JPS60154675A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS60154675A JPS60154675A JP59011259A JP1125984A JPS60154675A JP S60154675 A JPS60154675 A JP S60154675A JP 59011259 A JP59011259 A JP 59011259A JP 1125984 A JP1125984 A JP 1125984A JP S60154675 A JPS60154675 A JP S60154675A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- type
- semiconductor layer
- impurity
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半尋体装置、特に２次元電子ガスによる尚電子
移動度分有して電流各音が従来より増大された、高速度
かつ高出力の電界効果トランジスタにＩｖ、ｌ′ｔ７．
。
移動度分有して電流各音が従来より増大された、高速度
かつ高出力の電界効果トランジスタにＩｖ、ｌ′ｔ７．
。
（ｂ） 技術の背景
現在エレクトロニクスの主役となっているノリコン（Ｓ
ｉ）半導体装置の限界を超える重速化、低消費通力化全
実現するために、キャリア！ｒ！ｊに電子の桜勤度がノ
リコンより逼に大きいカリウム・砒素（ＧａＡｓ ）な
どの化合物半導体を用いる半導体装置の開発か推進され
ている。
ｉ）半導体装置の限界を超える重速化、低消費通力化全
実現するために、キャリア！ｒ！ｊに電子の桜勤度がノ
リコンより逼に大きいカリウム・砒素（ＧａＡｓ ）な
どの化合物半導体を用いる半導体装置の開発か推進され
ている。
化合物半導体を用いるｌ−ランシスタとしては、そのＮ
ｘ’Ｗ工程がバイポーラトランジスタより簡単であるな
どの理由によって一界幼呆トランジスタ（以下Ｆ Ｅ
Ｔと略称する）の開発が先行しており、特に牛Ｐ！紘性
の化合物半導体を基板に用いで（−を赳容呈を減少せし
めたショットキーバリア形１イ” Ｅ Ｔが主流となっ
ている。
ｘ’Ｗ工程がバイポーラトランジスタより簡単であるな
どの理由によって一界幼呆トランジスタ（以下Ｆ Ｅ
Ｔと略称する）の開発が先行しており、特に牛Ｐ！紘性
の化合物半導体を基板に用いで（−を赳容呈を減少せし
めたショットキーバリア形１イ” Ｅ Ｔが主流となっ
ている。
従来の横這の８１もしくはＧａＡａ等の半導体装１級に
おいては、キャリアは不純物イオンが存在している半導
体全曲内を移動する。この移動に際してキャリアはイｌ
子振動および不純値イオンによって散乱を受けるが、格
子振動による散乱の確率を小さくするために温＃を低下
させると不純物イオンによる散乱の確率が犬きくなシ、
キャリアの移動度はこれによって制限される。
おいては、キャリアは不純物イオンが存在している半導
体全曲内を移動する。この移動に際してキャリアはイｌ
子振動および不純値イオンによって散乱を受けるが、格
子振動による散乱の確率を小さくするために温＃を低下
させると不純物イオンによる散乱の確率が犬きくなシ、
キャリアの移動度はこれによって制限される。
この不純物散乱効果をリド除するために、不純物が添加
される領域とキャリアが移動する領域と金へテロ接合界
面によって空間的に分離して、特に低温におけるキャリ
アの′＄励度を増大せしめたヘテロ接合形電界効果トラ
ンジスタ（以下へテロ接合形］” Ｅ Ｔと略称する＞
Ｋよって一層の高速化が実現逼れている。
される領域とキャリアが移動する領域と金へテロ接合界
面によって空間的に分離して、特に低温におけるキャリ
アの′＄励度を増大せしめたヘテロ接合形電界効果トラ
ンジスタ（以下へテロ接合形］” Ｅ Ｔと略称する＞
Ｋよって一層の高速化が実現逼れている。
（ｃｌ 従来技術と問題点
前記へテロ接合形ＦＥＴの従来の構造の１例を胆１図（
ａ）に示す０半杷は性ＧａＡｓ基板ｌ上に、ノンドープ
のｉ型ＧａＡｓＪ１２と、これにより竜子親オロカの小
さいｎｕ砒化アルミニウムガリウム（ｄＧａＡｓ）１１
３と、ｎ型ＧａＡｓ Ｉｎ ４とが設けられている。ｎ
型のＡ ＩＧ ａ Ａ ８層３（′電子供給鳩という）
からｉ型ＧａＡｓＭ２ （チャネル）―という）へ遷移
した１１．子によって１μり層のへテロ接合弁開近傍に
生成される２次元電子カス２Ａがチャネルとして機能す
る。この２次元亀子ガス２Ａの面濃度を制御するゲート
−極５は、通常ｎ型ＧａＡｓ層４全選択的に除去したリ
セス構造によって、ｎ型ＡＡＧａＡｓｌ付３に接して設
けら４るＣ−土た６ ｉ１ノース山、極、７１．１ドレ
イン１１４．猛でめる。なお目ｕ記ｌｌ型ΔｔＧａＡｓ
ｌｊ３の１ＭＧａＡｓ１７２とのへテロ砿合弁面近傍に
ドナー不純物全導入しないスペーサ領域を設けて、２次
元議子ガス２Ａに対する不純物イオン散乱効果を防止す
ることがしばしば行なわれている。第１し１（ｂ）は本
従来例の伝りメ・沿のエネルギーダイヤグラムであり、
ｉｔ図（ａ）と同−符号により対応を示す。
ａ）に示す０半杷は性ＧａＡｓ基板ｌ上に、ノンドープ
のｉ型ＧａＡｓＪ１２と、これにより竜子親オロカの小
さいｎｕ砒化アルミニウムガリウム（ｄＧａＡｓ）１１
３と、ｎ型ＧａＡｓ Ｉｎ ４とが設けられている。ｎ
型のＡ ＩＧ ａ Ａ ８層３（′電子供給鳩という）
からｉ型ＧａＡｓＭ２ （チャネル）―という）へ遷移
した１１．子によって１μり層のへテロ接合弁開近傍に
生成される２次元電子カス２Ａがチャネルとして機能す
る。この２次元亀子ガス２Ａの面濃度を制御するゲート
−極５は、通常ｎ型ＧａＡｓ層４全選択的に除去したリ
セス構造によって、ｎ型ＡＡＧａＡｓｌ付３に接して設
けら４るＣ−土た６ ｉ１ノース山、極、７１．１ドレ
イン１１４．猛でめる。なお目ｕ記ｌｌ型ΔｔＧａＡｓ
ｌｊ３の１ＭＧａＡｓ１７２とのへテロ砿合弁面近傍に
ドナー不純物全導入しないスペーサ領域を設けて、２次
元議子ガス２Ａに対する不純物イオン散乱効果を防止す
ることがしばしば行なわれている。第１し１（ｂ）は本
従来例の伝りメ・沿のエネルギーダイヤグラムであり、
ｉｔ図（ａ）と同−符号により対応を示す。
以」二睨明した可１きｎ−ＡＪＧａＡｓ／１−ＧａＡｓ
からなる従来のンングルへテロ４４す魚の・＼テロ接合
形ＦＥＴにおＶ、−Ｃは、２仄元′岨子カス２ｐｃ／）
４．子■濃度Ｎｓに洞１収がある。すなわち２仄几″Ｉ
感子ガス２Ａ中では′４子が状態重度が大きい領域で縮
退しているために、ｎ型ＡＪＧａＡｓ勉３のドナー不純
物一度を増大させても、フェルミ準位の変化が小ちくて
２仄７Ｔ：電子ガス２Ａの１１、子面函度Ｎｓが請訓し
ない飽第１月頃同を示す。この結末％ｌ’４！Ｉ ａｅ
促米列においては、温度７７（Ｋｌにおいて例えば２次
元電子ガスの電子移動度μｍ５ＸｌＯ’（Ｇが／■・Ｓ
〕を得るためには、その面濃度Ｎｉｌが６〜７×１ｏ■
〔ｃｍ″〕程度以下に制限され、これより大電流動作は
期待しがたく、またオーミック接触抵抗、雑音指数の低
減などが困難である。
からなる従来のンングルへテロ４４す魚の・＼テロ接合
形ＦＥＴにおＶ、−Ｃは、２仄元′岨子カス２ｐｃ／）
４．子■濃度Ｎｓに洞１収がある。すなわち２仄几″Ｉ
感子ガス２Ａ中では′４子が状態重度が大きい領域で縮
退しているために、ｎ型ＡＪＧａＡｓ勉３のドナー不純
物一度を増大させても、フェルミ準位の変化が小ちくて
２仄７Ｔ：電子ガス２Ａの１１、子面函度Ｎｓが請訓し
ない飽第１月頃同を示す。この結末％ｌ’４！Ｉ ａｅ
促米列においては、温度７７（Ｋｌにおいて例えば２次
元電子ガスの電子移動度μｍ５ＸｌＯ’（Ｇが／■・Ｓ
〕を得るためには、その面濃度Ｎｉｌが６〜７×１ｏ■
〔ｃｍ″〕程度以下に制限され、これより大電流動作は
期待しがたく、またオーミック接触抵抗、雑音指数の低
減などが困難である。
電子面濃度の大きい２次元電子ガスが得られる４１９造
として例えば第２図に示す一層ドーピングへテロ構造が
既に知られている。図において１１はＧａＡｓ１曽、＋
２はＡＪＧａＡｓ層であり、各層にドナー不純物が導
入されている。本構造においてはｎＷＧａＡａ層１１に
これを挾む２層のｎＷＡＡＧａＡｓ層１２から電子層着
２し、更にｎ型Ｇａ／Ｉｓ層１１に導入されたドナー不
純物からも電子が供給されて、ｎ型ＧａＡｓ１曽１１の
厚さが２０（ｎｍ）程度以下である場合には、これらの
電子が混合された２次元電子カスＬＩＡが形成きれる。
として例えば第２図に示す一層ドーピングへテロ構造が
既に知られている。図において１１はＧａＡｓ１曽、＋
２はＡＪＧａＡｓ層であり、各層にドナー不純物が導
入されている。本構造においてはｎＷＧａＡａ層１１に
これを挾む２層のｎＷＡＡＧａＡｓ層１２から電子層着
２し、更にｎ型Ｇａ／Ｉｓ層１１に導入されたドナー不
純物からも電子が供給されて、ｎ型ＧａＡｓ１曽１１の
厚さが２０（ｎｍ）程度以下である場合には、これらの
電子が混合された２次元電子カスＬＩＡが形成きれる。
本構造によれば２次元電子カスの面濃度は増大するが、
この２次元電子ガスは不純物が導入された半導体空間内
にあるため不純物散乱が犬きく電子移動度が低く、ヘテ
ロ接合形Ｂ″ＥＴには適しない。
この２次元電子ガスは不純物が導入された半導体空間内
にあるため不純物散乱が犬きく電子移動度が低く、ヘテ
ロ接合形Ｂ″ＥＴには適しない。
（ｄ） 発明の目的
本り６明は以」二説明した問題点に対処し、ヘテロ接合
形ＦＥＴについてその電流各桁が１１；１大さレル猶遺
を提供することを目的とする０ （ｅ） 発明の構成 本発明のｈＩＩ記目的は、第１の化合物半導体よりなり
ドナー不純物を営む第ｌの半導体層と、該第１の化合物
半導体よりなり該第１０牛４体層の上面に接する第２の
半導体層と、該第１の化合物半導体より電子親和力が小
さい第２の化合切半導体よりなりドナー不＾ＵＩＩＩ＊
に含んで該第２の半専体ｊ音の上面に接する第３の半導
体層とを備えて、該第３の半導体層から該第２の半導体
層に遷移する甫１子によって生成ちれる２次元１に子カ
ス層と該第１の半導体層とを直流路とする半導体装置に
より達ｌ戊される。
形ＦＥＴについてその電流各桁が１１；１大さレル猶遺
を提供することを目的とする０ （ｅ） 発明の構成 本発明のｈＩＩ記目的は、第１の化合物半導体よりなり
ドナー不純物を営む第ｌの半導体層と、該第１の化合物
半導体よりなり該第１０牛４体層の上面に接する第２の
半導体層と、該第１の化合物半導体より電子親和力が小
さい第２の化合切半導体よりなりドナー不＾ＵＩＩＩ＊
に含んで該第２の半専体ｊ音の上面に接する第３の半導
体層とを備えて、該第３の半導体層から該第２の半導体
層に遷移する甫１子によって生成ちれる２次元１に子カ
ス層と該第１の半導体層とを直流路とする半導体装置に
より達ｌ戊される。
本発明の構造のエネルギーバンド図の例を第３図に示す
。
。
図ニオイて、２０は半絶縁性基板又はノンドープのバッ
ファ１θである。２Ｌは前記第１の半導体ＭｒＣあって
ドナー不純物が４人されており、例えばＱａＡｓによっ
て形成される。２２は前記第２の半導体層であり第１の
半導体層と組成は同一であるが通常ノンドープのｉ型で
ある０２３はＡｉｔ記第３の半導体層であり、スペーサ
領域を除いてドナー不純物が導入式れている。第１及び
第２の半導体層がＧａＡｓであるならばこの第３の半導
体層はＡＡＧａＡｓによって形成される。
ファ１θである。２Ｌは前記第１の半導体ＭｒＣあって
ドナー不純物が４人されており、例えばＱａＡｓによっ
て形成される。２２は前記第２の半導体層であり第１の
半導体層と組成は同一であるが通常ノンドープのｉ型で
ある０２３はＡｉｔ記第３の半導体層であり、スペーサ
領域を除いてドナー不純物が導入式れている。第１及び
第２の半導体層がＧａＡｓであるならばこの第３の半導
体層はＡＡＧａＡｓによって形成される。
ペテロ接合界面に生ずるＧａＡｓ層２２の伝導帯のボテ
ン／ヤル井戸内に閉じこめられて２次元電子ガス２２Ａ
が生成されるが、ｎ型ＱａＡ４１鱒２【内の不純物によ
るクーロン散乱を防止するために、２次元電子ガス２２
Ａとｎ型ＧａＡ＋ｓ層２１との間の２次元１子ガスの波
動関数が分布する範誼クンドープのｉ型ＧａＡｓ２２が
必要である。この距離は通常ＬＯＣｎｍ）程度以上あれ
ばよい。
ン／ヤル井戸内に閉じこめられて２次元電子ガス２２Ａ
が生成されるが、ｎ型ＱａＡ４１鱒２【内の不純物によ
るクーロン散乱を防止するために、２次元電子ガス２２
Ａとｎ型ＧａＡ＋ｓ層２１との間の２次元１子ガスの波
動関数が分布する範誼クンドープのｉ型ＧａＡｓ２２が
必要である。この距離は通常ＬＯＣｎｍ）程度以上あれ
ばよい。
本半導体装置は２次元電子ガス２２Ａとｎ型ＧａＡｓ層
２１内の３次元電子との双方をチャネルとし、ゲートバ
イアス電圧が浅いときには２次元。
２１内の３次元電子との双方をチャネルとし、ゲートバ
イアス電圧が浅いときには２次元。
３次元の双方のＩｊｂ子によって伝尋が行なわれ、ゲー
トバイアス電圧を深くＪ−れば２次元′電子カス２２Ａ
かう・己にピンチオフ４−る。
トバイアス電圧を深くＪ−れば２次元′電子カス２２Ａ
かう・己にピンチオフ４−る。
（ｆ） 発明の゛実施例
に
以下本発明ψ実施例によりりこに具体的に説明する０
第４図（ａ）は本つら明の実施例を示す断聞図、同図（
ｂ）はそのエネルギーバンド図である。本’９４ ＋＋
ｉｕ例の半導体基体は半絶縁性ＧａＡｓ基板３０−ヒに
、例えば分子線エビタキノヤル成長方法或いは有（幾金
箱熱分解気相成長方法によって成長した下記の半導体層
か設けられている。たたし下記表中、組成比ＸがＯはＧ
ａＡｓ、 ０．３はＡＡ！ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ 、 ０−
０．３はＧａＡｓ１ＭとＡＡ’ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ層との
開音連続的につなぐ様に組成比が変化するＡＡＧａＡｓ
盾を示し、各符号 組成比Ｘ ドナー濃度 厚さ くＣｍ Ｊ （ｎｍ） ３７ ０ １ＸＩＯ１８７０ ３６０〜０．３ ｔＸｌｏ” ３０ ３５ ０．３ １ＸＩＯ” ３０ ３４ ０．３ ノンドープ ６ ３３ ０ ノンドープ ２０ ３２ ０ １ｘｌｏ” ５０ ３１ ０ ノンドープ ３００ ノンドープのｉ型ＧａＡＧａＡｓ１ｅに２仄元゛電子ガ
ス３３Ａが生成されでいる。またｎ型ＧａＡｓ１峠３２
は不純物を冨むチャネル層であるが、この層の不純物般
１屁はｎ型ＡＪｏ、５Ｇａｏ７Ａｓ ’ｂ１子供給層３
５等より不純Ｉ＋／１ｇ＋兜ケ低くしてこれによる電子
のクーロン散＾Ｌをづ”ｌ’ １ｍ Ｌでいる。
ｂ）はそのエネルギーバンド図である。本’９４ ＋＋
ｉｕ例の半導体基体は半絶縁性ＧａＡｓ基板３０−ヒに
、例えば分子線エビタキノヤル成長方法或いは有（幾金
箱熱分解気相成長方法によって成長した下記の半導体層
か設けられている。たたし下記表中、組成比ＸがＯはＧ
ａＡｓ、 ０．３はＡＡ！ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ 、 ０−
０．３はＧａＡｓ１ＭとＡＡ’ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ層との
開音連続的につなぐ様に組成比が変化するＡＡＧａＡｓ
盾を示し、各符号 組成比Ｘ ドナー濃度 厚さ くＣｍ Ｊ （ｎｍ） ３７ ０ １ＸＩＯ１８７０ ３６０〜０．３ ｔＸｌｏ” ３０ ３５ ０．３ １ＸＩＯ” ３０ ３４ ０．３ ノンドープ ６ ３３ ０ ノンドープ ２０ ３２ ０ １ｘｌｏ” ５０ ３１ ０ ノンドープ ３００ ノンドープのｉ型ＧａＡＧａＡｓ１ｅに２仄元゛電子ガ
ス３３Ａが生成されでいる。またｎ型ＧａＡｓ１峠３２
は不純物を冨むチャネル層であるが、この層の不純物般
１屁はｎ型ＡＪｏ、５Ｇａｏ７Ａｓ ’ｂ１子供給層３
５等より不純Ｉ＋／１ｇ＋兜ケ低くしてこれによる電子
のクーロン散＾Ｌをづ”ｌ’ １ｍ Ｌでいる。
この半導体基体のｎ型ＧａＡｇ増３７に深さ６゜Ｃｎｍ
）程１反のリセスを形成して、ゲート長駒１〔μｍ〕
ゲート幅ｆ＋６００［μｍ〕 のゲート順１８にフルミ
ニラム（ＡＡ）ｋ用いて配設している。またソース電極
３９及びドレイン′電極４ｏは金ゲルマニウム／ 笠Ｌ
ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてｎ型Ｇａｘｓ層３７上に配設
している。
）程１反のリセスを形成して、ゲート長駒１〔μｍ〕
ゲート幅ｆ＋６００［μｍ〕 のゲート順１８にフルミ
ニラム（ＡＡ）ｋ用いて配設している。またソース電極
３９及びドレイン′電極４ｏは金ゲルマニウム／ 笠Ｌ
ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてｎ型Ｇａｘｓ層３７上に配設
している。
本実施例にお、いて電子面濃度Ｎｓ中１．２ Ｘ Ｌ
Ｏ１２［Ｃｒｎ−’ ）と前記従来例の約２倍になり、
７１１．流′＃１杖もほぼ２倍となっている。
Ｏ１２［Ｃｒｎ−’ ）と前記従来例の約２倍になり、
７１１．流′＃１杖もほぼ２倍となっている。
以上の説明はへテロ接合形ＦＦｊＴの本来の構成として
、２次元′電子ガスが生成されるチャネル層をノンドー
プのｉ型としている。しかしながら２次元電子ガスが生
成されるチャネル層、前記実施例のＧａＡｓ層３３に僅
かにドナー不純吻ヲ４φ人することによって１子移動度
をさほど低下４〜ることなく螺子面礎１ルを増大するこ
ともできる。
、２次元′電子ガスが生成されるチャネル層をノンドー
プのｉ型としている。しかしながら２次元電子ガスが生
成されるチャネル層、前記実施例のＧａＡｓ層３３に僅
かにドナー不純吻ヲ４φ人することによって１子移動度
をさほど低下４〜ることなく螺子面礎１ルを増大するこ
ともできる。
例えば前記実施例のスペーサ層３４及び２次元電子によ
るチャネル層３３を下記の如く変更する〇符号 組成比
Ｘ ドナーａ度 厚さ 〔ｏｎ”〕（ｎｍ） ３４ｄ Ｏ，３２ＸｌＯ” ６ ３３ｄ Ｏ２Ｘ１０” ５０ この様に不純ｌ吻を低ａ度にチャネル層等に導入した実
施例においては、電子面一度及び電流容縫が前記実施例
に比較してほぼ１０％程度増大している。
るチャネル層３３を下記の如く変更する〇符号 組成比
Ｘ ドナーａ度 厚さ 〔ｏｎ”〕（ｎｍ） ３４ｄ Ｏ，３２ＸｌＯ” ６ ３３ｄ Ｏ２Ｘ１０” ５０ この様に不純ｌ吻を低ａ度にチャネル層等に導入した実
施例においては、電子面一度及び電流容縫が前記実施例
に比較してほぼ１０％程度増大している。
以上説明した如く本発明の構造によって、従来のへテロ
接合形ＦＥＴの限界をこえて電子面濃度及び′電流容箱
を増大’ｉ１−ることかでき、平均的な電子移動度の低
下も悌かである。また本発明の半導体装置は従来のソヨ
ソｉ・キーバリア形ＦＥＴに比較して平均的な軍子移動
期が高く、かつ２次元′心子ガスの効果によってトラン
スコンダクタンスｇｍの増大、ゲート鬼１王に対するド
レイン電流の＋ｔｌＬ編性の改署がもたらされる。
接合形ＦＥＴの限界をこえて電子面濃度及び′電流容箱
を増大’ｉ１−ることかでき、平均的な電子移動度の低
下も悌かである。また本発明の半導体装置は従来のソヨ
ソｉ・キーバリア形ＦＥＴに比較して平均的な軍子移動
期が高く、かつ２次元′心子ガスの効果によってトラン
スコンダクタンスｇｍの増大、ゲート鬼１王に対するド
レイン電流の＋ｔｌＬ編性の改署がもたらされる。
以」二の説明はＧａＡｇ／ＡＡＧａＡｓｋ用いて本発明
の半導体装置を４８成しているが、例えばＧａｎ４７Ｉ
ｎｏ５ｚＡｓ／ ＡＪｏ４ｓ 工ｎｏ５２ＡＳなど他の
化合物半導体を用いても本発明の半導体装置を実現する
ことができる。
の半導体装置を４８成しているが、例えばＧａｎ４７Ｉ
ｎｏ５ｚＡｓ／ ＡＪｏ４ｓ 工ｎｏ５２ＡＳなど他の
化合物半導体を用いても本発明の半導体装置を実現する
ことができる。
□□□）弁明の効果
以上説明した如く本発明によれは、良好な電子移動岐と
大きい成流容世とが実現され、高速度で商出力の半導体
装置を提供することができる。
大きい成流容世とが実現され、高速度で商出力の半導体
装置を提供することができる。
第１図（ａ）は従来のへテロ接合形ｊ” Ｅ ’Ｌ’の
ＩＪｒ而図面図図（ｂ）はそのエネルギーバンド図、第
２区１０ま従来の試みを説明するエネルギーバンド図、
第３図は本発明を説明するエネルギーバンド図％第４図
（ａ）は本発明の実施例の１υ［面図、同ヌＩ（ｂｉ＆
よそのエネルギーバンド図である。 図において、２０は半絶蒜性ＧａＡｓ基板又はノンドー
プのＧａＡｓバッファ層％２【はｎ型Ｇａ Ａｓｌｍ５
，２２はノンドープのＧａＡｓ１偶＋、２２ Ａは２仄
元′電子ガス、２３はノンドープ領域ケ含むｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ１脅、 ３０は半ｓｉｔ性ＧａＡｓＪ板、３１及
び３３はノンドープのＧａＡｓ１＆、３２及び３７はｎ
Ｗ Ｇ ａ Ａ ８１曽、３４はノンドープのＡ Ｉ
［１，３Ｇａｏ、ｙ Ａ ｓ １ｍ、３５ばｎ型ＡＪｏ
３Ｇａｏ７Ａｓ Ｉｉｖ、３ Ｇはｎ型ＡｌｘＧａ１−
ｘＡｓ （０：５ｘＳ０．３）層、３Ｂはゲート電極、
３９はソース唱転 ４０はドレイン゛電極を示す〇第１
図 隼２ ド ／／７ｆ 第３Ｚ
ＩＪｒ而図面図図（ｂ）はそのエネルギーバンド図、第
２区１０ま従来の試みを説明するエネルギーバンド図、
第３図は本発明を説明するエネルギーバンド図％第４図
（ａ）は本発明の実施例の１υ［面図、同ヌＩ（ｂｉ＆
よそのエネルギーバンド図である。 図において、２０は半絶蒜性ＧａＡｓ基板又はノンドー
プのＧａＡｓバッファ層％２【はｎ型Ｇａ Ａｓｌｍ５
，２２はノンドープのＧａＡｓ１偶＋、２２ Ａは２仄
元′電子ガス、２３はノンドープ領域ケ含むｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ１脅、 ３０は半ｓｉｔ性ＧａＡｓＪ板、３１及
び３３はノンドープのＧａＡｓ１＆、３２及び３７はｎ
Ｗ Ｇ ａ Ａ ８１曽、３４はノンドープのＡ Ｉ
［１，３Ｇａｏ、ｙ Ａ ｓ １ｍ、３５ばｎ型ＡＪｏ
３Ｇａｏ７Ａｓ Ｉｉｖ、３ Ｇはｎ型ＡｌｘＧａ１−
ｘＡｓ （０：５ｘＳ０．３）層、３Ｂはゲート電極、
３９はソース唱転 ４０はドレイン゛電極を示す〇第１
図 隼２ ド ／／７ｆ 第３Ｚ
Claims (1)
- 第１の化合物半導体よりなりドナー不純物を含む≠１の
半導体層と、該第１の化合物半導体よりなり、該第ｌの
半、ｖｆ体層の上面に接する第２の手酌、体層と、該第
１の化合物半導体より電子親λＩＪ力が小さい編２の化
合物半導体よりなり、ドナー不純物を含んで該第２の半
導体層の上面に接する第３の半４体層と′に備えて、該
第３の半導体層から該第２の半畳体層に遷移する電子に
よって生成される２次元箱、子ガス層と該第１の半導体
層とを電流路とすることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011259A JPH0797633B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011259A JPH0797633B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154675A true JPS60154675A (ja) | 1985-08-14 |
| JPH0797633B2 JPH0797633B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=11772940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011259A Expired - Lifetime JPH0797633B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797633B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0308969A3 (en) * | 1987-09-25 | 1989-10-18 | Siemens Aktiengesellschaft | High electron mobility transistor structure |
| US5389802A (en) * | 1992-12-21 | 1995-02-14 | Nec Corporation | Heterojunction field effect transistor (HJFET) having an improved frequency characteristic |
| CN114695520A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-01 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种高速场效应晶体管及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107678A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP59011259A patent/JPH0797633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107678A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0308969A3 (en) * | 1987-09-25 | 1989-10-18 | Siemens Aktiengesellschaft | High electron mobility transistor structure |
| US5389802A (en) * | 1992-12-21 | 1995-02-14 | Nec Corporation | Heterojunction field effect transistor (HJFET) having an improved frequency characteristic |
| CN114695520A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-01 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种高速场效应晶体管及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797633B2 (ja) | 1995-10-18 |
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