JPS601838A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS601838A JPS601838A JP58109529A JP10952983A JPS601838A JP S601838 A JPS601838 A JP S601838A JP 58109529 A JP58109529 A JP 58109529A JP 10952983 A JP10952983 A JP 10952983A JP S601838 A JPS601838 A JP S601838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- conductive lead
- projecting
- base film
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は可撓性フィルムとそれに固着した多数の導電リ
ードからなるフィルムキャリアと、多数の突起電極を有
する半導体素子を熱圧着によって接続するいわゆるギヤ
ングボンディング方式の半導体装置に関するものである
。
ードからなるフィルムキャリアと、多数の突起電極を有
する半導体素子を熱圧着によって接続するいわゆるギヤ
ングボンディング方式の半導体装置に関するものである
。
従来例の構成とその問題点
通常、半導体素子内の配線は信号ラインと電源ラインに
大別されるが、大電流を必要とする半導体素子の場合、
配線抵抗による電圧降下が問題となる。通常、半導体素
子内の配線はスパッタリングや真空蒸着で形成するため
、その配線を厚くすることは工業的に不可能であり、し
たがってその電圧降下を許容限度内に抑えるために半導
体素子で電源ラインの配線幅を広くしたり、多層配線を
採用するといった対策がとられているが、前者の対策は
素子面積の増大を招き、後者の対策は製造工程数が増加
するばかりでなく配線構造が複雑になり歩留りを下げる
という欠陥がある。
大別されるが、大電流を必要とする半導体素子の場合、
配線抵抗による電圧降下が問題となる。通常、半導体素
子内の配線はスパッタリングや真空蒸着で形成するため
、その配線を厚くすることは工業的に不可能であり、し
たがってその電圧降下を許容限度内に抑えるために半導
体素子で電源ラインの配線幅を広くしたり、多層配線を
採用するといった対策がとられているが、前者の対策は
素子面積の増大を招き、後者の対策は製造工程数が増加
するばかりでなく配線構造が複雑になり歩留りを下げる
という欠陥がある。
そこで、大電流を必要とする半導体素子において前記の
コストアップを招く対策を取ることなく、しかも電源ラ
インの電圧降下を小さくすることが可能なギヤングボン
ディング方式の半導体装置が提案されている。
コストアップを招く対策を取ることなく、しかも電源ラ
インの電圧降下を小さくすることが可能なギヤングボン
ディング方式の半導体装置が提案されている。
このようなギヤングボンディング方式の半導体装置の従
来例を第１図ａ及びｂに示す。第１図すは第１図ａの八
−Ａ′断面図である。
来例を第１図ａ及びｂに示す。第１図すは第１図ａの八
−Ａ′断面図である。
半導体素子１の周辺部に設けられた突起電極２にベース
フィルム４から伸延したそれとでフィルムキャリアを構
成する導電リード３が接続される。
フィルム４から伸延したそれとでフィルムキャリアを構
成する導電リード３が接続される。
また、電源ライン用の突起電極６，６ａ及び６ｂを半導
体素子１の内部及び周辺部に設け、ベースフィルム４か
ら伸延した導電リード５及び６ａをこの突起電極６，６
ａ及び６ｂに接続する。この一連の接続は第１図すに示
すボンディングツール７でもって突起電極２，６．６ａ
及び６ｂと導電リード３，５及び６ａを同時に熱圧着す
ることでなされる。
体素子１の内部及び周辺部に設け、ベースフィルム４か
ら伸延した導電リード５及び６ａをこの突起電極６，６
ａ及び６ｂに接続する。この一連の接続は第１図すに示
すボンディングツール７でもって突起電極２，６．６ａ
及び６ｂと導電リード３，５及び６ａを同時に熱圧着す
ることでなされる。
尚、突起電極６ｂは半導体素子１の内部へ伸延した導電
リード５と半導体素子１の端面部分の電気的短絡（以下
エツジタッチと称す）の発生を防止する役割を持つ。
リード５と半導体素子１の端面部分の電気的短絡（以下
エツジタッチと称す）の発生を防止する役割を持つ。
この第１図の従来例により、′龜諒ラインの取出しを半
導体素子１の内部及び周辺部で、かつ任意の複数の場所
で行える。１だ、導電リードら、５ａは通常１８μｍ１
３６μｍの銅箔を用いるため、コストアンプを招かずに
電圧降下を無視できる効果がある。
導体素子１の内部及び周辺部で、かつ任意の複数の場所
で行える。１だ、導電リードら、５ａは通常１８μｍ１
３６μｍの銅箔を用いるため、コストアンプを招かずに
電圧降下を無視できる効果がある。
しかし、突起電極６と突起電極６ｂ間に導電リード６が
、また突起電極６と突起電極６８間に導電リード６ａが
接続されることにより、半導体素子１の主材料（通常Ｓ
ｉ ）と導電リード６及び５ａの主材料（通常Ｃｕ ）
の熱膨張係数の違いによる熱ストレスが発生し、突起電
極６，６ａ及び６ｂの剥離や、導電リード５及び５ａが
剥離または断線するといった問題がある。
、また突起電極６と突起電極６８間に導電リード６ａが
接続されることにより、半導体素子１の主材料（通常Ｓ
ｉ ）と導電リード６及び５ａの主材料（通常Ｃｕ ）
の熱膨張係数の違いによる熱ストレスが発生し、突起電
極６，６ａ及び６ｂの剥離や、導電リード５及び５ａが
剥離または断線するといった問題がある。
発明の目的
本発明はこのような従来例の欠点を除去すべくなされた
ものであり、コストアップを招くことなく、各材料の熱
膨張係数の違いによる熱ストレスの問題を完全に解決で
きる半導体装置を提供しようとするものである。
ものであり、コストアップを招くことなく、各材料の熱
膨張係数の違いによる熱ストレスの問題を完全に解決で
きる半導体装置を提供しようとするものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明における半導体装置は
、可撓性のベースフィルムに第１ 、第２の導電リード
を形成したフィルムキャリアと、突起電極を周辺部及び
内部に形成した半導体素子とを具備し、前記半導体素子
の周辺部に形成した前記突起電極に前記第１の導電リー
ドが接続され、前記半導体素子の周辺部よりも内側に張
り出した前記ベースフィルムの張り出し部から前記半導
体素子の内部に形成した前記突起電極に接続される前記
第２の導電リードが伸延されている構成としたものであ
る。この構成によれば、半導体素子の内部に形成された
突起電極に第２の導電リードが接続されているだけの構
成のために熱ストレスは発生せず、かつ第２の導電リー
ドと半導体素子端面とのエツジタッチは、半導体素子内
へ張り出したベースフィルムの張り出し部によって完全
に防止されることとなる。
、可撓性のベースフィルムに第１ 、第２の導電リード
を形成したフィルムキャリアと、突起電極を周辺部及び
内部に形成した半導体素子とを具備し、前記半導体素子
の周辺部に形成した前記突起電極に前記第１の導電リー
ドが接続され、前記半導体素子の周辺部よりも内側に張
り出した前記ベースフィルムの張り出し部から前記半導
体素子の内部に形成した前記突起電極に接続される前記
第２の導電リードが伸延されている構成としたものであ
る。この構成によれば、半導体素子の内部に形成された
突起電極に第２の導電リードが接続されているだけの構
成のために熱ストレスは発生せず、かつ第２の導電リー
ドと半導体素子端面とのエツジタッチは、半導体素子内
へ張り出したベースフィルムの張り出し部によって完全
に防止されることとなる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第２図ａ及びｂで説明する。
第２図すは第２図ａの八−へ′断面図である。また、従
来例と同一箇所には同一番号を付しである。
来例と同一箇所には同一番号を付しである。
半導体素子１の周辺部に設けられた突起電極２にベース
フィルム４から伸延したそれとでフィルムキャリアを構
成する導電リード３が接続される。
フィルム４から伸延したそれとでフィルムキャリアを構
成する導電リード３が接続される。
また、電源ライン用の導電リード８はベースフィルム４
から半導体素子１の内部へと伸延し、分岐され、半導体
素子１の内部に設けられた突起′電極６及び６ａに接続
される。ここで、導電リード８はベースフィルム４の一
部が半導体素子１の内部へ張り出した張り出し部４ａか
ら伸延されており、その張り出し部４ａが導電リード８
の支持台となり、エツジタッチ防止に効果がある。
から半導体素子１の内部へと伸延し、分岐され、半導体
素子１の内部に設けられた突起′電極６及び６ａに接続
される。ここで、導電リード８はベースフィルム４の一
部が半導体素子１の内部へ張り出した張り出し部４ａか
ら伸延されており、その張り出し部４ａが導電リード８
の支持台となり、エツジタッチ防止に効果がある。
以上の突起電極２と導電リード３、突起電極６及び６ａ
と導電リード８は第２図すに示すボンディングツール９
によって同時に熱圧着される。
と導電リード８は第２図すに示すボンディングツール９
によって同時に熱圧着される。
ここで、通常突起電極２，６及び６ａの高さは数μｍ〜
３ｏμｍ程度であるのに対し、ベースフィルム４の厚さ
は５０μｍ〜２００μｍ程度であるので、第３図に示す
ように先端部に凹み部分１０を設けたボンディングツー
ル９によって熱圧着するＯ 以上、説明した実施例の構造にすることにより、エツジ
タッチを防止できる以外に、突起電極６及び６ａに導電
リード８が接続されているだけのため、半導体素子１と
導電リード８の熱膨張係数の違いによる熱ストレスが発
生せず、突起電極６及び６ａの剥離、捷たに導電リード
８の断線は発生しない。ここで、前述のように導電リー
ド８はベースフィルム４の張り出し部４ａで固定されな
いので、半導体素子１と導電リード８の熱膨張係数の違
いによる熱ストレスは問題ないが、導電１，１−ド８は
導電リード３に比べ長いため、ベースフィルム４と導電
リードの熱膨張係数の違いによる熱ストレスを受け易く
、問題発生の恐れがある。この問題は第２図すのＢ部分
に示すようにボンディングツール１０によって導電リー
ド８が湾曲され、この湾曲部でベースフィルム４と導電
リード８の熱膨張係数の違いによる熱ストレスを吸収す
ることにより解決できる。また、前記湾曲部は前述の半
導体素子１と導電リード８の熱膨張係数の違いによる熱
ストレスも吸収できる効果がある。
３ｏμｍ程度であるのに対し、ベースフィルム４の厚さ
は５０μｍ〜２００μｍ程度であるので、第３図に示す
ように先端部に凹み部分１０を設けたボンディングツー
ル９によって熱圧着するＯ 以上、説明した実施例の構造にすることにより、エツジ
タッチを防止できる以外に、突起電極６及び６ａに導電
リード８が接続されているだけのため、半導体素子１と
導電リード８の熱膨張係数の違いによる熱ストレスが発
生せず、突起電極６及び６ａの剥離、捷たに導電リード
８の断線は発生しない。ここで、前述のように導電リー
ド８はベースフィルム４の張り出し部４ａで固定されな
いので、半導体素子１と導電リード８の熱膨張係数の違
いによる熱ストレスは問題ないが、導電１，１−ド８は
導電リード３に比べ長いため、ベースフィルム４と導電
リードの熱膨張係数の違いによる熱ストレスを受け易く
、問題発生の恐れがある。この問題は第２図すのＢ部分
に示すようにボンディングツール１０によって導電リー
ド８が湾曲され、この湾曲部でベースフィルム４と導電
リード８の熱膨張係数の違いによる熱ストレスを吸収す
ることにより解決できる。また、前記湾曲部は前述の半
導体素子１と導電リード８の熱膨張係数の違いによる熱
ストレスも吸収できる効果がある。
また、前記実施例においてベースフィルム４の張り出し
部４ａの下部に突起電極２と同じ製造工程で形成される
バンプ端子を付加したものも本発明の範囲に含まれるこ
とはもちろんである。
部４ａの下部に突起電極２と同じ製造工程で形成される
バンプ端子を付加したものも本発明の範囲に含まれるこ
とはもちろんである。
発明の詳細
な説明した本発明の具体例を実施することにより、フィ
ルムキャリアの製造工程及び熱圧着における工数を従来
の壕まで、消費電力が大なる半導体装置でも半導体素子
の面積を犬とすることなく、配線による電圧降下を抑え
ることが可能な半導体装置を提供することができる。そ
して、従来問題であったエツジタッチや、各材料の熱膨
張係数の違いによる熱ストレスの問題を完全に解決でき
ることが本発明の大きな利点である。
ルムキャリアの製造工程及び熱圧着における工数を従来
の壕まで、消費電力が大なる半導体装置でも半導体素子
の面積を犬とすることなく、配線による電圧降下を抑え
ることが可能な半導体装置を提供することができる。そ
して、従来問題であったエツジタッチや、各材料の熱膨
張係数の違いによる熱ストレスの問題を完全に解決でき
ることが本発明の大きな利点である。
尚、実施例の説明では電源用配線について記述したが、
本発明は信号用配線についても適用できることに明らか
である。
本発明は信号用配線についても適用できることに明らか
である。
第１図ａに従来の半導体素子内へ導電リードを伸延した
ギヤングボッディング方式の半導体装置を示す平面図、
第１図すは第１図ａのＡ −Ａ’断面図、第２図ａは本
発明の半導体装置の一実施例を示す平面図、第２図すは
第２図ａのＡ−Ａ’断面図、第３図は本発明の半導体装
置に用いるボンディングツールの先端形状を示す図であ
る０ １−・・半導体素子、２・・・・・周辺部の突起電極、
３−・・・・第１の導電リード、４・・・・・ベースフ
ィルム、４ａ・・・張り出し部、６．６ａ・・・・内部
の突起電極、８・・・・・第２の導電リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名纂１
図
ギヤングボッディング方式の半導体装置を示す平面図、
第１図すは第１図ａのＡ −Ａ’断面図、第２図ａは本
発明の半導体装置の一実施例を示す平面図、第２図すは
第２図ａのＡ−Ａ’断面図、第３図は本発明の半導体装
置に用いるボンディングツールの先端形状を示す図であ
る０ １−・・半導体素子、２・・・・・周辺部の突起電極、
３−・・・・第１の導電リード、４・・・・・ベースフ
ィルム、４ａ・・・張り出し部、６．６ａ・・・・内部
の突起電極、８・・・・・第２の導電リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名纂１
図
Claims (3)
- （１）可撓性のベースフィルムに第１．第２の導電リー
ドを形成したフィルムキャリアと、突起電極を周辺部及
び内部に形成した半導体素子とを具備し、前記半導体素
子の周辺部に形成した前記突起電極に前記第１の導電リ
ードが接続され、前記半導体素子の周辺部よりも内側に
張９出した前記ベースフィルムの張り出し部から前記半
導体素子の内部に形成した前記突起電極に接続される前
記第２の導電リードが伸延されていることを特徴とする
半導体装置。 - （２）第２の導電リードが湾曲されて半導体素子の内部
に形成した突起電極と接続されていることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置０ - （３）第２の導電リードが分岐され、半導体素子の内部
に形成した複数の突起電極と接続されていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109529A JPS601838A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109529A JPS601838A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601838A true JPS601838A (ja) | 1985-01-08 |
| JPH0469425B2 JPH0469425B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14512563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58109529A Granted JPS601838A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601838A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195056U (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-04 | ||
| US4684975A (en) * | 1985-12-16 | 1987-08-04 | National Semiconductor Corporation | Molded semiconductor package having improved heat dissipation |
| JPS6435925A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuit element |
| JPH02161738A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Hitachi Cable Ltd | Ｔａｂ用テープキャリア |
| US4989318A (en) * | 1988-06-09 | 1991-02-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process of assembling terminal structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512791A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58109529A patent/JPS601838A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512791A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195056U (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-04 | ||
| US4684975A (en) * | 1985-12-16 | 1987-08-04 | National Semiconductor Corporation | Molded semiconductor package having improved heat dissipation |
| JPS6435925A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuit element |
| US4989318A (en) * | 1988-06-09 | 1991-02-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process of assembling terminal structure |
| JPH02161738A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Hitachi Cable Ltd | Ｔａｂ用テープキャリア |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469425B2 (ja) | 1992-11-06 |
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