｉ）の層厚は、該第１の層（Ｉ）が
主に支持体と第２の層（ＩＩ　）との′ｆＦ：Ｘｉ層と
して働くか、またはに着層と電荷輸送層として働くかに
よって所望によって適宜決定される。

前者の場合には、好ましくは１０００八〜５０騨、より
好ましくは２０００Ａ〜３０μ、最適には２０００八〜
１０牌とされるのが望ましい。後者の場合には、好まし
くは　１〜１　ｏｏｕ、より好ましくは１〜８０μｓ、
最適には２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）１０３
上に第２の層（ＩＩ）１０４が形成される。第１の層（
Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）とは、その各々がシリコン原
子という共通の構成原子を有してなる非晶質材料を主成
分とするものなので、その積層界面において化学的な安
定性が十分確保されている。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）の層厚
が薄い場合にはゲルマニウム原子の含有される第２の層
（ＩＩ　）には、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有さ
せた層領域（ＰＮ）を第１の層（Ｉ）側に局在的に設け
ることにより、該層領域（ＰＮ）を所３１７電荷注入阻
１Ｆｊとして機能Ｓせることかできる。

すなわち、伝導性を支配する物質（Ｃ）が含有される層
領域（ＰＮ）に於ける該物質の含有量を、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」ニ、より好ましくは５０ａ
ｔｏｍｉｃ　ＰｐＩ以」ニ、最適には１００１００ａｔ
ｏ　ｐｐｍ以上にすることによって、例えば該含有され
る物質（Ｃ）が７ｉ＋７記のｐ型不純物の場合には、光
受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支持
体側から光受容層中への電子の注入を効果的に阻止する
ことができ、また、前記含有される物質（Ｃ）が前記の
ｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がθ極性に
帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中への正孔
の注入を効果的に阻止することができる。

上記のような場合には、第２の層（ＩＩ　）に於いて前
記層領域（ＰＮ）を除いた部分の層領域（２１１）には
、層領域（ＰＮ）に含有される伝導性を支配する物質（
Ｃ）の極性とは別の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有
させてもよいし、あるいは同極性の伝導性を支配する物
質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）に含イ４させる量よりも一段
と少ない量にして含イ１させてもよい。

このような場合、前記層領域（ＺＩＩ）に含有される前
記伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領
域（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量
に応じて適宜決定されるものであるが、好ましくは０．
００１−１０００ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐｍ、よりＩｆ
ましくは０．０５〜５００ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐｍ、
最適には０．１−２１−２００ａｔｏ　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に設けられる層領
域（ＰＮ）および層領域（ＺＩＩ）に同種の伝導性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合には、前記層領域（
ＺＩＩ）に含有される前記伝導性を支配する物質（Ｃ）
の含有量としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
以下とするのが望ましい。上記した場合の他に、本発明
に於いては、第２の層（ＩＩ　）中に、一方の極性を有
する伝導性を支配する物質（Ｇ）を含有させた層領域と
、他方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させた層領域とを直に接するように設けて、該接触領
域に所謂空乏層を設けることもできる。すなわち、例え
ば第２の層（１工）中に前記のＰ型不純物を含有する層
領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接す
るように設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設
けることができる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的か効果
的に達成されるように所望に従って適宜状められるか、
好ましくはｌ−９，５Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｆｆ
ｌ、より好ましくは１００〜８ＸｌＯ５ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、最適には５００〜７Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、必要に応じて第２の層（ＩＩ　）中に
含有される／＼ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的には
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフッ
素、塩素を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２の層（ＩＩ）を形成するには、例えばクロー放電法
、スパッタリング法、あるいはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真゛空堆積法か適用される。

例えばクロー放電法によッテ、ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（Ｉｌ、）を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給しｆＩ）るＳｉ供給
用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ
）導入用の原料カス及び／又は／＼ロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、その内部を減圧にし得る堆積室内に
所定の混合比とガス流量になるようにして導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させこれ等のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによって、予め所定位置に設置
されている第１の層ＣＩ）がその表面に形成された支持
体上にａ−３ｉ（ｉｅ（Ｈ，Ｘ）から構成される第２の
層（ＩＩ　）を形成する。

また、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲッ
ト、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲットとの二
枚のターゲット、あるいはＳｉとＧｅとの混合されたタ
ーゲットを使用して、必要に応じてＡｒ、　Ｈｅ等の希
釈ガスで希釈されたＧｅ供給用の原料ガスや必要に応じ
て水素原子（）ｌ）導入用の原料ガス及び／又はハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料カスをスパッタリング用の堆
積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を形成して前
記のターゲットをスパッタリングしてやればよい。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コノ又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとをそれぞれ蒸発源として蒸着ポートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクトロ
ンビーム？Ｊｊ　ＣＥＢＩ）＝）等によって加熱蒸発さ
せ飛翔蒸発物を所定のカスプラズマ雰囲気中を通過させ
る以外はスパッタリングの場合と同様にして！−できる
。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに使
用される原料ガスとなる出発物質とじては、次のものが
有効なものとして挙げられる。

先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ　、ＳｉＪ、。等の
ガス状態のまたはガス化し得る水素化ケイ始（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。Ｇｅ
供給用の原料ガスとなる出発物質としては、ＧｅＨ４、
Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ４Ｈｔｏ、Ｇｅ５Ｈ
＋２、Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７ＨＩ６、Ｇｅ５Ｈ＋２、Ｇ
ｅ９Ｈ２ｏ等のカス状ｆｍ　（７）またはガス化し得る
水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良
さ等の点でＧｅＨ４、Ｇｅ、２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ（３が好
ましいものとして挙げられ本発明に於いて、第２の層（
ＩＩ　）を形成するのに使用されるハロゲン原子（ｘ）
導入用の原料ガストｆするＶ４　効な出発物質としては
、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガ
ス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換
されたシラン誘導体等のガス状態のまたはガス化し得る
ハロゲン化合物が好ましくは挙げられる。また、更には
、シリコン原子とハロゲン原子とを構成質素とするカス
状態のまたはガス化し得るハロゲン原子を含む水素化ケ
イ素も有効に使用されるものとして挙げられる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに好
適に使用されるハロゲン化合物としては、具体的には、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、ＣＩＦ
　、　ＣｌＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、ＢｒＦ９、Ｉ
Ｆ３　、１Ｆ、　、　ＩＣ：ｌ　、　ＩＢｒ等ハロゲン
間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物、所謂ハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
ＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣＩ４　、ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化ケイ素が好ましいものとして挙げることが
できる。

このようなハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使
用して、グロー放電法によって本発明の光尋電部材の第
２の層（ＩＩ　）を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原
料ガスと共にＳｉを供給し得る原料カスとしての水素化
ケイ素ガスを使用しなくとも、第１の層ＣＩ）がその表
面に形成された支持体上にａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から
構成される第２の層（ＴＩ　）を形成することができる
。

グロー放電法に従って、／＼ロゲン原７−（Ｘ）を含む
第２の層（１１）を形成する場合、基本的には、例えば
Ｓｉ供給用の原料ガスとなる／・ロゲン化ケイ素と、Ｇ
ｅ供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムと、Ａ「
、Ｈｅ等のガスとを、所定の混合比とガス流量になるよ
うにして導入して、第２の層（ＩＩ　）を形成する堆積
室に導入し、グロー放電を生起させこれ等のガスのプラ
ズマ雰囲気を形成することによって、第１の層（Ｉ）が
その表面に形成された支持体上に第２の層（ＩＩ　）を
形成することができる。また、水素原子の導入割合の制
御をより容易にするために、これらのガスに更に水素ガ
スまたは水素原子を含むケイ素化合物のガスも所望量混
合して第２の層（ＩＩ　）を形成してもよい。また、各
ガスは、単独種のみでなく、所定の混合比で複数使用し
てもさしつかえない。

スパッタリング法、イオンプレーテインク法のいずれの
場合にも、形成される層中にハロゲン原子（Ｘ）を導入
するには、前記のハロゲン化物またはハロゲン原子を含
むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
ガス、例えばＩ２、あるいは前記のシラン類及び／又は
水素化ゲルマニウム等のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば
よい。

本発明に於いて、第２の層（■）の形成の際のハロゲン
原子導入用の原料ガスとして、前記のハロゲン化物また
はハロゲン原ｆ−を含むケイ素化合物が有効なものとし
て使用されるが、その他に、ＨＦ、　ＨＣＩ　、　ＨＢ
ｒ　、　Ｈｌ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉ　Ｉ２　Ｆ？
、５ｉＨ２１２，５ｉＨ２Ｃ１ｚ、５ｉＨＣ１３，５ｉ
Ｈ２Ｂｒ２　。

５ｉＨ２Ｂｒ、　５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化
ケイ素。

およびＧｅＨＦ３　、　ＧｅＩ２　Ｆ２、ＧｅＩ３　Ｆ
　、　ＧｅＨＣｌ３、ＧｅＨ２Ｃ１２、ＧｅＨ３Ｃ：ｌ
、　ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＩ２Ｂｒ２　、ＧｅＨＢｒ３ル
マニウム、等の水素原子を構成要素の・つとするハロゲ
ン化物、ＧｅＦ４、ＧｅＣ：１４　、　Ｇｅａｒ、１．
ＧｅＩ、、、ＧｅＦ２、ＧｅＣ１２、ＧｅＢｒ２　、　
ＧｅＩ２等のハロケン化ゲルマニウム、等々のガス状態
のあるいはカス化し得る、水素原子を構Ｊｊｉｌ、Ｉ素
の−・つとするハロケン化物も有効な第２の層（ＩＩ　
）形成用の出発物質として挙げることができる。

これらの物質のうち、水素原子を含むハロゲン化物は、
第２の層（ＩＩ　）の形成の際に、該層中にハロゲン原
子の導入と同時に電気的あるいは光導電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので１本発明に於い
ては好適なハロゲン原子導入用の原料として使用される
。

水素原子を第２の層（ＩＩ　）中に構造的に導入するに
は、上記の他ニＨ２あるいはＳ　ｉ　Ｈ，、Ｓｉ２Ｈ６
、Ｓ＋３ＨＢ　、　５１４１（１０等の水素化ケイ素を
Ｇｅを供給するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム
化合物と、あるいはＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ
　、ＧｅＪｔｏ、Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｊｉ＋−Ｇｅ７
）１１＆、　ｃｅｅ）（１８，Ｇｅ５Ｈ１２等の水素化
ゲルマニウムをＳｉを供給するためのシリコンまたはシ
リコン化合物とを、堆積室中に共存させて、放電を生起
させることによっても実施できる。

本発明の好ましい例に於いて、形成される光導電部材の
第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ
）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の量または水入原子とハロ
ゲン原子との量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは０．０１
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ
）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、
例えば支持体温度、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ
）を含有させるために使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、あるいは放電電力等を制御してやれば
よい。

第２の層（ＩＩ　）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、第１の層（Ｉ）の形成法を説明した場合と同様
に、層形成の際に前記した第ｍ族原子導入用の出発物質
または第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室
中に、第２の層（ＩＩ　）を形成するための他の出発物
質と共に導入してやればよい。

本発明の光導電部材に於ける第２の層（ＩＩ　）の層厚
は、該第２の層（！■）を主にフォトキャリアの発生と
輸送のための層として用いる場合には、フォトキャリア
が効率よく輸送されるように所望によって適宜決定され
、好ましくはｌ−１００μ、より好ましくは１〜８０牌
、最適には２〜５０ｕとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材の第２の層（１１）１０４上に形成
される第３の層（ＩＩＩ）１０５は、自由表面を有し、
主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するた
めに設けられる。＄２の層（ＩＩ　）と第３の層（ＩＩ
Ｉ）とは、その各々がシリコン原子という共通の構成原
子を有してなる非晶質材料を主成分とするものなので、
その積層界面において化学的な安定性が十分確保されて
いる。

本発明に於ける第３の層（ｍ）は、シリコン原子（Ｓｌ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応して水素原子（ｌ（）
及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有する非晶質を主成
分とする材料（以後、ａ−（Ｓｉ、　Ｃ＋−Ｘ）ｙ　（
）Ｉ、×）、−７と記す、但し、ｏ＜ｘ、ｙ＜１）で構
成される。

ａ−（ｓｉＸｃ、　−Ｘ　）ｙ　（ＨｌＸＬ−ｙで構成
される第３の層（ＩＩＩ）の形成は、グロー放電法、ス
パッタリング法、イオンインプランテーション法、イオ
ンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によって
実施される。これらの製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
か、所望する特性を有する光導電部材を製造するための
条件の制御が比較的容易であり、かつシリコン原子と共
に炭素原子やハロゲン原子を、作製する第３の層（ＩＩ
Ｉ）中に導入するのが容易に行える等の利点から、グロ
ー放電法あるいはスパッタリング法が好適に採用される
。また、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して第３の層（ｍ）を形成してもよい。

グロー放電法によって第３の層（ＩＩＩ）　？形成する
には、ａ−（ＳｔＸＣ＋　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋
−ｙ形成用の原料ガスを、必要に応して希釈カスと所定
の混合比で混合し、第２の層（ＩＩ　）が形成された支
持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入
されたカスをグロー放電を生起させることによりガスプ
ラスマ化して、前記支持体上の第２の層（ＩＩ　）上に
ａ−（Ｓｘｘ　ｃ、−Ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙを堆
積させ・ればよい。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｔｘ　Ｃ＋　−ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　＋−ｙ形成用の原料カスとしては、シリコン
原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）及びハ
ロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原子
として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの内の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料カスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、
必要に応じてＨを構成原子とする原料カス及び／又はＸ
を構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混合して
使用するか、あるいは、Ｓｌを構成原子とする原料ガス
と、Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及
びＸを構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混合
して使用するか、あるいはまた、Ｓｉを構成原子とする
Ｅ；（料ガスと、Ｓｌ、ＣおよびＨの三つをａ成原子と
する原料カス又はＳｌ、ＣおよびＸの三つを構成原子と
する原料カスとを所望の混合比で混合して使用すること
ができる。

あるいは別法として、ＳｉとＨとを構成原子とする原料
ガスと、Ｃを構成原子とする原料カスとを混合して使用
してもよいし、あるいはＳｉとＸとを構成原子とする原
料ガスと、Ｃを構成原ｆとする原料ガスとを混合して使
用してもよい。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）中に含有されても
よいハロゲン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ　、Ｃ
Ｉ、　Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ　、　Ｃ：ｌか望ましい
ものである。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）形成用の原料ガス
として有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原子と
するＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ
Ｈｏ等の水素化ケイ素カス；Ｃ，！＝Ｈとを構成原子と
する、例えば炭素原子数ｌ〜４の飽和炭化水素、炭素原
子数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素原子数２〜４の
アセチレン系炭化水素；／＼ロゲン単体；／＼ロゲン化
水素；ハロゲン間化合物：／＼ロゲン化ケイ素；ハロゲ
ン置換水素化ケイ素等を挙げることができる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン、エタン、
プロパン、ｎ−ブタン、ペンタン；エチレン系炭化水素
としては、エチレン、プロピレン、ブテン−１、ブテン
−２、ｉ−ブチレン、ペンテン；アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン、メチルアセチレン、ブチン；ノ
＼ロケン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の
／＼ロゲンガス；ハロゲン化水素としては、ＨＦ、■、
ＨＣｌＨＢｒ：ハロゲン間化合物としては、Ｃ１Ｆ、Ｃ
ｌＦ３、ＣｌＦ５、ＢｒＦ　、　Ｂ、ｒＦ３、ＢｒＦ５
、ＩＦ、、−１ＩＦ７　、　ＩＣＩ、ＩＢｒ；ハロゲン
化ケイ素としては、ＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣ１４
、５ｉＣ１３Ｂ　ｒ　、５ｉＣ１２Ｂ　ｒ２．５ｉＣｌ
Ｂｒ３．５ｉＣ１３Ｉ、５ｉＢｒｉ＋　；ハロゲン置換
水素化ケイ素としては、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｃ
：１２　、５ｉＨＣ１３，５ｉＨ３Ｃ：ｌ、５ｉＨ３Ｂ
ｒ、　５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等を挙げることが
できる。

これ等の他に、ＣＦ４　、　ＣＣｌ４、ＣＨＦ４、ＣＨ
Ｆ３、ＣＨ２Ｆ２　、ＣＨ３Ｆ、（Ｈ３Ｏ＋　、　ＣＨ
３Ｅｒ　、　ＣＨ３１，Ｃ２Ｈ５Ｇ１等のハロゲン置換
パラフィン系炭化水素、ＳＦ４、ＳＦ６等のフッ素化碓
黄化合物；　５ｉ（（Ｈ３）ａ、５ｉ（Ｃ２Ｈｓ）＋　
、等のケイ化アルキル°；　ＳｉＣｌ　（ＣＨ３）３．
５ｉＣ１２（ＣＨ３）２　、５ｉＣ１３Ｃ８３等のハロ
ゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なもの
として挙げることができる。

これ等の第３の層（ｍ）形成物質は、形成される第３の
層（ＩＩＩ）中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素
原子及び必要に応じてハロケン原子及び／又は水素原子
が含有されるように、第３の層（ｍ）の形成の際に所望
に従って選択ぎれて使。

用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原ｆとの含有が
容易になし得て、かつ所望の特性の層か形成され得るＳ
　ｉ　ＣＣＨ３）４と、ハロケン原子を含有させるもの
としての５ｉＨＣ１３，５ｉＨ２Ｃ：１２　、５ｉＣＩ
４またはＳｉＨ３Ｃｌ等を所定の混合比にしてカス状１
１１で第３の層（ＩＩＩ）形成用の装置内に（入してグ
ロー放電を生起させることによってａ−（Ｓｉ４Ｇ、　
−Ｘ　）ｙ　（Ｈｌｘ）、−７から成る第３の層（ＩＩ
［）を形成することができる。

スパッタリング法によりて第３の層（ｍ）を形成するに
は、単結晶若しくは多結晶のＳｌウェーハー及び／又は
ＣウェーハーあるいはＳｉとＣが混合されて含有されて
いるウェーハーをターゲットとして、これ等を必要に応
じてハロゲン原子及び／又は水素原子を構成要素として
含む種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って行えばよい。

例工ば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するだめの原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室
中に導入し、これ等のガスのカスプラズマを形成して前
記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすればよい。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットを
、あるいはＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応して水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料
ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で示
した第３の層（ＩＩＩ）形成用の物質がスパッタリング
法の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂希ガス、例えばＨ，ｅ、Ｎｅ、　Ａｒ等が好
適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける第３の層（ＩＩ［）は、その要求される
特性が所望通りに与えられるように注意深く形成される
。

即ち、Ｓ’ｉ、Ｇ、必要に応じてＨ及び／又はＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気的性質とし
ては、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、
また光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を
各々示すので、本発明においては、目的に応じた所望の
特性を有するａ−（ＳｔＸｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ
）　＋−ｙが形成されるように、所望に従ってその作成
条件の選択が厳密に成される。例えば、第３の層（［Ｉ
）を電気的耐圧性の向上を主な目的として設ける場合に
は、ａ−（ＳｆｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，ＸＬ−ｙは使用環
境において′心気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料とし
て作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第３の層（ｍ）が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−
（ＳｉＸｃｌ　−＋ｃ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙが作
成される。

第２の層（ＩＩ　）の表面上にａ−（ＳｔＸｃ、　−Ｘ
　）ｙ　（ＨｌｘＬ−アから成る第３の層（ＩＩＩ）を
形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層の
構造及び特性を左右する重要な因子の一つであって、本
発明においては、目的とする特性を有するａ−（ＳｉＸ
Ｌ＋　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙが所望通りに作
成され得るように層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第３の層（ｍ）の形成法に合わせて適宜最適範囲が選
択されて、第３の層（Ｉ［Ｉ）の形成が実行されるが、
好ましくは、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５
０°Ｃ１最適には１００〜３００℃とされるのが望まし
い。第３の層（ｍ）の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易である
こと等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採
用が右利であるが、これ等の層形成法で第３の層（ＩＩ
Ｉ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電パワーが作成されるａ−（Ｓｉ）＋　ｃ
、　−Ｘ　）ｙ　（ＨｌＸＬ−ｙの特性を左右する重要
な因子の一つとして挙げることができる。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　
＋−ｙか生産性よく効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくは１０〜３００Ｗ、より好適
には２０〜２５０Ｗ、最適には５０〜２００Ｗとされる
のが望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜１　
Ｔｏｒｒ、好適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いては第３の層（ＩＩ［）を作成するための
支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性
のａ−（Ｓｉｘ　ｃ、−Ｘ）ｙ　（Ｈ。

ｘＬ−７から成る第３の層（ＩＩＩ）が形成されるよう
に相互的右機的関連性に基づいて各層作成ファクターの
最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第３の層（ＩＩＩ）に含有
される炭素原子の量は、第３の層（ＩＩＩ）の作成条件
と同様、本発明の目的を達成される所望の特性が得られ
る第３の層（ｍ）か形成されるだめの重要な因子の一つ
である。本発明に於ける第３の層（ＩＩＩ）に含有され
る炭素原子の量は、第３の層（ｍ）を構成する非晶質材
料の特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｔＸｃ、−Ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ
）　＋−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリ
コン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、
ａ−５ｉａＣＩ−Ｂ　と記す。但し、０　＜　ａ＜　１
）　、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、ａ−（ＳｉｂＣ＋−ｂ）ｅＨ＋−
６と記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と炭
素原子と／＼ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構
成される非晶質材′１４（以後、ａ−（Ｓｌ、＋　ｃ、
−ａ〕ｅ（Ｈ，ＸＬ−１１と記す。但し、０　＜　ｄ、
ｅ　＜、　ｌ）に分類される。

本発明に於いて、第３のｕ　（ＩＩＩ）がａ−３ｉ、１
Ｃ，，４で構成される場合、第３の層（ＩＩＩ）に含有
される炭素原子の量は、好ましくは、ｌＸｌ０−３〜８
０ａｔｏｍｉｃ％、より好適にはｌ　〜８Ｑａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には１０〜７５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましいものである。即ち、先のａ−８ｉａＣ＋−，の
ａの表示で行えば。

ａが好ましくはｏ、ｉ〜０．９９９９９、より好適には
０．２〜０．９９、最適には０．２５〜０．９である。

一方、本発明に於いて、第３の層（Ｉ［Ｉ）がａ−（Ｓ
ｉｂ　ｃｌ　−ｂ　）ｃ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｅで構成さ
れる場合、第３の層（ＩＩＩ）に含有される炭素原子の
量は、好ましくは１　Ｘ　１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ
％とされ、より好ましくは　１〜９０ａｔｏｍｉｃ％と
されるのか望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、５より好ま
しくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素
含有量がある場合に形成される光導電部材は、実際面に
おいて優れたものとして充分適用させ得るものである。

即ち、先のａ−（Ｓｉｂ　Ｃ＋　−ｂ　）。（）１．　
ｘ）Ｉ−０の表示で行えば、ｂが好ましくは０．１〜０
．８９ｉ３９９、より好適には０．１〜０．９９、最適
には０．１５〜０．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．８
９、より好適には０．６５〜０．９８、最適には０．７
〜０．８５であるのが望ましい。

第３の層（ＩＩＩ）カ、ａ−（ＳｉａＣ＋−ａ）ｅ（Ｈ
，ＸＬ−ａ　テ構成される場合には、第３の層（ＩＩＩ
）中に含有される炭素原子の含有量としては、好ましく
は、ＩＸ　１０−〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には
１〜９゜ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８Ｑａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子
の含有量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏｍｉ
ｃ％、より好適には１〜＋８ａｔｏｍｉｃ％、最適には
２−１２−１５ａｔｏ％とされるのが望ましく、これ等
の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成される光
導電部材を実際面に充分適用させ得るものである。必要
に応じて含有される水素原子の含イＩ量としては、々ｊ
゛ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３
ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ−（Ｓｉ４Ｇ＋−ａ）ｅ（Ｈ，ＸＬ−ｅの
ｄ、　ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは、Ｌｌ〜０．
８９８９９より好適には０．１〜０．８８、最適には０
．１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、よ
り好適には０．８２〜０．８９、最適には０．８５〜０
．９８であるのか望ましい。

本発明に於ける第３の層（ＩＩＩ）の層厚の数値範囲は
、本発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の
一つである。本発明の目的を効果的に達成するように、
所期の目的に応して適宜所望に従って決められる。

また、第３の層（ＩＩ［）の層厚は、該第３の層（ｍ）
中に含有される炭素原−ｒ−の量や第１の層（Ｉ）およ
び第２の層（ＩＩ　）の層厚との関係においても、各々
の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の下に所
望に従って適宜決定される必要がある６更に加え得るに
、生産性や量生産を加味した経済性の点においても考慮
されるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層（Ｉ［Ｉ）の層厚としてノよ、
好ましくは　０．００３〜３０鱗、より好適には０．０
０４〜２０ｕｍ、最適には０．００５〜１０牌とされる
のが望ましいものである。

本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、例えば、−ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１．　Ｃｒ、
　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐ
ｔ、Ｐｄ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリｆｌＡ　化ヒニリデン
、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又
はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される
。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。

すなわち、例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣ
ｒ、　ＡＩ、Ｃｒ、　Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｔ、　Ｎｄ、　Ｔ
ａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、ＩＴＯ（
Ｉｎ２０３　＋５ｎＯ２）等から成る薄膜を設けること
によって導電性が付与され、或いはポリエステルフィル
ム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａ１、Ａ
ｇ、　Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ。

Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　
、Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等でその表面に設け、または前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が伺与される。

支持体の形状としては、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が十分発揮され
るａ回内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら
、このような場合支持体の製造上及、び取扱い上、更に
は機械的強度等の点から、通常は、１０牌以」二とされ
る。

次に、本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第４図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。

図中の１１０２〜１１０８のカスボンベには、本発明の
光導電部材の光導電層を形成するための原料ガスが密封
されており、その−例として、例えば１１０２は、Ｈｅ
テ希釈されたＳ　ｉ　Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、
以下Ｓ＋Ｈ４／Ｈｅガスと略す）ボンへ、１１０３はＨ
ｅで希釈されたＧｅＨ４カス（純度９９．９９９％、以
下ＧｅＨ４／Ｈｅカスと略す）ボンベ、１１０４はＨｅ
で希釈されたＳｉＦ４カス（純度９９．９９９％、以下
ＳｉＦ４／Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１０５はＨｅで
希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度８８．９９９％、以下８
２　Ｈ６／　Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１０ＢはＨｅ
で希釈されたＣ：２Ｈ４ガス（純度９９．９９％、以下
Ｃ２Ｈ４／　Ｈｅガスと略す）ボンベである。図示され
ていないがこれら以外に、必要に応じて所望のガス種の
ボンベを増設することか可能である。

これらのガスを反応室１１０１に流人させるには、ガス
ボンベ１１０２〜１１０Ｂの各／へルブ１１２２〜１１
２６及びリークバルブ１１３５が閉じられていることを
確認し、また、流入バルブ１１１２〜１１１６．流出７
九ルブ１１１７〜１１２１及び補助バルブ＋１３．２．
１１３３か開力）れていることを確認して、先づメイン
ノ＜）レブ１１３４を開いて反応室１１０１及び各ガス
配管内を排気する。次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ
　１Ｏ−６ｔａｒ目こなった１１間点で補助バルブ１１
３２．１１３３及び流出／ヘルプ１１１７〜１１２１を
閉じる。

先ず、シリンダー状基体１１３７−Ｌに第１の層（Ｉ）
を形成する場合の一例を示すと、カスボンベ１１Ｏ２よ
りＳｉＨ４／Ｈｅガス、カスボンベ１１０５よりＢ２Ｈ
６／　Ｈｅガスをバルブ１１２２．１１２５をそれぞれ
開１．）で出口圧ゲージ１１２７．１１３０の圧を１Ｋ
ｇ／ｃｍｚに調整し、流入バルブ１１１２．１１１５を
徐々に開けて、マス７０コントローラ１１０７．１１１
０内にそれソｉｔ、　ｉｌＬ　人させる。引き続いて流
出／えルブ１１１７．１１２０及び？＋ｌｉ助バルブ１
１３２を徐々に開いてそれぞれのガスを反応室１１０１
に流入させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＢ２
　Ｈ６／　Ｈｅガス流量との比が所望の値になるように
流出バルブ１１１７．１１２０を調整し、また、反応室
内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読み
を見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。そ
して基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒーター１１
３８により５０〜４００°Ｃの所定の温度に設定されて
いることを確認した後、電源１１４０を所望の電力に設
定して反応室１１９１内にグロー放電を生起させて、基
体シリンター１１３７上に第１の層（Ｉ）を形成する。

また、層形成を行っている間は、層形成の均一化を計る
ために基体シリンター１１３７をモータ１１３９により
一定速度で回転させる。最後に使用した全てのガス操作
系バルブを閉じ、反応室１１０１を一旦高真空まで排気
する。

次にこのようにして形成された第１のＦ　（１）の」ニ
に第２の層（ＩＩ　）を形成する場合の一例を示すと、
真空計１１３６の読みが約５Ｘ　１０’らｔｏｒｒにな
ったら上記の場合と同様な操作の繰り返しを行う。

すなわち、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ４／Ｈｅガス
、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨ４／　Ｈｅガス、カス
ボンベ１１０５よりＢ２　Ｈ６／　Ｈｅガスをバルブ１
１２２．１１２３．１１２５をそれぞれ開いて出口圧ゲ
ージ１１２７．１１２８．１１３０の圧を１Ｋｇ　／　
ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１２、＋１１３．１１
１５を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７．
１１０８．１１１０内にそれぞれ流入させる。引き続い
て流出バルブ１１１７．１１１８．１１２０及び補助／
へルブ１１３２を徐々に開いてそれぞれのガスを反応室
１１’０１に流入させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス
流量とＧｅＨ４／　Ｈｅガス流量とＢ２　Ｈｂ　／　Ｈ
ｅガス流量との比が所望の値になるように流出バルブ１
１１７．１１１８．１１２０を調整し、また、反応室内
の圧力が所望の値開こなるように真空計１１３１３の読
みを見ながらメイン／へルブ１１３４の開口を調整する
。そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒーター
１１３８により５０〜４００°Ｃの所定の温度に設定さ
れていることを確認した後、電源１１４０を所望の電力
に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起させて
、基体シリンダー１１３７上に第１の層（Ｉ）の形成の
場合と同様にして第２の層（ＩＩ　）を形成する。

次にこのようにして形成された第２の層（ＩＩ）の上に
第３の層（ｍ）を形成する場合には、先の場合と同様に
、使用した全てのガス操作系バルブを閉じ、反応室１１
０１を一旦高真空まで排気し、真空計１１３６の読みが
約５Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになったら、上記の場合と同
様にして、例えばガスボンベ１１０２よりＳｉＨ４／Ｈ
ｅガス、ガスボンベ１１０４よりＳｉＦ４／Ｈｅガス、
ガスボンベ１１０ＢよりＣ２Ｈ４／　Ｈｅガスを供給し
て、グロー放電を生起させ第３の層（ｍ）が形成される
。第３の層（ＩＩＩ）中の炭素原子の量はＣ２Ｈ４／、
Ｈｅカスの供給流量を調整することによって実施される
。

以下、実施例について説明する。

実施例１ 第４図に示した光導電部材の製造装置を用い、先に詳述
したグロー放電分解法によりＡＩ製のシリンダー上に第
１表に示した製造条件に従い光受容層を形成し、電子写
真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を帯電露光実験装置
にセットして■５．０　ＫＶで０．３秒間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像は、タングステンラ
ンプ光源を用い、０．２　ｌｕｘ　・Ｓｅｃの光量を透
過型のテストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を光導電部材表面をカスケードすることによっ
て光導電部材表面上に良好なトナー画像を得た。光導電
部材表面上のトナー画像を■５．０　ＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写したところ、解像度に優れ、階調再現
性の良い鮮明な高濃度の画像が得られた。

次に、光源をタングステンランプの代わりに、８１０ｒ
＋＋＋＋のＧａＡｓ系半導体レーザー（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行なった以外は」上記と同様なト
ナー画像形成条件にして、トナー転写画像の画質評価を
行ったところ、階調再現性の良い説明な高品位の画像が
得られた。

実施例？ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第２表に示した製造条件にした以外ｔよ実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用１．Ｎて実施例
１と同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、
解像力に優れ、階調再現性の良１．）ｇ明な高品位の画
像が得られた。

実施例３ 第４図の製造装置を用い、シリンダー上状のＡｌ製基体
上に、第３表に示した製造条件にした以外ｔ±実施例１
と同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用し）て実施例１
と同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解
像力に優れ、階調再現性の良ｌ／Ａ鮮明な高品位の画像
が得られた。

実施例４ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第４表に示した製造条件にした以外ｔよ実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用Ｕ）て実施例１
と同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解
像力に優れ、階調再現性の良（、Ｘａ：ｊ明な高品位の
画像が得られた。

実施例５ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第５表に示した製造条件にした以外ｔよ実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用し）て実施例１
と同様にトナー転写画像の画質評価をイーｔつだところ
、解像力に優れ、階調再現性の良ＩＩ’！７８１Ｊな高
品位の画像が得られた。

実施例６ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第６表に示した製造条件にした以外ｔ±実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用し）て実流側１
と同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解
像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得
られた。

実施例７ ゛第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体
上に、第７表に示した製造条件にした以外は実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例８ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第８表に示した製造条件にした以外は実施例１と同
様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例９ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｔ製基体上
に、Ｂ　Ｈ６のＳｉＨ＋に対する容積濃度を除き第１表
に示した製造条件と同様な条件にて実施例１と同様にし
て、電子写真用の像形成部材をそれぞれ作製した。Ｂ　
Ｈ６の濃度は、第９表に示した各条件を採用した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
実施例１と同様な手順に従って画質評価を行ったところ
、第９表に示した結果を得た。

実施例１０ 第４図の製造装置を用い、シリンター状のＡｌ製基体上
に、第１０表に示した製造条件にした以外は実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例１１ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第１１表に示した製造条件にした以外は実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例１２ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第１２表に示した製造条件にした以外は実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例１３ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡｌ製基体上
に、第１３表に示した製造条件１こした以外【よ実施例
１と同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を＋ｉｉ　ｖＸて実
施例１と同様にトナー転写画像の画質Ｆｆ　＠Ｉｉを９
γつだところ、解像力に優れ１階調ｖｆ現性の良し）１
曝１な高品位の画像が得られた。

実施例１４ 第４図の製造装置を用い、シリンター状のＡｌ製基体上
に、第１４表に示した製造条件側こした以外４±実施例
段同様にして、電子写真用の像Ｊ形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用し）て実施例１
と同様にトナー転写画像の画質Ａヤ１曲を１ｉつたとこ
ろ、解像力に優れ、階調再現性の良（＼鮮１Ｊ４な高品
位の画像が得られた。

実施例１５ 第４図の製造装置を用い、シリンター状のＡｌ製基体上
に、第１５表に示した製造条件側こした以外Ｃよ実施例
１と同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例１６ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡＩ製基体上
に、第１６表に示した製造条件にした以外は実施例１と
同様にして、電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転ず１像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例１７ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡ１製基体上
に、第１７表に示した製造条件にした以外は実施例１と
同様にして、電子写！霜の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材を用いて実施例１と
同様にトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階ｉＡ再現性の良い鮮明な高品位の画像が得
られた。

実施例１８ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡＩ製基体上
に、実施例１０と同様にして、電子写真用の像形成部材
を作製した。ただし、ＳｉＨ，ｌに対するＢ１０．の容
積濃度は、予め設定されたバルブ操作プログラム曲線に
従って、バルブを操作することによって変化させること
で、第２図に示すホウ素分布濃度を有するものを得た（
試料１Ｂ−２０１〜１８−２０８）。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
実施例１０と同様な方法で画質評価を行ったところ、解
像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得
られた。

実施例１９ 第４図の製造装置を用い、シリンダー状のＡ１製基体上
に、実施例１と同様にして、電ｒ−写真用の像形成部材
を作製した。ただし、ＳｉＨ４に対するＢ２Ｈ６の容積
濃度またはＰＨ３の容積濃度は、予め設定されたバルブ
操作プログラム曲線に従って、バルブを操作することに
よって変化させることで、第３Ａ図、第３Ｂ図に示すホ
ウ素分布濃度、リン分布濃度を有するものを得た（試料
１９−３０１〜１９−３１８）　。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
実施例１と同様な方法で画質評価を行ったところ、解像
力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。

実施例２０ 第３の層（ＩＩＩ）の作製条件を第１８表に示した各条
件にした以外は、それぞれ実施例４．７．８の各実施例
と同様の条件と手順に従って電子写真用の像形成部材を
それぞれ（試料、１１８−４０１〜１８−４０８．１８
−７（１１−１８−７０８，１８−８０１〜１Ｂ−８０
８の合計２４個の試料）作製した。

このようにして（１）られた像形成部材のそれぞれを用
いて、実施例１と同様な条件で画質評価と、繰り返し連
続使用による耐久性の評価を行った。

これらの各試料の評価結果を第１９表に示した。

実施例２１ 第３の層（ＩＩＩ）の作製をスパッタリング法により実
施し、その形成時にシリコンウェハーとグラファイトの
ターゲツト面積比を種々変更して、第３の層（ｍ）中の
シリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させた以外は
実施例１と同様にしてシリンター状のＡＩ製基体上に光
受容層を形成して電子写真用の像形成部材を作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第２
０表の評価結果を得た。

実施例２２ 第３の層（ｍ）の形成時に、ＳｉＨ４カスとＣ２Ｈ４ガ
スの流量比を変えて、第３の層（ＩＩＩ）中のシリコン
原子と炭素原子の含有量比を変化させた以外は実施例１
と全く同様にしてシリンダー状のＡｉ製基体上に光受容
層を形成して電子写真用の像形成部材をそれぞれ作製し
た。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、ｔ５
２１表の評価結果を得た。

実施例２３ 第３の層（ＩＩ［）の形成時に、ＳｉＨ４ガスとＳｉＦ
４ガスとＣ：２Ｈ４ガスの流量比を変えて、第３の層（
ｍ）中のシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させ
た以外は実施例１と全く同様にしてシリンダー状のＡＩ
製基体上に光受容層を形成して電子写真用の像形成部材
をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第２
２表の評価結果を得た。

実施例２４ 第３の層（ｍ）の層厚をを変化させた以外は実施例１と
全く同様にしてシリンダー状のＡＩ製基体上に光受容層
を形成して電子写真用の像形成部材をそれぞれ作製した
。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第２
３表の評価結果を得た。

第２３表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成をを説明するため
に層構造を模式的に示した図である。第２図、第３Ａ図
および第３Ｂ図は、それぞれ本発明の光導電部材の実施
例に於ける光受容層中の不純物原子（ホウ素原子及びリ
ン原子）の濃度分布を模式的に示した図である。第４図
は、グロー放電分解法による光導電部材の製造装置を示
した図である。 １００：光導電部材　１０１：支持体 １０２：光受容層　１０３：第１の層（Ｉ）１０４：第
２の層（Ｉｔ）　＋０５：第３の層（ｍ）１１０１　：
反応室 １１０２〜１ｌＱ８：ガスボンベ １１０７〜ｆｉｌｌ：マスプロコントローラ１１１２〜
１１１８：流入バルブ １１１７〜１１２１　：流出バルブ １１２２〜１１２８：バルブ １１２７〜１１３１　：圧力調整器 １１３２：ｍ助バルブ　１１３３：メインバルブ１１３
４：ゲートバルブ　１１３５　：リークバルブ１１３８
：真空計　１１３？：基体シリンダー１１３８　：加熱
ヒーター　１１３８　：モータ１１４０　：高周波電源
（マツチングボックス）第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 られ、光導電性を有する光受容層とを有する光導電部材
   に於いて、前記光受容層が、前記支持体側から、シリコ
   ン原子を含む非晶質材料で構成されたｆｔ、　１の営＜
   ７＞と・′す０′原子とゲル”°ラム原子とを含む非晶
   質材料で構成された第２の層（ＩＩ　）と、シリコン原
   子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第３の層
   （ｍ）とから構成され、かつ前記第１の層（Ｉ）および
   第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に、ハロゲン原子
   示含有されていることを特徴とする光導電部材。 （２）第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ　）の少な
   くとも一方に、水素原子が含有されている特許請求（３
   ）第１の層ＣＩ）および第２の層゛でｎ’）の少なくと
   も一方に、＆導性を支配する物質が含有さ□れている特
   許請求の範ｉ第１項または第２項記載の光導電部材。 （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部材。　
   □　・・ （５）法導硅を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部材。