JPS6017979A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6017979A JPS6017979A JP12580783A JP12580783A JPS6017979A JP S6017979 A JPS6017979 A JP S6017979A JP 12580783 A JP12580783 A JP 12580783A JP 12580783 A JP12580783 A JP 12580783A JP S6017979 A JPS6017979 A JP S6017979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- light
- region
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 6
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 abstract description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反射面劣化を除去し、高出力動作を可能にする
埋込型半導体レーザーに関するものである。ＡＪ Ｇａ
Ａｓ等の材料を用いた多層構造半導体レーザは、高効
率のレーザ発振動作が可能であり光フアイバ通信等の用
途に用いられているが、その光出力値は５〜１０ ｍＷ
程度のものであった。
埋込型半導体レーザーに関するものである。ＡＪ Ｇａ
Ａｓ等の材料を用いた多層構造半導体レーザは、高効
率のレーザ発振動作が可能であり光フアイバ通信等の用
途に用いられているが、その光出力値は５〜１０ ｍＷ
程度のものであった。
この光出力の取り出し得る限界は、主に結晶臂開面が高
密度の光出力によって損傷を受けるためであり、例えば
５０ｍＷ程度の光出力を得ようとすると、反射面での光
吸収による発熱のだめ結晶臂開面の反射面が瞬時に破壊
してしまう仁とが避けられないものであった。
密度の光出力によって損傷を受けるためであり、例えば
５０ｍＷ程度の光出力を得ようとすると、反射面での光
吸収による発熱のだめ結晶臂開面の反射面が瞬時に破壊
してしまう仁とが避けられないものであった。
この様な欠点を除去するため、結晶臂開面に発振波長に
対し透明な）−１ＧａＡｓ層等を形成する方法あるいは
反射面近傍の発光領域を除いて活性層に高濃度のＺｎ拡
散をほどこし、発振波長を低エネルギー側へ移動させる
ことによって反射面近傍領域を透明領域にする方法、あ
るいは又半導体レーザの活性層を０．０４μｍ程度にま
で薄膜化することにより光強度分布を拡大せしめ発光断
面積を太きくれている。しかしながら、これらの方法に
於いては製造工程が複雑で、再現性良く高性能な半導体
レーザを得ることが難しいばかりでなく、反射面近傍領
域においては、積層されている半導体層の厚み方向には
屈折率導波作用が維持されているがそれと直角方向Ｃ層
厚と平行方向）に関しては屈折率導波作用がないため、
半導体１−−ザ出射ビームに非点収差が発生し、微少ビ
ームに絞り込むことが出来ない欠点があり、又、薄膜活
性層を形成する場合、活性層への光の閉じ込め率が大幅
に減少して発振閾値電流を大きくしてしまう等の欠点が
避けられないものであった。
対し透明な）−１ＧａＡｓ層等を形成する方法あるいは
反射面近傍の発光領域を除いて活性層に高濃度のＺｎ拡
散をほどこし、発振波長を低エネルギー側へ移動させる
ことによって反射面近傍領域を透明領域にする方法、あ
るいは又半導体レーザの活性層を０．０４μｍ程度にま
で薄膜化することにより光強度分布を拡大せしめ発光断
面積を太きくれている。しかしながら、これらの方法に
於いては製造工程が複雑で、再現性良く高性能な半導体
レーザを得ることが難しいばかりでなく、反射面近傍領
域においては、積層されている半導体層の厚み方向には
屈折率導波作用が維持されているがそれと直角方向Ｃ層
厚と平行方向）に関しては屈折率導波作用がないため、
半導体１−−ザ出射ビームに非点収差が発生し、微少ビ
ームに絞り込むことが出来ない欠点があり、又、薄膜活
性層を形成する場合、活性層への光の閉じ込め率が大幅
に減少して発振閾値電流を大きくしてしまう等の欠点が
避けられないものであった。
本発明の目的は上記従来構造の離点を除去し、高出力動
作に於ても反射面劣化を除去した信頼性込み、非点収差
のない良質の光ビームを得る半導体レーザを提供するこ
とにある。
作に於ても反射面劣化を除去した信頼性込み、非点収差
のない良質の光ビームを得る半導体レーザを提供するこ
とにある。
本発明の半導体レーザけ、発光領域となる第１の半導体
層を、これより禁制帯幅の大きい第２及び第３の半導体
層で挾む帯状多層構造を具備し、その帯状多層構造を、
第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第４の半導体層
で埋込んだ構造とし共振器長手方向にわたって、少なく
とも第１の半導体層の厚さを変化せしめたことを特徴と
する半導体レーザ構造である。
層を、これより禁制帯幅の大きい第２及び第３の半導体
層で挾む帯状多層構造を具備し、その帯状多層構造を、
第１の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第４の半導体層
で埋込んだ構造とし共振器長手方向にわたって、少なく
とも第１の半導体層の厚さを変化せしめたことを特徴と
する半導体レーザ構造である。
以下、本発明に係る実施例について図面を参照して説明
する。第１図は本発明に係る半導体レーザの光出射面側
の断面図を、第２図は同レーザの中央部横断面図を示す
。第３図は本発明に係る半導体レーザの他の一実施例の
中央部横断面図を示すものである。
する。第１図は本発明に係る半導体レーザの光出射面側
の断面図を、第２図は同レーザの中央部横断面図を示す
。第３図は本発明に係る半導体レーザの他の一実施例の
中央部横断面図を示すものである。
第１図は本発明に係る半導体レーザの一実施例型ＧａＡ
ｓ 、１’！ｉ （５）を形成する。
ｓ 、１’！ｉ （５）を形成する。
次に、結晶表面にストライブ状の８１０２マスクを形成
し、Ｈ，ＰＯ，＋Ｈ，０２＋３ＣＩ（３０Ｈ溶液を用い
てＧａＡｓ基板（１）に達する壕でエツチングにｔり溝
を形成して帯状積層体を形成する。次に再度結晶表面を
清浄にした後、第２液相成長工程により、ｎ型ＡＩ！ｏ
、、 Ｇａ ｏ、７Ａ、ｓ層（６）、ＰＱＡｅｏ、３Ｇ
ａｏ、７Ａｓ層（７）、ｎ型ｋＩ！。、３Ｇａｏ、７Ａ
ｓ層（８）を帯状積層体の上部には積層しない様に順次
形成した後、結晶表面全体をｊつ様にＰ型Ｇａ、ＡＳ層
（９）を形成する。
し、Ｈ，ＰＯ，＋Ｈ，０２＋３ＣＩ（３０Ｈ溶液を用い
てＧａＡｓ基板（１）に達する壕でエツチングにｔり溝
を形成して帯状積層体を形成する。次に再度結晶表面を
清浄にした後、第２液相成長工程により、ｎ型ＡＩ！ｏ
、、 Ｇａ ｏ、７Ａ、ｓ層（６）、ＰＱＡｅｏ、３Ｇ
ａｏ、７Ａｓ層（７）、ｎ型ｋＩ！。、３Ｇａｏ、７Ａ
ｓ層（８）を帯状積層体の上部には積層しない様に順次
形成した後、結晶表面全体をｊつ様にＰ型Ｇａ、ＡＳ層
（９）を形成する。
最後にｎ型コンタクト電１ｙ （１０） 、Ｐ型コンタ
クト電極（＋ ＋１を形成して本発明に係る半導体レー
ザが形成される。本構造に於いては、帯状積層体の側部
にＡｆｏ、、 Ｇａ ｏ、、 Ａｓによるｎ型、ｐ型、
ｎ型の半導体層が積ｊ−され、電流阻止効采が大きく、
帯状積層体部分に効率よく電流が流れ、発振効率の高い
半導体レーザが形成できる特徴を有している。
クト電極（＋ ＋１を形成して本発明に係る半導体レー
ザが形成される。本構造に於いては、帯状積層体の側部
にＡｆｏ、、 Ｇａ ｏ、、 Ａｓによるｎ型、ｐ型、
ｎ型の半導体層が積ｊ−され、電流阻止効采が大きく、
帯状積層体部分に効率よく電流が流れ、発振効率の高い
半導体レーザが形成できる特徴を有している。
また、本発明による構造に於ては活性層となるＡＪ６．
、 （ｉａ６．ｇ Ａｓ層（３）は、それよりも屈折率
の小さなＭＧａＡｓ （２ｋ （４）、 （７） Ｋ
ｊ ッテ包ＵＪＪ サレ、ｆｆｌ方向、タテ方向にも屈
折率導波機構を有しているため、出射ビームのビームウ
ェスト位置は結晶臂開面による反射面位置にあり、非点
収差がなく、微少スポットに絞り込もことが出来る良質
なレーザ光を得る特徴をも有したものである。
、 （ｉａ６．ｇ Ａｓ層（３）は、それよりも屈折率
の小さなＭＧａＡｓ （２ｋ （４）、 （７） Ｋ
ｊ ッテ包ＵＪＪ サレ、ｆｆｌ方向、タテ方向にも屈
折率導波機構を有しているため、出射ビームのビームウ
ェスト位置は結晶臂開面による反射面位置にあり、非点
収差がなく、微少スポットに絞り込もことが出来る良質
なレーザ光を得る特徴をも有したものである。
さらに、本発明に係る半導体レーザにより高出力動作を
達成できたことを、第２図によって説明する。第２図は
、第１図に示す本発明に係る半導体レーザの中央部分Ａ
における横断面を示すものである。本半導体レーザに於
ては、第２図と示す様に反射面近傍領賊となる（）ａＡ
ｓ基板（１）に凸部領域を形成し、その上に結晶成長工
程により多層の半導体層を形成した構造となってのる。
達成できたことを、第２図によって説明する。第２図は
、第１図に示す本発明に係る半導体レーザの中央部分Ａ
における横断面を示すものである。本半導体レーザに於
ては、第２図と示す様に反射面近傍領賊となる（）ａＡ
ｓ基板（１）に凸部領域を形成し、その上に結晶成長工
程により多層の半導体層を形成した構造となってのる。
ここで、通常よく用いられる液相結晶成長法においては
、凸部領域においては、その上に成長する結晶の層厚は
他の領域に比較して薄くなる特徴があり、本発明におい
ては、この結晶成長法の特徴を生かし、半導体レーザ反
対面近傍領域の活性層厚を他の領域に比較して薄くする
ことにある。
、凸部領域においては、その上に成長する結晶の層厚は
他の領域に比較して薄くなる特徴があり、本発明におい
ては、この結晶成長法の特徴を生かし、半導体レーザ反
対面近傍領域の活性層厚を他の領域に比較して薄くする
ことにある。
すなわち、本発明に於ては、半導体レーザ反対面近傍領
域となるＧａＡｓ基板に約１，５μｍ程度の凸部領域を
形成し、その上に順次ｎ型Ａｌ！’０．４ （ｈｏ、６
Ａｓ層（２）、活性層となるＡＩ！６．ＨＧａ ６．ｇ
Ａｓｓ層３）、 Ｐ型Ａｅ Ｏ，４Ｇａ０．６Ａｓ層
（４）、Ｐ、％ＩｊＧａ、Ａｓ層（５）を形成すること
によって、活性層となるＡ／？（、、、（１ａ６．ｇＡ
ｓ層（３）ノ層厚は半導体レーザ中央部領域に於ては、
０１μｍと厚くし、単導体レーザ反射面近傍領域に於て
は０．０２μｍ程度にまで薄くすることができる。
域となるＧａＡｓ基板に約１，５μｍ程度の凸部領域を
形成し、その上に順次ｎ型Ａｌ！’０．４ （ｈｏ、６
Ａｓ層（２）、活性層となるＡＩ！６．ＨＧａ ６．ｇ
Ａｓｓ層３）、 Ｐ型Ａｅ Ｏ，４Ｇａ０．６Ａｓ層
（４）、Ｐ、％ＩｊＧａ、Ａｓ層（５）を形成すること
によって、活性層となるＡ／？（、、、（１ａ６．ｇＡ
ｓ層（３）ノ層厚は半導体レーザ中央部領域に於ては、
０１μｍと厚くし、単導体レーザ反射面近傍領域に於て
は０．０２μｍ程度にまで薄くすることができる。
従って、この構造に於ては同図に示す様に層厚方向の光
強度分布は、反射面近傍では大きく広がった分布となり
、発光断面積ｖＪ二大きくなり光出力密度が低減でき、
５０ ｍＷ以」−の光出力動作に於いても反射面の破壊
が防止でき、信頼性の高い半導体レーザが形成できた。
強度分布は、反射面近傍では大きく広がった分布となり
、発光断面積ｖＪ二大きくなり光出力密度が低減でき、
５０ ｍＷ以」−の光出力動作に於いても反射面の破壊
が防止でき、信頼性の高い半導体レーザが形成できた。
また、この構造に於てｔ−１、半導体レーザ中央部領Ｉ
ｔ（７） 活性層ト’ｌ ＺＩ Ａｔｏ、ｔ ａａＬｌ
、、 Ａｓ ｌ脅（３）のｌ’Ｘみは０．１μｍであり
、活性層への光の閉じ込め係数は０．２程度となり、発
、ｉｌｌに閾値′ｌげ、ｂＩＣの増加を避けることがで
き、４．０ｍＡ程ＩＷの低い情振閾値を得、９０°Ｃ以
上の篩濡雰囲気湛ｊＢ゛状態に於ても４０ｒｎＷ以上の
光出力を得る安定な動作が達成でさた。
ｔ（７） 活性層ト’ｌ ＺＩ Ａｔｏ、ｔ ａａＬｌ
、、 Ａｓ ｌ脅（３）のｌ’Ｘみは０．１μｍであり
、活性層への光の閉じ込め係数は０．２程度となり、発
、ｉｌｌに閾値′ｌげ、ｂＩＣの増加を避けることがで
き、４．０ｍＡ程ＩＷの低い情振閾値を得、９０°Ｃ以
上の篩濡雰囲気湛ｊＢ゛状態に於ても４０ｒｎＷ以上の
光出力を得る安定な動作が達成でさた。
次に、本発明に」：る他の実施例について説明する。こ
の場合に於ても、レーザ光出射面側の断面図は前述した
実施例と同形であり、ｆｉｆｊ１図に示す通りである。
の場合に於ても、レーザ光出射面側の断面図は前述した
実施例と同形であり、ｆｉｆｊ１図に示す通りである。
同図中央部Ａにむけるれ“ａｌす１面図′と第３図に示
すが、前述した実ｆ布例と相異する点は第３図に示す様
に半導体レーザ反射面近傍領域のＧａＡｓ基板（１）に
斜面を有する溝を形成したことである。この斜面はアン
モニア系エツチング溶液により形成した（１１１） Ａ
面であり、この面上に於てけ、他の領置ｒ比較して結晶
の成長法ＦＷが遅い特徴を有するものである。従って、
第３図に示す様にこの様に形成した溝をイｒするＧａＡ
、ｓ基板」二に順次、ｎ ３ｊｊＪＡＩｏ、４． Ｇａ
ｏ、、 Ａｓ １４（２１，活性層となるＡ７′Ｏ＋
。
すが、前述した実ｆ布例と相異する点は第３図に示す様
に半導体レーザ反射面近傍領域のＧａＡｓ基板（１）に
斜面を有する溝を形成したことである。この斜面はアン
モニア系エツチング溶液により形成した（１１１） Ａ
面であり、この面上に於てけ、他の領置ｒ比較して結晶
の成長法ＦＷが遅い特徴を有するものである。従って、
第３図に示す様にこの様に形成した溝をイｒするＧａＡ
、ｓ基板」二に順次、ｎ ３ｊｊＪＡＩｏ、４． Ｇａ
ｏ、、 Ａｓ １４（２１，活性層となるＡ７′Ｏ＋
。
ｏａｏ、、 Ａｓ層（３）、 Ｐ型Ａｙ？ｏ、、 （）
ａ Ｑ、＋１ 、ＡＳ層（４）、 Ｐ型（ＪａＡｓ層を
形成するに際し、（１１，１）Ａ面上の結晶成長速変が
遅く、反射面近傍領域の活性層厚を０．０２μｍ程度に
薄くすることが再現よく形成でき、前述した実施例と同
様に反射面近傍領域では、光強度分布が大きく拡がり、
光出力密度を低減でき、５０＋ｎＷ以上の光出力動作に
於ても反射面の破壊が１υｉ止できるものとなる。また
、この構造に於ても半導体レーザ中央部領域の活性層厚
は０１μｍ程度に形キ 成丹ぺ一発振閾値電流を４０ ｍＡ程度に低減でき、良
効な特性を達成できるのは、前述の実施例と同様である
。
ａ Ｑ、＋１ 、ＡＳ層（４）、 Ｐ型（ＪａＡｓ層を
形成するに際し、（１１，１）Ａ面上の結晶成長速変が
遅く、反射面近傍領域の活性層厚を０．０２μｍ程度に
薄くすることが再現よく形成でき、前述した実施例と同
様に反射面近傍領域では、光強度分布が大きく拡がり、
光出力密度を低減でき、５０＋ｎＷ以上の光出力動作に
於ても反射面の破壊が１υｉ止できるものとなる。また
、この構造に於ても半導体レーザ中央部領域の活性層厚
は０１μｍ程度に形キ 成丹ぺ一発振閾値電流を４０ ｍＡ程度に低減でき、良
効な特性を達成できるのは、前述の実施例と同様である
。
尚、上記２つの実施例では第１半導体層の厚さが徐々に
変化している構造であるが、１幀厚がステップ状に変化
１−でいても実姉例と同様の効果がある。
変化している構造であるが、１幀厚がステップ状に変化
１−でいても実姉例と同様の効果がある。
以上、述べた様に本発明に係る半導体レーザ構造によっ
て反射面近傍領域１（おいては発光断面Ｌ１を大きくし
て、光出力密度を１成域でき、ＦＯｍＷ以上の高出力動
作状たに尾於ても、反対面の破壊を防止でき、さらに半
導体レーデ中央部領１或においては発光断面積を小さく
して、活性ｔｍへの光の閉じ込め係数を大きくして発振
ｔ：Ｌ＜値電流の低減を可能ならしめ、さらには発光＠
城となる活性層をそれよりも屈折率の不染外半導体１付
で包囲することによって、横方向、・タテ方向ともに屈
折率導波機構を組込み、非点収差のないＩＡ質の光ビー
１１を得る高性能な半導体レーザを再現性よく形成でき
る。
て反射面近傍領域１（おいては発光断面Ｌ１を大きくし
て、光出力密度を１成域でき、ＦＯｍＷ以上の高出力動
作状たに尾於ても、反対面の破壊を防止でき、さらに半
導体レーデ中央部領１或においては発光断面積を小さく
して、活性ｔｍへの光の閉じ込め係数を大きくして発振
ｔ：Ｌ＜値電流の低減を可能ならしめ、さらには発光＠
城となる活性層をそれよりも屈折率の不染外半導体１付
で包囲することによって、横方向、・タテ方向ともに屈
折率導波機構を組込み、非点収差のないＩＡ質の光ビー
１１を得る高性能な半導体レーザを再現性よく形成でき
る。
Ｃ以 下 余 白）
第１図は本発明に係る半導体レーザのレーザビーム出射
面側の断面模式図、第２１図は第１図中央部Ａにおける
横断面模式図、第３図は本発明の他の一実施例における
横断面模式図をそれぞれ示す。 図において、 １、：ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ： ｎ ％ Ａ−ｅｏ、、 Ｇａ（、，６Ａｓ層３
： Ａｔｏ、、ＧａＯ，、Ａｓ活性層４ ： ｐ型ｋ
ｌ（、、、Ｇａ６．、Ｎ３層５：ｐ型ＧａＡｓ層 ６：ｎ型Ａ／’６．３ Ｇａｏ、７Ａｊ ＩＩ７エ、型
ｋ１６．． Ｇａｏ、、Ａ ５ｆ−８： ｎ型Ｍ６．ｓ
Ｇａ ６，７Ａ ｓ層９；Ｐ型ＧａＡｓ １ｉＪ １０：ｎ型コンタクト電極 １１； ｐ型コンタクト１！極 をそれぞれ示す。
面側の断面模式図、第２１図は第１図中央部Ａにおける
横断面模式図、第３図は本発明の他の一実施例における
横断面模式図をそれぞれ示す。 図において、 １、：ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ： ｎ ％ Ａ−ｅｏ、、 Ｇａ（、，６Ａｓ層３
： Ａｔｏ、、ＧａＯ，、Ａｓ活性層４ ： ｐ型ｋ
ｌ（、、、Ｇａ６．、Ｎ３層５：ｐ型ＧａＡｓ層 ６：ｎ型Ａ／’６．３ Ｇａｏ、７Ａｊ ＩＩ７エ、型
ｋ１６．． Ｇａｏ、、Ａ ５ｆ−８： ｎ型Ｍ６．ｓ
Ｇａ ６，７Ａ ｓ層９；Ｐ型ＧａＡｓ １ｉＪ １０：ｎ型コンタクト電極 １１； ｐ型コンタクト１！極 をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 発光領域となる第１の半導体層を、これより禁制帯幅の
大きい第２及び第３の半導体層で挾む帯状多層構造を具
備し、その帯状多層構造を第１の半導体層より禁制帯幅
の大きい第４の半導体層で埋込んだ構造の半導体発光素
子に於て、共振器長手方向だわたって、少なくとも第１
の半導体層の厚さを変化せしめたことを特徴とする半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12580783A JPS6017979A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12580783A JPS6017979A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017979A true JPS6017979A (ja) | 1985-01-29 |
Family
ID=14919395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12580783A Pending JPS6017979A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017979A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170082A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Hitachi Ltd | ダブルヘテロ構造半導体レーザ装置 |
| US5486490A (en) * | 1992-12-15 | 1996-01-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making semiconductor laser |
| DE102021109986A1 (de) | 2021-04-20 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterchips und Licht emittierender Halbleiterchip |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP12580783A patent/JPS6017979A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170082A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Hitachi Ltd | ダブルヘテロ構造半導体レーザ装置 |
| US5486490A (en) * | 1992-12-15 | 1996-01-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making semiconductor laser |
| DE102021109986A1 (de) | 2021-04-20 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterchips und Licht emittierender Halbleiterchip |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63318195A (ja) | 横方向埋め込み型面発光レ−ザ | |
| US20060088072A1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| JPH0196980A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS6343908B2 (ja) | ||
| JP4011640B2 (ja) | 半導体レーザ，及び半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6017979A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| US4759025A (en) | Window structure semiconductor laser | |
| JPS6235689A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP2846668B2 (ja) | ブロードエリアレーザ | |
| US5707892A (en) | Method for fabricating a semiconductor laser diode | |
| JPH0474876B2 (ja) | ||
| JPS59149078A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH01108789A (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
| JPS5948973A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6037190A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH05226765A (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| JPS6155276B2 (ja) | ||
| JPS60132381A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0964458A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS63306686A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS60226191A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS58216488A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH01181493A (ja) | 端面窓型半導体レーザ素子 | |
| JPS62155582A (ja) | 埋め込み型半導体レ−ザ | |
| JPS6018986A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 |