JPS60134418A - 液相エピタキシヤル層の評価方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル層の評価方法Info
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- JPS60134418A JPS60134418A JP58242563A JP24256383A JPS60134418A JP S60134418 A JPS60134418 A JP S60134418A JP 58242563 A JP58242563 A JP 58242563A JP 24256383 A JP24256383 A JP 24256383A JP S60134418 A JPS60134418 A JP S60134418A
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- JP
- Japan
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- growth
- liquid phase
- crystal
- epitaxial layer
- phase epitaxial
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
- H10P14/2911—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
不発明は、液相エピタキシアル法によって成長したエピ
タキシアル層の評価方法に関するものである。
タキシアル層の評価方法に関するものである。
従来、エピタキシアル成長した基板の評価に、は、成長
基板の一部を切り取って評価したフ、ダミー基板に成長
させて評価用に供したりすることが行なわれている。し
かし、こうした方法では、実用となる基板の大きさが小
さくなるはかりか、実際に用いられる部分と異なる部分
を評価している欠点がある。また、導電型の異なるエピ
タキシアル層を多層成長させた場合や、溝やメサを有す
る基板上にエピタキシアル成長させたような場合には、
個々の層の特性を独立に評価することが困難である欠点
もある。
基板の一部を切り取って評価したフ、ダミー基板に成長
させて評価用に供したりすることが行なわれている。し
かし、こうした方法では、実用となる基板の大きさが小
さくなるはかりか、実際に用いられる部分と異なる部分
を評価している欠点がある。また、導電型の異なるエピ
タキシアル層を多層成長させた場合や、溝やメサを有す
る基板上にエピタキシアル成長させたような場合には、
個々の層の特性を独立に評価することが困難である欠点
もある。
不発明の目的は、成長基ｅ、を破壊することなく液相エ
ピタキシアル層の特性を評価するための新しい評価方法
を提供することにある。
ピタキシアル層の特性を評価するための新しい評価方法
を提供することにある。
不発明は、成長融液の過飽和度を制御するためのソース
結晶を用いる液相成長法において、その結晶に成長基板
と同質のエピタキシアル結晶が成長する条件のときに、
ソース結晶上のエピタキシアル層の特性を測足すること
によって、不成長基板上のエピタキシアル層の評価を行
なうことを特徴とする。
結晶を用いる液相成長法において、その結晶に成長基板
と同質のエピタキシアル結晶が成長する条件のときに、
ソース結晶上のエピタキシアル層の特性を測足すること
によって、不成長基板上のエピタキシアル層の評価を行
なうことを特徴とする。
本発明によれば、成長基板を損なうことなく。
エピタキシアル層の評価ができるはかシか１層の全面に
わたって面内分布を評価することもできる・また、多層
エピタキシアル構造におｈて各層を独立に評価できるし
、溝やメサを有する基板に埋込みエピタキシアル成長さ
せた場合のように、本成長基板では評価しにくいときに
も有効である。
わたって面内分布を評価することもできる・また、多層
エピタキシアル構造におｈて各層を独立に評価できるし
、溝やメサを有する基板に埋込みエピタキシアル成長さ
せた場合のように、本成長基板では評価しにくいときに
も有効である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を評価に説明する
。
。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示し、特にオー
バー、シード型ソース結晶法によるＭ Ｇ ａＡｓ系混
晶多層エピタキシアル成長に本発明に応用した場合であ
る。すなわち、第１図に示すように、オーバー・シード
保持部１と融液保持部２およびスライダー２より成るカ
ーボン、ボートとによる成長装置に、成長融液４．Ｇａ
Ａｓオーバー・シード（ソース結晶）５．およびＧａＡ
ｓｇ長基板６がセットされている。ここで、成長融液４
には、Ｍ供給用（ＪａＡｓ種結晶と、混晶用Ａｌ とが
予め仕込まれていて、昇温後完全に溶解するまで第１図
の状態で保たれている１次に％第２図のように。
バー、シード型ソース結晶法によるＭ Ｇ ａＡｓ系混
晶多層エピタキシアル成長に本発明に応用した場合であ
る。すなわち、第１図に示すように、オーバー・シード
保持部１と融液保持部２およびスライダー２より成るカ
ーボン、ボートとによる成長装置に、成長融液４．Ｇａ
Ａｓオーバー・シード（ソース結晶）５．およびＧａＡ
ｓｇ長基板６がセットされている。ここで、成長融液４
には、Ｍ供給用（ＪａＡｓ種結晶と、混晶用Ａｌ とが
予め仕込まれていて、昇温後完全に溶解するまで第１図
の状態で保たれている１次に％第２図のように。
オーバー・シード保持部１をスライドして、成長融液４
にオーバー・シード５を接触させて放置すると、成長融
液４に飽和点より過剰なＡｓ成分があるときは、オーバ
ー、シード５に結晶成長し、一方、飽和点よ）Ａｓ成分
が少ないときは、オーバー、シード５の一部が溶解する
ことによって、成長融ｇ４は過飽度がない状態となる。
にオーバー・シード５を接触させて放置すると、成長融
液４に飽和点より過剰なＡｓ成分があるときは、オーバ
ー、シード５に結晶成長し、一方、飽和点よ）Ａｓ成分
が少ないときは、オーバー、シード５の一部が溶解する
ことによって、成長融ｇ４は過飽度がない状態となる。
そこで。
温度を徐冷しながらスライダー３をスライドさせて、成
長基板６を成長融液４に接触させ一定時間経過させると
、その時間に冷却されて成長融液４に生じた過飽和分だ
けのＡｌＧａＡｓ混晶が、成長基板６とオーバー、シー
ド５と両方に同じく成長する。その後、さらにスライダ
ー３を動かして。
長基板６を成長融液４に接触させ一定時間経過させると
、その時間に冷却されて成長融液４に生じた過飽和分だ
けのＡｌＧａＡｓ混晶が、成長基板６とオーバー、シー
ド５と両方に同じく成長する。その後、さらにスライダ
ー３を動かして。
次の檜にて同様な結晶成長をさせれば多層エピタキシア
ル結晶が得られるが、オーバー・シード５に余分の結晶
が成長しないように、成長基板６の動きに合わせて成長
融液４を落下させて切夛離すようにする。その状態ｔ−
第３図に示す、第３図で。
ル結晶が得られるが、オーバー・シード５に余分の結晶
が成長しないように、成長基板６の動きに合わせて成長
融液４を落下させて切夛離すようにする。その状態ｔ−
第３図に示す、第３図で。
７が落下融液を示す・
〔効果〕
こうして得られたオーバー・シード５上の結晶を評価す
れば成長基板６に成長した結晶と同じ情報が％各層独立
に得られる。たとえばＡｌＧａＡｓ層におけるＡＪ混晶
比、ＧａＡｓ結晶に対するＡＡｔ（ＪａＡｓ層の結晶格
子ずれ−ｅ応力ひずみ、結晶欠陥や表面モ７オ筒ジーの
特徴などが評価でき、さらにオーバー・シード５の一部
ｔ−溶解させてから成長させる条件のときは層厚も知る
ことができる。またオーバー・シード５としてアンドー
プ高抵抗結晶を用い、成長融液４ｉＣｐ型あるいはｎ型
ドーパントを仕込んで成長させた場合には、高抵抗結晶
上の抵抵抗エピタキシアル層であるから、容易に抵抗率
やキャリアー濃度、キャリアー移動匿などの電気的特性
を測定することができる。
れば成長基板６に成長した結晶と同じ情報が％各層独立
に得られる。たとえばＡｌＧａＡｓ層におけるＡＪ混晶
比、ＧａＡｓ結晶に対するＡＡｔ（ＪａＡｓ層の結晶格
子ずれ−ｅ応力ひずみ、結晶欠陥や表面モ７オ筒ジーの
特徴などが評価でき、さらにオーバー・シード５の一部
ｔ−溶解させてから成長させる条件のときは層厚も知る
ことができる。またオーバー・シード５としてアンドー
プ高抵抗結晶を用い、成長融液４ｉＣｐ型あるいはｎ型
ドーパントを仕込んで成長させた場合には、高抵抗結晶
上の抵抵抗エピタキシアル層であるから、容易に抵抗率
やキャリアー濃度、キャリアー移動匿などの電気的特性
を測定することができる。
以上はＡｌＧａＡｓ 系三元混晶多層エピタキシアル成
長を例にして説明したが、ソース結晶を使用する液相成
長法であれば、他のＩ−Ｖ化合物や■−■化合物、 Ｉ
Ｖ−■化合物などの場合にも応用することができる。
長を例にして説明したが、ソース結晶を使用する液相成
長法であれば、他のＩ−Ｖ化合物や■−■化合物、 Ｉ
Ｖ−■化合物などの場合にも応用することができる。
不発明を用いれば、液相エピタキシアル結晶について１
本成長基板を損なうことなく、シかも各層独立に評価す
ることができる。また、破壊測定法によって面内分布を
評価することも可能である。
本成長基板を損なうことなく、シかも各層独立に評価す
ることができる。また、破壊測定法によって面内分布を
評価することも可能である。
第１図ないし第３図は、オーバー・シードとしてソース
結晶を用いた場合のカーボン・ボートの断面図であって
、第１図は初期状態、第２図は融液の過飽和度を制御し
ているときの状態、第３図は結晶成長過程の状態を示す
。 １・・・・・・オーバ・シード保持部、２・・・・・・
融液保持部、３・・・・・・スライダー、４・・・・・
・成長融液、５・・・・・・オーバー・シード（ソース
結晶）、６・・・・・・成長基板、７・・・・・・落下
融液。
結晶を用いた場合のカーボン・ボートの断面図であって
、第１図は初期状態、第２図は融液の過飽和度を制御し
ているときの状態、第３図は結晶成長過程の状態を示す
。 １・・・・・・オーバ・シード保持部、２・・・・・・
融液保持部、３・・・・・・スライダー、４・・・・・
・成長融液、５・・・・・・オーバー・シード（ソース
結晶）、６・・・・・・成長基板、７・・・・・・落下
融液。
Claims (1)
- 成長融液中の溶質の過飽和度を制御するためにソース結
晶を用いる液相エピタキシアル結晶法によって成長され
たエピタキシアル成長層を評価する際に、前記ソース結
晶上に成長したエピタキシアル成長層を評価用に供する
ことを特徴とする液相エピタキシャル層の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242563A JPS60134418A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 液相エピタキシヤル層の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242563A JPS60134418A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 液相エピタキシヤル層の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134418A true JPS60134418A (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=17090943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242563A Pending JPS60134418A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 液相エピタキシヤル層の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134418A (ja) |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP58242563A patent/JPS60134418A/ja active Pending
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