JPS60145977A - チタン系半導体セラミツクスの製造方法 - Google Patents
チタン系半導体セラミツクスの製造方法Info
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- JPS60145977A JPS60145977A JP24845983A JP24845983A JPS60145977A JP S60145977 A JPS60145977 A JP S60145977A JP 24845983 A JP24845983 A JP 24845983A JP 24845983 A JP24845983 A JP 24845983A JP S60145977 A JPS60145977 A JP S60145977A
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はその表面が電気絶縁層に形成せしめられるチタ
ン系半導体セラミックスの製造方法に関する。
ン系半導体セラミックスの製造方法に関する。
酸化チタン又はチタン酸バリウム等のチタン化合物から
なる素材、或いは、これにＴａ、Ｌａ等の異種元素を微
量添加してなる素材の成型物を１２００°〜１３８０℃
の如き高温で焼成して半導体セラミックスヲ製造する方
法は広く知られている。
なる素材、或いは、これにＴａ、Ｌａ等の異種元素を微
量添加してなる素材の成型物を１２００°〜１３８０℃
の如き高温で焼成して半導体セラミックスヲ製造する方
法は広く知られている。
而して、実用上、該半導体の表面に絶縁部分を設けるこ
とが必要となる場合が多いが、従来これに対処して、同
一の素材からなる成形物について異なる焼成条件で別箇
に焼成した半導体部分と絶縁部分とを接着して形成せし
めるか又は半導体部分となる素材成形物の表面に絶縁部
分となる異質の素材を環設して同時に焼成して半導体部
分と絶縁部分とを形成せしめる等の方法がとられている
。
とが必要となる場合が多いが、従来これに対処して、同
一の素材からなる成形物について異なる焼成条件で別箇
に焼成した半導体部分と絶縁部分とを接着して形成せし
めるか又は半導体部分となる素材成形物の表面に絶縁部
分となる異質の素材を環設して同時に焼成して半導体部
分と絶縁部分とを形成せしめる等の方法がとられている
。
しかしながら、前者にあっては、接着に使用する糊等全
く異質の物質が介在するため優イ絨的性質の低下が避け
られず、また、後者にあっては成形又は焼成上で多くの
困難性が伴うため実用上不適当であり、半導体部分と絶
縁層の間で機械的性質が異るため好ましくないケースが
多く発生していた。
く異質の物質が介在するため優イ絨的性質の低下が避け
られず、また、後者にあっては成形又は焼成上で多くの
困難性が伴うため実用上不適当であり、半導体部分と絶
縁層の間で機械的性質が異るため好ましくないケースが
多く発生していた。
本発明はかかる実状に諾みてなされたもので、半導体部
分と絶縁部分とが同質の素材からなっていて相互に機械
的性質の差異がなく、しかも、仮着等の工程を全く必要
としない絶縁層を形成せしめることについて種々研究ヲ
爪ねた７暇果、王としてＴｌＯ２ｆ含む半導体セラミッ
クスの素材からなる成形物の表面にＡｔ２０． 、 Ｚ
ｒＯ２御の耐火物の粉末を接触させて焼成することによ
シ、該表面に電気絶縁層を形成せしめうろことを発見し
本発明を完成するに至シたるものである。
分と絶縁部分とが同質の素材からなっていて相互に機械
的性質の差異がなく、しかも、仮着等の工程を全く必要
としない絶縁層を形成せしめることについて種々研究ヲ
爪ねた７暇果、王としてＴｌＯ２ｆ含む半導体セラミッ
クスの素材からなる成形物の表面にＡｔ２０． 、 Ｚ
ｒＯ２御の耐火物の粉末を接触させて焼成することによ
シ、該表面に電気絶縁層を形成せしめうろことを発見し
本発明を完成するに至シたるものである。
本発明における主としてＴｉ０ｚ ｆ含む半導体セラミ
ックスの素材には、ＴｉＯ□、 Ｂａ２ＴｉＯ４又はＴ
ｉＯ２微飛添加してなるものをいい、不発明に係る絶
縁層の形成には、後者の金属元素が微量含まれているも
のがより好ましく使用される。
ックスの素材には、ＴｉＯ□、 Ｂａ２ＴｉＯ４又はＴ
ｉＯ２微飛添加してなるものをいい、不発明に係る絶
縁層の形成には、後者の金属元素が微量含まれているも
のがより好ましく使用される。
また、本発明でいう成形物とは、例えば第１図及び第２
図に示されるが・如き断面円形又は矩形等の半導体セラ
ミックスを形成するための焼成前の同形の素材であって
セラミックス材料を加圧圧縮することによシ得られる。
図に示されるが・如き断面円形又は矩形等の半導体セラ
ミックスを形成するための焼成前の同形の素材であって
セラミックス材料を加圧圧縮することによシ得られる。
図では本発明に係るセラミックスの半導体部分１、絶縁
部分２が夫々示されている。
部分２が夫々示されている。
さらに、上記成型物の表面に接触させる耐火物にはＡ、
ｔ２０３． ＺｒＯ２，ＭｇＯ、５ｉ０２等が使用され
るが、特にＡｔ２０．が好ましく、その粒度は８０〜２
００メツシユの範囲のものが好適である。
ｔ２０３． ＺｒＯ２，ＭｇＯ、５ｉ０２等が使用され
るが、特にＡｔ２０．が好ましく、その粒度は８０〜２
００メツシユの範囲のものが好適である。
本発明において、耐火物の粉末を半導体セラミックスの
素材成形物表面の接触例えば該粉末中に埋没する等して
焼成した場合に該成形物表面に絶縁層が形成される理由
については、未だ十分詳らかではないが、該粉末が１種
の触媒効果を奏し、これに基づいて表面のみ内部の半導
体部分とはゲくなる絶縁層に変化せしめられるものと思
料できる。
素材成形物表面の接触例えば該粉末中に埋没する等して
焼成した場合に該成形物表面に絶縁層が形成される理由
については、未だ十分詳らかではないが、該粉末が１種
の触媒効果を奏し、これに基づいて表面のみ内部の半導
体部分とはゲくなる絶縁層に変化せしめられるものと思
料できる。
以下実施例に基づいて本発明方法について詳述する。
実施例１：
ＢａＣＯ３５〜１５重量％、Ｔ１１２０５０．１〜０．
５ ＝＜ ｌｉｔ−の板状の素材成型物とし、これを常
゛圧、酸素雰囲気中に１，２００°〜１，３８０℃で焼
成すると、内部から表面まで青味がかかった色相の１．
０ＸＩＯ１〜１、ＯＸ Ｉ Ｏ’Ω・αの半導性を有す
るセラミックスが生成される。これに対し同様の素材成
形物の表１ｊｌ］にＡｔ２０５粉末状物を接触するよう
にほぼ均一な辱さの層に載量したものが同一条件で焼成
された場合は、該Ａｔ２０３粉末は素材表面には焼結せ
ず容易に分散され、かくして青味かかった半導体部分の
上面に厚さ０．５〜０．６．の白色の絶縁層が形成され
た半導体セラミックスが得られた。絶縁層の電気抵抗値
は１００メガΩ以上であった。
５ ＝＜ ｌｉｔ−の板状の素材成型物とし、これを常
゛圧、酸素雰囲気中に１，２００°〜１，３８０℃で焼
成すると、内部から表面まで青味がかかった色相の１．
０ＸＩＯ１〜１、ＯＸ Ｉ Ｏ’Ω・αの半導性を有す
るセラミックスが生成される。これに対し同様の素材成
形物の表１ｊｌ］にＡｔ２０５粉末状物を接触するよう
にほぼ均一な辱さの層に載量したものが同一条件で焼成
された場合は、該Ａｔ２０３粉末は素材表面には焼結せ
ず容易に分散され、かくして青味かかった半導体部分の
上面に厚さ０．５〜０．６．の白色の絶縁層が形成され
た半導体セラミックスが得られた。絶縁層の電気抵抗値
は１００メガΩ以上であった。
実施例２：
実施例１と同様の素材成形物（ｉ７ ｌ （１０〜４０
０メツシーのｕ２０５粉末状物中に埋設させて焼成した
のち、取出して輪切りに切断したものは、同様にその外
周表面が白色の絶縁層に変化した半導体セラミックスで
あった。
０メツシーのｕ２０５粉末状物中に埋設させて焼成した
のち、取出して輪切りに切断したものは、同様にその外
周表面が白色の絶縁層に変化した半導体セラミックスで
あった。
実施例３：
実施例２において、Ａｔ２Ｑ３粉末のがわりに同じ粒度
のＺｒＯ□粉末に埋没し、はぼ同様の結果が得られた。
のＺｒＯ□粉末に埋没し、はぼ同様の結果が得られた。
以上の如く本発明はチタン系の素材成形＋ｌＩＪを焼結
する段階で、耐火物の粉末を該成形物に接触させること
によｐ１生成する半導体セラミックスの表面に絶縁層を
形成せしめるものであるが、該絶縁層は半導体部分と同
一の組成であるため加工性が極めて良好で、しかも、従
来のこの神の半畳体セラミックスと比較して電気的、機
械的性質において何等の遜色もなく実用上十分滴足すべ
＠製品が得られるもので極めて有用な発明である。
する段階で、耐火物の粉末を該成形物に接触させること
によｐ１生成する半導体セラミックスの表面に絶縁層を
形成せしめるものであるが、該絶縁層は半導体部分と同
一の組成であるため加工性が極めて良好で、しかも、従
来のこの神の半畳体セラミックスと比較して電気的、機
械的性質において何等の遜色もなく実用上十分滴足すべ
＠製品が得られるもので極めて有用な発明である。
第１図及び第２図は本発明方法によって得られる半導体
セラミックスの形状の１例を示す説明図である。 ■・・・半導体部分、２・・・絶縁部分。 特許出願人 株式会社 協 和 式 理 人 弁理土中 斐 正 ｈｌ、（第１図 第２図 手続補正書 昭和５９年２月乙日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５８−２４８４５９ ２、発明の名称 チタン系半導体セラミックスの製造方法３、手続をした
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都練馬区向山３丁目１７番１２号名 称 株
式会社 協 和 ４、代理人 ６、＠正の対象 発明の詳細な説明 ７、補正の内容 明細書第４頁第１５行「酸素ｊを「酸
化」と訂正する。
セラミックスの形状の１例を示す説明図である。 ■・・・半導体部分、２・・・絶縁部分。 特許出願人 株式会社 協 和 式 理 人 弁理土中 斐 正 ｈｌ、（第１図 第２図 手続補正書 昭和５９年２月乙日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５８−２４８４５９ ２、発明の名称 チタン系半導体セラミックスの製造方法３、手続をした
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都練馬区向山３丁目１７番１２号名 称 株
式会社 協 和 ４、代理人 ６、＠正の対象 発明の詳細な説明 ７、補正の内容 明細書第４頁第１５行「酸素ｊを「酸
化」と訂正する。
Claims (1)
- 主としてＴｌ０２ｅ含む半導体セラミックスの素材から
なる成型物の表面にＡｔ２０６．ＺｒＯ２等の耐火物の
粉末全接触させて焼成することによシ該表面に電気絶縁
層を形成せしめることを特徴とするチタン系半導体セラ
ミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24845983A JPS60145977A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | チタン系半導体セラミツクスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24845983A JPS60145977A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | チタン系半導体セラミツクスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145977A true JPS60145977A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=17178447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24845983A Pending JPS60145977A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | チタン系半導体セラミツクスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145977A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020235499A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 株式会社村田製作所 | セラミックス材料およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5316918A (en) * | 1977-05-25 | 1978-02-16 | Mikio Yamashita | Connecting method of thin cylindrical pipe |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24845983A patent/JPS60145977A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5316918A (en) * | 1977-05-25 | 1978-02-16 | Mikio Yamashita | Connecting method of thin cylindrical pipe |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020235499A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 株式会社村田製作所 | セラミックス材料およびその製造方法 |
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