JPS601879A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS601879A JPS601879A JP10913883A JP10913883A JPS601879A JP S601879 A JPS601879 A JP S601879A JP 10913883 A JP10913883 A JP 10913883A JP 10913883 A JP10913883 A JP 10913883A JP S601879 A JPS601879 A JP S601879A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
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- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、１回の結晶成長でできる電流狭窄層を有す
るテラス型の半導体レープ“の製造方法圧関する。
るテラス型の半導体レープ“の製造方法圧関する。
（従来技術）
従来の電流狭窄層を有する半導体レーザの一例としてＶ
溝型レーザを第１図に示す。この第１図における１はｎ
−ＩｎＰ基板、２はＰ−ＩｎＰｉ流狭窄層、３はｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層、４はＩｎＱａ、／Ｉｇｐ活性層、５は
Ｐ−ＩｎＰクラッド層、６はキャップ層である。このＶ
溝型レーザはＰ−ＩｎＰ電流狭窄層２により、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１内の７字部分にのみ電流が流れる。
溝型レーザを第１図に示す。この第１図における１はｎ
−ＩｎＰ基板、２はＰ−ＩｎＰｉ流狭窄層、３はｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層、４はＩｎＱａ、／Ｉｇｐ活性層、５は
Ｐ−ＩｎＰクラッド層、６はキャップ層である。このＶ
溝型レーザはＰ−ＩｎＰ電流狭窄層２により、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１内の７字部分にのみ電流が流れる。
しかしながら、この判造処は２回の結晶成長を必要とす
る欠点を有していた。すなわち、まずｎ−ＩｎＰ基板１
上にＰ−ＩｎＰ電流狭窄層２２平面成長した後、エツチ
ングによりＶ溝を掘り、しかる後ｎ−ＩｎＰクラッド層
３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４、Ｐ−ＩｎＰクラッド層５
、キャップ層６を成長する。
る欠点を有していた。すなわち、まずｎ−ＩｎＰ基板１
上にＰ−ＩｎＰ電流狭窄層２２平面成長した後、エツチ
ングによりＶ溝を掘り、しかる後ｎ−ＩｎＰクラッド層
３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４、Ｐ−ＩｎＰクラッド層５
、キャップ層６を成長する。
（発明の目的）
この発明は、上記従来の欠点を除去するため罠なされた
もので、１回の液相エピタキシャル（以下、ＬＰＥ成長
と云う）結晶成長で良好な電流狭窄層を有する構造を作
成できる半導体し・−ザの製造方法を提供することを目
的とする。
もので、１回の液相エピタキシャル（以下、ＬＰＥ成長
と云う）結晶成長で良好な電流狭窄層を有する構造を作
成できる半導体し・−ザの製造方法を提供することを目
的とする。
（発明の構成）
この発明の半導体レーザの製造方法は、（１００）面方
位のＩｎＰ基板のテラス斜面を塩素系のエツチング液を
用いて（２１１）面とし、この（２１１）面上に上記Ｉ
ｎＰ基板とは逆型のＩｎＰを比較的小さな過飽和度をも
ってＬＰＥ成長することによシ、上記テラス斜面の一部
に不連続部分を形成して電流狭窄層を形成し、この電流
狭窄層の形成後の上に第１のクラッド層、活性層、第１
のクラッド層とは逆型の第２のクラッド層およびキャッ
プ層を順次形成するようにしたものである０ （実施例） 以下、この発明の半導体レーザの製造方法の実施例につ
いて図面に基づき説明する。第２図はその一実施例によ
シ製造された半導体レーザの構造を示す断面図であり、
この第２図において、第１図と同一部分には同一符号が
付されている０すなわち、ｎ−ＩｎＰ基板１上にＰ−Ｉ
ｎＰ電流狭窄層２、ｎ−ＩｎＰクラッド層３、ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層４、Ｐ−ＩｎＰクラッド層５、キャップ層
６が順次形成され、このキャップ層６側よシ注入された
電流はＰ−Ｉ’ｎＰ電流狭窄層２の不連続部分２ａのみ
を通るようになっている。したがって、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層４の一部のみを通過し効率良く電流集中が行なえ
る。
位のＩｎＰ基板のテラス斜面を塩素系のエツチング液を
用いて（２１１）面とし、この（２１１）面上に上記Ｉ
ｎＰ基板とは逆型のＩｎＰを比較的小さな過飽和度をも
ってＬＰＥ成長することによシ、上記テラス斜面の一部
に不連続部分を形成して電流狭窄層を形成し、この電流
狭窄層の形成後の上に第１のクラッド層、活性層、第１
のクラッド層とは逆型の第２のクラッド層およびキャッ
プ層を順次形成するようにしたものである０ （実施例） 以下、この発明の半導体レーザの製造方法の実施例につ
いて図面に基づき説明する。第２図はその一実施例によ
シ製造された半導体レーザの構造を示す断面図であり、
この第２図において、第１図と同一部分には同一符号が
付されている０すなわち、ｎ−ＩｎＰ基板１上にＰ−Ｉ
ｎＰ電流狭窄層２、ｎ−ＩｎＰクラッド層３、ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層４、Ｐ−ＩｎＰクラッド層５、キャップ層
６が順次形成され、このキャップ層６側よシ注入された
電流はＰ−Ｉ’ｎＰ電流狭窄層２の不連続部分２ａのみ
を通るようになっている。したがって、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層４の一部のみを通過し効率良く電流集中が行なえ
る。
次に、この発明の製造方法を第３図（ａ）、第３図（ｂ
）によシ説明する。まず、第３図（ａ）Ｉｃ示すように
、（１００）面方位のｎ−ＩｎＰ基板１を通常のレジス
ト７をマスクとして塩素系のエッチャント、ｆｆ１Ｌｔ
ば４ＨＣＪ＋Ｈ，０を用いてエツチングすると、第３図
（ａ）に示すテラス１ａと斜面Ａとのなす角θは約３８
゜となり、斜面Ａは（２１１）面となる。
）によシ説明する。まず、第３図（ａ）Ｉｃ示すように
、（１００）面方位のｎ−ＩｎＰ基板１を通常のレジス
ト７をマスクとして塩素系のエッチャント、ｆｆ１Ｌｔ
ば４ＨＣＪ＋Ｈ，０を用いてエツチングすると、第３図
（ａ）に示すテラス１ａと斜面Ａとのなす角θは約３８
゜となり、斜面Ａは（２１１）面となる。
次に、上記レジスト７の除去の後、結晶成長を開始する
。まず、Ｐ−ＩｎＰ電流狭窄層２を成長するのであるが
、よく知られているように、一般に（２１１）而すなわ
ち、第３図（ａ）の斜面Ａは過冷却度が小さいと、その
上には成長しにくい面である。
。まず、Ｐ−ＩｎＰ電流狭窄層２を成長するのであるが
、よく知られているように、一般に（２１１）而すなわ
ち、第３図（ａ）の斜面Ａは過冷却度が小さいと、その
上には成長しにくい面である。
このことを利用して、過冷却度を１０℃以下にしてＰ−
ＩｎＰ電流狭窄層２を成長すると、第３図（ｂ）のよう
に、このＰ−ＩｎＰ電流狭窄層２に一部不連続が得られ
それが電流の窓として働く。
ＩｎＰ電流狭窄層２を成長すると、第３図（ｂ）のよう
に、このＰ−ＩｎＰ電流狭窄層２に一部不連続が得られ
それが電流の窓として働く。
その後、ｎ−ＩｎＰクラッド層３を成長するが、今度は
過冷却度を大きくとることＫよシ、斜面Ａ上に成長させ
ることが可能となる。その後、第２図に示すように、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層４、Ｐ−ＩｎＰクラッド層、キャッ
プ層６を順次成長させる。
過冷却度を大きくとることＫよシ、斜面Ａ上に成長させ
ることが可能となる。その後、第２図に示すように、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層４、Ｐ−ＩｎＰクラッド層、キャッ
プ層６を順次成長させる。
以上説明したように、上記第１の実施例では、１回の結
晶成長で電流狭窄層を形成できることから大幅な工程の
簡略化ができるという利点がある。
晶成長で電流狭窄層を形成できることから大幅な工程の
簡略化ができるという利点がある。
なお、上記実施例では、ｎ基板を使用した場合について
例示したが、Ｐ型基板を使用してもよく、この場合は各
層は上記とは逆の導電型になることは云うまでもない。
例示したが、Ｐ型基板を使用してもよく、この場合は各
層は上記とは逆の導電型になることは云うまでもない。
（発明の効果）
以上のように、この発明の半導体レーザの製造方法によ
れば、（１００）面方位のＩｎＰ型を用いたテラス型の
ＩｎＧａＡｓＰ／１ｎｐレーザでテラス斜面を塩素系の
エツチング液を用いて（２１１）面とし、この（２１１
）面上にＩｎＰ基板とは逆型のＩｎＰを比較的小さな過
飽和度をもってＬＰＥ成長させ、テラス斜面の一部に不
連続部分を形成して電流狭窄層を形成するようにしたの
で、１回のＬＰＩＣ結晶成長で良好な電流狭窄層を有す
る半導体レーザ構造を製造できる。
れば、（１００）面方位のＩｎＰ型を用いたテラス型の
ＩｎＧａＡｓＰ／１ｎｐレーザでテラス斜面を塩素系の
エツチング液を用いて（２１１）面とし、この（２１１
）面上にＩｎＰ基板とは逆型のＩｎＰを比較的小さな過
飽和度をもってＬＰＥ成長させ、テラス斜面の一部に不
連続部分を形成して電流狭窄層を形成するようにしたの
で、１回のＬＰＩＣ結晶成長で良好な電流狭窄層を有す
る半導体レーザ構造を製造できる。
これにともない、光通信用など長波長ＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ半導体レーザの製造に利用することができる。
ＩｎＰ半導体レーザの製造に利用することができる。
第１図は従来の電流狭窄層を有する半導体レーザの構造
を示す断面図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造
方法により製造された半導体レーザの構造を示す断面図
、第３図（ａ）および第３図（ｂ）はこの発明の半導体
レーザの製造方法の一実施例の工程説明図である。 １− ｎ −ＩｎＰ基板、２ ・Ｐ −ＩｎＰ電流狭窄
層、２ａ・・・不連続部分、３・・・ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層、４・・−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ５ ＝−Ｐ
−ＩｎＰり２ラド層、６・・・キャップ層、７・・・レ
ジストマスク、Ａ・・・（２１１）面の斜面。 第１図 第２図 第３図 −３６：
を示す断面図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造
方法により製造された半導体レーザの構造を示す断面図
、第３図（ａ）および第３図（ｂ）はこの発明の半導体
レーザの製造方法の一実施例の工程説明図である。 １− ｎ −ＩｎＰ基板、２ ・Ｐ −ＩｎＰ電流狭窄
層、２ａ・・・不連続部分、３・・・ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層、４・・−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ５ ＝−Ｐ
−ＩｎＰり２ラド層、６・・・キャップ層、７・・・レ
ジストマスク、Ａ・・・（２１１）面の斜面。 第１図 第２図 第３図 −３６：
Claims (1)
- （１００）面方位のＩｎＰ基板のテラス斜面を塩素系の
エツチング液を用いて（２１１）面とし、この（２１１
）面上に上記ＩｎＰ基板とは逆の導電型のＩｎＰを比較
的小さな過飽和度をもって液相エピタキシャル成長する
ことによシ上記テラス斜面の一部に不連続部分を形成し
て電流狭窄層を形成し、この電流狭窄層上に第１のクラ
ッド層、活性層、第１のクラッド層とは逆の導電型の第
２のクラッド層およびキャップ層を順次形成することを
特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10913883A JPS601879A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10913883A JPS601879A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601879A true JPS601879A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14502554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10913883A Pending JPS601879A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239892A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Shokuhin Sangyo Baioriakutaa Syst Gijutsu Kenkyu Kumiai | 固定化マルトオリゴ糖生成アミラ−ゼ |
| FR2693047A1 (fr) * | 1992-06-24 | 1993-12-31 | Fujitsu Ltd | Laser à semi-conducteur à hétérostructure et son procédé de fabrication. |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP10913883A patent/JPS601879A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239892A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Shokuhin Sangyo Baioriakutaa Syst Gijutsu Kenkyu Kumiai | 固定化マルトオリゴ糖生成アミラ−ゼ |
| FR2693047A1 (fr) * | 1992-06-24 | 1993-12-31 | Fujitsu Ltd | Laser à semi-conducteur à hétérostructure et son procédé de fabrication. |
| US5336635A (en) * | 1992-06-24 | 1994-08-09 | Fujitsu Limited | Manufacturing method of semiconductor laser of patterned-substrate type |
| US5375136A (en) * | 1992-06-24 | 1994-12-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser of patterned-substrate type and structure thereof |
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