JPS6347123B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6347123B2 JPS6347123B2 JP11481281A JP11481281A JPS6347123B2 JP S6347123 B2 JPS6347123 B2 JP S6347123B2 JP 11481281 A JP11481281 A JP 11481281A JP 11481281 A JP11481281 A JP 11481281A JP S6347123 B2 JPS6347123 B2 JP S6347123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- metal wire
- coating layer
- wire
- green compact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は金属リード線を埋込んだセラミツク電
子部品の製造方法に関するものである。 サーミスタや種々のセンサに用いられているセ
ラミツクスは全て電極を付与されており、この電
極は、多くの場合、導電性ペイントの塗布や焼付
け、あるいは金属の蒸着などの方法により形成さ
れている。これらの電極はいずれも数百度以上の
温度においては酸化や剥離が生じて使用すること
ができない。高温サーミスタやガスセンサのよう
に、電極の使用範囲以上で用いるセラミツク電子
部品は、セラミツクを構成する物質の圧粉体に白
金線や金線を埋込み一体成型した後焼成し、金属
リード線とセラミツク基体を固着して得られてい
る。この方法では焼成に際して圧粉体は10〜30％
収縮するのに対して金属線は収縮しないで、金属
線に圧縮力が加わり、セラミツク基体と金属線を
固く結合させることができる。ところが、セラミ
ツク基体が前述の収縮により発生する応力に耐え
ることができない場合、セラミツク基体は破壊し
てしまう。焼成による収縮の度合や基体の機械的
強度は、セラミツクスを構成する物質の化学組成
や、合成方法に依存する。一方、セラミツク電子
部品として要求されるのは主に電気的特性である
が、いくら電気的特性が優れていても、リード線
と固着させた場合、セラミツク基体が破壊すると
電子部品として使用し得ないので、上述のような
製造法を用いる限り、使用可能な化学組成が限定
されていた。また、埋込む金属線が細い場合に
は、セラミツク基体にかかる応力も小さく破壊も
起こりにくいが、金属線の強度を増すため太い線
を使用すると、セラミツク基体が破壊されてしま
う。 このような破壊は前述した圧粉体と金属線との
収縮の差により生じる応力のため発生するのであ
るから、この応力がセラミツク基体の破壊強度を
越えないようにすればよい。このため、圧粉体に
あらかじめ金属線の径より10〜30％大きい径の孔
を開けておいて、その孔に金属線を挿入し、焼成
する方法もある。この場合、もろい圧粉体に孔開
け加工をしなければならず、加工中に圧粉体が崩
れたり欠けたりする。 本発明の方法は前述のような問題点を解決した
ものであり、白金線や金線の表面に有機物の被膜
層を設けた後、必要な化学組成を持つ粉体と一体
成型し、焼成してセラミツク電子部品を得るもの
である。焼成前には、有機物被膜層は金属線と圧
粉体の間に存在しているが、焼成の過程で200〜
500℃でこの有機物被膜層は分解焼成し、圧粉体
と金属線の間に隙間が生じ、さらに温度が上がつ
てから圧粉体の収縮が起こる。したがつて、あら
かじめ圧粉体の収縮率に合わせて有機物被膜層の
厚みを設定しておけばセラミツク基体の破壊を防
止することができる。 次に、本発明の実施例について図面を用いて説
明する。まず、高温サーミスタ用材料であるMg
（Al0.3Cr0.5Fe0.2）2O4の粉末を準備し、有機バイン
ダーとして濃度５％のポリビニルアルコール水溶
液を５重量％添加して混合した。次に、白金線１
をポリビニルアルコールの水溶液に浸し、引上げ
て乾燥させた。乾燥した白金線１の表面には第１
図に示すようにポリビニルアルコールの被膜層２
が形成されていた。このような処理を行なつた白
金線１を通常行なわれている方法で第２図に示す
ような形状に前記粉末と一体成型した。なお図に
おいて、３は圧粉体である。1400℃で２時間焼成
した。比較のため、ポリビニルアルコールで被覆
していない白金線を用いた場合についても調べ
た。これらの焼成したセラミツク基体が破壊した
率を下表に示す。
子部品の製造方法に関するものである。 サーミスタや種々のセンサに用いられているセ
ラミツクスは全て電極を付与されており、この電
極は、多くの場合、導電性ペイントの塗布や焼付
け、あるいは金属の蒸着などの方法により形成さ
れている。これらの電極はいずれも数百度以上の
温度においては酸化や剥離が生じて使用すること
ができない。高温サーミスタやガスセンサのよう
に、電極の使用範囲以上で用いるセラミツク電子
部品は、セラミツクを構成する物質の圧粉体に白
金線や金線を埋込み一体成型した後焼成し、金属
リード線とセラミツク基体を固着して得られてい
る。この方法では焼成に際して圧粉体は10〜30％
収縮するのに対して金属線は収縮しないで、金属
線に圧縮力が加わり、セラミツク基体と金属線を
固く結合させることができる。ところが、セラミ
ツク基体が前述の収縮により発生する応力に耐え
ることができない場合、セラミツク基体は破壊し
てしまう。焼成による収縮の度合や基体の機械的
強度は、セラミツクスを構成する物質の化学組成
や、合成方法に依存する。一方、セラミツク電子
部品として要求されるのは主に電気的特性である
が、いくら電気的特性が優れていても、リード線
と固着させた場合、セラミツク基体が破壊すると
電子部品として使用し得ないので、上述のような
製造法を用いる限り、使用可能な化学組成が限定
されていた。また、埋込む金属線が細い場合に
は、セラミツク基体にかかる応力も小さく破壊も
起こりにくいが、金属線の強度を増すため太い線
を使用すると、セラミツク基体が破壊されてしま
う。 このような破壊は前述した圧粉体と金属線との
収縮の差により生じる応力のため発生するのであ
るから、この応力がセラミツク基体の破壊強度を
越えないようにすればよい。このため、圧粉体に
あらかじめ金属線の径より10〜30％大きい径の孔
を開けておいて、その孔に金属線を挿入し、焼成
する方法もある。この場合、もろい圧粉体に孔開
け加工をしなければならず、加工中に圧粉体が崩
れたり欠けたりする。 本発明の方法は前述のような問題点を解決した
ものであり、白金線や金線の表面に有機物の被膜
層を設けた後、必要な化学組成を持つ粉体と一体
成型し、焼成してセラミツク電子部品を得るもの
である。焼成前には、有機物被膜層は金属線と圧
粉体の間に存在しているが、焼成の過程で200〜
500℃でこの有機物被膜層は分解焼成し、圧粉体
と金属線の間に隙間が生じ、さらに温度が上がつ
てから圧粉体の収縮が起こる。したがつて、あら
かじめ圧粉体の収縮率に合わせて有機物被膜層の
厚みを設定しておけばセラミツク基体の破壊を防
止することができる。 次に、本発明の実施例について図面を用いて説
明する。まず、高温サーミスタ用材料であるMg
（Al0.3Cr0.5Fe0.2）2O4の粉末を準備し、有機バイン
ダーとして濃度５％のポリビニルアルコール水溶
液を５重量％添加して混合した。次に、白金線１
をポリビニルアルコールの水溶液に浸し、引上げ
て乾燥させた。乾燥した白金線１の表面には第１
図に示すようにポリビニルアルコールの被膜層２
が形成されていた。このような処理を行なつた白
金線１を通常行なわれている方法で第２図に示す
ような形状に前記粉末と一体成型した。なお図に
おいて、３は圧粉体である。1400℃で２時間焼成
した。比較のため、ポリビニルアルコールで被覆
していない白金線を用いた場合についても調べ
た。これらの焼成したセラミツク基体が破壊した
率を下表に示す。
【表】
【表】
表からも明らかなように、有機物被膜層はセラ
ミツク基体の破壊防止に効果があり、特にその厚
みが金属線径の10％以上であればその効果はいち
じるしい。 このように、本発明の方法によれば、金属線の
少なくともセラミツク基体内に埋込まれるべき部
分に有機物被膜層を設けておき、セラミツク原料
と一体成型して焼成しているので、焼成時にこの
有機物被膜層が焼失し、圧粉体の収縮により金属
線との熱膨脹率の違いからセラミツク基体に生じ
る応力を効果的に軽減することができる。そし
て、有機物被膜層の厚さを圧粉体の収縮の度合に
応じて決めておけば、公知の方法で金属線の埋込
まれた圧粉体を作製することができるので、その
実施が非常に容易である。
ミツク基体の破壊防止に効果があり、特にその厚
みが金属線径の10％以上であればその効果はいち
じるしい。 このように、本発明の方法によれば、金属線の
少なくともセラミツク基体内に埋込まれるべき部
分に有機物被膜層を設けておき、セラミツク原料
と一体成型して焼成しているので、焼成時にこの
有機物被膜層が焼失し、圧粉体の収縮により金属
線との熱膨脹率の違いからセラミツク基体に生じ
る応力を効果的に軽減することができる。そし
て、有機物被膜層の厚さを圧粉体の収縮の度合に
応じて決めておけば、公知の方法で金属線の埋込
まれた圧粉体を作製することができるので、その
実施が非常に容易である。
図面は本発明の方法を説明するためのもので、
第１図は有機物被膜層で被覆された金属線の断面
図、第２図はこの金属線が埋込まれた圧粉体の斜
視図である。 １……白金線、２……ポリビニルアルコール被
膜層、３……圧粉体。
第１図は有機物被膜層で被覆された金属線の断面
図、第２図はこの金属線が埋込まれた圧粉体の斜
視図である。 １……白金線、２……ポリビニルアルコール被
膜層、３……圧粉体。
Claims (1)
- １ セラミツク基体に金属線を埋め込んだセラミ
ツク電子部品の製造方法において、前記金属線の
少なくとも前記セラミツク基体内に埋設されるべ
き部分の表面に有機物被膜層を設け、セラミツク
原料粉末とともに一体成型した後、焼成すること
を特徴とするセラミツク電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114812A JPS5815207A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114812A JPS5815207A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815207A JPS5815207A (ja) | 1983-01-28 |
| JPS6347123B2 true JPS6347123B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=14647295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56114812A Granted JPS5815207A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815207A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5772638B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2015-09-02 | トヨタ自動車株式会社 | 金属化フィルムコンデンサ |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP56114812A patent/JPS5815207A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5815207A (ja) | 1983-01-28 |
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