JPS605584A - 半導体レ−ザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ素子の製造方法Info
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- JPS605584A JPS605584A JP11294683A JP11294683A JPS605584A JP S605584 A JPS605584 A JP S605584A JP 11294683 A JP11294683 A JP 11294683A JP 11294683 A JP11294683 A JP 11294683A JP S605584 A JPS605584 A JP S605584A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 15
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、屈折率ガイド構造と電流ブロック層を有し
た構造の半導体レーザ素子の製造方法に関するものであ
る。
た構造の半導体レーザ素子の製造方法に関するものであ
る。
（従来技術）
この種の従来の半導体レーザ素子の製造方法を第１図を
参照して説明する。まず、第１図（ａ）に示すように、
ｐ −ＩｎＰ基板１上にｎ −ＩｎＰ ７ゞロック層２
を成長させる。次に、第１図（ｂ）に示すように、エツ
チングによシＶ溝３をブロック層２と基板１に形成する
。しかる後、■溝３を含むフ゛ロック層２上に第１図（
Ｃ）に示すようにｐ −ＩｎＰクラッド層４ 、 Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層５およびｎ−ＩｎＰクラッド）Ｊｔ６
を順次成長させる。最後に、同図に示すように、マイナ
ス電極７をクラッド層Ｇ上に、またプラス電極８を基板
ｌの裏面に形成する。
参照して説明する。まず、第１図（ａ）に示すように、
ｐ −ＩｎＰ基板１上にｎ −ＩｎＰ ７ゞロック層２
を成長させる。次に、第１図（ｂ）に示すように、エツ
チングによシＶ溝３をブロック層２と基板１に形成する
。しかる後、■溝３を含むフ゛ロック層２上に第１図（
Ｃ）に示すようにｐ −ＩｎＰクラッド層４ 、 Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層５およびｎ−ＩｎＰクラッド）Ｊｔ６
を順次成長させる。最後に、同図に示すように、マイナ
ス電極７をクラッド層Ｇ上に、またプラス電極８を基板
ｌの裏面に形成する。
しかるに、このような従来の方法では、成長を２回行う
必要があるから工程が複雑になり、時ＩＬ＋Ｊがかかる
という欠点があった。
必要があるから工程が複雑になり、時ＩＬ＋Ｊがかかる
という欠点があった。
（発明の目的）
この発明は上記の点に艦みなされたもので、１回の結晶
成長で同一構造の素子を製造１−ること力（できる半導
体レーザ素子の製造方法を提供づ−ることを目的とする
。
成長で同一構造の素子を製造１−ること力（できる半導
体レーザ素子の製造方法を提供づ−ることを目的とする
。
（実施例）
以下この発明の一実施例を第２図を参照して説明する。
第２図（ａ）において、１１は表面が（１００）面のｐ
−ＩｎＰ基板（半導体基板）であり、まず、この基板
１１の表面所定個所に同図に示すように■溝１２をエツ
チング形成する。ここで、エツチングは、ブロム−メタ
ノールなど、■溝の内壁が（１１１）Ａ面となるような
エッチャントを用いて行う。したがって、いうまでもな
く、■溝１２は、（１１１）Ａ面の内壁を有して形成さ
れる。
−ＩｎＰ基板（半導体基板）であり、まず、この基板
１１の表面所定個所に同図に示すように■溝１２をエツ
チング形成する。ここで、エツチングは、ブロム−メタ
ノールなど、■溝の内壁が（１１１）Ａ面となるような
エッチャントを用いて行う。したがって、いうまでもな
く、■溝１２は、（１１１）Ａ面の内壁を有して形成さ
れる。
しかる後、第２図（ｂ）に示すように、ｎ −ＩｎＰブ
ロック層（電流ブロック層） １３ 、 ｐ −ＩｎＰ
クラッド層（第１のクラッド層） １ ／Ｊ、 、 Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１５およびｎ −ＩｎＰクラッド層
（第２のクラッド層）１６を、１回の液相エピタキシャ
ル成長で順次前記基板１１上に成長させる。この成長に
おいて、ｎ −ＩｎＰブロック層１層上３■溝１２の内
壁が（１１１）Ａ面であり、かつ基板１１の表面が（１
００）面であるから、溶液の過飽和度を５〜７℃に選ぶ
ことによシ、■溝１２内部には成長させないようにする
ことができる。すなわち、ｎ−ＩｎＰブロック層１層上
３■溝１２を除く基板１１の表面に形成へれる。一方、
ｐ −Ｉｎｐクラッド層１４の成長にあたっては、溶液
の過飽和度を１０〜１５℃にとることにより、■溝１２
を含む前記ブロック層１３上にｐ −ＩｎＰクラッド層
１４が成長するようにする。
ロック層（電流ブロック層） １３ 、 ｐ −ＩｎＰ
クラッド層（第１のクラッド層） １ ／Ｊ、 、 Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１５およびｎ −ＩｎＰクラッド層
（第２のクラッド層）１６を、１回の液相エピタキシャ
ル成長で順次前記基板１１上に成長させる。この成長に
おいて、ｎ −ＩｎＰブロック層１層上３■溝１２の内
壁が（１１１）Ａ面であり、かつ基板１１の表面が（１
００）面であるから、溶液の過飽和度を５〜７℃に選ぶ
ことによシ、■溝１２内部には成長させないようにする
ことができる。すなわち、ｎ−ＩｎＰブロック層１層上
３■溝１２を除く基板１１の表面に形成へれる。一方、
ｐ −Ｉｎｐクラッド層１４の成長にあたっては、溶液
の過飽和度を１０〜１５℃にとることにより、■溝１２
を含む前記ブロック層１３上にｐ −ＩｎＰクラッド層
１４が成長するようにする。
このようにして結晶成長を行った後、最後に同第２図（
ｂ）に示すように、マイナス電極１７？／−クラッド層
１６上に、またプラス電極１８を基板１１の裏面に形成
する。
ｂ）に示すように、マイナス電極１７？／−クラッド層
１６上に、またプラス電極１８を基板１１の裏面に形成
する。
なお、以上はｐ −ＩｎＰ基板を用いた場合であるが、
ｎ −ＩｎＰ基板を用いた場合でも全く同様にして製造
することができる。
ｎ −ＩｎＰ基板を用いた場合でも全く同様にして製造
することができる。
（発明の効果）
以上の実施例から明らかなように、この発明の半導体レ
ーザ素子の製造方法においては、半導体基板の表面にＶ
溝を形成した後、このＶ溝が形成された基板上に、成長
速度の面方位依存性を利用して電流プ四ツク層と第１の
クラッド層を成長させ、さらにその上に活性層と第２の
クラッド層を成長させる。したがって、この発明の方法
によれば、屈折率ガイド構造と電流ブロック層を有した
構造の半導体レーデ素子、すなわち発振閾値電流が小さ
く、かつ横基本モード、高出力発振を行う半導体レーザ
素子を１回の液相エピタキシャル成長で製造することが
可能となり、工程の簡略化。
ーザ素子の製造方法においては、半導体基板の表面にＶ
溝を形成した後、このＶ溝が形成された基板上に、成長
速度の面方位依存性を利用して電流プ四ツク層と第１の
クラッド層を成長させ、さらにその上に活性層と第２の
クラッド層を成長させる。したがって、この発明の方法
によれば、屈折率ガイド構造と電流ブロック層を有した
構造の半導体レーデ素子、すなわち発振閾値電流が小さ
く、かつ横基本モード、高出力発振を行う半導体レーザ
素子を１回の液相エピタキシャル成長で製造することが
可能となり、工程の簡略化。
歩留シの向上などを図ることができる。
第１図は従来の半導体レーザ素子の製造方法を示す断面
図、第２図はこの発明の半導体レーザ素子の製造方法の
一実施例を示す断面図である。 １１− ｐ −ＩｎＦ３板、ｉ ２−Ｖ溝、１３−ｎ−
ＩｎＰブロック層、１４・・・ｐ −ＩｎＰクラッド層
、１５・・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１６− ｎ −Ｉ
ｎＰクラッド層。 特許用［１１人 沖電気工業株式会社
図、第２図はこの発明の半導体レーザ素子の製造方法の
一実施例を示す断面図である。 １１− ｐ −ＩｎＦ３板、ｉ ２−Ｖ溝、１３−ｎ−
ＩｎＰブロック層、１４・・・ｐ −ＩｎＰクラッド層
、１５・・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１６− ｎ −Ｉ
ｎＰクラッド層。 特許用［１１人 沖電気工業株式会社
Claims (2)
- （１）半導体基板の表面に■溝を形成する工程と、この
Ｖ溝が形成された前記基板上に、成長速度の面方位依存
性を利用して電流ブロック層と第１のクラッド層を成長
させ、さらにその上に活性層と第２のり２ラド層を成長
させ、しかもこれらの成長を１回の液相エピタキシャル
成長で行う工程とを具備してなる半導体レーザ素子の製
造方法。 - （２）表面が（１００）面の半導体基板に、内壁が（１
１１）Ａ面となるようにＶ溝を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11294683A JPS605584A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11294683A JPS605584A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605584A true JPS605584A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14599469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11294683A Pending JPS605584A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605584A (ja) |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11294683A patent/JPS605584A/ja active Pending
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