JPS60185224A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS60185224A JPS60185224A JP4068684A JP4068684A JPS60185224A JP S60185224 A JPS60185224 A JP S60185224A JP 4068684 A JP4068684 A JP 4068684A JP 4068684 A JP4068684 A JP 4068684A JP S60185224 A JPS60185224 A JP S60185224A
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- JP
- Japan
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- thin film
- layer
- alloy
- ferromagnetic
- film layer
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒
体に関し、さらに詳しくは強磁性金属薄膜層中に金属も
しくはそれらの酸化物を含有する前記の磁気記録媒体に
関する。
体に関し、さらに詳しくは強磁性金属薄膜層中に金属も
しくはそれらの酸化物を含有する前記の磁気記録媒体に
関する。
強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体は、通常
、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によって
ポリエステルフィルム等の基体上に被着してつくられ、
高密度記録に適した特性を有するが、反面空気中の酸素
によって酸化され易く、この酸化によって最大磁束密度
などの磁気特性が劣化するなどの難点がある。
、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によって
ポリエステルフィルム等の基体上に被着してつくられ、
高密度記録に適した特性を有するが、反面空気中の酸素
によって酸化され易く、この酸化によって最大磁束密度
などの磁気特性が劣化するなどの難点がある。
このため、従来から酸素ガス雰囲気下で真空蒸着を行い
強磁性金属薄膜層を構成する柱状結晶の表面を酸化する
などして耐食性を改善することが行われている(特開昭
56−23208号)が、強磁性金属薄膜層を構成する
柱状結晶の表面を酸化する方法では強磁性金属薄膜層の
化学的安定性が充分でなく、未だ充分に耐食性を改善す
ることができない。
強磁性金属薄膜層を構成する柱状結晶の表面を酸化する
などして耐食性を改善することが行われている(特開昭
56−23208号)が、強磁性金属薄膜層を構成する
柱状結晶の表面を酸化する方法では強磁性金属薄膜層の
化学的安定性が充分でなく、未だ充分に耐食性を改善す
ることができない。
この発明は、かかる欠点を解消するため種々検討を行っ
た結果なされたもので、その目的とするところは強磁性
金属薄膜層中に耐食性に優れた金属もしくはそれらの酸
化物を含有させることにより、耐食性に優れた前記の磁
気記録媒体を提供することにある。
た結果なされたもので、その目的とするところは強磁性
金属薄膜層中に耐食性に優れた金属もしくはそれらの酸
化物を含有させることにより、耐食性に優れた前記の磁
気記録媒体を提供することにある。
この発明は、強磁性金属薄1模層中に、クロム、アルミ
ニウム、ケイ素および少なくともこれらの1種を含む合
金から選ばれる金属もしくはそれらの酸化物を基体に近
づくにつれて漸減するように含有させ゛たことを特徴と
するもので、これらの金属もしくはそれらの酸化物を基
体に近づくにつれて/41i減するように含有させるこ
とによって、強磁性金属薄膜層の化学的安定性を改善す
るとともに磁気特性を劣化することなく耐食性を充分に
向上させたものである。
ニウム、ケイ素および少なくともこれらの1種を含む合
金から選ばれる金属もしくはそれらの酸化物を基体に近
づくにつれて漸減するように含有させ゛たことを特徴と
するもので、これらの金属もしくはそれらの酸化物を基
体に近づくにつれて/41i減するように含有させるこ
とによって、強磁性金属薄膜層の化学的安定性を改善す
るとともに磁気特性を劣化することなく耐食性を充分に
向上させたものである。
この発明において、クロム、アルミニウム、ケイ素およ
び少なくともこれらの1種を含む合金から選ばれる金属
もしくはそれらの酸化物を基体に近づくにつれて漸減す
るように濃度勾配をもって含有する強磁性金属薄膜層の
形成は、これらの金属もしくはそれらの酸化物を強磁性
材とともに二元蒸着するか、二元蒸着後さらにプラズマ
酸化等によって酸化することによって行われる。
び少なくともこれらの1種を含む合金から選ばれる金属
もしくはそれらの酸化物を基体に近づくにつれて漸減す
るように濃度勾配をもって含有する強磁性金属薄膜層の
形成は、これらの金属もしくはそれらの酸化物を強磁性
材とともに二元蒸着するか、二元蒸着後さらにプラズマ
酸化等によって酸化することによって行われる。
第一1図は、このように前記の金属もしくはそれらの酸
化物を基体に近づくにつれて漸減するように濃度勾配を
もって含有する強磁性金属薄膜層を形成する際に使用す
る真空茄着装置の1例の概略断面図を示したものであり
、以下、この図面を参照しながら説明する。
化物を基体に近づくにつれて漸減するように濃度勾配を
もって含有する強磁性金属薄膜層を形成する際に使用す
る真空茄着装置の1例の概略断面図を示したものであり
、以下、この図面を参照しながら説明する。
図において、1は真空槽であり、この真空槽1の内部ば
隔壁2および3で区画され、真空槽1の中央部に配設さ
れた円筒状キャン4が跨るようにプラズマ処理室5が真
空蒸着室6がら分離形成されている。ポリエステルフィ
ルム等の基体7は原反ロール8よりガイドロール9を介
して円筒状キャン4の周側面に沿って移動し、ガイドロ
ール10を介して巻き取りロール11に巻き取られる。
隔壁2および3で区画され、真空槽1の中央部に配設さ
れた円筒状キャン4が跨るようにプラズマ処理室5が真
空蒸着室6がら分離形成されている。ポリエステルフィ
ルム等の基体7は原反ロール8よりガイドロール9を介
して円筒状キャン4の周側面に沿って移動し、ガイドロ
ール10を介して巻き取りロール11に巻き取られる。
この間円筒状キャン4の周側面に沿って移動する基体7
に対して、真空蒸着室6の下部に隣接して配設された強
磁性材蒸発源12および金属蒸発源13で強磁性材14
および前記のクロム、アルミニウム、ケイ素等の金属ま
たは少なくともこれらの1種を含む合金15が加熱蒸発
され、強磁性材14および前記の金属または合金15が
同時に蒸着される。このとき強磁性材蒸発源12は基体
7が導入される側に配設されているため、基体7上には
まず強磁性材が蒸着され、引き続いて前記の金属または
合金が強磁性材とともに蒸着される。
に対して、真空蒸着室6の下部に隣接して配設された強
磁性材蒸発源12および金属蒸発源13で強磁性材14
および前記のクロム、アルミニウム、ケイ素等の金属ま
たは少なくともこれらの1種を含む合金15が加熱蒸発
され、強磁性材14および前記の金属または合金15が
同時に蒸着される。このとき強磁性材蒸発源12は基体
7が導入される側に配設されているため、基体7上には
まず強磁性材が蒸着され、引き続いて前記の金属または
合金が強磁性材とともに蒸着される。
その結果、前記の金属または合金を基体に近づくにつれ
て漸減するように濃度勾配をもって含有する強磁性金属
薄膜層が形成される。そしてこのようにして形成された
強磁性金属薄膜層は、引き続いて隣接するプラズマ処理
室5で酸素ガス導入管16から酸素ガスを導入してグロ
ー放電電極17によるグロー放電によりプラズマ酸化が
行われ、強磁性金属薄膜層中に含有された前記の金属ま
たは合金が酸化される。その結果、前記の金属または合
金を基体に近づくにつれて漸減する濃度勾配でもって含
有する強磁性金属薄I!層の上部に、さらにこれらの金
属または合金の酸化物が基体に近づくにつれて漸減する
ように濃度勾配をもって含有する強磁性金属薄膜層が形
成される。このようなプラズマ酸化が行われる場合強磁
性材も同時に酸化されるため、前記金属または合金の酸
化物とともに強磁性材の酸化物も同様に基体に近づくに
つれて漸減するように濃度勾配をもって含有される。1
8および19はそれぞれ真空蒸着室6およびプラズマ処
理室5に連結された排気系であり、これらの排気系によ
って真空蒸着室6およびプラズマ処理室5はそれぞれ所
定の真空度に真空排気される”。なお、以上の説明にお
いては、金属または合金を基体に近づくにつれて漸減す
る濃度勾配でもって含有する強磁性金属薄膜層をさらに
酸化する場合について説明したが、酸化をしなくても充
分に良好な耐食性が得られるため、酸化は必すしも必要
ではない。
て漸減するように濃度勾配をもって含有する強磁性金属
薄膜層が形成される。そしてこのようにして形成された
強磁性金属薄膜層は、引き続いて隣接するプラズマ処理
室5で酸素ガス導入管16から酸素ガスを導入してグロ
ー放電電極17によるグロー放電によりプラズマ酸化が
行われ、強磁性金属薄膜層中に含有された前記の金属ま
たは合金が酸化される。その結果、前記の金属または合
金を基体に近づくにつれて漸減する濃度勾配でもって含
有する強磁性金属薄I!層の上部に、さらにこれらの金
属または合金の酸化物が基体に近づくにつれて漸減する
ように濃度勾配をもって含有する強磁性金属薄膜層が形
成される。このようなプラズマ酸化が行われる場合強磁
性材も同時に酸化されるため、前記金属または合金の酸
化物とともに強磁性材の酸化物も同様に基体に近づくに
つれて漸減するように濃度勾配をもって含有される。1
8および19はそれぞれ真空蒸着室6およびプラズマ処
理室5に連結された排気系であり、これらの排気系によ
って真空蒸着室6およびプラズマ処理室5はそれぞれ所
定の真空度に真空排気される”。なお、以上の説明にお
いては、金属または合金を基体に近づくにつれて漸減す
る濃度勾配でもって含有する強磁性金属薄膜層をさらに
酸化する場合について説明したが、酸化をしなくても充
分に良好な耐食性が得られるため、酸化は必すしも必要
ではない。
このように強磁性金属薄膜層中に基体に近づくにつれて
漸減するように濃度勾配をもって含有させる金属および
合金は、クロム、アルミニウム、ケイ素等の耐食性に優
れた金属、および少なくともこれらの1種を含む合金が
好ましく使用され、コバルト−クロム合金等のように耐
食性に優れたこれらの金属と強磁性金属との合金等も好
適に使用される。そしてこれらの耐食性に優れたクロム
、アルミニウム、ケイ素等の金属およびこれらを含む合
金が、強磁性金属薄膜層中に基体に近づくにつれて漸減
するように濃度勾配をもって含有されると、これら表面
にいくほど高い濃度で含有された耐食性に優れた金属に
よって強磁性金属薄膜層の耐食性が充分に向上される。
漸減するように濃度勾配をもって含有させる金属および
合金は、クロム、アルミニウム、ケイ素等の耐食性に優
れた金属、および少なくともこれらの1種を含む合金が
好ましく使用され、コバルト−クロム合金等のように耐
食性に優れたこれらの金属と強磁性金属との合金等も好
適に使用される。そしてこれらの耐食性に優れたクロム
、アルミニウム、ケイ素等の金属およびこれらを含む合
金が、強磁性金属薄膜層中に基体に近づくにつれて漸減
するように濃度勾配をもって含有されると、これら表面
にいくほど高い濃度で含有された耐食性に優れた金属に
よって強磁性金属薄膜層の耐食性が充分に向上される。
また強磁性金属薄膜層中における強磁性材は前記の金属
とは反対に強磁性金属薄膜層表面に近づくにつれて漸減
するような濃度勾配になり、表面にも存在しているため
、磁気特性が劣化することもない。
とは反対に強磁性金属薄膜層表面に近づくにつれて漸減
するような濃度勾配になり、表面にも存在しているため
、磁気特性が劣化することもない。
このように耐食性に優れた金属を、強磁性金属薄膜層中
に基体に近づ(につれて漸減するように濃度勾配をもっ
て含有させただけでも、磁気特性の劣化を招くことなく
耐食性を充分に向上させることができるため、さらに酸
化することは必ずしも必要でないが、さらに、これをプ
ラズマ酸化すると、これらの耐食性に優れた金属または
合金が選択的に酸化されてこれらの金属または合金の酸
化物が強磁性金属薄膜層中に基体に近づくにつれて漸減
するように濃度勾配をもって含有され、この表面にいく
ほど高い濃度で含有された耐食性に優れた金属または合
金の酸化物によって強磁性金属薄膜層の耐食性はさらに
一段と向上される。そしてこのプラズマ酸化が行われる
ときは強磁性材も同時に酸化されるため強磁性材の酸化
物も前記金属の酸化物と同じ濃度で強磁性金属薄膜層中
に含有ざ゛れ、強磁性金属薄膜層の耐食性は一段と向上
される。このようにプラズマ酸化を行う際のプラズマ処
理室5中における酸素ガスのガス圧は、3X10−’)
−ルヘ−I X 1’ 0−2トールの範囲内にするの
が好ましく、酸素ガス圧を5X10−2)−ルより低く
するとプラズマ密度が低ずぎ、5×10−1トールより
高くするとプラズマ放電が発生しない。
に基体に近づ(につれて漸減するように濃度勾配をもっ
て含有させただけでも、磁気特性の劣化を招くことなく
耐食性を充分に向上させることができるため、さらに酸
化することは必ずしも必要でないが、さらに、これをプ
ラズマ酸化すると、これらの耐食性に優れた金属または
合金が選択的に酸化されてこれらの金属または合金の酸
化物が強磁性金属薄膜層中に基体に近づくにつれて漸減
するように濃度勾配をもって含有され、この表面にいく
ほど高い濃度で含有された耐食性に優れた金属または合
金の酸化物によって強磁性金属薄膜層の耐食性はさらに
一段と向上される。そしてこのプラズマ酸化が行われる
ときは強磁性材も同時に酸化されるため強磁性材の酸化
物も前記金属の酸化物と同じ濃度で強磁性金属薄膜層中
に含有ざ゛れ、強磁性金属薄膜層の耐食性は一段と向上
される。このようにプラズマ酸化を行う際のプラズマ処
理室5中における酸素ガスのガス圧は、3X10−’)
−ルヘ−I X 1’ 0−2トールの範囲内にするの
が好ましく、酸素ガス圧を5X10−2)−ルより低く
するとプラズマ密度が低ずぎ、5×10−1トールより
高くするとプラズマ放電が発生しない。
このように、強磁性金属薄膜層中に基体に近づくにつれ
て漸減するように濃度勾配をもって含有される、前記の
金属または合金もしくはそれらの酸化物の含有割合は、
強磁性材との合計量に対して基体の近傍で1〜IO重量
%、表面近傍で1〜70重量%で平均含有量が1〜20
重量%の範囲内であることが好ましく、表面近傍の含有
量がこれより少なずぎると耐食性が充分に改善されず、
多すぎると磁気特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
て漸減するように濃度勾配をもって含有される、前記の
金属または合金もしくはそれらの酸化物の含有割合は、
強磁性材との合計量に対して基体の近傍で1〜IO重量
%、表面近傍で1〜70重量%で平均含有量が1〜20
重量%の範囲内であることが好ましく、表面近傍の含有
量がこれより少なずぎると耐食性が充分に改善されず、
多すぎると磁気特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
強磁性材としては、C02F e 1N iSCo−N
i合金、Co−Cr合金、Go−P合金、C,。
i合金、Co−Cr合金、Go−P合金、C,。
−Ni−P合金など一般に真空蒸着に使用される強磁性
材がいずれも使用される。
材がいずれも使用される。
また、基体としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリ
アミド等一般に使用されている高分子成形物からなるプ
ラスチックフィルム、および銅などの非磁性金属からな
る金属フィルムが使用される。
アミド等一般に使用されている高分子成形物からなるプ
ラスチックフィルム、および銅などの非磁性金属からな
る金属フィルムが使用される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1
第1図に示す真空蒸着装置を使用し、厚さ10μのポリ
エステルフィルム7を原反ロール8よりガイドロール9
を介して円筒状キャン4の周側面に沿って移動させ、さ
らにガイドロール10を介して巻き取りロール11に巻
き取るようにセントした。同時に真空蒸着室6内の強磁
性材蒸発源12内に0014をセントし、金属蒸発源1
3内にCo−Cr合金(重量比7:3)15をセットし
た。次いで排気系18および19で真空蒸着室6をlX
10j)−ルまで真空排気するとともに、プラス・冑処
理室5をlX10−6トールまで真空排気し、強磁性材
蒸発源12内のC014および金属蒸発源13内のC,
o−Cr合金15を加熱蒸発して、ポリエステルフィル
ム7上にGoからなり、かつco−Cr合金をポリエス
テルフィルム7に近づくにつれて漸減するように含有し
た厚さが1000人の強磁性金属薄膜層を形成した。次
にプラズマ処理室5内の酸素ガス導入管16から酸素ガ
スを導入し、酸素ガス圧1xlO−1トールでグロー放
電電極17の印加電圧を550■にしてプラズマ酸化を
行った。しかる後、所定の中に裁断して磁気テープをつ
くった。このようにして得られた磁気テープの強磁性金
属薄膜層を、電子顕微鏡で観察したところ、第2図に示
すように中心にCoを多く含みCo−Cr合金を少量含
有する柱状の結晶20が析出形成され、その周面に中心
よりCo−Cr合金を多く含有したcoとCo−Cr合
金との薄膜層21が析出形成され、さらにその周面にC
o−Cr合金の酸化物を多く含み少量のCo酸化物を含
有する薄膜1’ti22が析出形成されて強磁性金属薄
膜層23が形成されていた。
エステルフィルム7を原反ロール8よりガイドロール9
を介して円筒状キャン4の周側面に沿って移動させ、さ
らにガイドロール10を介して巻き取りロール11に巻
き取るようにセントした。同時に真空蒸着室6内の強磁
性材蒸発源12内に0014をセントし、金属蒸発源1
3内にCo−Cr合金(重量比7:3)15をセットし
た。次いで排気系18および19で真空蒸着室6をlX
10j)−ルまで真空排気するとともに、プラス・冑処
理室5をlX10−6トールまで真空排気し、強磁性材
蒸発源12内のC014および金属蒸発源13内のC,
o−Cr合金15を加熱蒸発して、ポリエステルフィル
ム7上にGoからなり、かつco−Cr合金をポリエス
テルフィルム7に近づくにつれて漸減するように含有し
た厚さが1000人の強磁性金属薄膜層を形成した。次
にプラズマ処理室5内の酸素ガス導入管16から酸素ガ
スを導入し、酸素ガス圧1xlO−1トールでグロー放
電電極17の印加電圧を550■にしてプラズマ酸化を
行った。しかる後、所定の中に裁断して磁気テープをつ
くった。このようにして得られた磁気テープの強磁性金
属薄膜層を、電子顕微鏡で観察したところ、第2図に示
すように中心にCoを多く含みCo−Cr合金を少量含
有する柱状の結晶20が析出形成され、その周面に中心
よりCo−Cr合金を多く含有したcoとCo−Cr合
金との薄膜層21が析出形成され、さらにその周面にC
o−Cr合金の酸化物を多く含み少量のCo酸化物を含
有する薄膜1’ti22が析出形成されて強磁性金属薄
膜層23が形成されていた。
また、この強磁性金属薄膜層中のCo −’Cr合金お
よび酸素の濃度分布をオージェ電子分光計によって調べ
た結果、第3図の曲線Aに示されるように厚み方向の分
析で厚み450人まででCrが基体7に近づくにつれて
漸減する濃度分布が検知され、曲線Bに示されるように
厚み方向の分析で厚み400人までで酸素が基体7に近
づくにつれて漸減する濃度分布が検知された。なお、第
3図において曲線CはCoの濃度分布であり、7はポリ
エステルフィルムである。
よび酸素の濃度分布をオージェ電子分光計によって調べ
た結果、第3図の曲線Aに示されるように厚み方向の分
析で厚み450人まででCrが基体7に近づくにつれて
漸減する濃度分布が検知され、曲線Bに示されるように
厚み方向の分析で厚み400人までで酸素が基体7に近
づくにつれて漸減する濃度分布が検知された。なお、第
3図において曲線CはCoの濃度分布であり、7はポリ
エステルフィルムである。
実施例2
実施例1において、強磁性材蒸発源12内に、Co14
代えてCo−Ni合金(重量比8:2)14をセットし
、金属蒸発源13内にCo−Cr合金15に代えてCr
15をセントし、さらにプラズマ処理室5に取りつけた
グロー放電電極の印加電圧を550Vから450■に変
更した以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくっ
た。得られた磁気テープの強磁性金属薄膜層中のCrお
よび酸素の濃度分布をオージェ電子分光計によって調べ
た結果、第4図の曲線Aに示されるように厚み方向の分
析で厚み350人まででCrが基体7に近づくにつれて
漸減する濃度分布が検知され、曲線Bに示されるように
厚み方向の分析で厚み300人までで酸素が基体7に近
づくにつれて漸減する濃度分布が検知された。尚、第4
図において曲線CはCoの濃度分布であり、曲線りはN
iの濃度分布である。また7はポリエステルフィルムで
ある。
代えてCo−Ni合金(重量比8:2)14をセットし
、金属蒸発源13内にCo−Cr合金15に代えてCr
15をセントし、さらにプラズマ処理室5に取りつけた
グロー放電電極の印加電圧を550Vから450■に変
更した以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくっ
た。得られた磁気テープの強磁性金属薄膜層中のCrお
よび酸素の濃度分布をオージェ電子分光計によって調べ
た結果、第4図の曲線Aに示されるように厚み方向の分
析で厚み350人まででCrが基体7に近づくにつれて
漸減する濃度分布が検知され、曲線Bに示されるように
厚み方向の分析で厚み300人までで酸素が基体7に近
づくにつれて漸減する濃度分布が検知された。尚、第4
図において曲線CはCoの濃度分布であり、曲線りはN
iの濃度分布である。また7はポリエステルフィルムで
ある。
実施例3
実施例1において、金属蒸発源13内にco−Cr合金
15に代えてA115をセットし、さらにプラズマ処理
室5に取りつけたグロー放電電極の印加電圧を550V
から450■に変更した以外は、実施例1と同様にして
磁気テープをつくった。得られた磁気テープの強磁性金
属薄膜層中のAlおよび酸素の濃度分布をオージェ電子
分光計によって調べた結果、第5図の曲線へに示される
ように厚み方向の分析で厚み500人まででAIが基体
7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知され、曲線
Bに示されるように厚み方向の分析で厚み300人まで
で酸素が基体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検
知された。なお、第5図において曲線CはCoの濃度分
布であり、7はポリエステルフィルムである。
15に代えてA115をセットし、さらにプラズマ処理
室5に取りつけたグロー放電電極の印加電圧を550V
から450■に変更した以外は、実施例1と同様にして
磁気テープをつくった。得られた磁気テープの強磁性金
属薄膜層中のAlおよび酸素の濃度分布をオージェ電子
分光計によって調べた結果、第5図の曲線へに示される
ように厚み方向の分析で厚み500人まででAIが基体
7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知され、曲線
Bに示されるように厚み方向の分析で厚み300人まで
で酸素が基体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検
知された。なお、第5図において曲線CはCoの濃度分
布であり、7はポリエステルフィルムである。
実施例4 “
実施例1において、金属蒸発源13内にCo −Cr合
金15に代えて5i15をセットし、さらにプラズマ処
理室5に取りつげたグロー放電電極の印加電圧を550
Vから450vに変更した以外は、実施例1と同様にし
て磁気テープをつくった。得られた磁気テープの強磁性
金属薄膜層中のSiおよび酸素の濃度分布をオージェ電
子分光計によって調べた結果、第6図の曲線Aに示され
るように厚み方向の分析で厚み800人まででSiが基
体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知され、曲
線Bに示されるように厚み方向の分析で厚f71400
人までで酸素が基体7に近づくにつれて漸減する濃度分
布が検知された。なお、第6図にお′いて曲線CはCo
の濃度分布であり、7はポリエステルフィルムである。
金15に代えて5i15をセットし、さらにプラズマ処
理室5に取りつげたグロー放電電極の印加電圧を550
Vから450vに変更した以外は、実施例1と同様にし
て磁気テープをつくった。得られた磁気テープの強磁性
金属薄膜層中のSiおよび酸素の濃度分布をオージェ電
子分光計によって調べた結果、第6図の曲線Aに示され
るように厚み方向の分析で厚み800人まででSiが基
体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知され、曲
線Bに示されるように厚み方向の分析で厚f71400
人までで酸素が基体7に近づくにつれて漸減する濃度分
布が検知された。なお、第6図にお′いて曲線CはCo
の濃度分布であり、7はポリエステルフィルムである。
実施例5
実施例1において、プラズマ酸化処理を省いた以外は実
施例1と同様にして磁気テープをつくった。このように
して得られた磁気テープの強磁性金属薄膜層を、電子顕
微鏡で観察したところ、第7図に示すように中心にGo
を多く含み、Co〜Cr合金を少量含有する柱状の結晶
2oが析出形成され、その周面に中心よりCo−Cr合
金を多く含有したCoとco−Cr合金との薄膜層21
が析出形成されて強磁性金属薄膜層24が形成されてい
た。また、得られた磁気テープの強磁性金属S膜層中の
Co−Cr合金の濃度分布をオージェ電子分光計によっ
て調べた結果、第8図の曲線Aに示されるように厚み方
向の分析で厚み500人まででCrが基体7に近づくに
つれて漸減する濃度分布が検知された。なお、第8図に
おいて曲線BばCOの濃度分布であり、7はポリエステ
ルフィルムである。
施例1と同様にして磁気テープをつくった。このように
して得られた磁気テープの強磁性金属薄膜層を、電子顕
微鏡で観察したところ、第7図に示すように中心にGo
を多く含み、Co〜Cr合金を少量含有する柱状の結晶
2oが析出形成され、その周面に中心よりCo−Cr合
金を多く含有したCoとco−Cr合金との薄膜層21
が析出形成されて強磁性金属薄膜層24が形成されてい
た。また、得られた磁気テープの強磁性金属S膜層中の
Co−Cr合金の濃度分布をオージェ電子分光計によっ
て調べた結果、第8図の曲線Aに示されるように厚み方
向の分析で厚み500人まででCrが基体7に近づくに
つれて漸減する濃度分布が検知された。なお、第8図に
おいて曲線BばCOの濃度分布であり、7はポリエステ
ルフィルムである。
実施例6
実施例2において、プラズマ酸化処理を省いた以外は実
施例1と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの強磁性金属薄膜層中のCrの濃度分布をオー
ジェ電子分光計によって調べた結果、第9図の曲線Aに
示されるように厚み方向の分析で厚み800人まででC
rが基体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知さ
れた。
施例1と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの強磁性金属薄膜層中のCrの濃度分布をオー
ジェ電子分光計によって調べた結果、第9図の曲線Aに
示されるように厚み方向の分析で厚み800人まででC
rが基体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知さ
れた。
なお、第9図において曲線BはCOの濃度分布であり、
曲線CはNiの濃度分布である。また7はポリエステル
フィルムである。
曲線CはNiの濃度分布である。また7はポリエステル
フィルムである。
実施例7
実施例3において、プラズマ酸化処理を省いた以外は実
施例1と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの強磁性金属薄膜層中のAIの濃度分布をオー
ジェ電子分光計によって調べた結果、第10図の曲線A
に示されるように厚み方向の分析で厚み900人までで
AIが基体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知
された。なお、第10図において曲線BはCoの濃度分
布であり、7はポリエステルフィルムである。
施例1と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの強磁性金属薄膜層中のAIの濃度分布をオー
ジェ電子分光計によって調べた結果、第10図の曲線A
に示されるように厚み方向の分析で厚み900人までで
AIが基体7に近づくにつれて漸減する濃度分布が検知
された。なお、第10図において曲線BはCoの濃度分
布であり、7はポリエステルフィルムである。
実施例8
実施例4において、プラズマ酸化処理を省いた以外は実
施例1と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの強磁性金属薄膜層中のSiの濃度分布をオー
ジェ電子分光計によって調べた結果、第11図の曲線A
に示されるように厚み方向の分析で厚み900人までで
Siが基体7に近づくにりれて漸減する濃度分布が検知
された。なお、第11図において曲線BはCoの濃度分
布であり、7はポリエステルフィルムである。
施例1と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの強磁性金属薄膜層中のSiの濃度分布をオー
ジェ電子分光計によって調べた結果、第11図の曲線A
に示されるように厚み方向の分析で厚み900人までで
Siが基体7に近づくにりれて漸減する濃度分布が検知
された。なお、第11図において曲線BはCoの濃度分
布であり、7はポリエステルフィルムである。
比較例1
第12図に示すように、真空槽25内に円筒状キャン2
6を配設し、基体7を原反ロール27がらガイドロール
28を介して円筒状キャン26の周側面に沿って移動さ
せ、ガイドロール29を介して巻き取りロール30に巻
き取るようにし、かつ真空槽25の側壁にガス導入管3
1を取りつけた真空蒸着装置を使用し、真空槽25の下
部に配設した強磁性材蒸発源32内にC’o 3 ”3
をセットするとともにガス導入管31あ・ら酸素ガスを
導入し、酸素ガス圧lXl0−5トニルで強磁性材蒸発
源32内のCo33を加熱蒸発して真空蒸着を行い、基
体7上にcoからなる表面が酸化された柱状結晶の粒子
で構成された強磁性金属薄膜層を形成した。しかる後、
所定の11に裁断して磁気テープをつくった。
6を配設し、基体7を原反ロール27がらガイドロール
28を介して円筒状キャン26の周側面に沿って移動さ
せ、ガイドロール29を介して巻き取りロール30に巻
き取るようにし、かつ真空槽25の側壁にガス導入管3
1を取りつけた真空蒸着装置を使用し、真空槽25の下
部に配設した強磁性材蒸発源32内にC’o 3 ”3
をセットするとともにガス導入管31あ・ら酸素ガスを
導入し、酸素ガス圧lXl0−5トニルで強磁性材蒸発
源32内のCo33を加熱蒸発して真空蒸着を行い、基
体7上にcoからなる表面が酸化された柱状結晶の粒子
で構成された強磁性金属薄膜層を形成した。しかる後、
所定の11に裁断して磁気テープをつくった。
比較例2
実施例1において、金属蒸発源13内でのC。
−Cr合金の真空蒸着およびプラズマ酸化処理を省いた
以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
比較例3
実施例2において、金属蒸発源13内でのCrの真空蒸
着およびプラズマ酸化処理を省いた以外は実施例2と同
様にして磁気テープをつくった。
着およびプラズマ酸化処理を省いた以外は実施例2と同
様にして磁気テープをつくった。
各実施例および各比較例で得られた磁気テープを60℃
、90%RHの条件下に放置し、時間の経過に伴う最大
磁束密度の劣化率を、放置前の磁気テープの最大磁束密
度を100%として測定し、耐食1生を調べた。第13
図はその最大磁束密度の劣化率の変化をグラフで表した
もので、グラフAは実施例1で得られた磁気テープ、グ
ラフBは実施例2で得られた磁気テープ、グラフCは実
施例3で得られた磁気テープ、グラフDば実施例4で得
られた磁気テープ、グラフEは実施例5で得られた磁気
テープ、グラフFは実施例6で得られた磁気テープ、グ
ラフGは実施例7で得られた磁気テープ、グラフHは実
施例8で得られた磁気テープ、グラフIば比較例1で得
られた磁気テープ、グラフJは比較例2で得られた磁気
テープ、グラフには比較例3で得られた磁気テープを示
す。
、90%RHの条件下に放置し、時間の経過に伴う最大
磁束密度の劣化率を、放置前の磁気テープの最大磁束密
度を100%として測定し、耐食1生を調べた。第13
図はその最大磁束密度の劣化率の変化をグラフで表した
もので、グラフAは実施例1で得られた磁気テープ、グ
ラフBは実施例2で得られた磁気テープ、グラフCは実
施例3で得られた磁気テープ、グラフDば実施例4で得
られた磁気テープ、グラフEは実施例5で得られた磁気
テープ、グラフFは実施例6で得られた磁気テープ、グ
ラフGは実施例7で得られた磁気テープ、グラフHは実
施例8で得られた磁気テープ、グラフIば比較例1で得
られた磁気テープ、グラフJは比較例2で得られた磁気
テープ、グラフには比較例3で得られた磁気テープを示
す。
第13図に示すグラフから明らかなように、比較例1な
いし3で得られた磁気テープは、時間の経過に伴って劣
化率が非常に大きくなるが、この発明で得られた磁気テ
ープ(実施例1ないし8)はいずれも時間が経過しても
それほど劣化率が大きくならす、このことからこの発明
によって得られる磁気記録媒体は耐食性に優れているこ
とがわかる。
いし3で得られた磁気テープは、時間の経過に伴って劣
化率が非常に大きくなるが、この発明で得られた磁気テ
ープ(実施例1ないし8)はいずれも時間が経過しても
それほど劣化率が大きくならす、このことからこの発明
によって得られる磁気記録媒体は耐食性に優れているこ
とがわかる。
第1図はこの発明の磁気記録媒体を製造するのに使用す
る真空蒸着装置の1例を示す概略断面図、第2図および
第7図はこの発明で得られた磁気テープの電子顕微鏡で
観察した強磁性金属薄膜層の拡大断面説明図、第3図な
いし第6図はこの発明で得られた磁気テープの強磁性金
属薄II!ii!層中における強磁性材、金属および酸
素の分布状態をオージェ電子分光計によって調べた結果
を示す説明図、第8図ないし第11図はこの発明で得ら
れた磁気テープの強磁性金属薄膜層中における強磁性材
および金属の分布状態をオージェ電子分光針によって調
べた結果を示す説明図、第12図は従来の磁気記録媒体
を製造するのに使用する真空蒸着装置の1例を示す概略
断面図、第13図はこの発明で得られた磁気テープの劣
化率と経過時間との関係図である。 7・・・ポリエステルフィルム(基体)、23.24・
・・強磁性金属薄膜層 特許出願人 日立マクセル株式会社 第12図 第15図 経 過 時 間 (凋)
る真空蒸着装置の1例を示す概略断面図、第2図および
第7図はこの発明で得られた磁気テープの電子顕微鏡で
観察した強磁性金属薄膜層の拡大断面説明図、第3図な
いし第6図はこの発明で得られた磁気テープの強磁性金
属薄II!ii!層中における強磁性材、金属および酸
素の分布状態をオージェ電子分光計によって調べた結果
を示す説明図、第8図ないし第11図はこの発明で得ら
れた磁気テープの強磁性金属薄膜層中における強磁性材
および金属の分布状態をオージェ電子分光針によって調
べた結果を示す説明図、第12図は従来の磁気記録媒体
を製造するのに使用する真空蒸着装置の1例を示す概略
断面図、第13図はこの発明で得られた磁気テープの劣
化率と経過時間との関係図である。 7・・・ポリエステルフィルム(基体)、23.24・
・・強磁性金属薄膜層 特許出願人 日立マクセル株式会社 第12図 第15図 経 過 時 間 (凋)
Claims (1)
- 1、基体上に強磁性金属薄膜層を設けた磁気記録媒体に
おいて、強磁性金属薄膜層中に、クロム、アルミニウム
、ケイ素および少なくともこれらの1種を含む合金から
選ばれる金属もしくはそれらの酸化物を基体に近づ(に
つれて漸減するように含有させたことを特徴とする磁気
記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068684A JPS60185224A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068684A JPS60185224A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185224A true JPS60185224A (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=12587425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4068684A Pending JPS60185224A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60185224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258723A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
-
1984
- 1984-03-03 JP JP4068684A patent/JPS60185224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258723A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
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