JPS6017992A - 集積回路用セラミック基板の焼成法 - Google Patents
集積回路用セラミック基板の焼成法Info
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- JPS6017992A JPS6017992A JP12482583A JP12482583A JPS6017992A JP S6017992 A JPS6017992 A JP S6017992A JP 12482583 A JP12482583 A JP 12482583A JP 12482583 A JP12482583 A JP 12482583A JP S6017992 A JPS6017992 A JP S6017992A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 101100313164 Caenorhabditis elegans sea-1 gene Proteins 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミック基板上に形成されたパターンへの
接続部を基板裏面に有する集積回路用セラミック基板の
製造法に関するものであり、さらに詳しくは例えば、プ
ラグインパッケージの如き集積回路パッケージのセラミ
ック基板を安定して）ｑる集積回路用セラミック）；１
板の製造法に関するものである。
接続部を基板裏面に有する集積回路用セラミック基板の
製造法に関するものであり、さらに詳しくは例えば、プ
ラグインパッケージの如き集積回路パッケージのセラミ
ック基板を安定して）ｑる集積回路用セラミック）；１
板の製造法に関するものである。
従来、プラグインパッケージのような集積回路用セラミ
ック基板の製造法としては、例えば第１図に示すように
、セラミックグリーンシート１の表面にモリブデンある
いはタングステン等よりなるメタライズペーストでパタ
ーン２及び該パターンを裏面に接続するスルボール３及
び裏面にリード接続部となるメタライズ層４を印刷し、
ざらにその表面にパターン２の１部に開口するスルボー
ル５及び表面に印刷パターン６を右するセラミックグリ
ーンシート７を積層し、さらにその表面に印刷パターン
８を有するセラミックグリーンシート９を積層した積層
板をモリブデン等よりなる焼成用平板セッター１０の上
に載置して還元雰囲気中で焼成する方法が広く知られて
いる。
ック基板の製造法としては、例えば第１図に示すように
、セラミックグリーンシート１の表面にモリブデンある
いはタングステン等よりなるメタライズペーストでパタ
ーン２及び該パターンを裏面に接続するスルボール３及
び裏面にリード接続部となるメタライズ層４を印刷し、
ざらにその表面にパターン２の１部に開口するスルボー
ル５及び表面に印刷パターン６を右するセラミックグリ
ーンシート７を積層し、さらにその表面に印刷パターン
８を有するセラミックグリーンシート９を積層した積層
板をモリブデン等よりなる焼成用平板セッター１０の上
に載置して還元雰囲気中で焼成する方法が広く知られて
いる。
しかしながら、このＪ：うな従来の集積回路用ヒラミッ
ク基板のＶ造法はセラミックグリーンシー１〜１の裏面
に露出した、例えば多数のリード取付り用メタライズ層
４が焼成中に焼成用平板セッター１０に溶融接着し製品
不良が発生する問題点があった。又、この問題点をなく
すため、メタライズ層１がしツタ−１０に接触しないよ
うに両者間にスペーク−（図示ぜず）を介在させて焼成
するかあるいは積層板を前記と上下逆にして焼成する方
法も知られているが、いずれも積層板に反りが生ずる欠
点があった。
ク基板のＶ造法はセラミックグリーンシー１〜１の裏面
に露出した、例えば多数のリード取付り用メタライズ層
４が焼成中に焼成用平板セッター１０に溶融接着し製品
不良が発生する問題点があった。又、この問題点をなく
すため、メタライズ層１がしツタ−１０に接触しないよ
うに両者間にスペーク−（図示ぜず）を介在させて焼成
するかあるいは積層板を前記と上下逆にして焼成する方
法も知られているが、いずれも積層板に反りが生ずる欠
点があった。
本発明は、セラミック基板の裏面に例えば多数のロウ（
ＪＩ：Ｊ用メタライズ層が露出した例えばプラグインパ
ッケージの如ぎ集積回路用セラミックの基板をその焼成
中における反り、メタライズ層の相ｎ溶着等を全くなく
して安定して得るセラミック基板の製造法を提供するこ
とにある。
ＪＩ：Ｊ用メタライズ層が露出した例えばプラグインパ
ッケージの如ぎ集積回路用セラミックの基板をその焼成
中における反り、メタライズ層の相ｎ溶着等を全くなく
して安定して得るセラミック基板の製造法を提供するこ
とにある。
本発明はセラミック基板内に形成されたパターンと導通
Ｊ−るメタライズ層が基板裏面に露出して成る集積回路
用セラミックの基板の製造法において、基板裏面に露出
したメタライズ層の少なくとも１部を露出させてセラミ
ック基板裏面にメタライズ層の〜みＪ、す１９い絶縁層
を塗イ１１シ、メタライズ層を焼成用ヒツターと」１接
触状ｒ１りとしＣ−焼成する集積回路用ｌ！フミック＋
７４仮の１１１造法である。
Ｊ−るメタライズ層が基板裏面に露出して成る集積回路
用セラミックの基板の製造法において、基板裏面に露出
したメタライズ層の少なくとも１部を露出させてセラミ
ック基板裏面にメタライズ層の〜みＪ、す１９い絶縁層
を塗イ１１シ、メタライズ層を焼成用ヒツターと」１接
触状ｒ１りとしＣ−焼成する集積回路用ｌ！フミック＋
７４仮の１１１造法である。
本発明の史に詳しい４部成をぞの一↓−４体例を承り第
２図に３１づいて説明りるど、アルミナ、ベリリア等の
レラミックグリーンシ−１〜１１の表面にモリブデンあ
るいはタンゲスｊ″７４丁どのメタライスペース１へて
パターン１２及び該パターンを裏面に接続４るスルホー
ル１３及び裏面にリード接続部どなるメタライズＩＦｉ
１４を印刷し、更にこの−にに印刷パターン１６及び必
要に応じ下部パターン１２と接続するスルホール１５を
右するグリーンシー１〜１７を複数枚積層する。そして
更にレラミックグリーンシー１−１１の裏面に好Ｊ、し
くけ裏面のメタライズＭ１４の中央部を残しメタライズ
層１４の外周部を含み好ましくは、グリーンシートと同
祠質よりなる絶縁層２１を印刷塗布り−る。そ１）でこ
れらの積層板を乾燥後、金属モリブデン等よりなる焼成
用平板ｌ？フッタ２０の上に絶縁層２１を接触させて載
若し、ｔ？ラミック基板１１の裏面のメタライズ層１４
をレッター２０と非３− 接触４人態として還元雰囲気中で焼成して集積回路用セ
ラミック基板を製造するものである。
２図に３１づいて説明りるど、アルミナ、ベリリア等の
レラミックグリーンシ−１〜１１の表面にモリブデンあ
るいはタンゲスｊ″７４丁どのメタライスペース１へて
パターン１２及び該パターンを裏面に接続４るスルホー
ル１３及び裏面にリード接続部どなるメタライズＩＦｉ
１４を印刷し、更にこの−にに印刷パターン１６及び必
要に応じ下部パターン１２と接続するスルホール１５を
右するグリーンシー１〜１７を複数枚積層する。そして
更にレラミックグリーンシー１−１１の裏面に好Ｊ、し
くけ裏面のメタライズＭ１４の中央部を残しメタライズ
層１４の外周部を含み好ましくは、グリーンシートと同
祠質よりなる絶縁層２１を印刷塗布り−る。そ１）でこ
れらの積層板を乾燥後、金属モリブデン等よりなる焼成
用平板ｌ？フッタ２０の上に絶縁層２１を接触させて載
若し、ｔ？ラミック基板１１の裏面のメタライズ層１４
をレッター２０と非３− 接触４人態として還元雰囲気中で焼成して集積回路用セ
ラミック基板を製造するものである。
なお、セラミック基板１１の裏面に塗布Ｊ−る絶縁層２
１は、メタライズ層１４をレッター２０と非接触状態と
するためにメタライズ層１４の厚みより厚い膜厚が必要
である。そして好ましくは絶縁層２１はメタライズ層１
４の中央部を除きメタライズ層１４の外周部に重ねて印
刷することが良く、その絶縁層２１の厚みは１０〜５０
μｍ程度が良い。
１は、メタライズ層１４をレッター２０と非接触状態と
するためにメタライズ層１４の厚みより厚い膜厚が必要
である。そして好ましくは絶縁層２１はメタライズ層１
４の中央部を除きメタライズ層１４の外周部に重ねて印
刷することが良く、その絶縁層２１の厚みは１０〜５０
μｍ程度が良い。
そして、焼成後のセラミック基板に対しては、セラミッ
ク基板１１の裏面の絶縁層２１間に開口するメタライズ
層１４にリード線又は導体ビン（いずれも図示せず）を
ロウイ］【プ等により固着すると、例えばプラグインパ
ッケージ等のセラミックパッケージが出来上るものであ
る。
ク基板１１の裏面の絶縁層２１間に開口するメタライズ
層１４にリード線又は導体ビン（いずれも図示せず）を
ロウイ］【プ等により固着すると、例えばプラグインパ
ッケージ等のセラミックパッケージが出来上るものであ
る。
本発明によれば次のＪ：うな効果が得られる。
（１）メタライズ層１４ど焼成用セッター２１との溶着
が完全に防止できる。
が完全に防止できる。
（２）焼成用レッター２０への基板の詰め作業効率を茗
しく高めることが出来る。
しく高めることが出来る。
４−
（３）品質の安定したセラミック基板が製造できる。
又、本発明は次のよう４ｆ製晶の製造法として利用出来
る。
る。
■プラグインパッケージ基板
■ＤＩＰ形パッケージ基板
■多層配線基板
■トランジスターパッケージ基板
第１図は従来の集積回路用セラミック基板の焼成状態を
模式的に示を説明図であり、 第２図は本発明の集積回路用セラミック基板の焼成状態
を模式的に示す説明図である。 １．７，９，１１，１７．１９・・・セラｆミックグリ
ーンシー１〜２．６，８，１２，１６．１８川パターン
３．５，１３．１５・・・スルホール ４．１４・・・メタライズ層 １０．２０・・・焼成用平板セッター ２１・・・絶縁層
模式的に示を説明図であり、 第２図は本発明の集積回路用セラミック基板の焼成状態
を模式的に示す説明図である。 １．７，９，１１，１７．１９・・・セラｆミックグリ
ーンシー１〜２．６，８，１２，１６．１８川パターン
３．５，１３．１５・・・スルホール ４．１４・・・メタライズ層 １０．２０・・・焼成用平板セッター ２１・・・絶縁層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック基板上に形成されたパターンど導通ずる
メタライズ層が基板裏面に露出して成る集積回路用セラ
ミック基板の製造法において、基板裏面に露出したメタ
ライズ層の少なくとも１部を除き、セラミック基板裏面
にメタライズ層の厚みより厚い絶縁層を塗布し、メタラ
イズ層を焼成用レッターと非接触状態として焼成するこ
とを特徴どする集積回路用セラミック基板の製造法。 ２、絶縁層をメタライズ層の外周部を含む基板裏面に塗
布する特許請求の範囲第１項記載の集積回路用セラミッ
ク基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12482583A JPS6017992A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 集積回路用セラミック基板の焼成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12482583A JPS6017992A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 集積回路用セラミック基板の焼成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017992A true JPS6017992A (ja) | 1985-01-29 |
| JPS6350861B2 JPS6350861B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=14895034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12482583A Granted JPS6017992A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 集積回路用セラミック基板の焼成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017992A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439599A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-10 | Hidaka Seiki Kk | 熱交換器用フィンの製造法 |
| JPH05144967A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パツケージの製造方法 |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP12482583A patent/JPS6017992A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439599A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-10 | Hidaka Seiki Kk | 熱交換器用フィンの製造法 |
| JPH05144967A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パツケージの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350861B2 (ja) | 1988-10-12 |
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