JPS6024563B2 - 抵抗薄膜 - Google Patents
抵抗薄膜Info
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- JPS6024563B2 JPS6024563B2 JP55080582A JP8058280A JPS6024563B2 JP S6024563 B2 JPS6024563 B2 JP S6024563B2 JP 55080582 A JP55080582 A JP 55080582A JP 8058280 A JP8058280 A JP 8058280A JP S6024563 B2 JPS6024563 B2 JP S6024563B2
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- thin film
- resistive thin
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- nickel
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910019819 Cr—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZWXHPJXQLOTPB-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ni].[Cr] Chemical compound [Si].[Ni].[Cr] GZWXHPJXQLOTPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- -1 nickel-chromium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品として使用される抵抗薄膜に関する
ものである。
ものである。
この種抵抗薄膜として具備すべき好ましい特性としては
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が４・ごいこと、抵抗温度係数が小さいこと
、また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音
が小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等
の種々にわたる特性が要求される。
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が４・ごいこと、抵抗温度係数が小さいこと
、また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音
が小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等
の種々にわたる特性が要求される。
さらに、近年はこの抵抗温度係数に対して中心値が０〜
２＆柳／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に彼着することにより作
られている。
２＆柳／℃といった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従来、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に彼着することにより作
られている。
そして、薄膜材料としては、窒化タンタル（ＴａＮ）、
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ一Ｃ
ｒ）合金、ニッケル−クロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃｒ−Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性、耐薬品性とも優れているが、その抵抗温度係
数は１００〜１５Ｑ風／℃と大きい。さらに、Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｎ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬品性に
富み、抵抗温度係数も小さいが、ＮもしくはＳｉ量が最
適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大きくなる
ため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要であり
、４・さし、抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続して
作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記の
ような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施例
について詳細に説明する。
窒化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ一Ｃ
ｒ）合金、ニッケル−クロームーアルミニウム（Ｎｉ一
Ｃｒ−Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
−Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＮは徴量のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ−Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性、耐薬品性とも優れているが、その抵抗温度係
数は１００〜１５Ｑ風／℃と大きい。さらに、Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｎ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬品性に
富み、抵抗温度係数も小さいが、ＮもしくはＳｉ量が最
適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大きくなる
ため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要であり
、４・さし、抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続して
作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記の
ような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施例
について詳細に説明する。
まず、アルミナ円柱形の基体にＤＣマグネトロンスパツ
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、アルミニウム（山）、スカンジウ
ム（Ｓｃ）をスパッタリングして着膜ざせた。
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、アルミニウム（山）、スカンジウ
ム（Ｓｃ）をスパッタリングして着膜ざせた。
この時の各成分の比率は下記の表１に示す通りである。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
０午０、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた
着膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし
、試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各ｌ
ｑ固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、
表２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と
同一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。
なお、抵抗温度係数は十２５℃、十７５００の２点間で
測定した。〔表１〕 〔表２〕 （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
０午０、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた
着膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし
、試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各ｌ
ｑ固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、
表２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と
同一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。
なお、抵抗温度係数は十２５℃、十７５００の２点間で
測定した。〔表１〕 〔表２〕 （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
上記の表のように本発明による実施例１〜４と参考例と
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
また、従来より抵抗薄膜として使用されているＮｉ−Ｃ
ｒ−山の場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０脚′ｏＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、アルミニウムおよびス
カンジウムよりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、
また一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の
値は安定しているため、製造時に比率の微妙な加減をし
ないで、比較的楽に所望の抵抗薄膜を得ることができる
。また、電流雑音は完成抵抗値２０血○で０．０４〃Ｖ
／Ｖ程度、第３高調波指数は同２０血○で１３の母屋度
と良い特性を示した。さらに、温度１２尊０で定格電力
（例１／４Ｗ）を１．虫篭間印加し、３０分切るという
ことを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示す
ような結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ａ
Ｉ：Ｓｃ＝８０：２０：３：０．３５）による特性ａ、
従来品（Ｎｉ：Ｃｒ：ＡＩ＝８０：２０：３）による特
性ｂ、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による
特性ｃを比較したものである。図より２００ｑ時間の加
速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態において
も安定であり、寿命的にも効果のあることが鱗る。以上
のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良好
な値を示し、かつ安価にして安定的に製作することがで
き、その産業性は大なるものである。
ｒ−山の場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度変えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０脚′ｏＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、アルミニウムおよびス
カンジウムよりなる抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さく、
また一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係数の
値は安定しているため、製造時に比率の微妙な加減をし
ないで、比較的楽に所望の抵抗薄膜を得ることができる
。また、電流雑音は完成抵抗値２０血○で０．０４〃Ｖ
／Ｖ程度、第３高調波指数は同２０血○で１３の母屋度
と良い特性を示した。さらに、温度１２尊０で定格電力
（例１／４Ｗ）を１．虫篭間印加し、３０分切るという
ことを繰り返す負荷寿命試験を行ったところ、図に示す
ような結果を得た。それぞれ本発明品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ａ
Ｉ：Ｓｃ＝８０：２０：３：０．３５）による特性ａ、
従来品（Ｎｉ：Ｃｒ：ＡＩ＝８０：２０：３）による特
性ｂ、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０）による
特性ｃを比較したものである。図より２００ｑ時間の加
速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用状態において
も安定であり、寿命的にも効果のあることが鱗る。以上
のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性において良好
な値を示し、かつ安価にして安定的に製作することがで
き、その産業性は大なるものである。
図は本発明品と従来品による負荷寿命試験結果を比較し
て示す図である。
て示す図である。
Claims (1)
- １ ニツケル、クローム、アルミニウムおよびスカンジ
ウムからなることを特徴とする抵抗薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080582A JPS6024563B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080582A JPS6024563B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575307A JPS575307A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6024563B2 true JPS6024563B2 (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=13722334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55080582A Expired JPS6024563B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024563B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235857U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-03 |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP55080582A patent/JPS6024563B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235857U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575307A (en) | 1982-01-12 |
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