JPS60180152A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS60180152A JPS60180152A JP59034352A JP3435284A JPS60180152A JP S60180152 A JPS60180152 A JP S60180152A JP 59034352 A JP59034352 A JP 59034352A JP 3435284 A JP3435284 A JP 3435284A JP S60180152 A JPS60180152 A JP S60180152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- semiconductor element
- expansion coefficient
- thin metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/476—Organic materials comprising silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07553—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、半導体素子のポンディングパッドから引出
される金属細線の接続部分を含む前記素子表面を、封止
樹脂とは異なる保護膜としての樹脂で覆った樹脂封止型
半導体装置に関するものである。
される金属細線の接続部分を含む前記素子表面を、封止
樹脂とは異なる保護膜としての樹脂で覆った樹脂封止型
半導体装置に関するものである。
（従来技術）
樹脂封止型半導体装置のある種においては、半導体素子
のポンディングパッドから引出される金属細線の接続部
、分を含む前記素子表面を、封止樹脂とは異なる保護膜
としての樹脂で櫟っている。
のポンディングパッドから引出される金属細線の接続部
、分を含む前記素子表面を、封止樹脂とは異なる保護膜
としての樹脂で櫟っている。
その目的は、封止樹１脂中に存在するウランやトリウム
が放射性崩壊する際に放出されるアルファ粒子がメモリ
ーアレイ領域を透過することによシ記憶データが逆転し
てしまうソフトエラーを防止することにある。また、外
部から侵入する湿気や不純物イオンによシ牛導体素子の
アルミ配線が腐食することを防止することにある。
が放射性崩壊する際に放出されるアルファ粒子がメモリ
ーアレイ領域を透過することによシ記憶データが逆転し
てしまうソフトエラーを防止することにある。また、外
部から侵入する湿気や不純物イオンによシ牛導体素子の
アルミ配線が腐食することを防止することにある。
従来、上述のような保護膜としての樹脂としては、硬化
剤などを加えたシリコン系樹脂が用いられている。第１
図は、シリコン系樹脂を保護膜として半導体素子表面に
コーティングした従来の樹脂封止型半導体装置を示し、
１はアイランド部、２は半導体素子、３は半導体素子２
のパッド部４と外部引き出しリード５のポスト部６とを
接続する金属細線、７は・母ツド部４における金属細線
３の接続部分を含む半導体素子２の表面にコーティング
された保護膜としてのシリコン系樹脂、８は封止樹脂で
ある。
剤などを加えたシリコン系樹脂が用いられている。第１
図は、シリコン系樹脂を保護膜として半導体素子表面に
コーティングした従来の樹脂封止型半導体装置を示し、
１はアイランド部、２は半導体素子、３は半導体素子２
のパッド部４と外部引き出しリード５のポスト部６とを
接続する金属細線、７は・母ツド部４における金属細線
３の接続部分を含む半導体素子２の表面にコーティング
された保護膜としてのシリコン系樹脂、８は封止樹脂で
ある。
ところで、シリコン系樹脂は表面張力が大きい。
したがって、半導体素子表面にコーティングするために
シリコン系樹脂を半導体素子表面に滴下した際に、その
シリコン系樹脂の広がりが悪い。そこで、半導体素子表
面に薄く均一にコーティングするに必要な量以上にシリ
コン系樹脂を半導体素子表面に滴下することになるが、
すると、でき上がシにおいて、半導体素子表面の端部に
おいてもシリコン系樹脂層が厚くなってしまう。そして
、半導体素子表面の端部においてシリコン系樹脂層が厚
くなると、金属細線のボンディング直上部（第１図にお
いて符号９を付した部分）においてその金属細線がしば
しば断線した。
シリコン系樹脂を半導体素子表面に滴下した際に、その
シリコン系樹脂の広がりが悪い。そこで、半導体素子表
面に薄く均一にコーティングするに必要な量以上にシリ
コン系樹脂を半導体素子表面に滴下することになるが、
すると、でき上がシにおいて、半導体素子表面の端部に
おいてもシリコン系樹脂層が厚くなってしまう。そして
、半導体素子表面の端部においてシリコン系樹脂層が厚
くなると、金属細線のボンディング直上部（第１図にお
いて符号９を付した部分）においてその金属細線がしば
しば断線した。
この不都合を詳述する。いま、シリコン系樹脂層が半導
体素子表面の端部において厚くなると、そのシリコン系
樹脂と封止樹脂は前記ボンディング直上部９の部分にお
いて接することになる。一方、シリコン系樹脂の線膨張
係数は４Ｘ１０／’Ｃ、エポキシ系樹脂からなる封止樹
脂の線膨張係数は２．３ Ｘ １０−５／’Ｃであり、
両者の膨張係数の曲には１桁という大きな差がある。し
たがって、熱などによυ、シリコン系樹脂と封止樹脂の
界面に応力が発生するが、前述のように界面がボンディ
ング直上部９の部分において存在する場合、そのボンテ
ィング直上部９において応力が金属細線に加わり、その
部分において金属細線が断線することになる。
体素子表面の端部において厚くなると、そのシリコン系
樹脂と封止樹脂は前記ボンディング直上部９の部分にお
いて接することになる。一方、シリコン系樹脂の線膨張
係数は４Ｘ１０／’Ｃ、エポキシ系樹脂からなる封止樹
脂の線膨張係数は２．３ Ｘ １０−５／’Ｃであり、
両者の膨張係数の曲には１桁という大きな差がある。し
たがって、熱などによυ、シリコン系樹脂と封止樹脂の
界面に応力が発生するが、前述のように界面がボンディ
ング直上部９の部分において存在する場合、そのボンテ
ィング直上部９において応力が金属細線に加わり、その
部分において金属細線が断線することになる。
（発明の目的）
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は
、半導体素子の表面を保護膜としての樹脂で覆った樹脂
封止型半導体装置において、熱応力などによる金属細線
の断線を低減し、信頼性の高い半導体装置を得ることに
ある。
、半導体素子の表面を保護膜としての樹脂で覆った樹脂
封止型半導体装置において、熱応力などによる金属細線
の断線を低減し、信頼性の高い半導体装置を得ることに
ある。
（発明の概要）
この発明の要点は、保騰膜としての第１樹脂に無機絶縁
性固形物を添加して、その膨張係数を、封止樹脂として
の第２樹脂の膨張係数に近似させることにある。
性固形物を添加して、その膨張係数を、封止樹脂として
の第２樹脂の膨張係数に近似させることにある。
（実施例）
以下この発明の一実施例を図面を参梱して説明する。第
２図はこの発明の一実施例を示す図である。この図にお
いて、１１はアイランド部で、その上に半導体素子１２
が搭載される。半導体素子１２は、パッド部（ポンプイ
ングツｆツド）１３が、外部引き出しり−ド１４のポス
ト部１５に金属細線１６によシ接続される。また、半導
体素子１２は、前記パッド部１３に対する金属細線１６
の接続部分を含む素子表面が、保護膜としての第１樹脂
１７で櫟われる。ここで、第１樹脂１７としてハ、膨張
係数の低いシリカやアルミナなどの無機絶縁性固形物１
８を添加することによシ膨張係数を後述する封止樹脂の
膨張係数程度に下げたシリコン系樹脂が用いられる。そ
して、このような第１樹脂１７で表面が覆われた半導体
素子１２の部分および前記金属細線１６による配線部は
、エポキシ系樹脂からなる封止樹脂１９によシ封止され
る。
２図はこの発明の一実施例を示す図である。この図にお
いて、１１はアイランド部で、その上に半導体素子１２
が搭載される。半導体素子１２は、パッド部（ポンプイ
ングツｆツド）１３が、外部引き出しり−ド１４のポス
ト部１５に金属細線１６によシ接続される。また、半導
体素子１２は、前記パッド部１３に対する金属細線１６
の接続部分を含む素子表面が、保護膜としての第１樹脂
１７で櫟われる。ここで、第１樹脂１７としてハ、膨張
係数の低いシリカやアルミナなどの無機絶縁性固形物１
８を添加することによシ膨張係数を後述する封止樹脂の
膨張係数程度に下げたシリコン系樹脂が用いられる。そ
して、このような第１樹脂１７で表面が覆われた半導体
素子１２の部分および前記金属細線１６による配線部は
、エポキシ系樹脂からなる封止樹脂１９によシ封止され
る。
以上の説明よシ明らかなように、この発明の一実施例で
は、保護膜としての第１樹脂（シリコン系樹脂）１７に
、膨張係数の低い無機絶縁性固形物１８を添加すること
によυ、その第１樹脂１７の膨張係数を封止樹脂１９の
膨張係数程度に下げる。例えば、シリコン系樹脂の線膨
張係数は４×１０−’／℃であるが、これに、線膨張係
数が５．５〜６．６ Ｘ １０−７／℃のシリカを混入
させると、第１樹脂１７の線膨張係数は２〜４ｘｌＯ／
’Ｃとなシ、エポキシ樹脂からなる封止樹脂１９の線膨
張係数２．３ Ｘ １０−’／’Ｃと近似する。そして
、このように第１樹脂１７と封止樹脂１９の膨張係数が
近似すれば、両者の界面に熱などによシ応力が発生する
ことがなくなる。したがって、第１樹脂１７が半導体素
子１２の表面端部においても厚くコーティングされたと
しても、従来のように金属細線１６がボンディング直上
部（第２図において符号２０を付して示す部分）におい
て断線することがなくなる。
は、保護膜としての第１樹脂（シリコン系樹脂）１７に
、膨張係数の低い無機絶縁性固形物１８を添加すること
によυ、その第１樹脂１７の膨張係数を封止樹脂１９の
膨張係数程度に下げる。例えば、シリコン系樹脂の線膨
張係数は４×１０−’／℃であるが、これに、線膨張係
数が５．５〜６．６ Ｘ １０−７／℃のシリカを混入
させると、第１樹脂１７の線膨張係数は２〜４ｘｌＯ／
’Ｃとなシ、エポキシ樹脂からなる封止樹脂１９の線膨
張係数２．３ Ｘ １０−’／’Ｃと近似する。そして
、このように第１樹脂１７と封止樹脂１９の膨張係数が
近似すれば、両者の界面に熱などによシ応力が発生する
ことがなくなる。したがって、第１樹脂１７が半導体素
子１２の表面端部においても厚くコーティングされたと
しても、従来のように金属細線１６がボンディング直上
部（第２図において符号２０を付して示す部分）におい
て断線することがなくなる。
なお、これまでの説明においては、保護膜としての樹脂
にシリコン系樹脂を用いる場合について説明したが、こ
の保護膜樹脂に、封止樹脂としてのエポキシ系樹脂とは
質の異なるエポキシ系樹脂を用いることもある。その場
合も、そのエポキシ系樹脂の線膨張係数が４．５〜６．
５ Ｘ １０−５／’Ｃであって封止樹脂の線膨張係数
とは異なるから、従来、同様な欠点があった。そこで、
保護膜樹脂（第１樹脂）としてエポキシ系樹脂を用いる
場合も、そのエポキシ系樹脂に上記一実施例と同様に無
機絶縁性固形物を添加して、膨張係数を封止樹脂の膨張
係数と近似させることにより、金属細線の断線を防止で
きる。なお、保護膜樹脂としてのエポキシ系樹脂（線膨
張係数４．５〜６．５ Ｘ １０−５／’Ｃ）に線膨張
係数５．５〜６．６ Ｘ １０ ／’Ｃのシリカ全添加
すると、線膨張係数は２．０〜４．ＯＸ １０−５／’
Ｃとなる。
にシリコン系樹脂を用いる場合について説明したが、こ
の保護膜樹脂に、封止樹脂としてのエポキシ系樹脂とは
質の異なるエポキシ系樹脂を用いることもある。その場
合も、そのエポキシ系樹脂の線膨張係数が４．５〜６．
５ Ｘ １０−５／’Ｃであって封止樹脂の線膨張係数
とは異なるから、従来、同様な欠点があった。そこで、
保護膜樹脂（第１樹脂）としてエポキシ系樹脂を用いる
場合も、そのエポキシ系樹脂に上記一実施例と同様に無
機絶縁性固形物を添加して、膨張係数を封止樹脂の膨張
係数と近似させることにより、金属細線の断線を防止で
きる。なお、保護膜樹脂としてのエポキシ系樹脂（線膨
張係数４．５〜６．５ Ｘ １０−５／’Ｃ）に線膨張
係数５．５〜６．６ Ｘ １０ ／’Ｃのシリカ全添加
すると、線膨張係数は２．０〜４．ＯＸ １０−５／’
Ｃとなる。
（発明の効果）
以上詳述したように、この発明の樹脂封止型半導体装置
によれば、保護膜としての第１樹脂に無機絶縁性固形物
を添加して、その膨張係数を、封止樹脂としての第２樹
脂の膨張係数に近似させるようにしたので、第１樹脂が
半導体素子表面の端部においても厚くコーティングされ
たとしても、熱応力などによ多金属細線が断線すること
を低減でき、信頼性を高めることができる。
によれば、保護膜としての第１樹脂に無機絶縁性固形物
を添加して、その膨張係数を、封止樹脂としての第２樹
脂の膨張係数に近似させるようにしたので、第１樹脂が
半導体素子表面の端部においても厚くコーティングされ
たとしても、熱応力などによ多金属細線が断線すること
を低減でき、信頼性を高めることができる。
第１図は従来の樹脂封止型半導体装＠を示す図、第２図
はこの発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示す図
である。 １２・・・半導体素子、１３・・・パッド部、１４・・
・外部引き出しリード、１６・・・金属細線、１７・・
・第１樹脂、１８・・・無機絶縁性固形物、１９・・・
封止樹脂。 特許出願人 沖電気工業株式会社 味 Φ ぐ
はこの発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示す図
である。 １２・・・半導体素子、１３・・・パッド部、１４・・
・外部引き出しリード、１６・・・金属細線、１７・・
・第１樹脂、１８・・・無機絶縁性固形物、１９・・・
封止樹脂。 特許出願人 沖電気工業株式会社 味 Φ ぐ
Claims (1)
- 半導体素子のポンディングパッドから引出される金属細
線の接続部分を含む前記素子表面を第１樹脂で被覆し、
かつその第１樹脂で被覆された前記素子ならびに前記金
属細線による配線部を第２樹脂で封止してなる樹脂封止
型半導体装置において、前記第１樹脂に、その膨張係数
を前記第２樹脂の膨張係数に近似させる量の無機絶縁性
固形物を添加したことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034352A JPS60180152A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034352A JPS60180152A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180152A true JPS60180152A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12411756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034352A Pending JPS60180152A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5097317A (en) * | 1989-09-08 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59034352A patent/JPS60180152A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5097317A (en) * | 1989-09-08 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4712129A (en) | Integrated circuit device with textured bar cover | |
| KR970025350A (ko) | 반도체 장치 | |
| JPS60180152A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US6913951B2 (en) | Method of making a lead-on-chip device | |
| JPS5938075A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS61230344A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6060742A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2871987B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS62296541A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60167432A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001196505A (ja) | 半導体チップ表面露出型の樹脂封止半導体パッケージ | |
| KR940007378B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| JP3232697B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5998540A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2680969B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS58182252A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03166754A (ja) | 樹脂封止形半導体装置用リードフレーム | |
| CA2021682C (en) | Chip-carrier with alpha ray shield | |
| JPH0329333A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH10163410A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61207037A (ja) | Ｉｃパツケ−ジ | |
| JPH03295247A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02180035A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2954066B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02105546A (ja) | 半導体装置 |