JPS6018123B2 - 抵抗薄膜 - Google Patents
抵抗薄膜Info
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- JPS6018123B2 JPS6018123B2 JP55080578A JP8057880A JPS6018123B2 JP S6018123 B2 JPS6018123 B2 JP S6018123B2 JP 55080578 A JP55080578 A JP 55080578A JP 8057880 A JP8057880 A JP 8057880A JP S6018123 B2 JPS6018123 B2 JP S6018123B2
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- Japan
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- thin film
- resistive thin
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- nickel
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Links
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品として使用される抵抗薄膜に関する
ものである。
ものである。
この種抵抗薄膜として具備すべき好ましい特性としては
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係数が小さいこと、
また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が
小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等の
種々にわたる特性が要求される。
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係数が小さいこと、
また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が
小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等の
種々にわたる特性が要求される。
さらに、近年はこの抵抗温度係数に対して中心値が０〜
２戟伽′℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従釆、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
２戟伽′℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従釆、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
そして、薄膜材料としては、窒化タンタル（ＴａＮ），
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃｒ−Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性，耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度
係数は１００〜１５■柳／ｑＣと大きい。さらに、Ｎｉ
−Ｃｒ−ＡＩ，Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性，耐薬
品性に富み、抵抗温度係数も小さいが、虹もしくはＳｉ
量が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大き
くなるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要
であり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続し
て作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記
のような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施
例について詳細に説明する。
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃｒ−Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性，耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度
係数は１００〜１５■柳／ｑＣと大きい。さらに、Ｎｉ
−Ｃｒ−ＡＩ，Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性，耐薬
品性に富み、抵抗温度係数も小さいが、虹もしくはＳｉ
量が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大き
くなるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要
であり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続し
て作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記
のような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施
例について詳細に説明する。
まず、アルミナ円柱形の基体にＤＣマグネトロンスパツ
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
，クローム（Ｃｒ），シリコン（Ｓｉ），ランタン（Ｌ
ａ）をスパッタリングして着膜させた。
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
，クローム（Ｃｒ），シリコン（Ｓｉ），ランタン（Ｌ
ａ）をスパッタリングして着膜させた。
この時の各成分の比率は下記の表１に示す通りである。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
０℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた肴
膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、
試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各１の
固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表
２には参考としてニッケル，クロームを用い、上記と同
一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。な
お、抵抗温度係数は十２５℃、十７５℃の２点間で測定
したｏ＜表 １＞ ＜表 ２＞ （注）成分比はＮｉ−○ｒ（８０：２０）Ｋ対する添加
成分比を示す。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
０℃、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた肴
膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、
試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各１の
固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表
２には参考としてニッケル，クロームを用い、上記と同
一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。な
お、抵抗温度係数は十２５℃、十７５℃の２点間で測定
したｏ＜表 １＞ ＜表 ２＞ （注）成分比はＮｉ−○ｒ（８０：２０）Ｋ対する添加
成分比を示す。
上記の表のように本発明による実施例１〜３と参考例と
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
また、従来より抵抗薄膜として使用されているＮｉ−Ｃ
ｒ−Ｍの場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０胸／℃程度変動する。これに
対して、ニッケル，クローム，シリコンおよびランタン
よりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、また一部の
成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の値は安定し
ているため、製造時に別妙な加減をしないで、比較的楽
に所望の高抵抗の抵抗薄膜を得ることができる。また、
電流雑音は完成抵抗値２０雌Ｑで０．０４ムＶ′Ｖ程度
、第３高調波指数は同２０皿Ｑで１３Ｍ母陣度と良い特
性を示した。さらに、温度１２５℃で定格電力（例１／
４Ｗ）を１．球時間印加し、３０分切るということを繰
り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示すような結
果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｓｉ：い＝
８０：２０：３：０．７）による特性ａ、従来品（Ｎｉ
：Ｃｒ：ＡＩ＝８０：２０：３）による特性ｂ、同じく
従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による特性ｃを比較
したものである。図より２００加持間の加速試験を経て
本発明の抵抗薄膜が長期使用状態において安定であり、
寿命的にも効果のあることが綴る。以上のように本発明
の抵抗薄膜は、各種の特性において良好な値を示し、か
つ安価にして安定的に製作することができ、その産業性
は大なるものである。
ｒ−Ｍの場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０胸／℃程度変動する。これに
対して、ニッケル，クローム，シリコンおよびランタン
よりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、また一部の
成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の値は安定し
ているため、製造時に別妙な加減をしないで、比較的楽
に所望の高抵抗の抵抗薄膜を得ることができる。また、
電流雑音は完成抵抗値２０雌Ｑで０．０４ムＶ′Ｖ程度
、第３高調波指数は同２０皿Ｑで１３Ｍ母陣度と良い特
性を示した。さらに、温度１２５℃で定格電力（例１／
４Ｗ）を１．球時間印加し、３０分切るということを繰
り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示すような結
果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｓｉ：い＝
８０：２０：３：０．７）による特性ａ、従来品（Ｎｉ
：Ｃｒ：ＡＩ＝８０：２０：３）による特性ｂ、同じく
従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による特性ｃを比較
したものである。図より２００加持間の加速試験を経て
本発明の抵抗薄膜が長期使用状態において安定であり、
寿命的にも効果のあることが綴る。以上のように本発明
の抵抗薄膜は、各種の特性において良好な値を示し、か
つ安価にして安定的に製作することができ、その産業性
は大なるものである。
図は本発明品と従来品による負荷寿命試験結果を比較し
て示す図である。
て示す図である。
Claims (1)
- １ ニツケル，クローム，シリコンおよびランタンから
なることを特徴とする抵抗薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080578A JPS6018123B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080578A JPS6018123B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575303A JPS575303A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6018123B2 true JPS6018123B2 (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=13722218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55080578A Expired JPS6018123B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018123B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295104A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Kimmon Electric Co Ltd | 視線誘導灯 |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP55080578A patent/JPS6018123B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295104A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Kimmon Electric Co Ltd | 視線誘導灯 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575303A (en) | 1982-01-12 |
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