JPS60189247A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS60189247A
JPS60189247A JP59044515A JP4451584A JPS60189247A JP S60189247 A JPS60189247 A JP S60189247A JP 59044515 A JP59044515 A JP 59044515A JP 4451584 A JP4451584 A JP 4451584A JP S60189247 A JPS60189247 A JP S60189247A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
lead
semiconductor device
frame
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59044515A
Other languages
English (en)
Inventor
Riichi Masuda
増田 利一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59044515A priority Critical patent/JPS60189247A/ja
Publication of JPS60189247A publication Critical patent/JPS60189247A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions
    • H10W70/424Cross-sectional shapes
    • H10W70/427Bent parts
    • H10W70/429Bent parts being the outer leads
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/0198Manufacture or treatment batch processes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 lal 発明の技術分野 本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、リード
フレームを使用した製造方法に関す。
(b) 技術の背景 最近の半導体装置は、半導体チップのバンシベーション
技術が向上してモールドパッケージのものが多い。
モールドパッケージの半導体装置を多量生産する製造に
おいては、通常、該半導体装置のリード端子群複数組を
一列に並べて連結した形に金属板を加工したリードフレ
ームを用い、該複数組を一ユニットにして半導体装置を
製造し、コストの低減を図っている。
従って、−ユニット内に含まれる前記半導体装置の数を
多くすることが望まれている。
(C1従来技術と問題点 第1図は従来の製造方法で使用するリードフレームの一
実施例の斜視図、第2図は半導体装置の製造における該
リードフレームを使用した工程を示した図(al〜(e
)、第3図は該工程中における該リードフレームの撓を
示した図、第4図はリードフレームが撓んだ際のボッデ
ィングされたワイヤの変形を示した図(8)〜(e)で
、1はリードフレーム、2はリード端子、3はチップバ
ッド、4は外枠フレーム、5は半導体チップ、6はワイ
ヤ、7はモールドパッケージ、をそれぞれ示す。
第1図図示のリードフレームlは、金属板例えば427
0イ (42%ニッケル鉄合金)板などを加工したもの
で、半導体装置に具わるリード端子2の群と、該群の中
央部にあり半導体チップを載せるチップバッド3とを一
組にして複数組(図示では四組)が−列に並べられ、両
側に設けた平らな帯状の外枠フレーム4などで連結され
て平板状をなしている。
このリードフレーム1を使用する製造工程は第2図図示
の如くで、図(81図示のようにチップバッド3に半導
体チップ5を端から順にボンディングし、次ぎに図fb
)図示のように半導体チップ5とリード端子2との間を
ワイヤ6を用いワイヤボンディングにより端から順に接
続し、更に図tc+図示のように半導体チップ5とリー
ド端子2の半導体チップ5側とを封止するモールドパッ
ケージ7の成形を一括して行っている。その後は場合に
より表示用の捺印などを行った後、個々の半導体装置に
切り離し次の工程に移る。
ここで、特にワイヤボンディングが済んだ後において、
例えば第3図図示のように、リードフレームlを手で持
つなどリードフレーム1の支持点が長手方向に対して集
中状態になると、自重によりリードフレーム1が撓んで
半導体チップ5とリード端子2との相対位置が変わり、
ワイヤ6に変形を与え半導体装置の信頼性の点で望まし
くない状態になる。この変形の状況を第4図に示すが、
図(a)図示はワイヤボンディング後の正常な状態、図
(b) (C)図示は前記撓によりリード端子2が半導
体チップ5側にずれてから元に復した場合、図(d) 
(elは同じく半導体チップ5と反対側にずれてから元
に復した場合であり、このようになると、ワイヤ6に歪
が与えられるばかりではなく、場合によってはリード端
子2が元に復した後もワイヤ6が他と接触していること
もある。この様相はリード端子2の数の多い半導体装置
の製造の場合において顕著である。
前述の工程、即ち、チンプボンディング、ワイヤボンデ
ィング、モールド成形の工程内および工程間における製
造設備は、通常、前記撓が発生しないように構成されて
上記の問題がないようになっているが、該工程間におい
て抜取で行われる目視検査の際には、検査員がリードフ
レームlを手で扱う場合があり、第3図図示の状態が発
生する。
このため、第1図図示のようなリードフレームを使用し
た半導体装置の製造においては、半導体チップ5とリー
ド端子2との相対的位置ずれを制限するため、特にリー
ド端子の数の多い半導体装置の場合には、リード端子の
数の少ない半導体装置の場合よりリードフレームの長さ
が制約されて、一つのリードフレームに収容出来る半導
体装置の数が少なくなる欠点を有する。
(dl 発明の目的 本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、半導体装置のリ
ード端子の数が多くとも、該半導体装置の(を頼性を損
なわずに、製造に使用するリードフレームの長さを長く
することが可能な半導体装置の製造方法を提供するにあ
る。
le) 発明の構成 上記目的は、半導体装置のリード端子群複数組を並べて
連結したリードフレームの、両側に具わる外枠フレーム
の少なくとも一方を、側辺に略並行に折り曲げて該半導
体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方
法によって達成される。
前記折り曲げにより、前記リードフレームは問題の撓方
向に対する剛性が大きくなって該撓の大きさが低減する
ので、前記半導体装置の信頼性を損なわずに、該リード
フレームを長くすることが可能になり、従って該リード
フレームに収容する該半導体装置の数を増やし製造コス
トの低減化を図ることが可能になる。
(f) 発明の実施例 以下本発明の実施例を図により説明する。全図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
第5図は本発明による製造方法で使用するリードフレー
ムの一実施例の斜視図(a)断面図1bl tc+、第
6図2は該リードフレームを使用したモールド成形工程
に使用するモールド型の該リードフレームとの整合を示
した図(al (b)で、1aはリードフレーム、4a
は外枠フレーム、8は上型、9は下型、81.91はキ
ャビティ、92はリードフレーム挿入部、93は □ゲ
ート、94はランナ、95はガイドピンをそれぞれ示す
第1図図示のようなリードフレームを使用した場合にリ
ードフレームの長さが制約されたのは、前述したように
、支持点が長手方向に対して集中状態になったリードフ
レームの自重による撓に起因する、半導体チップ5とリ
ード端子2との相対的位置ずれを制限するためである。
従って、該撓が小さくなるような方策を講ずれば、リー
ドフレームの長さを長くすることが可能になる。
本発明の前記方策は、第5図図示のようなリードフレー
ムを使用することにある。
第5図図示のリードフレーム1aは、第1図図示のリー
ドフレーム1の両側若しくは片側の外枠フレーム4を、
その幅を例えば外側に広げ、図(bl (C)図示のよ
うに、広げた部分を側辺に沿って折り曲げた外枠フレー
ム4aとしたものである。この折り曲げ角度は約60度
以下が望ましり、20〜40度程度が適当である。なお
図+a)は図(b)に対応している。
外枠フレームを48とすることにより、リードフレーム
1aは、リードフレーム1と比較して、問題の視方向に
対する剛性が大きいため該撓の大きさが低減するので、
長くすることが可能になる。具体的には、リード端子2
の数が少ないリードフレームの長さが4jlえば約20
cmである場合、リード端子2の数が多いリードフレー
ムにおいては、その長さが例えば約10cmに制限され
ていたのが、第5図図示のようにすることにより、前記
約20cmに合わせることも更に長くすることも可能に
なる。
そして、このリードフレーム1aを使用した製造工程は
、従来のリードフレーム1を使用した場合と変える必要
がなく、前述の目視検査もそのままでよい。
然も、該工程、即ち、チップポンディング、ワイヤボン
ディング、モールド成形の工程内および工程間における
製造設備は、リードフレーム1aの使用に適合している
必要があるが、不具合点に簡単な改造を加えることによ
って従来の製造設備を使用することが可能である。
前記改造の中で問題になる、モールド成形工程に使用す
るモールド型においては、そのリードフレームを挿入す
る部分は、第6図図示のように、上型8にキャビティ8
1が、下型9にキャビティ91、リードフレーム挿入部
92、ゲート93、ランナ94、ガイドピン95が設け
られているが、従来リードフレーム1の幅に合わせてい
たリードフレーム挿入部92の幅を例えばリードフレー
ム1aの展開幅に合わせるだけでよい。モールド成形に
際しては、図(a)図示のようにリードフレーム1aを
、従来と同様に、ガイドビン95を位置決めにして下型
に載置し型締めすれば、図(b1図示のようにリードフ
レーム1aの外枠フレーム4aは平坦に押されて従来と
同様に成形出来る。モールド成形後の工程においては、
先の説明からリードフレーム1aが平坦になっても問題
にならない。
なお、第3図図示の場合は従来のリードフレームの幅を
広げその部分を折り曲げたが、上記説明から明らかなよ
うに、本発明は外枠フレームの少なくとも一方を、側辺
に略平行に折り曲げて半導体装置を製造することにあり
、該リードフレームの幅に関しては、場合により広げる
必要がなく、上記実施例に限定されるものではない。
fg) 発明の効果 以上に説明したように、本発明による構成によれば7、
半導体装置のリード端子の数が多くとも、該半導体装置
の信頼性を損なわずに、製造に使用するリードフレーム
の長さを長くすることが可能な半導体装置の製造方法を
提供することが出来て、該リードフレームに収容する該
半導体装置の数を増やすことによる製造コストの低減化
を可能にさせる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の製造方法で使用するリードフレームの一
実施例の斜視図、第2図は半導体装置の製造における該
リードフレームを使用した工程を示した図(al〜(C
)、第3図は該工程中における該リードフレームの撓を
示した図、第4図はリードフレームが撓んだ際のボンデ
ィングされたワイヤの変形を示した図(a)〜(el、
第5図は本発明による製造方法で使用するリードフレー
ムの一実施例の斜視図、第6図は該リードフレームを使
用したモールド成形工程に使用するモールド型の該リー
ドフレームとの整合を示した図ta+ fblである。 図面において、■、1aはリードフレーム、2はリード
端子、3はチンプパソド、4.4aは外枠フレーム、5
は半導体チップ、6はワイヤ、7はモールドパッケージ
、8は上型、9は下型、81.91はキャビティ、92
はリードフレーム挿入部、93はゲート、94はランナ
、95はガイドピンをそれぞれ示す。 茅3図 茅4 国 茅 5 図 ハーバ 乃−n

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置のリード端子群複数組を並べて連結したリー
    ドフレームの、両側に具わる外枠フレームの少なくとも
    一方を、側辺に略並行に折り曲げて該半導体装置を製造
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP59044515A 1984-03-08 1984-03-08 半導体装置の製造方法 Pending JPS60189247A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59044515A JPS60189247A (ja) 1984-03-08 1984-03-08 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59044515A JPS60189247A (ja) 1984-03-08 1984-03-08 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60189247A true JPS60189247A (ja) 1985-09-26

Family

ID=12693678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59044515A Pending JPS60189247A (ja) 1984-03-08 1984-03-08 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60189247A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5114880A (en) Method for fabricating multiple electronic devices within a single carrier structure
US4987473A (en) Leadframe system with multi-tier leads
US5036381A (en) Multiple electronic devices within a single carrier structure
JPS60189247A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63296252A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH06104364A (ja) リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型
JPH046859A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6217381B2 (ja)
JP2504194B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2565115B2 (ja) 集積回路パッケージ
JP2788780B2 (ja) 外部リードの形状修正方法
JPS62229864A (ja) 半導体装置
JPH073645Y2 (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH0312956A (ja) Sop型リードフレーム
JPS63204751A (ja) リ−ドフレ−ムおよびこれを用いた半導体装置並びにこの半導体装置の製造方法
JPH03190270A (ja) 半導体装置
JPH04274122A (ja) チップ状ヒューズおよびその製造方法
JPH0719867B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法
JP2550725Y2 (ja) 半導体装置の成形加工装置
JPH04263459A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0997866A (ja) リード成形方法及びリード成形用金型
JPS5850762A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS634355B2 (ja)
JPH05136326A (ja) 半導体パツケージ
JPH053266A (ja) 半導体装置