JPS60161966A - スルホニウム誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なスルホニウム誘導体に関する。

発明の目的及び構成 本発明のスルホニウム誘導体は、下記一般式（１）％式
％ 〔式中孔、及びＲ２は同−又は相異なって低級アルキル
基ヲ示ス。Ｒ８はフェニルチオ基、フェニルスルホニル
アミノ基、フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニ
ル基、ベンゾイルアミノ基、カルボキシベンゾイルアミ
ノ基、ツタルイミド基、低級ジアルコキシシンナモイル
アミノ基又ハヘンゾイル基を示す。ｎｒｉ１〜８の整数
を示す。またＹは酸残基を示す。〕 上記一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２で表わされる低級ア
ルキル基としては炭素数１〜６のアルキル基、例えばメ
チル、エチル、プロピル、インプロピル、グチル、イソ
ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等を例示で
きる。

一般式（Ｉ）中Ｒ８で表わされる低級ジアルコキシシン
ナモイルアミノ基としては、炭素１〜６のｙｖ：ｘキｖ
Ｔｇｋ有するジアルコキシシンナモ４ｐｙアミノ基、例
えばジブトキシシナモイルアミノ基、シェドキンシンナ
モイルアミノ基、ジプロポキシシンナモイルアミノ基、
ジイソプロポキシシンナモイルアミノ基、ジブトキシシ
ンナモイルアミノ基、ジベンテロキシシンナモイρアミ
ノ基、ジヘキシロキシシンナモイルアミノ基等を例示で
きる。

一般式（１）中、Ｙで表わされる酸残基としては、医薬
品として使用できるもので必れば良く、具体的には次の
無機酸残基及び有機酸残基を例示できる。

無機酸残基・・・塩化水素、沃化水素、臭化水素、四弗
化硼素酸、過塩素酸、リン酸 等の酸残基 有ｍ酸ａ基・・・メタンスルホン酸、トルエンスルホン
酸、カンファースルホン酸、 の有機スルホン酸残基及び乳酸、 マレイン酸、マロン酸等のカルボ ン酸残基 本発明の上記一般式（Ｉ）で表わされるスルホニウム誘
導体は抗アｌ／／ｌ／ギー作用等を有し、抗アレルギー
剤を始めとする医薬品として有用である。

以下、上記一般式（１）で表わされる本発明スルホニウ
ム誘導体の製造方法につき説明する。本発明化合物は、
例えば下肥に示す各種の方法により製造される。

〔製造法人〕

一般式 ％式％（１） 〔式中孔１、Ｒ８及びｎは前記に同じ。〕で表わされる
ス／Ｌ／７アイド化合物と、一般式％式％（） 〔式中Ｒ２及びＹは前記に同じ。〕 で表わされる化合物とを反応させる。

この方法は好ましいものであシ、上記反応は溶媒中或い
は無溶媒で、−ｓ　ｏ　−１５０’ｃ、好ｌしくは０〜
１００　”Ｃ１反応時間約０．５〜７２時間で行なわれ
る。化合物（［）はスルファイド化合物（［）に対し過
剰量使用しても良いが、好ましくは理論量の約１〜４倍
モ／１／量使用するのが良い。溶媒としてはメタノール
、エタノール、プロパツール等のアルコール類、アセト
ニトリル、ニトロメタン、ジメチρホρムアミド、ジメ
チρスＩレホキサイド等ノ極性溶媒、メチレンクロフィ
ト、クロロホルム等のハロゲン化法化水素類、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、エチルエ
ーテル、フロビルエーテｌ”ｆ４のエーテル類、その他
アセトン、石油エーテル、酢酸エチル、水、及びこれら
溶媒の混合溶媒？使用できる。反応は必要に応じて密閉
容器中で行なうことができる。

上記反応において、原料として用いられるスルファイド
化合物（１）は、例えば一般式％式％（） 〔式中Ｒ８及びｎは前記に同じ。Ｈａｐはハロゲン原子
を示す。〕 で表わされる化合物と、一般式 ％式％（） 〔式中Ｒ１は前記に同じ。〕 で表わされる化合物とを、無溶媒又は適当な溶媒中、０
〜２００℃程度の温度条件下に反応させることに工夛合
成される。該合成反応は、好ましくは塩基性化合物、例
えばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、これらの
水素化物、これらの水酸化物等の存在下に実施される。

上記スルファイド化合物（１）の合成の詳細は、後紀参
考例において記述する。

〔製造法Ｂ〕

一般式 〔式中Ｒ１１］ｌＬ２、凡８及びｎは前記に同じ。又は
ハロゲン原子を示す。〕 で表わされるスルホニウムハフイドト、一般式％式％（
） 〔式中２は銀原子又はアルカリ金属原子を示す。

Ｙｌは上記ｘで示されるハロゲン原子以外の酸残基を示
す。〕 で表わされる化合物とを反応させる。

本方法も好ましいものであり、これは、スルホニウムハ
フイド（Ｖｌ）　Ｃ本発明の一般式（１）で表わされる
化合物中、Ｙがハロゲン化水素酸残基を示すもの）の塩
交換反応を利用するものである。該原料化合物（■）は
上記製造法人に従い製造される。

該スルホニウムハフイド（Ｖｌ）は、製造法人に示した
反応系より単離することなく、反応混合物の形態でも本
反応に使用できる。勿論反応糸よシ単離精製して用いる
こともできる。上記スルホニウムハフイド（■）と反応
させるべき化合物（■）としては、本発明の一般式（１
）中Ｙに対応する酸残基を提供し得る各酸の銀塩又はア
ルカリ金属塩例えばナトリウム塩、カリウム塩、リチウ
ム塩等を使用できる。上記酸としては例えば塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素、過塩素酸、四弗化硼素酸等の無
機酸及びマレイン酸、マロン酸、乳酸、カンファースル
ホン酸、メタンスルホン酸、トシル酸、ピクリ〜スルホ
ン１１２、Ｌ５−ナフタレンジスルホン酸等の有機酸を
例示できる。

本塩交換反応は溶媒中、約−３０〜１５０°ｃ１好まし
くは約θ〜１００℃で行なわれる。化合物（■）はスル
ホニウムハフイド（Ｖｆ）に対して、好ましくは理論量
の約１〜４倍量で使用される。溶媒としては前記製造法
人の反応に使用されると同一の各種の溶媒をいずれも使
用できる。

〔製造法Ｃ〕

上記製造法Ｂに示したと同一のスルホニウムハフイド（
Ｖｌ）に、酸化銀と一般式 ％式％（） 〔式中Ｙｌは前記に同じ。〕 で表わされる化合物（酸）とを反応させる。

本方法もスルホニウムハフイド（Ｖｌ）の塩交換反応を
利用するものであり、化合物（１）としては、本発明の
一般式（１）で表わされる化合物中Ｙで示される酸残基
を提供し得る遊離形態の有機酸もしくは無機酸を利用す
る。之等酸の具体例は上記製造法Ｂに示す通シである。

本反応において酸化銀は、原料とするスルホニウムハフ
イド（１）に対して通常等モル以上、好ましくは約１〜
４倍量ρの割合で用い得る。また化合物（橿）の使用割
合は、スルホニウムハフイド（Ｗ）に対して等モル以上
、好ましくは約１〜４倍モル比とするのがよい。本反応
は、通常溶媒中、約−８０〜１５０°Ｃ１好ましくは約
θ〜１００°Ｃで行なわれる。溶媒としては前記製造法
人のそれと同一でよい。

上記製造法Ａ−（３に従い得られる本発明のスルホニウ
ム化合物（１）は、反応終了後、通常の分離方法に従っ
て単離できる。該分離方法としては、例えば再結晶法、
抽出法、濃縮法、カフムクロマトグフフイー等を採用で
きる。

次に本発明を更に説明するため、原料とするスルファイ
ド化合物（１）の製造例を参考例として挙げ、次いで本
発明化合物の製造例を実施例として挙げる。

参考例１ メチ／Ｉ／−’２−フエニ〃チオエチルスルファイドの
合成 ９０％エタノ−／Ｉ／２００ｍＪｊ及び水酸化ナトリク
ム４．０（ｌにメチルメルカプタン４．８１ｆを吸収さ
せる。水冷下、２−フエ二〜チオエチルクロフィトｌ　
７．８　ｇを滴下後、８０分還流させる。反応液を濃縮
し、残渣をエーテル抽出する。エーテル層を水洗後、芒
硝脱水し、濃縮する。残渣を減圧Ｍ留して、メチル−２
−フェニルチオエチルスルファイド１７．　Ｏｆ　（収
率９２，４％）を得る。

１）ｐ、　１１２１７２ｍｍＨｆ 参考例２ ２−（４−カルボキシベンゾイルアミノ）エチルメチル
スルファイドの合成 ５０％エタノール８００　ｍｌ及び水酸化ナトリウム８
．００ｆにメチルメルカプタン４．８１ｆを吸収させる
。２−（４−カルボキシベンゾイルアミノ）エチルブロ
マイド２７．２　ｆ　′ｔ−加えた後、２時間還流させ
る。反応液を濃縮し、残渣ｅ　ＰＨ＝　１にする。析出
する結晶をｒ取し、アセトニトリルよυ再結晶して、２
−（４−カルボキシベンゾイルアミノ）エチルメチルス
ルファイド２．１０　ｆ（収率８７．９％）を得る。ｍ
戸２３７〜２４０℃参考例８ ２−　（８，４−ジメトキシシンナモイルアミノ）エチ
ルメチルス／Ｉ／７アドの合成 エタ／−／Ｉ／２００１１１ｇ及び水酸化カリウム５．
６１１にメチルメルカプタン４．８１Ｆを吸収させる。

２−　（８，４−ジメトキシシンナモイルアミノ）エチ
ルクロフィト２７．　Ｏｆを加えた後、８時間還流させ
る。反応液を濃縮し、残渣を酢酸エチルで抽出する。酢
酸エチルを水洗後、芒硝脱水し、濃縮する。エタノール
よシ再結晶して、２−　（８，４−ジメトキシシンナモ
イルアミノ）エチルメチルスルファイド２Ｔ、ＯｆＣ収
率９６．１％）を得る。

実施例１ ジメチ／Ｌ’−２−フェニρチオエチルスルホニウム　
ジ−トルエンスルホネート（化合物１）の合成 メチ／Ｌ／−２−フェニルチオエチルス〃ファイド１、
８４　ｆにメチ／Ｉ／　ジ−トルエンスルホネート５．
５８９を加え、室温で４８時間反応させる。反応物にエ
ーテルを加え、不溶部をｆ取し、エタノ−ρ−エーテル
よシ再結晶して、ジメチ／ｌ／−２−フェニルチオエチ
ルスルホニウム　シート〃エンスρホネート（化合物１
）８．５（１（収率９４，８％）を得る。ｍｐｔｉｇ−
ｔｔ９℃ 実施例２ 実施例１と同様の操作によシ後記表１及び表２に示す化
合物２．８．５．６．７及び９を合成した。

実施例８ ２−　（８，４−ジメトキシシンナモイルアミノ）°エ
チルジメチルスルホニウム　ｐ−ト／ｌ／エンスルホネ
ート（化合物８）の合成 ジクロルメタン８０　ｍｌｌに２−　（８，４−ジメト
キシシンナモイルアミノ）エチルメチルスルファイド２
．８１ｆを溶解し、メチ／Ｉ／１ｉ−）ルエンス〃ホネ
ー）　７．０　Ｏｆを加え室温で４８時間反応させる。

反応液にエーテ〃を加えた後、実施例１と同様に操作し
て、２−（８，４−ジメトキシシンナモイルアミノ）エ
チルジメチルスルホニウム　ｐ−トルエンスルホネート
（化合物８）４．２５Ｎ（収率９０．８％）を得る。

実施例４ ジメチ＃−２−フエニ／Ｌ’ヌルホニルエチルス〃ホニ
ウム　１１’　−）　＃エンスルホネート（化合物４）
の合成 メチ／Ｌ’−２−フェニルスルホ＝〜エチルスルファイ
ド２．１６　Ｆ及びアセト＝）ＬＡ１５０ｍＩｌにメチ
ルアイオダイド４．２６ｔ、次いで９−トルエンスルホ
ン酸銀２．７９ｇを加えて室温で１２時間攪拌する。反
応液を濾過し、ｆ液に硫化水素及び活性炭を加えて濾過
する。ｒ液を濃縮し、エタノール−エーテルより再結晶
して、ジメチル−２−フエ二ルス〃ホ＝ルエチルスρホ
ニヮム　シートルエンスルホネート（化合物４）８．８
５ｆ（収革９５．５％）を得る。ｍｐ１４７−１４８°
Ｃ 上記各実施例で得られた化合物（化合物１〜９）核磁気
共鳴スベク）＃（ＮＭ几）分析結果（δ値、ｐＰｍ　）
を表２に示す。尚表２中元素分析値における０を付して
示した数値は計算値（％）を、また０を付さないで示し
た数値は突測位（％）を示すものとする。またＮＭＲは
ＤＭＳＯ−ｄ６中、ＴＭ８を内部標準物質として測定し
た値である。

表　１ 表　２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 〔式中Ｒ１及びＲ２は同−又は相異なって低級アルキル
   基を示す。Ｒ８はフェニルチオ基、フェニルスルホニル
   アミノ基、フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニ
   ル基、ベンゾイルアミノ基、カルボキシベンゾイルアミ
   ノ基、フタルイミド基、低級ジアルコキシシンナモイル
   アミノ基又はベンシイｚ＋ｚＪｋを示す。ｎは１〜Ｂの
   整数を示す。またＹは酸残基を示す。〕 で表わされるスルホニウム誘導体。