JPS60136281A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS60136281A JPS60136281A JP24371583A JP24371583A JPS60136281A JP S60136281 A JPS60136281 A JP S60136281A JP 24371583 A JP24371583 A JP 24371583A JP 24371583 A JP24371583 A JP 24371583A JP S60136281 A JPS60136281 A JP S60136281A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は二重へテロ型半導体レーザの製造方法）ニ関す
る。
る。
二重へテロ型屈折率導波型半導体レーザは、光とキャリ
アの閉じ込め効果による低発振電流しきい値と屈折率導
波による安定な単−横モード発振が得られるため、その
有用性は計り知れない。この構造は、活性層より上の層
までファセット（全面鏡面）成長した後に、活性層部を
ストライプ状（−加工した後に２回目の結晶成長により
、活性層よりも屈折率の小さい結晶（二より埋め込む埋
め込み型（ＢＨ型）と、基板上（′−ストライプ状の溝
を形成した後（−活性層全溝内部（−分離形成する■溝
型（二大別される。しかし、いずれの場合（二おいても
発振電流しきい値を実用レベルまで低下するためには、
活性層ストライプにのみ電流全狭搾集中させる必要があ
る。そのためにはＢＨ型の場合には埋め込み層に元のダ
ブルへテロウェファとは逆の極性となる様な逆接合を形
成するのが普通である。また、■溝型の場合も、基板上
に結晶成長若しくは拡散等（二よって接合を形成する事
が頻煩（１行われている。
アの閉じ込め効果による低発振電流しきい値と屈折率導
波による安定な単−横モード発振が得られるため、その
有用性は計り知れない。この構造は、活性層より上の層
までファセット（全面鏡面）成長した後に、活性層部を
ストライプ状（−加工した後に２回目の結晶成長により
、活性層よりも屈折率の小さい結晶（二より埋め込む埋
め込み型（ＢＨ型）と、基板上（′−ストライプ状の溝
を形成した後（−活性層全溝内部（−分離形成する■溝
型（二大別される。しかし、いずれの場合（二おいても
発振電流しきい値を実用レベルまで低下するためには、
活性層ストライプにのみ電流全狭搾集中させる必要があ
る。そのためにはＢＨ型の場合には埋め込み層に元のダ
ブルへテロウェファとは逆の極性となる様な逆接合を形
成するのが普通である。また、■溝型の場合も、基板上
に結晶成長若しくは拡散等（二よって接合を形成する事
が頻煩（１行われている。
この様に従来方法では２回の結晶成長若しくは拡散等を
必要とするため、工程数が多くなり、コスト及び歩留り
の点で大きな欠点を有していｆｃ。
必要とするため、工程数が多くなり、コスト及び歩留り
の点で大きな欠点を有していｆｃ。
従来のこの型のレーザの構造及び製作方法１１ ＧａＩ
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ系レーザの場合（二ついて図面を参照
しながら説明する。ＢＨ型の代表例としてＰＢＨ（プレ
ーす埋め込みへテロ）型レーザについて第１図（二示す
。
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ系レーザの場合（二ついて図面を参照
しながら説明する。ＢＨ型の代表例としてＰＢＨ（プレ
ーす埋め込みへテロ）型レーザについて第１図（二示す
。
このレーザはまず、ｎ型（１００） ＩｎＰ基板ｌ上に
ｎ−ＩｎＰバッファ層２ 、 ＧａＩｎＡｓＰ活性層（
アンドーグ）３．ｐ型ＩｎＰクラッド層４を１回目の液
相エピクキシャル成長（ＬＰＥ） ｌ二よって成長させ
る（第１図（ａ））。次（−１活性層の幅が２μｍ以下
になる様にメサ・ストライプ状にエツチングを施す（第
１図（ｂ））。更に２回目のＬＰＥによってｐ−ＩｎＰ
層６゜ｎ−ＩｎＰ層７をメサ部５の頂面にのみ成長しな
い様（ニ低に過飽和度で成長させる。これは、活性層ス
トライプ３にのみ電流狭搾させて低しきい値化させるた
め（二ｐ−ｎ逆バイアス層で埋め込むものである。次に
連続成長（二より、メサ頂部にも成長が起る様に高い過
飽和度の溶液によ、！７ｐ型−ＩｎＰクラッド層４′、
ｐ型ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト層を成長させ
て完成する（第１図（Ｃ））。
ｎ−ＩｎＰバッファ層２ 、 ＧａＩｎＡｓＰ活性層（
アンドーグ）３．ｐ型ＩｎＰクラッド層４を１回目の液
相エピクキシャル成長（ＬＰＥ） ｌ二よって成長させ
る（第１図（ａ））。次（−１活性層の幅が２μｍ以下
になる様にメサ・ストライプ状にエツチングを施す（第
１図（ｂ））。更に２回目のＬＰＥによってｐ−ＩｎＰ
層６゜ｎ−ＩｎＰ層７をメサ部５の頂面にのみ成長しな
い様（ニ低に過飽和度で成長させる。これは、活性層ス
トライプ３にのみ電流狭搾させて低しきい値化させるた
め（二ｐ−ｎ逆バイアス層で埋め込むものである。次に
連続成長（二より、メサ頂部にも成長が起る様に高い過
飽和度の溶液によ、！７ｐ型−ＩｎＰクラッド層４′、
ｐ型ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト層を成長させ
て完成する（第１図（Ｃ））。
またＶ溝型レーザの場合には第２図に示す様（′″−１
まずｎ型（１００） Ｉ ｎ Ｐ基板１上（二ｎ−Ｉｎ
Ｐバッファ層２．ｐ−ＩｎＰ層６．ｎ−ＩｎＰ層７全７
金成長る（第２図（ａ））。次に、この基板（二ｐ−Ｉ
ｎＰ層６を基板１側に突き抜ける様（：ｖ溝ストライプ
９をマスクエツチング等により形成する（第２図（ｂ）
）。最後（二、２回目の結晶成長によｔ）、ｎ−ＩｎＰ
バッファ層２′。
まずｎ型（１００） Ｉ ｎ Ｐ基板１上（二ｎ−Ｉｎ
Ｐバッファ層２．ｐ−ＩｎＰ層６．ｎ−ＩｎＰ層７全７
金成長る（第２図（ａ））。次に、この基板（二ｐ−Ｉ
ｎＰ層６を基板１側に突き抜ける様（：ｖ溝ストライプ
９をマスクエツチング等により形成する（第２図（ｂ）
）。最後（二、２回目の結晶成長によｔ）、ｎ−ＩｎＰ
バッファ層２′。
アンドープＧａＩｎＡｓＰ活性層３’ｔ−Ｖ溝９中（二
分離形成される様に成長させ、次にｐ−ＩｎＰクラッド
層４゜ｐ −ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト層８
を連続成長させて完成するものである（第２図（Ｃ））
。ここでｐ−ＩｎＰ層とｎ−ＩｎＰ層の間の逆接合（二
より、■溝内の活性層ストライプ３′に電流狭搾を行い
、低しきい値化を図るものである。
分離形成される様に成長させ、次にｐ−ＩｎＰクラッド
層４゜ｐ −ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト層８
を連続成長させて完成するものである（第２図（Ｃ））
。ここでｐ−ＩｎＰ層とｎ−ＩｎＰ層の間の逆接合（二
より、■溝内の活性層ストライプ３′に電流狭搾を行い
、低しきい値化を図るものである。
この様（二、低しきい値で且つ一横モードの安定した高
性能の半導体レーザを製作するには工程数が多く煩雑で
あり、コストと歩留りの点で不利であった。
性能の半導体レーザを製作するには工程数が多く煩雑で
あり、コストと歩留りの点で不利であった。
この欠点を克服する目的で一回の成長で活性層をストラ
イプ状（二分離形成し、しかも電流狭搾機能金有する構
造を作るものの従来例として、ＣＣＭ（Ｃｕｒｒｅｎｔ
Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｍｅｓａ ５ｕｂｓｔｒａ
ｔｅ ＢｕｒｉｅｄＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
）が提唱されている（電子通信学会ｏＱｇ ｇｏ−ｔｔ
７．ｐｔｓ）。
イプ状（二分離形成し、しかも電流狭搾機能金有する構
造を作るものの従来例として、ＣＣＭ（Ｃｕｒｒｅｎｔ
Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｍｅｓａ ５ｕｂｓｔｒａ
ｔｅ ＢｕｒｉｅｄＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
）が提唱されている（電子通信学会ｏＱｇ ｇｏ−ｔｔ
７．ｐｔｓ）。
この製作方法を第３図（−示す。これはｎ型（１００）
ＩｎＰ基板１上適当なメサ・エラチングラ施してメサ１
０全形成し、ＬＰＥ法により、薄（ｎ−ＩｎＰバッファ
層２を成長させ、引き続き、アンドープＧａＩｎＡｓＰ
活性層３．を成長させる。活性層３はメサ頂部に分離形
成される。次（二ｐ−ＩｎＰクラッド層４全成長させ、
さらにｎ−ＩｎＰ層をメサ・頂部のみ成長しない様に十
分低い過飽和度で成長させ、引き続いてｐ−ＩｎＰクラ
ッド層４’ 、 ｐ −ＧａＩｎＡ８Ｐ オーミックコ
ンタクト層８全成長させて完成するものである。活性層
３への電流狭搾はｐ−ＩｎＰ層４とｎ −ＩｎＰ層７の
間の逆接合によって行なわれる。しかし、この方法は、
メサ１０頂部には結晶成長が起りにくいため、活性層３
が成長しにくく再現性に乏しかった。ｔＰｊ（二メサ頂
部の幅’ｅ ２／Ａｍ以下（二抑えて安定な単−横モー
ド動作を得る場合（＝はメサ頂部での成長は殆んど起ら
ず、平坦部での活性層３′の方ばかりが厚くなってしま
い実用的ではなかった０ 〔発明の目的〕 本発明はかかる欠点を取り除き、−回の結晶成長で再現
性良く高歩留りで且つ低しきい値で安定な単−横モード
発振が得られる高性能半導体レーザの製造方法全提供す
るものである。
ＩｎＰ基板１上適当なメサ・エラチングラ施してメサ１
０全形成し、ＬＰＥ法により、薄（ｎ−ＩｎＰバッファ
層２を成長させ、引き続き、アンドープＧａＩｎＡｓＰ
活性層３．を成長させる。活性層３はメサ頂部に分離形
成される。次（二ｐ−ＩｎＰクラッド層４全成長させ、
さらにｎ−ＩｎＰ層をメサ・頂部のみ成長しない様に十
分低い過飽和度で成長させ、引き続いてｐ−ＩｎＰクラ
ッド層４’ 、 ｐ −ＧａＩｎＡ８Ｐ オーミックコ
ンタクト層８全成長させて完成するものである。活性層
３への電流狭搾はｐ−ＩｎＰ層４とｎ −ＩｎＰ層７の
間の逆接合によって行なわれる。しかし、この方法は、
メサ１０頂部には結晶成長が起りにくいため、活性層３
が成長しにくく再現性に乏しかった。ｔＰｊ（二メサ頂
部の幅’ｅ ２／Ａｍ以下（二抑えて安定な単−横モー
ド動作を得る場合（＝はメサ頂部での成長は殆んど起ら
ず、平坦部での活性層３′の方ばかりが厚くなってしま
い実用的ではなかった０ 〔発明の目的〕 本発明はかかる欠点を取り除き、−回の結晶成長で再現
性良く高歩留りで且つ低しきい値で安定な単−横モード
発振が得られる高性能半導体レーザの製造方法全提供す
るものである。
本発明は、基板上にストライプ状の溝を設け、さらにそ
の溝部を保存してその両側全エツチング等により除去し
、丁度、メサ・ストライプの頂部；二連が形成される様
口基板を加工するものであり、その後は一回の結晶成長
で、活性層のメサ頂部への分離形成と電流狭搾層全形成
することを特徴とするものである。メサ頂部での活性７
層の成長は、頂部（−形成されている溝部の成長速度が
速いため、非常（二再現性良く分離形成され、更に電流
狭搾層は活性層ストライプ上のクラッド層を成長方向に
突出させる事（二より、続く第二の逆導電型を有するク
ラッド層をこの突出部上にのみは再現性良く成長しない
条件で成長することに実現できるものである。
の溝部を保存してその両側全エツチング等により除去し
、丁度、メサ・ストライプの頂部；二連が形成される様
口基板を加工するものであり、その後は一回の結晶成長
で、活性層のメサ頂部への分離形成と電流狭搾層全形成
することを特徴とするものである。メサ頂部での活性７
層の成長は、頂部（−形成されている溝部の成長速度が
速いため、非常（二再現性良く分離形成され、更に電流
狭搾層は活性層ストライプ上のクラッド層を成長方向に
突出させる事（二より、続く第二の逆導電型を有するク
ラッド層をこの突出部上にのみは再現性良く成長しない
条件で成長することに実現できるものである。
本発明（二よると、−回の結晶成長工程により、再現性
良く屈折率導波構造と電流狭搾構造と全同時（二実現出
来るため、大幅なコストの低減化が可能どなり、また高
い歩留りで低しきい値の高性能半導体レーザを製作する
事が可能となったものである。従って、半導体レーザの
生産性が飛躍的に向上し、半導体レーザの安価な供給に
多大な貢献を与えるものである。
良く屈折率導波構造と電流狭搾構造と全同時（二実現出
来るため、大幅なコストの低減化が可能どなり、また高
い歩留りで低しきい値の高性能半導体レーザを製作する
事が可能となったものである。従って、半導体レーザの
生産性が飛躍的に向上し、半導体レーザの安価な供給に
多大な貢献を与えるものである。
本発明を、従来例と同様にＧａＩｎＡｓＰ ／ ＩｎＰ
系半導体レーザ（ニ適用した実施例全図面を参照しなが
ら以下に詳細に説明する。
系半導体レーザ（ニ適用した実施例全図面を参照しなが
ら以下に詳細に説明する。
第４図（ａ）に示す様（二、まずｎ型（１００） Ｉｎ
Ｐ基板１上に幅約２μｍ、深さ約１μｍのＶ溝１１をマ
スク・エツチング（−より形成した。このサイズは中（
二形成される活性層の幅が単−横モードで安定に発振す
る様に決定したものである。
Ｐ基板１上に幅約２μｍ、深さ約１μｍのＶ溝１１をマ
スク・エツチング（−より形成した。このサイズは中（
二形成される活性層の幅が単−横モードで安定に発振す
る様に決定したものである。
次（二第４図（ｂ）に示す様にＶ溝１１を保護したマス
ク・エツチングにより■溝１１がメサの頂部に位置する
様（ニメサ状のストライプ１２を形成した。
ク・エツチングにより■溝１１がメサの頂部に位置する
様（ニメサ状のストライプ１２を形成した。
このとき、漏洩電流を少なくすることと活性層の分離形
成のために、■溝１１の両側のメサ頂部は出来るだけ狭
い幅とした。本例では約０．５μｍ以下であり、メサ１
２頂部の幅は約３μｍであった。また、Ｖ溝ｌｌ中に活
性層と分離形成した後にメサの形状が残る様にＶ溝１１
の深さよりもメサ１２の高さは大きくする必要がある。
成のために、■溝１１の両側のメサ頂部は出来るだけ狭
い幅とした。本例では約０．５μｍ以下であり、メサ１
２頂部の幅は約３μｍであった。また、Ｖ溝ｌｌ中に活
性層と分離形成した後にメサの形状が残る様にＶ溝１１
の深さよりもメサ１２の高さは大きくする必要がある。
本例では約３μｍの高さとなるまでメサ・エツチングし
た。
た。
この様にして準備されｆｃＶＧＭ基板（Ｖ−Ｇｒｏｏｖ
ｅｄＭｅｓａ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ）に第４図（Ｃ）に
示す様に一回の成長で活性層の分離形成と電流狭搾層の
形成を同時に行った。即ち、薄いｎ−ＩｎＰバッファ層
２’ｋＶ溝１１の途中１で埋まる様口成長させ、次（＝
活性層３をｖ溝１１中（−分離形成せしめた。このとき
、■溝１１の両肩は非常に幅が狭いため殆んど活性層の
成長は起らず、再現性良く完全にＶ溝ｌｌ中に分離形成
することが可能であった。
ｅｄＭｅｓａ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ）に第４図（Ｃ）に
示す様に一回の成長で活性層の分離形成と電流狭搾層の
形成を同時に行った。即ち、薄いｎ−ＩｎＰバッファ層
２’ｋＶ溝１１の途中１で埋まる様口成長させ、次（＝
活性層３をｖ溝１１中（−分離形成せしめた。このとき
、■溝１１の両肩は非常に幅が狭いため殆んど活性層の
成長は起らず、再現性良く完全にＶ溝ｌｌ中に分離形成
することが可能であった。
次に、高い過飽和度の融液からｐ−ＩｎＰクラッド層４
を成長させた。このとき、高い過飽和度のためメサ１２
側面を含め、全面（＝ｐ−ＩｎＰクラッド層４が成長し
、メサの形が保存されたまま成長させることが可能であ
った。このため、ｐ−Ｉｎ、Ｐ層が成長ぜず（ニ電流漏
洩を起すリークパスは存在せず完壁な狭搾が可能となっ
ている。また、メサ頂部（＝も成長が起るため活性層が
メルトバックされる心配もなかった。
を成長させた。このとき、高い過飽和度のためメサ１２
側面を含め、全面（＝ｐ−ＩｎＰクラッド層４が成長し
、メサの形が保存されたまま成長させることが可能であ
った。このため、ｐ−Ｉｎ、Ｐ層が成長ぜず（ニ電流漏
洩を起すリークパスは存在せず完壁な狭搾が可能となっ
ている。また、メサ頂部（＝も成長が起るため活性層が
メルトバックされる心配もなかった。
次に、低い過飽和度の融液からｎ−ＩｎＰ電流ブロック
層７金成長すると、突出したｐ−ＩｎＰクラッド層４の
頂部（二は成長せずに表面を平坦化する様にメサ側匍ヲ
埋め込み、逆接合による電流狭搾機構が実現できた。最
後（一完全（二成長面を平坦化し、後の電極プロセス等
を容易せしめるために、’Ｐ−ＩｎＰ第２クラッド層４
’ 、 ｐ −ＧａＩｎＡｓＰ オーミックコンタクト
層８を成長させた。
層７金成長すると、突出したｐ−ＩｎＰクラッド層４の
頂部（二は成長せずに表面を平坦化する様にメサ側匍ヲ
埋め込み、逆接合による電流狭搾機構が実現できた。最
後（一完全（二成長面を平坦化し、後の電極プロセス等
を容易せしめるために、’Ｐ−ＩｎＰ第２クラッド層４
’ 、 ｐ −ＧａＩｎＡｓＰ オーミックコンタクト
層８を成長させた。
この様に本発明によって、活性層を再現性良くストライ
プ状に分離形成する事が可能となり、さら（ニー回の結
晶成長で屈折率導波構造と電流狭搾機構を実現できるこ
とが容易となった。また表面が平坦であるため、電極プ
ロセス等の工程も容易ならしめるものであった。
プ状に分離形成する事が可能となり、さら（ニー回の結
晶成長で屈折率導波構造と電流狭搾機構を実現できるこ
とが容易となった。また表面が平坦であるため、電極プ
ロセス等の工程も容易ならしめるものであった。
本発明は上記ＧａＩｎＡｓＰ ／ ＩｎＰ系材料（二限
ることなく他の材料（二も適用可能なものである。′＝
１．た、ｎ型基板金側として挙げたが、ｐ型基板の場合
にも導電型を逆にすれば同様に適用できるものである。
ることなく他の材料（二も適用可能なものである。′＝
１．た、ｎ型基板金側として挙げたが、ｐ型基板の場合
にも導電型を逆にすれば同様に適用できるものである。
この様に本発明の適用範囲は広く、汎用性に優れている
ものである。
ものである。
第１図は従来例のＰＢＨ型レーザの製造方法全示す断面
図、第２図は従来例のＶ溝型レーザの製造方法を示す断
面図、第３図は従来例のＣＣＭ型レーザを説明するため
の図、第４図は本発明（二よる半導体レーザの製造方法
を説明するための断面図である。 １− ｎ型（１００） ＩｎＰ基板 ２．２′・・・ｎ型ＩｎＰバッファ層 ３・・・アンドープＧａＩｎＡ８Ｐ活性層３′・・・上
記活性層の分離形成後の不要部分４．４′・・・ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層 ５・・・メサ部（ＰＢＨ） ６・・・ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層 ７・・・ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層 ８・・・ｐ −ＧａＩｎＡｓｐ オーミックコンタクト
層９・・・Ｖ溝 １０・・・メサ部（ＣＣＭ ）１１・
・・Ｖ溝（本発明）１２・・・メサ部（本発明）第１図 第２図 第３図 第４図 ｔＣ）
図、第２図は従来例のＶ溝型レーザの製造方法を示す断
面図、第３図は従来例のＣＣＭ型レーザを説明するため
の図、第４図は本発明（二よる半導体レーザの製造方法
を説明するための断面図である。 １− ｎ型（１００） ＩｎＰ基板 ２．２′・・・ｎ型ＩｎＰバッファ層 ３・・・アンドープＧａＩｎＡ８Ｐ活性層３′・・・上
記活性層の分離形成後の不要部分４．４′・・・ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層 ５・・・メサ部（ＰＢＨ） ６・・・ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層 ７・・・ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層 ８・・・ｐ −ＧａＩｎＡｓｐ オーミックコンタクト
層９・・・Ｖ溝 １０・・・メサ部（ＣＣＭ ）１１・
・・Ｖ溝（本発明）１２・・・メサ部（本発明）第１図 第２図 第３図 第４図 ｔＣ）
Claims (1)
- Ｐ−ｎ接合を有する二重へテロ接合型半導体し一ザの製
造方法において、半導体基板上の共振器方向に、光及び
キャリアを閉じ込めるための活性層を形成するための溝
を設け、然る後、該溝部を保存したまま該溝部の両側全
エツチングによυ除き、該溝部が共振器方向のメサ・ス
トライプ上に存する様（二該半導体基板全加工し、其の
接線半導体基板上（二結晶成長法によって前記溝部に活
性層を分離形成せしめ、続く連続成長によって前記溝部
上が突出する様に全面に該半導体基板とは逆の導電型を
有する第１のクラッド層を形成し、更に引き続き、該第
１のクラッド層の突出成長部の頂面上にのみは成長が起
らない様（＝過飽和度全像く抑えて該半導体基板と同じ
導電型を有する第２のクラッド層を形成し、最後に該半
導体基板とは逆の導電型を有するオーミックコンタクト
層を、表面がなるべく平坦（＝なる様に形成すること（
二より、前記活性層部（二のみ電流全狭搾可能としたこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24371583A JPS60136281A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24371583A JPS60136281A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136281A true JPS60136281A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17107905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24371583A Pending JPS60136281A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980314A (en) * | 1989-06-06 | 1990-12-25 | At&T Bell Laboratories | Vapor processing of a substrate |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP24371583A patent/JPS60136281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980314A (en) * | 1989-06-06 | 1990-12-25 | At&T Bell Laboratories | Vapor processing of a substrate |
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