JPS6018668B2 - 7−(2−置換フエニルグリシンアミド)−3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸誘導体の合成法 - Google Patents

7−(2−置換フエニルグリシンアミド)−3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸誘導体の合成法

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JPS6018668B2
JPS6018668B2 JP10452274A JP10452274A JPS6018668B2 JP S6018668 B2 JPS6018668 B2 JP S6018668B2 JP 10452274 A JP10452274 A JP 10452274A JP 10452274 A JP10452274 A JP 10452274A JP S6018668 B2 JPS6018668 B2 JP S6018668B2
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孝 紙谷
邦彦 田中
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は新規な7−(2−置換フェニルグリシンアミ
ド)−3ーメチルー3ーセフエム−4ーカルボン酸誘導
体の合成法に関するものであり、その概略を式で示すと
次の通りである。
〔式中、Zはアミノ基が保護されたもし〈は保護されて
いない2一(アルカンスルホニルアミノ置換フェニル)
グリシル基以外のアシル基、Rはアルキル基、Xは保護
されたアミノ基をそれぞれ意味する〕この発明の方法は
7ーアシルアミノー3ーメチルー3ーセフェムー4ーカ
ルボン酸(1)のカルポキシ基における誘導体をィミノ
ハロゲン化し、次いでィミノェーテル化し、得られる反
応生成物に2−置換フェニルグリシンまたはそのカルポ
キシ基における反応性誘導体を作用させ、次いで反応生
成物を加溶媒分解反応に付し、得られる反応生成物のァ
ミノ基が保護されているときには次いでそのアミノ保護
基の脱離反応に付すことにより行なわれる。
この発明の方法で原料物質として使用される7ーアシル
アミノー3−メチル一3ーセフヱムー4−カルボン酸は
前記の一般式(1)で表わされる。
そして、前記の一般式(1)においてZで示されるアシ
ル基としては、有機カルボン酸から誘導され得るアシル
基が挙げられ、そのような有機カルボン酸としては、た
とえば直鏡状もしくは分枝鎖状または環状の、飽和もし
くは不飽和の炭素鎖中に酸素原子もしくは硫黄原子が介
在したまたは介在しない脂肪族カルボン酸、およびこれ
らの脂肪族カルボン酸が酸素原子もしくは硫黄原子を介
してトまたは介さずに芳香族炭化水素残基もしくは複素
環式基と結合した芳香脂肪族カルボン酸、芳香族オキシ
脂肪族カルボン酸、芳香族チオ脂肪族カルボン酸、複秦
環置換脂肪族カルボン酸、複素環オキシ脂肪族カルボン
酸、複素環チオ脂肪族カルボン酸、ならびに芳香族カル
ボン酸および後素環カルボン酸等の有機カルボン酸が挙
げられる。ここで脂肪族カルボン酸としては、義酸、酢
酸、プロピオン酸、ブタン酸、イソブタン酸、ベンタン
酸、ィソベンタン酸、ピバリン酸、へキサン酸、シクロ
ヘキサン酸、アクリル酸、クロトン酸、シクロベンタン
酢酸、シクロヘキサン酢酸、シクロヘプタン酢酸、シク
ロヘキサンプロピオン酸、シクロヘキセン酢酸、シクロ
ヘキサジェン酢酸、メトキシ酢酸、シクロヘキシルオキ
シ酢酸、メチルチオ酢酸等が例示される。また、上記の
有機カルボン酸における芳香族炭化水素残基としてはフ
エニル、ナフチル、トリル、キシリル、メシチル、クメ
ニル等が例示され、さらに上記の有機カルボン酸におけ
る榎素環式基としては、フラン、チオフエン、ピロール
、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、チアゾー
ル、イソチアゾール、オキサゾール、インキサゾール、
チアジアゾール、オキサジアゾール、チアトリアゾール
、オキサトリアゾール、テトラゾール、ピリジン、ピラ
ジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾチオフエン、ベ
ンゾフラン、インドール、インダゾール、ベンズイミダ
ゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベ
ンズオキサゾール、プリン、キノリン、インキノリン、
フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン
、ピロリジン、イミダゾリジン、ピベリジン、ピベラジ
ン等のへテロ原子を環中に1個以上含む、飽和もしくは
不飽和の単環もしくは多環の複素環化合物の残基が例示
される。そして、これらの有機カルボン酸を構成する脂
肪族炭化水素残基、芳香族炭化水素残基および複素環式
基はハロゲン、ヒドロキシ基、スルホ基、メルカプト基
、カルボキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルキル
チオ基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジア
ルキルアミノ基、シアノ基、アルカノィル基、アラルカ
ノイル基、アロイル基、アルカノィルオキシ基、アラル
カノィルオキシ基、アロィルオキシ基等のこの反応に関
与しない適当な置換分を任意の位置に1個以上有してい
てもよい。これらの置換分のうち、ヒドロキシ基、スル
ホ基、メルカプト基、カルボキシ基およびアミ/基は通
常用いられる適当な保護基でそれぞれ保護されていても
よい。これらのアシル基の中でも、最も好ましいものと
しては、フェニルアセチル基およびフェノキシアセチル
基が例示される。なお、上記のアシル基にはこの発明の
目的化合物(m)のセフェム核の7位のアミノ基におけ
る置換分である2−(ァルカンスルホニルアミノ置換フ
ェニル)グリシル基およびそのQ−アミノ基が保護され
ている2−(アルカンスルホニルアミノ置換フェニル)
グリシル基は含まないものとする。これらの7−アシル
アミノ−3ーメチル−3ーセフェム−4ーカルボン酸(
1)のカルポキシ基における誘導体としては、ナトリウ
ム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩、ト
リェチルアミン塩等の塩類、メチルェステル、エチルェ
ステル、第3級ブチル江ステル、第3級ベンチルエステ
ル、トリメチルシリルエステル、2ーメシルエチルエス
テル、トリクロロエステル、2−ヨードエチルエステル
、2,2,2−トリクロロエチルエステル、ベンジルエ
ステル、4ーメトキシベンジルエステル、4ーニトロベ
ンジルヱステル、フヱナシルエステル、フエネチルエス
テル、ジフエニルメチルエステル、トリチルエステル、
ビス(メトキシフエニル)メチルエステル、3,4ージ
メトキシベンジルエステル、(1−シクロプロピル)エ
チルエステル、エチニルエステル、4ーヒドロキシ−3
,5ージ第3級プチルベンジルェステル等のェステル等
のほかアミド等も挙げられる。ィミノハロゲン化は化合
物(1)のカルボキシ基における誘導体にィミノハロゲ
ン化剤を作用させることにより行なわれる。
ここで使用されるイミノハロゲン化剤としては、たとえ
ば3塩化燐、5塩化燐、3臭化燐、5臭化燐、オキシ塩
化燐、塩化チオニル、ホスゲン等が特に繁用される。反
応温度は特に限定されないが、通常室温か冷却下で反応
が行なわれる。このようにして得られる反応生成物を次
いでィミノェーテル化反応に付す。
ィミノェーテル化反応は上記の反応生成物に有機ヒドロ
キシ化合物またはその塩類を作用させることにより行わ
れる。ここで使用される有機ヒドロキシ化合物またはそ
の塩類としては、アルコール類もしくは金属アルコサィ
ド類が挙げられ、アルコール類としてはメタノール、エ
タノール、プロ/ぐノール、インプロピルアルコール、
ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、第3級ブチルアルコール等のアルカノール類または
これらのアルキル部分がメトキシ、ェトキシプロポキシ
、ィソプロポキシ、ブトキシ、第3級プトキシ等のアル
コキシ基等で置換された化合物が挙げられる。また金属
アルコキサィド類としては、上記のようなアルコール類
から誘導されるナトリウムアルコキサィド、カリウムア
ルコキサィド等のアルカリ金属アルコキサイドおよびカ
ルシウムアルコキサイド、バリウムアルコキサィド等の
アルカリ士類金属アルコキサィドなどが例示される。反
応温度は特に限定されないが、通常冷却下〜室温で反応
が行なわれる。このようにして得られる反応生成物に次
いで2−置換フェニルグリシン(ロ)またはそのカルボ
キシ基における反応性誘導体を作用させる。
2−置換フェニルグリシンは前記の一般式(n)で表わ
され、さらに詳細にはメチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、第3級ブチル、ベンチ
ル、ヘキシル等のアルキル基をRとして有し、保護され
たアミノ基を×として有する化合物を意味する。
ここで保護されたアミノ基における保護基としてはペン
ジルオキシカルボニル、4ーニトロベンジルオキシカル
ボニル、4−プロモベンジルオキシカルボニル、4ーメ
トキシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジメトキシ
ベンジルオキシカルボニル、4一(フエニルアゾ)ペン
ジルオキシカルポニル、4一(4一メトキシフエニルア
ゾ)ペンジルオキシカルポニル、第3級ブトキシカルボ
ニル、第3級ベンチルオキシカルボニル、、イソプロポ
キシカルボニル、ジフエニルメトキシカルポニル、2ー
ピリジルメトキシカルボニル、2,2,2ートリクロロ
エトキシカルボニル、2,2,2−トリプロモエトキシ
カルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボニル、
3ーヨードプロポキシカルボニル、2−フルフリルオキ
シカルポニル、1−アダマンチルオキシカルボニル、8
ーキノリルオキシカルボニル、トリフルオロァセチル等
の脱離しやすいアシル基のほかトリチル、2ーニトロフ
ェニルチオ、2,4−ジニトロフエニルチオ、2ーヒド
ロキシベンジリデン、2−ヒドロキシー5ークロロベン
ジリデン、2ーヒドロキシー1ーナフチルメチレン、3
ーヒドロキシー4ーピリジルメチレン、1−メトキシカ
ルボニル−2ープロピリデン、1−エトキシカルボニル
ー2ープロピリデン、3ーエトキシカルボニル一2−プ
チリデン、1ーアセチル−2ープロピリデン、1ープロ
ピオニルー2ープロピリデン、1−ペンゾイルー2ープ
ロピリデン、1,3ービス(エトキシカルボニル)−2
ープロピリデン、1一(Nーメチルカルバモイル)−2
ープロピリデン、1−(N,N−ジメチルカルバモイル
)一2−プロピリデン、1一{N−メトキシフエニル)
力ルバモイル}一2ープロピリデン、1−{N一(4ー
メトキシフエニル)力ルバモイル}一2ープロビリデン
、1一(N−フエニルカルバモイル)−2ープロピリデ
ン、2ーエトキシカルボニルシクロベンチリデン、2−
アセチルシクロヘキシリデン、3,3−ジメチルー5−
オキソシクoヘキシリデン等の脱離しやすい基が挙げら
れる(これらのうち、例えば1−メトキシカルボニル−
2ープロピリデンは1ーメトキシカルボニル一1−プロ
ベン−2ーイルと表わされることがあり、また例えば2
−ェトキシカルボニルシクロヘキシリデンは2ーエトキ
シカルボニル−1ーシクロヘキセニルと表わされること
もある)。また、遊離のァミノ基の塩酸塩、臭化水素酸
塩、沃化水素酸塩等の酸塩も保護されたアミノ基として
例示される。これらの2−置換フェニルグリシン(ロ)
のカルボキシ基における反応性誘導体としては酸ハラィ
ド、酸無水物、活性アミド、活性ェステル等が挙げられ
るが、特に繁用されるものとしては酸クロラィド、酸ア
ジド、アルキル炭酸混合無水物、脂肪族カルボン酸(た
とえばピバリン酸、ベンタン酸、ィソベンタン酸、2ー
ェチルブタン酸)混合無水物、芳香族カルボン酸(たと
えば安息香酸)混合無水物、対称形酸無水物等の酸無水
物、ィミダゾール、4‐置換ィミダゾール、ジメチルピ
ラゾール、トリアゾール、テトラゾール等との活性酸ア
ミド、ジアノメチルェステル、メトキシメチルエステル
、ビニルエステル、1ーメトキシビニルエステル、1−
エトキシビニルエステル、プロ/ッレギルエステル、p
ーニトロフエニルエステル、トリク。
ロフエニルエステル、ベンタクロロフエニルエステル、
メタンス′レホニルフエニ/レエステノレ、フエニノレ
アゾ・フエニ′レヱステ′レ、フヱニルチオエステル、
pーニトロフエニルチオエステル、p一クレジルチオエ
ステル、力ルボキシメチルチオエステル、ピラニルエス
テル、ピリジルエステル、ピベリジルヱステル、8一キ
ノリルチオエステル、N,Nージメチルヒドロキシルア
ミン、1−ヒドロキシ−2(IH)−ピリドン、Nーヒ
ドロキシサクシンイミドもしくはN−ヒドロキシフタル
ィミドとのェステル等の活性ヱステル類等が挙げられ、
これらは使用する2‐置換フヱニルグリシン(0)の種
類に応じて適宜選択される。この反応は有機塩基の存在
下に行なうこともでき、その場合に使用される有機塩基
としては例えばトリアルキルアミン、N,Nージアルキ
ルベンジルァミン、ピリジン等が挙げられる。反応温度
は特に限定されないが、通常、室温〜加温下に反応が行
なわれる。この反応において前段の反応の反応液をその
まま使用してもよく、また反応液を一旦減圧下に濃縮し
、過剰のィミノハロゲン化剤およびアルコール類などを
留去したものを使用してもよい。このようにして得られ
る反応生成物を最後に加溶媒分解反応に付す。
加溶媒分解反応は、前段で得られる反応液に、水もしく
はメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール
、インブロピルアルコール等のアルコール類またはそれ
らの混合物を加えることにより行なわれる。この反応は
炭酸水素アルカリ金属、トリアルキルアミン等の塩基も
しくは希塩酸、酢酸等の酸の存在下に行なうこともでき
る。反応生成物である7一(2一贋換フェニルグリシン
アミド)−3ーメチル−3ーセフェム−4ーカルボン酸
誘導体(m)は常法により単離、採取される。この発明
の反応は、最後の加溶媒分解反応の他はすべて無水の条
件下で行なうのが望ましい。
なお、化合物(1)のカルボキシ基における譲導体の種
類および反応の条件によっては、遊離のカルボキシ基を
有する目的化合物(m)が得られることもあるが、この
場合もこの発明に含まれる。また、化合物(1)のアミ
ノ基における保護基の種類および反応の条件によっては
、該保護基が脱離した目的化合物(m)が直接得られる
こともあり、この場合もこの発明に含まれる。
上記の加溶媒分解反応により得られる生成物のァミノ基
が保護されているときに、次いで該生成物をアミノ保護
基の脱離反応に付す。
ァミノ保護基の脱離反応は、保護基の種類に応じて酸に
よる処理、接触還元等の常用の方法で行われる。
酸による脱離反応は最も繁用される方法の1つであり、
例えばペンジルオキシカルボニル、置換ペンジルオキシ
カルボニル、アルコキシカルボニル、置換アルコキシカ
ルボニル、アラルコキシカルボニル、アダマンチルオキ
シカルポニル、トリチル、置換フヱニルチオ、置換アラ
ルキリデン、置換ァルキリデン、置換シクロアルキリデ
ン等に対して適用される。使用される酸は場合によって
異なるが、減圧下で容易に蟹去できる義酸、トリフルオ
ロ酢酸等が最も繁用される。酸による分解において溶媒
を使用する場合は親水性有機溶媒、水またはそれらの混
合溶媒が使用されることが多い。接触還元は例えばペン
ジルオキシカルポニル、置換ペンジルオキシカルボニル
、2−ピリジメトキシカルボニル等に適用され、最も繁
用されるのはパラジウム触媒であるがその他の触媒も用
いられる。その他、トリフルオロアセチルは水で処理す
ることにより、またハロゲン置換アルコキシルカルボニ
ルおよび8ーキノリルオキシカルポニルは鋼、亜鉛等の
重金属で処理することにより保護基の脱離反応を行なう
のが普通である。また、遊離のアミノ基の酸塩が保護さ
れたアミノ基として存在する化合物(0)を原料物質と
して使用したときの反応生成物のアミ/保護基の脱離は
、反応生成物をトリメチルアミン、トリェチルアミン、
N−メチルピベラジン、N,N−ジメチルアニリン、ピ
リジン等の3級有機塩基のほか水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸アンモニウムのような塩基で処理する
ことにより行なわれる。これらのアミノ保護基の脱離は
反応生成物を特に単離、精製しないでそのまま行なうこ
ともできる。このようにして得られる7−(2−置換フ
ェニルグリシンアミド)一3−メチル一3ーセフエムー
4ーカルボン酸誘導体(m)は常法によりナトリウム塩
、カリウム塩、トリェチルアミン塩、ジシクロヘキシル
アミン塩等の無機もしくは有機塩基との塩または塩酸塩
、硫酸塩、酒石酸塩等の無機もしくは有機酸との塩など
所望の塩に導くことができる。
この発明の方法によって得らる目的物(m)はすべて新
規化合物で、酸およびべニシリナーゼに安定な抗菌性物
質として有用である。
次にこの発明の方法を実施例により説明する。
実施例 17−フエニルアセトアミド−3ーメチル−3
−セフェム−4ーカルボン酸の2,2,2−トリクロロ
ヱチルェステル928の9を塩化メチレン10の上に溶
解し、ピリジン190の9および塩化隣500の9を鰯
洋下、一160で加えた後、同温度で30分間次いで室
温で2.虫時間櫨拝する。
これに無水〆ノ一ル320の9を−10qo以下で滴下
して、一15〜一1oo0で3時間縄拝する。これにN
,N−ジメチルアニ1」ン1.16夕を−10qo以下
で滴下し、N−第3級ブトキシカルボニルー2一(3一
メシルアミノフエニル)Dーグリシンとクロル義酸ィソ
ブチルとの混合酸無水物〔調整法:N−第3級ブトキシ
カルボニルー2−(3−メシルアミノフエニル)一〇ー
グリシン斑0の9および塩化メチレン5の【からなる溶
液にトリエチルアミン222の9およびN,Nージメチ
ルベンジルアミン1滴を加える。この溶液をクロル義酸
ィソブチル300Mおよび塩化メチレン5の【からなる
溶液に濃拝下、−lyoで1粉ご間を要して滴下した後
、一15〜一14℃で45分間鷹拝する。〕の塩化メチ
レン溶液10机を櫨梓下、一15〜一10午Cで5分間
を要して滴下して、一10〜一8℃で1時間、室温で2
時間蝿拝する。反応液から溶媒を減圧蟹去し、残留物に
酢酸エチル20叫を加えた後、3%塩酸10の‘で2回
、水10w‘で1回、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液l
ow‘で2回そして塩化ナトリウム飽和水溶液10の【
で1回洗浄する。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、
全量が約3.2のこなるまで減圧濃縮した後、冷蔵庫中
で一夜放置する。析出する結晶を炉取し、少量の酢酸エ
チルで洗浄するとmp200〜20rC(分解)の7−
{N−第3級ブトキシカルボニルー2一(3一メシルア
ミノフエニル)−D−グリシンアミド}−3ーメチル−
3−セフェムー4ーカルボン酸の2,2,2ートリクロ
ロェチルェステル284の9を得る。さらに母液および
洗液を合わせ、溶媒を減圧留去した後、残留物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー〔展開溶媒:クロロホル
ム(10)十アセトン【1}〕に付して精製すると同じ
く目的物質0.26夕を得る。総収量544の9。赤外
線吸収スペクトル レヌジョール(肌‐1):3紙0,3150,1764
,1732,1670,1530,1156核磁気共鳴
吸収スペクトル 6DMSo−d6(ppm):1.38(班,s)2‐
09(餌,S)2.75(9日,s) 3.42(2日,broad s) 4.90,5.15(2日,q, J=12Hz) 5.04(IH,d,J=4.5 HZ) 5.27(IH,d,J=虫セ) 5.74,5.6o(IH,d,d, J=4.mz,餌セ) 9.11(IH,d,J=虫セ) 9.67(IH,s) 上記のようにして得た7−{N−第3級ブトキシカルボ
ニル−2−(3ーメシルアミノフエニル)−D−グリシ
ンアミド}−3−メチル−3ーセフェムー4−カルボン
酸の2,2,2−トリクロロェチルェステル1.09夕
を氷冷した義酸20奴‘‘こ加えた後、室温で2時間鷹
拝する。
反応液から義酸を減圧下に留去し、油状の磯笹に水を加
える。これに、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液を氷冷下
に加えてpH8〜9に調整する。析出する結晶を炉取し
、水洗し後、5酸化燐で乾燥すると、mpl07〜11
0qo(分解)の7−{2一(3一メシルアミノフエニ
ル)−Dーグリシンアミド}一3ーメチル−3−セフェ
ムー4−カルボン酸の2,2,2−トリクロロェチルェ
ステル0.78夕を得る。赤外線吸収スペクトル(ヌジ
ョール)し肌‐1:3350,1785,1740,1
磯5実施例 2上記と同様にして次の化合物を得る。
(1) 7一{2一(3−エタンスルホニルアミノフエ
ニル)一Dーグリシンアミド}一3−メチル−3ーセフ
ェムー4−カルボン酸mP179〜18〆0(分解) {21 7一{2一(4一メシルアミノフエニル)一D
ーグリシンアミド}−3−メチル−3ーセフェムー4−
カルボン酸mp205〜207C(分解)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Zはアミノ基が保護されたもしくは保護され
    ていない2−(アルカンスルホニルアミノ置換フエニル
    )グリシル基以外のアシル基を意味する〕で示される7
    −アシルアミノ−3−メチル−3−セフエム−4−カル
    ボン酸のカルボキシ基における誘導体をイミノハロゲン
    化し、次いでイミノエーテル化し、得られる反応生成物
    に一般式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、
    Rはアルキル基、Xは保護されたアミノ基をそれぞれ意
    味する)で示される2−置換フエニルグリシンまたはそ
    のカルボキシ基における反応性誘導体を作用させ、次い
    で反応生成物を加溶媒分解反応に付し、得られる反応生
    成物のアミノ基が保護されているときには次いでそのア
    ミノ保護基の脱離反応に付して一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは前と同じ意味) で示される7−(2−置換フエニルグリシンアミド)−
    3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸またはその
    カルボキシ基における誘導体を得ることを特徴とする7
    −(2−置換フエニルグリシンアミド)−3−メチル−
    3−セフエム−4−カルボン酸誘導体の合成法。
JP10452274A 1974-09-10 1974-09-10 7−(2−置換フエニルグリシンアミド)−3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸誘導体の合成法 Expired JPS6018668B2 (ja)

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JPS5132579A JPS5132579A (en) 1976-03-19
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