JPS60177705A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPS60177705A JPS60177705A JP59033413A JP3341384A JPS60177705A JP S60177705 A JPS60177705 A JP S60177705A JP 59033413 A JP59033413 A JP 59033413A JP 3341384 A JP3341384 A JP 3341384A JP S60177705 A JPS60177705 A JP S60177705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- phase
- transistors
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は周波数制御又は周波数変調可能な発振器に関す
るものである。
るものである。
従来例の構成とその問題点
従来、周波数変調可能な発振器として、発振回路の周波
数決定素子の一部に可変容量ダイオードなどを用い、制
御信号により発振周波数を変調することが行なわれてい
る。この様な回路は構成は簡ｉ１４であるが、可変容量
ダイオード固有の温度特性や、基準バイアスを与える電
源の変動のために、発振周波数が変化しやすく、可変容
量ダイオードの容爾値のバラツキや、容量変化特性のバ
ラツキのために周波数変調感度が変わること、又周波数
可変の直線性があまり良くないことなどの欠点を有して
いる。又発振器を半導体集積回路で構成しようとする場
合、回路と同時に、可変容量ダイオードを集積化するこ
とは困難であり、集積回路化した発振器にＦｉＪ′変容
量ダイオードをイ＼Ｊ加して用いることは安定度や感度
のバラツキの解決にはならないばかりでなく、経済的に
もコスト高となる。
数決定素子の一部に可変容量ダイオードなどを用い、制
御信号により発振周波数を変調することが行なわれてい
る。この様な回路は構成は簡ｉ１４であるが、可変容量
ダイオード固有の温度特性や、基準バイアスを与える電
源の変動のために、発振周波数が変化しやすく、可変容
量ダイオードの容爾値のバラツキや、容量変化特性のバ
ラツキのために周波数変調感度が変わること、又周波数
可変の直線性があまり良くないことなどの欠点を有して
いる。又発振器を半導体集積回路で構成しようとする場
合、回路と同時に、可変容量ダイオードを集積化するこ
とは困難であり、集積回路化した発振器にＦｉＪ′変容
量ダイオードをイ＼Ｊ加して用いることは安定度や感度
のバラツキの解決にはならないばかりでなく、経済的に
もコスト高となる。
発明の目的
くし、かつ半導体集積回路に適した周波数変調可能な発
振器を提供するものである。
振器を提供するものである。
発明の構成
本発明は、入力に対し２つの異なる出力位相をもつ弾性
表面波素子と位相が異なる複数の信ワを合成し、かつ信
号合成比を制御する位相合成器と、平衡出力を有する差
動増［ｉｊ器を具備し、ｉｆＪ記弾性表面波素子の２つ
の出力を前記位相合成器の２つの入力側に加え、前記差
動増＋−１ｊ器の一方の出力を前記弾性表面波素子の入
力端子に接続して正帰還ループを形成し、前記差動増ｒ
ｌｌ器のもう一方の出力側から出力をとり出すという発
振器を構成することにより、可変容量ダイオードを用い
ることなく、周波数可変がＯＪ′能な高安定発振器が実
現できると共に、直線性のよいＦＭ変調器としても用い
ることができるものである。
表面波素子と位相が異なる複数の信ワを合成し、かつ信
号合成比を制御する位相合成器と、平衡出力を有する差
動増［ｉｊ器を具備し、ｉｆＪ記弾性表面波素子の２つ
の出力を前記位相合成器の２つの入力側に加え、前記差
動増＋−１ｊ器の一方の出力を前記弾性表面波素子の入
力端子に接続して正帰還ループを形成し、前記差動増ｒ
ｌｌ器のもう一方の出力側から出力をとり出すという発
振器を構成することにより、可変容量ダイオードを用い
ることなく、周波数可変がＯＪ′能な高安定発振器が実
現できると共に、直線性のよいＦＭ変調器としても用い
ることができるものである。
実施例の説明
第１図は本発明の基本ブロック図であり、第２図は弾性
表面波素子の振［ＩＪ特性９および位相特性１０を示す
。１は入力４に対し、振Ｅ１ｊ特性は同じで、位相特性
の異なる２つの出力５，６をもつ弾性表面波素子であり
、それぞれを出力を位相合成器４に接続し、位相合成後
の出力を平衡出力を有する差！ｌ１ＩＪ増ＩＩＪ器３を
介して、その差動増ｒｌｊ器の一方の出力を元の弾性表
面波素子の入力に接続して正帰還ループを形成し、かつ
差動増１１Ｊ器のもう−かの出力より、発１辰出力を収
り出す構成になっている。位相合成器２け位相の異なる
複数の入力信りをベクトル合成するもので、制御入力端
子７より与えられる制御信号のレベルにより移相量が調
節できる移相器である。
表面波素子の振［ＩＪ特性９および位相特性１０を示す
。１は入力４に対し、振Ｅ１ｊ特性は同じで、位相特性
の異なる２つの出力５，６をもつ弾性表面波素子であり
、それぞれを出力を位相合成器４に接続し、位相合成後
の出力を平衡出力を有する差！ｌ１ＩＪ増ＩＩＪ器３を
介して、その差動増ｒｌｊ器の一方の出力を元の弾性表
面波素子の入力に接続して正帰還ループを形成し、かつ
差動増１１Ｊ器のもう−かの出力より、発１辰出力を収
り出す構成になっている。位相合成器２け位相の異なる
複数の入力信りをベクトル合成するもので、制御入力端
子７より与えられる制御信号のレベルにより移相量が調
節できる移相器である。
第２図の弾性表面波素子の特性において、発振可能な発
振ループ利得をもち、正帰還するようなある位相θ。の
点の周波ｒｋｆ０で安定な発振をし、発振ループ内の位
相合成器２により、最大θ１ から０２だけ移相…を調
節することにより、発振周波数Ｉ′ｉｆ１ から１２寸
で変化し、制御入力信号により、周波数変調されること
になる。
振ループ利得をもち、正帰還するようなある位相θ。の
点の周波ｒｋｆ０で安定な発振をし、発振ループ内の位
相合成器２により、最大θ１ から０２だけ移相…を調
節することにより、発振周波数Ｉ′ｉｆ１ から１２寸
で変化し、制御入力信号により、周波数変調されること
になる。
ここでΔｆ−θ２−０１ は弾性表面波素子の出力の位
相差に対応する。周波数選択・１１手の移相素子である
弾性表面波素子は振ｒｌＪ特性が同じで、異なる位相を
もつ出力を取出すことは容易であり、位相特性の直線性
が良好なため、前述のように発振器を構成すると、振Ｉ
Ｊ一定で、周波数可変範囲が広く、直線性の良好な発振
器となる。又平衡出力を有する差動増＋ｌＪ器の一方の
出力を発振ループ出力とし、もう一方の出力を発振出力
としており、発振ループが負荷により影響されにくい構
成であるため、負荷により周波数の安定性も良好である
。
相差に対応する。周波数選択・１１手の移相素子である
弾性表面波素子は振ｒｌＪ特性が同じで、異なる位相を
もつ出力を取出すことは容易であり、位相特性の直線性
が良好なため、前述のように発振器を構成すると、振Ｉ
Ｊ一定で、周波数可変範囲が広く、直線性の良好な発振
器となる。又平衡出力を有する差動増＋ｌＪ器の一方の
出力を発振ループ出力とし、もう一方の出力を発振出力
としており、発振ループが負荷により影響されにくい構
成であるため、負荷により周波数の安定性も良好である
。
箪３図は第１図に示す基本構成の発振器をガに高性能化
した発振器のブロック図を示す。第１図と同様の役目を
する素子は同一の番号で示している。第３図の構成は第
１図に構成に加えて、弾性表面波素子１０２つの出力６
，６と、位相合成器の２つの入力との間にそれぞれ同じ
特性を有するｉｆ■置増［１ｊ器１１．１２を接続し、
又、差動増ｒｌＪ器３の一方の出力と弾性表面波素子１
０入力４との間に増ｒｌＪ器１３を接続すると共に差動
増巾器３のもう一方の出力から増＋１Ｅ器１４を介して
発振出力を取り出す構成になっている。普通弾性表面波
素子の減衰量は太きく、ｎＦｆ置増ｒｌノ器１１．１２
と増１１Ｊ器１３により、Ｃ／Ｈの良好な発振器が実現
できる。又、差動増ｒｌＪ器３から増［［ｊ器１３を介
して発振ループを形成すると共に差動増ｒｐ器３かも増
中器１４を介して発振出力を収り出しているので、バッ
ファ効果は非常に大きく、負荷による周波数安定度は非
常に高く、高レベルの出力を収り出すことができる。
した発振器のブロック図を示す。第１図と同様の役目を
する素子は同一の番号で示している。第３図の構成は第
１図に構成に加えて、弾性表面波素子１０２つの出力６
，６と、位相合成器の２つの入力との間にそれぞれ同じ
特性を有するｉｆ■置増［１ｊ器１１．１２を接続し、
又、差動増ｒｌＪ器３の一方の出力と弾性表面波素子１
０入力４との間に増ｒｌＪ器１３を接続すると共に差動
増巾器３のもう一方の出力から増＋１Ｅ器１４を介して
発振出力を取り出す構成になっている。普通弾性表面波
素子の減衰量は太きく、ｎＦｆ置増ｒｌノ器１１．１２
と増１１Ｊ器１３により、Ｃ／Ｈの良好な発振器が実現
できる。又、差動増ｒｌＪ器３から増［［ｊ器１３を介
して発振ループを形成すると共に差動増ｒｐ器３かも増
中器１４を介して発振出力を収り出しているので、バッ
ファ効果は非常に大きく、負荷による周波数安定度は非
常に高く、高レベルの出力を収り出すことができる。
第４図は第３図のブロツク図の要部回路構成を示すもの
で、位相合成回路を詳細に示している。
で、位相合成回路を詳細に示している。
１０述と同様の効果を示す素子は同様の符号で示してい
る。１は第２図に示すような特性を有する弾性表面波素
子であり、出力６，６は同じ振巾特性で位相差Δ０−０
１−０２の２つの異なる出力位相をもつ素子である。１
１．１２は同じ特性の前置増ＩＪ器であり、１１より０
１ の位相で、１２より０２の位相で出力される。
る。１は第２図に示すような特性を有する弾性表面波素
子であり、出力６，６は同じ振巾特性で位相差Δ０−０
１−０２の２つの異なる出力位相をもつ素子である。１
１．１２は同じ特性の前置増ＩＪ器であり、１１より０
１ の位相で、１２より０２の位相で出力される。
ここで、位相合成回路部について説明する。
位相θ１ の信号はトランジスタＱ１のベース電極に、
位相θ２の信号はＣ２のベース電極に加えられ、Ｃ３，
Ｃ４のそれぞれのベースにけ接地容量Ｃ１、Ｃ２が接続
されているため、それぞれ、−Ｃ１、−Ｃ２の位相の信
号が加えられたと同様になる。前置増１１ｊ器１１．１
’２については、あらかじめ平衡出力で構成し、トラン
ジスタＱ１．Ｑ３あるいはＣ２，Ｃ４に直接平衡久方で
加えても同様の効果である。Ｑｌ 、Ｃ３のエミッタ電
極は共通接続され、Ｃ５のコレクタ電極に接続され、又
Ｑ２ 、Ｃ４のエミッタ電極は共通接続され、Ｃ６のコ
レクタ電極に接続されている。Ｑ 、Ｑ は６ ６ 差動増ｒｊＪ構成で各々のエミッタ電極は電流源１６に
接続されている。更にＱｌ 、Ｃ２のコレクタ電極は共
通接続され、Ｃ３、Ｃ４のコレクタ電極も共通接続され
て、差動増［１コ器３に接続される。このような接続に
すると、負荷抵抗Ｒ１には、−０１と−０２の入力によ
りベクトル合成された信号が、又負荷抵抗Ｒ２には＋０
１ と＋θ２の入力によりベクトル合成された信号が生
ずる。その合成比は差動接続された制御用トランジスタ
Ｑ５ 、Ｃ６に加えられる。制御入力端子７からの制御
信号により、Ｑ １． Ｑ ２ 、Ｑ ３ ＋ Ｑ ４
に流れる電流を制御し、例えば、Ｒ２にはＱｌ 、Ｃ２
による入力信号の位相反転を考慮すれば（０１〜θ２
）」−πの位相の信すが生じることは明らかである。同
様に馬には（−０１〜−Ｃ２）十πの位相の借りが現わ
れる。つ捷りＲ１，Ｒ２を通してＣ１〜θ２の移相量が
変化する平衡出力が取出せるのである。
位相θ２の信号はＣ２のベース電極に加えられ、Ｃ３，
Ｃ４のそれぞれのベースにけ接地容量Ｃ１、Ｃ２が接続
されているため、それぞれ、−Ｃ１、−Ｃ２の位相の信
号が加えられたと同様になる。前置増１１ｊ器１１．１
’２については、あらかじめ平衡出力で構成し、トラン
ジスタＱ１．Ｑ３あるいはＣ２，Ｃ４に直接平衡久方で
加えても同様の効果である。Ｑｌ 、Ｃ３のエミッタ電
極は共通接続され、Ｃ５のコレクタ電極に接続され、又
Ｑ２ 、Ｃ４のエミッタ電極は共通接続され、Ｃ６のコ
レクタ電極に接続されている。Ｑ 、Ｑ は６ ６ 差動増ｒｊＪ構成で各々のエミッタ電極は電流源１６に
接続されている。更にＱｌ 、Ｃ２のコレクタ電極は共
通接続され、Ｃ３、Ｃ４のコレクタ電極も共通接続され
て、差動増［１コ器３に接続される。このような接続に
すると、負荷抵抗Ｒ１には、−０１と−０２の入力によ
りベクトル合成された信号が、又負荷抵抗Ｒ２には＋０
１ と＋θ２の入力によりベクトル合成された信号が生
ずる。その合成比は差動接続された制御用トランジスタ
Ｑ５ 、Ｃ６に加えられる。制御入力端子７からの制御
信号により、Ｑ １． Ｑ ２ 、Ｑ ３ ＋ Ｑ ４
に流れる電流を制御し、例えば、Ｒ２にはＱｌ 、Ｃ２
による入力信号の位相反転を考慮すれば（０１〜θ２
）」−πの位相の信すが生じることは明らかである。同
様に馬には（−０１〜−Ｃ２）十πの位相の借りが現わ
れる。つ捷りＲ１，Ｒ２を通してＣ１〜θ２の移相量が
変化する平衡出力が取出せるのである。
このような回路にしたことによる第１の効果は、弾性表
面波素子で異なる位相の２つの信号を出し、この２つの
信号の合成比を制御信号により調節する移相回路を正帰
還ループ内に設けて周波数制御を行なうことにより可変
容量ダイオードを用いないで周波数変調を可能とするこ
とである。第２の効果は、位相合成器の入力側および出
力側を正逆２相とすることにより、電流路を相補的に共
通接続することが可能になり、電源、アース路に信号成
分がもれ出すことが防げ、電源、アース等の線路インピ
ーダンスの高くなりがちな集積回路を安定に構成するこ
とが可能になることである。すなわち、負荷抵抗Ｒ１，
Ｒ２に流れる電流は制御入力がどの様な場合にも相補的
であり、それらを共通接続することにより、電源端子１
６がらの電流には信号成分は含寸れない。又、Ｑｌ 、
Ｃ３のエミッタ電流、Ｃ２，Ｃ４のエミッタ電流もそれ
ぞれ相補的であり、それらを共通接続することにより制
御用トランジスタＱ５ 、Ｃ６には信号電流は流れない
。このため、合成比の制御は直流的ないしは変調信号周
波数での考慮のみで行なえることになる。
面波素子で異なる位相の２つの信号を出し、この２つの
信号の合成比を制御信号により調節する移相回路を正帰
還ループ内に設けて周波数制御を行なうことにより可変
容量ダイオードを用いないで周波数変調を可能とするこ
とである。第２の効果は、位相合成器の入力側および出
力側を正逆２相とすることにより、電流路を相補的に共
通接続することが可能になり、電源、アース路に信号成
分がもれ出すことが防げ、電源、アース等の線路インピ
ーダンスの高くなりがちな集積回路を安定に構成するこ
とが可能になることである。すなわち、負荷抵抗Ｒ１，
Ｒ２に流れる電流は制御入力がどの様な場合にも相補的
であり、それらを共通接続することにより、電源端子１
６がらの電流には信号成分は含寸れない。又、Ｑｌ 、
Ｃ３のエミッタ電流、Ｃ２，Ｃ４のエミッタ電流もそれ
ぞれ相補的であり、それらを共通接続することにより制
御用トランジスタＱ５ 、Ｃ６には信号電流は流れない
。このため、合成比の制御は直流的ないしは変調信号周
波数での考慮のみで行なえることになる。
第５図は本発明の具体的実施例の詳細を示す。
前述と同様の効果を示す素子は同様の符号で示している
。又、回路図」二でバイアス回路については省略してい
る。Ａｆｉ述したように弾性表面波素子の出力端子６，
６には位相差Δθ＝θ１−Ｃ２−９００をもつ２つの信
号が取出され、接地容量Ｃ７，Ｃ８によりベース接地増
＋ｌｊ器になっているトランジスタＱ７およびＣ８のそ
れぞれのエミッタ電極に入力される。ここで入力段をベ
ース接地型にしたのは実施例における弾性表面波素子と
のインピーダンス整合に適していたためであり、特に限
定されるものではない。
。又、回路図」二でバイアス回路については省略してい
る。Ａｆｉ述したように弾性表面波素子の出力端子６，
６には位相差Δθ＝θ１−Ｃ２−９００をもつ２つの信
号が取出され、接地容量Ｃ７，Ｃ８によりベース接地増
＋ｌｊ器になっているトランジスタＱ７およびＣ８のそ
れぞれのエミッタ電極に入力される。ここで入力段をベ
ース接地型にしたのは実施例における弾性表面波素子と
のインピーダンス整合に適していたためであり、特に限
定されるものではない。
入力端子５，６に加えられた異なる位相の２信号は、全
く同じ特性をもつベース接地型前置増「１ｊ器で増巾さ
れ、位相的には弾性表面波素子の出力信号の位相差Δθ
−θ１−θ２−９０°のｉｔで不平衡信号として結合容
量Ｃ３、Ｃ４を介して位相合成器に入力される。そして
前述した位相合成器の動作により、負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２
にはΔθ−９０゜の位相変化が可能となる平衡信号が取
出され、トランジスタＱ９ 、Ｑｌｏにより構成される
差動増「ｉｊ器により増１−１コされ、負荷抵抗Ｒ１３
，ＦＬ＋４に平衡信号として現われる。そして、一方の
Ｒ１３からの信すは結合容量Ｃ５を介してエミッタ接地
増中器のトランジスタＱ１１のベース電極に入力されコ
レクタ電極より結合容量Ｃ１□を介して元の弾性表面波
素子の入力側に接続され、正帰還ループを形成して発振
する。もう一方のＲ１４からの信号は同じく、結合容量
Ｃ６を介して、トランジスタＱ１２のベース電極に入力
され、コレクタ電極より発振出力が取出される。
く同じ特性をもつベース接地型前置増「１ｊ器で増巾さ
れ、位相的には弾性表面波素子の出力信号の位相差Δθ
−θ１−θ２−９０°のｉｔで不平衡信号として結合容
量Ｃ３、Ｃ４を介して位相合成器に入力される。そして
前述した位相合成器の動作により、負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２
にはΔθ−９０゜の位相変化が可能となる平衡信号が取
出され、トランジスタＱ９ 、Ｑｌｏにより構成される
差動増「ｉｊ器により増１−１コされ、負荷抵抗Ｒ１３
，ＦＬ＋４に平衡信号として現われる。そして、一方の
Ｒ１３からの信すは結合容量Ｃ５を介してエミッタ接地
増中器のトランジスタＱ１１のベース電極に入力されコ
レクタ電極より結合容量Ｃ１□を介して元の弾性表面波
素子の入力側に接続され、正帰還ループを形成して発振
する。もう一方のＲ１４からの信号は同じく、結合容量
Ｃ６を介して、トランジスタＱ１２のベース電極に入力
され、コレクタ電極より発振出力が取出される。
位相合成回路が最適に動作するためには、合成出力信号
の振巾が制御信号により、すなわち、出力位相角により
変化しないことが望ましい。このことは、Ｃ５，Ｃ６が
平衡状態にある時、Ｑｌ。
の振巾が制御信号により、すなわち、出力位相角により
変化しないことが望ましい。このことは、Ｃ５，Ｃ６が
平衡状態にある時、Ｑｌ。
Ｃ２、Ｃ３，Ｃ４の利得は最大利得（不平衡状態で生ず
る）の１／４［であればよい。この時、合成出力は であられされ、振「１コは等しくなる。この条件の実現
と動作の安定化のために各トランジスタＱ１゜Ｃ２、Ｃ
３，Ｃ４のエミッタ電極にそれぞれ抵抗Ｒ３、Ｒ４，Ｒ
６、Ｒ６が接続されている。又、抵抗Ｒ７、Ｒ８はトラ
ンジスタＱ５ 、Ｃ６による差動増中器の増１ｊ度を調
節する役目をしており、すなわち、変調感度の役目をし
ている。１８け弾性表面波素子との整合回路１９は出力
インピーダンス整合回路である。１７は電流源である。
る）の１／４［であればよい。この時、合成出力は であられされ、振「１コは等しくなる。この条件の実現
と動作の安定化のために各トランジスタＱ１゜Ｃ２、Ｃ
３，Ｃ４のエミッタ電極にそれぞれ抵抗Ｒ３、Ｒ４，Ｒ
６、Ｒ６が接続されている。又、抵抗Ｒ７、Ｒ８はトラ
ンジスタＱ５ 、Ｃ６による差動増中器の増１ｊ度を調
節する役目をしており、すなわち、変調感度の役目をし
ている。１８け弾性表面波素子との整合回路１９は出力
インピーダンス整合回路である。１７は電流源である。
又、接地容昂、結合客用の値については、ＶＨＦ帯ぐら
いで使用する場合には１０〜２０ＰＦぐらいで（１賓）
？に動作するので集積回路化する場合でも実現１」１能
な値である。
いで使用する場合には１０〜２０ＰＦぐらいで（１賓）
？に動作するので集積回路化する場合でも実現１」１能
な値である。
次に６ｆｉ述した弾性表面波素子について説明をする。
第６図は本発明に用いられている弾性表面波素子の概略
図であり、一般にはＺｎＯ基板などの−Ｊ−，Ｋ＜シ型
すだれ状電極２５，２６．２７が交さして設けられてい
る。入力端子２０．２１（この例では片側端子２０は接
地）より入力信号が加えられると、入力電極２１を通し
て出力電極２６および３７へと表面波として伝わり、あ
る周波数１０近傍の信りたけ力咄力端子２２および２３
より収出される。この１祭遅延時間τ１ およびτ２を
適当な値てなるように電極中心間距跡を設定しておくと
、振巾特性が同じで、出力位相の異なる２つの用力位打
１の異なる２つの出力が取出せるわけである。未発リ−
）の実施例ではｆ。−１４５１％ｂで位相子Δθ−＝９
ｏ０に設計されている。
図であり、一般にはＺｎＯ基板などの−Ｊ−，Ｋ＜シ型
すだれ状電極２５，２６．２７が交さして設けられてい
る。入力端子２０．２１（この例では片側端子２０は接
地）より入力信号が加えられると、入力電極２１を通し
て出力電極２６および３７へと表面波として伝わり、あ
る周波数１０近傍の信りたけ力咄力端子２２および２３
より収出される。この１祭遅延時間τ１ およびτ２を
適当な値てなるように電極中心間距跡を設定しておくと
、振巾特性が同じで、出力位相の異なる２つの用力位打
１の異なる２つの出力が取出せるわけである。未発リ−
）の実施例ではｆ。−１４５１％ｂで位相子Δθ−＝９
ｏ０に設計されている。
発明の効果
本発明によれば、
１）振巾特性が同じで出力位相の異なる弾性表面波素子
を周波数選択性移（″（］素子とし、位相差をもつ２信
号の位相合成器およびバッファ用差動増１ｐ器を正帰還
ループ内に設けることにより、振巾特性が一定で、直線
性良好、真前に対しても周波数変動の少ない安定なＦＭ
発振器、電圧制御型発振器として用いることがてきる。
を周波数選択性移（″（］素子とし、位相差をもつ２信
号の位相合成器およびバッファ用差動増１ｐ器を正帰還
ループ内に設けることにより、振巾特性が一定で、直線
性良好、真前に対しても周波数変動の少ない安定なＦＭ
発振器、電圧制御型発振器として用いることがてきる。
２）」１記１）に加えて、前置増１」器および出力用増
Ｉｌｌ器を付は加えることにより、Ｃ／Ｎがよく、負荷
に対して更に周波数が安定なＦＭ発振器、電圧制御型発
振器となる。
Ｉｌｌ器を付は加えることにより、Ｃ／Ｎがよく、負荷
に対して更に周波数が安定なＦＭ発振器、電圧制御型発
振器となる。
３）全ての信号経路を相補的に措成し、かつ直流的には
平衡型となるような位相合成回路を構成することにより
、集積回路に適した発振器となる。
平衡型となるような位相合成回路を構成することにより
、集積回路に適した発振器となる。
４）その他、移相回路の移相量も位相合成器の入力信号
の極性を入れかえるだけで、はぼ全範囲をカバーするこ
とが可能である。すなわち、１つの夷合せて移相量が９
０’であり、極性の組合せが４通りであるため、３６０
０全範囲をカバーできる。
の極性を入れかえるだけで、はぼ全範囲をカバーするこ
とが可能である。すなわち、１つの夷合せて移相量が９
０’であり、極性の組合せが４通りであるため、３６０
０全範囲をカバーできる。
など数多くの優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明の発振器の一実施例を示すブロック構成
図、第２図は弾性表面波素子特性図、第３図（ｄ四に高
性能化した発振器のプロッタ図、第４図は本実施例の要
部回路構成図、第５図は具体的な回路構成図、第６図は
弾性表面波素子の概略図である。 １・・・・・・弾性表面波素子、２・・・・・・位相合
成器、３・・・・・差動増ｒｐ器、１１．１２・・・・
・・０［１置増中器、１３．１４・・・・・出力増Ｉ’
ｌｌ器、Ｑｌ 、Ｑ２ 、Ｑ３゜Ｑ４・・・・位相合成
用トランジスタ、Ｑ６ 、Ｑ６・・・位什１合成制御用
トランジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ｊ２に５１ 第３図 、３
図、第２図は弾性表面波素子特性図、第３図（ｄ四に高
性能化した発振器のプロッタ図、第４図は本実施例の要
部回路構成図、第５図は具体的な回路構成図、第６図は
弾性表面波素子の概略図である。 １・・・・・・弾性表面波素子、２・・・・・・位相合
成器、３・・・・・差動増ｒｐ器、１１．１２・・・・
・・０［１置増中器、１３．１４・・・・・出力増Ｉ’
ｌｌ器、Ｑｌ 、Ｑ２ 、Ｑ３゜Ｑ４・・・・位相合成
用トランジスタ、Ｑ６ 、Ｑ６・・・位什１合成制御用
トランジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ｊ２に５１ 第３図 、３
Claims (3)
- （１）入力に対し２つの異なる出力位相をもつ弾性表面
波素子と、位相が異なる複数の信号を合成し、かつ信号
合成比を制御する位相合成器と、平衡出力を有する差動
増１コ器を具備し、前記弾性表面波素子の２つの出力を
前記位相合成器の２つの入力側に加え、前記差動増ｒｌ
］器の一方の出力を前記弾性表面波素子の入力端子に接
続して、正帰還ループを構成し、ｎ’ｆｌ記差動増中器
のもう一方の出力側から出力をとり出すことを特徴とす
る発振器。 - （２）弾性表面波素子の２つの出力端子と１ｆＪ記位相
合成器の２つの入力端子との間に、各々同じ特性の増１
１」器を接続し、前記差動増１１Ｊ器の一方の出力と、
ｉｆＪ記弾性表面波素子の入力端子との間に増１】器を
接続し、前記差動増巾器のもう一方の出力から増ｒｌｊ
器を介して出力をとり出すことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の発振器。 - （３）位相合成器は、それぞれエミッタを共通接続した
第１と第２のトランジスタおよび、第３と第４のトラン
ジスタと、エミッタを共通にして差動接続された第６と
第６のトランジスタを有し、前記第１と第３のトランジ
スタのコレクタおよび前記第２と第４のトランジスタの
コレクタはそれぞれ共通接続され、前記第１と第２のト
ランジスタのエミッタおよび前記第３と第４のトランジ
スタのエミッタはそれぞれ前記第５と第６のトランジス
タの各コレクタに接続され、前記第１と第２のトランジ
スタのベース対および前記第３と第４のトランジスタの
ベース対を位相合成入力とし、かつ前記第５と第６のト
ランジスタの少なくとも１方のベースに前記位相合成比
の制御値りを与えられ、前記第１と第３のトランジスタ
のコレクタと前記第２と第４のトランジスタのコレクタ
より、平衡型の位相合成信号を得るように構成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033413A JPS60177705A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033413A JPS60177705A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177705A true JPS60177705A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12385891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59033413A Pending JPS60177705A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177705A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758403A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Oscillator |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59033413A patent/JPS60177705A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758403A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Oscillator |
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