JPS60195988A - スル−ホ−ル回路の形成方法 - Google Patents
スル−ホ−ル回路の形成方法Info
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- JPS60195988A JPS60195988A JP5103984A JP5103984A JPS60195988A JP S60195988 A JPS60195988 A JP S60195988A JP 5103984 A JP5103984 A JP 5103984A JP 5103984 A JP5103984 A JP 5103984A JP S60195988 A JPS60195988 A JP S60195988A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- thin
- manufactured
- film thickness
- plate
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- Expired - Lifetime
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発“明は高信頼性めスルーホール回路な゛製造する改
良された方法に関す”るものである。 従来、厚膜導電
体の製造法では、金属薄板上にレジストを回路部以外の
所に設け、電解メッキして回路部に導電体を形成し、次
いで得られた導電体を絶縁層に金属薄板を外側にして貼
り付けた後、スルーホール用穴あけを行ない、それから
金属薄板をエツチング除去し、再び導電体上に電解メッ
キ′を行なって、電解メッキのみでスルーホールを形成
していた。しかしながら、電解メッキだけでは絶縁層の
厚みに左右され、絶縁層が厚い場合、スルーホールの内
壁部に若干のくぼみが生じるという欠点があった。
良された方法に関す”るものである。 従来、厚膜導電
体の製造法では、金属薄板上にレジストを回路部以外の
所に設け、電解メッキして回路部に導電体を形成し、次
いで得られた導電体を絶縁層に金属薄板を外側にして貼
り付けた後、スルーホール用穴あけを行ない、それから
金属薄板をエツチング除去し、再び導電体上に電解メッ
キ′を行なって、電解メッキのみでスルーホールを形成
していた。しかしながら、電解メッキだけでは絶縁層の
厚みに左右され、絶縁層が厚い場合、スルーホールの内
壁部に若干のくぼみが生じるという欠点があった。
本発明は、無電解メッキを行ない、導電体をスルーホー
ル内壁部に形成した後、電解メッキを行なうことにより
上記問題点を解決したものである。
ル内壁部に形成した後、電解メッキを行なうことにより
上記問題点を解決したものである。
即ち、金ｇｉｌｌ板上に電解メッキにより導電体を設け
たものを絶縁層の両面に金属薄板を外側にして貼り合わ
せた後に、スルーホール用の穴あけを行ない、次いで無
電解メッキのための活性化液による前処理を行ない、そ
の後、無電解メッキ→金属薄板除去→電解メッキするか
、或いは、金属薄板除去→無電解メッキ→電解メッキに
よりスルーホール接続を行なう事を特徴とする、信頼性
の高いスルーホールを均一に形成し得る方法を提供する
ものである。
たものを絶縁層の両面に金属薄板を外側にして貼り合わ
せた後に、スルーホール用の穴あけを行ない、次いで無
電解メッキのための活性化液による前処理を行ない、そ
の後、無電解メッキ→金属薄板除去→電解メッキするか
、或いは、金属薄板除去→無電解メッキ→電解メッキに
よりスルーホール接続を行なう事を特徴とする、信頼性
の高いスルーホールを均一に形成し得る方法を提供する
ものである。
本発明に使用される金属薄板としては、導電体でありか
つエツチングが可能なものであれば良いが、好ましくは
電解メッキ導電体と異なるエツチング特性を持つものが
良く、この場合は金属薄板をエツチング除去する際に電
解メッキ導電体はエツチングされず、高精度の金属薄板
エツチングが可能となる。これに適したものとしては、
アルミニウム、スズ、亜鉛などがある。またＪｙＸ厚と
しては、７〜５００μｍ特に５〜２００μｍ更には７０
〜７００μｍが好ましい範囲である。７８ｍ以下の膜厚
では、取り扱い難く、かつメッキ膜厚に分布が生じ易い
。また５θθμｍ以上の膜厚では、エツチング除去に時
間がかかり生産性が低下する。
つエツチングが可能なものであれば良いが、好ましくは
電解メッキ導電体と異なるエツチング特性を持つものが
良く、この場合は金属薄板をエツチング除去する際に電
解メッキ導電体はエツチングされず、高精度の金属薄板
エツチングが可能となる。これに適したものとしては、
アルミニウム、スズ、亜鉛などがある。またＪｙＸ厚と
しては、７〜５００μｍ特に５〜２００μｍ更には７０
〜７００μｍが好ましい範囲である。７８ｍ以下の膜厚
では、取り扱い難く、かつメッキ膜厚に分布が生じ易い
。また５θθμｍ以上の膜厚では、エツチング除去に時
間がかかり生産性が低下する。
本発明において行われる回路部以外の部分にレジストを
形成する方法としては、スクリーン印刷或いはグラビア
印刷などで形成しても良いが、ファインパターンが得易
いフォトレジストを用い露光、現像プロセスを経て得る
事が出来る。フォトレジストとしては、イーストマンコ
ダック社のＫＰＲ，ＫＯＲ，ＫＰＬ％ＫＴＦＲ，東京応
化社のＴＰＲ，０ＭＲ８１，富士薬品工業のＦＡＲなど
のネガ型、およびイーストマンコダック社のＫＡＤＲ，
ＶプＶ−社１７）ＡＺ−１３５０などのポジ型などがあ
るが、耐メッキ性に優れたものが好ましく、特にネガ型
が好ましく使用される。また、ドライフィルムレジスト
も使用可能である。膜厚は厚い方がメッキの太り防止と
して役立つが、余り厚過ぎるとファインパターンが得ら
れなくなってしまい、０．７〜５０４ｍ１特に７〜７０
４ｍが好ましい。０．１４ｍ以下ではピンホールが生じ
易い。
形成する方法としては、スクリーン印刷或いはグラビア
印刷などで形成しても良いが、ファインパターンが得易
いフォトレジストを用い露光、現像プロセスを経て得る
事が出来る。フォトレジストとしては、イーストマンコ
ダック社のＫＰＲ，ＫＯＲ，ＫＰＬ％ＫＴＦＲ，東京応
化社のＴＰＲ，０ＭＲ８１，富士薬品工業のＦＡＲなど
のネガ型、およびイーストマンコダック社のＫＡＤＲ，
ＶプＶ−社１７）ＡＺ−１３５０などのポジ型などがあ
るが、耐メッキ性に優れたものが好ましく、特にネガ型
が好ましく使用される。また、ドライフィルムレジスト
も使用可能である。膜厚は厚い方がメッキの太り防止と
して役立つが、余り厚過ぎるとファインパターンが得ら
れなくなってしまい、０．７〜５０４ｍ１特に７〜７０
４ｍが好ましい。０．１４ｍ以下ではピンホールが生じ
易い。
電解メッキの種類としては、導電性及び経済性の点から
銅が好ましいが、銀、金、ニッケル等なんでも良い。メ
ッキ液の種類としては、銀メッキならばシアン化銀浴、
金メッキならば酸性、中性アルカリ性浴、ニラ”ケルメ
ッキならば硫酸ニッケル浴、スルフアミノ酸ニッケル浴
等が使用できる。
銅が好ましいが、銀、金、ニッケル等なんでも良い。メ
ッキ液の種類としては、銀メッキならばシアン化銀浴、
金メッキならば酸性、中性アルカリ性浴、ニラ”ケルメ
ッキならば硫酸ニッケル浴、スルフアミノ酸ニッケル浴
等が使用できる。
銅の電解メッキとしては、シアン化銅メッキ、ビロリン
酸鋼メッキ、硫酸銅メッキ、ホウフッ化鋼メッキなどが
ある。電解メッキ条件は通常の条件で行なえば良いが、
厚み方向に選択的にメッキすし゛かし、金−薄板にアル
ミニ“ラム、□亜鉛、スズを使用し起場合、ｐＨが高す
ぎたり截すぎたりした時にメッキ液中に金゛属の溶出が
息こる苑めに、１７レキ液は中性領域のもの、ｐＨ４ｔ
〜ＩＯ１特へ３〜りのものを使用した方が好ましい。銅
メ′ツ岑の場合には一ビロリン酸鋼メッキ１１好ましい
。
酸鋼メッキ、硫酸銅メッキ、ホウフッ化鋼メッキなどが
ある。電解メッキ条件は通常の条件で行なえば良いが、
厚み方向に選択的にメッキすし゛かし、金−薄板にアル
ミニ“ラム、□亜鉛、スズを使用し起場合、ｐＨが高す
ぎたり截すぎたりした時にメッキ液中に金゛属の溶出が
息こる苑めに、１７レキ液は中性領域のもの、ｐＨ４ｔ
〜ＩＯ１特へ３〜りのものを使用した方が好ましい。銅
メ′ツ岑の場合には一ビロリン酸鋼メッキ１１好ましい
。
電解メッキ工程は通常のやり方で良“いが、ｉに金属−
一“）゛ニアルミーレム、スズ、−鉛な鷹を用いるとき
は、初めにθ、θｓ −，２ｈ／ｄｖｒｉ、好ましくは
θ、７〜／、りＡ／ｄｍ”の電流密度で膜厚θ、３〜／
θμｍ好ましく１マθ、１−１μｍ、電解メッキを行う
。
一“）゛ニアルミーレム、スズ、−鉛な鷹を用いるとき
は、初めにθ、θｓ −，２ｈ／ｄｖｒｉ、好ましくは
θ、７〜／、りＡ／ｄｍ”の電流密度で膜厚θ、３〜／
θμｍ好ましく１マθ、１−１μｍ、電解メッキを行う
。
電流密度＝２Ａ／ｄｒｒ？以上ではメツ゛□キ層の金属
−以下ではメッキ時間がかかりｊぎ生産性カー低量する
。膜厚も０．３ ’Ｊｉｍ’以下では”璋は、り十分な
密着性が得られず、次に所定の膜厚までさらに前メッキ
工程より高い電流密度でメッキを行う。鶏の陰−電流密
度としては３ Ａ／ｄｍ’以上、特にｊ′”Ａ／ｄｄ以
上、更にはＪ’ Ａ／ｄｍ’以上が好ましく、陰極電流
密度な大きくすると幅方向への太りが抑制される。陰極
電流密度は高い程好ましく、パルスメッキなども好まし
く用いられる。陰極電流密度の上限はやけにより決定さ
れる。
−以下ではメッキ時間がかかりｊぎ生産性カー低量する
。膜厚も０．３ ’Ｊｉｍ’以下では”璋は、り十分な
密着性が得られず、次に所定の膜厚までさらに前メッキ
工程より高い電流密度でメッキを行う。鶏の陰−電流密
度としては３ Ａ／ｄｍ’以上、特にｊ′”Ａ／ｄｄ以
上、更にはＪ’ Ａ／ｄｍ’以上が好ましく、陰極電流
密度な大きくすると幅方向への太りが抑制される。陰極
電流密度は高い程好ましく、パルスメッキなども好まし
く用いられる。陰極電流密度の上限はやけにより決定さ
れる。
本発明の方法は１、配線密度の低い所で使うことシ可能
であるが、壬業的には３本、４以上特に！本廊以害の配
線薫、度に対し好適である。
であるが、壬業的には３本、４以上特に！本廊以害の配
線薫、度に対し好適である。
更に本発明は導電パターンの占積率がｊＯＳ以上特に７
θチ以上の場合好適である。
θチ以上の場合好適である。
また絶縁層としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステル、ポリパラバン酸、エポキシ（２）脂、フ
ェノール樹脂、アルキッド樹脂及びこれらの複合物など
からなる基板を用いて接着剤で貼り合わせても良く、基
板を用いずフェスを塗布して接着剤で貼り合わせても良
い。また接着剤を直接塗布してそのまま貼り合わせても
良い。膜厚は特に限定されないが、好ましくはｊ−２０
θμｍ特に１０〜／！θμｍが好ましい。絶縁層の厚さ
が５８ｍ以下だと機械強度が不足し、また場合によって
は表裏導体パターン間の絶縁性が悪くなる。
ポリエステル、ポリパラバン酸、エポキシ（２）脂、フ
ェノール樹脂、アルキッド樹脂及びこれらの複合物など
からなる基板を用いて接着剤で貼り合わせても良く、基
板を用いずフェスを塗布して接着剤で貼り合わせても良
い。また接着剤を直接塗布してそのまま貼り合わせても
良い。膜厚は特に限定されないが、好ましくはｊ−２０
θμｍ特に１０〜／！θμｍが好ましい。絶縁層の厚さ
が５８ｍ以下だと機械強度が不足し、また場合によって
は表裏導体パターン間の絶縁性が悪くなる。
絶縁層の厚さが２００μｍ以上だと導体占積率が低下す
る。
る。
次にスルーホールの穴あけは、パリやカス等が発生せず
、穴の周囲の導体層が絶縁層から剥離しなければいかな
る方法によっても良く、例えばドリルやパンチ等を使え
ば良い。
、穴の周囲の導体層が絶縁層から剥離しなければいかな
る方法によっても良く、例えばドリルやパンチ等を使え
ば良い。
無電解メッキのための活性化処理では、通常の無電解メ
ッキ用活性化剤が用いられるが、金属薄板がアルミニウ
ム、亜鉛、スズの場合は、通常の活性化剤は使用出来ず
、浴中に金属薄板が溶出し浴を著しく劣化させたり、あ
るいは金属薄板が全て溶出し回路部の導電体以外の部分
が活性化処理されない様に浴を中性領域、ｐＨ＝４〜１
０、特はｐＨ＝ ｊ〜す、ｊに管理出来るものが使用さ
れる。
ッキ用活性化剤が用いられるが、金属薄板がアルミニウ
ム、亜鉛、スズの場合は、通常の活性化剤は使用出来ず
、浴中に金属薄板が溶出し浴を著しく劣化させたり、あ
るいは金属薄板が全て溶出し回路部の導電体以外の部分
が活性化処理されない様に浴を中性領域、ｐＨ＝４〜１
０、特はｐＨ＝ ｊ〜す、ｊに管理出来るものが使用さ
れる。
これに使用出来るものとしては、パラジウムの有機錯体
があり、例えば活性化液としては、シェーリング社のア
クテベーター・ネオガント８３４、還元液としては、シ
エーリング社のりデューサー・ネオガン）ＷＡをそれぞ
れ硫酸、はう酸でｐＨ調節して使用することが出来る。
があり、例えば活性化液としては、シェーリング社のア
クテベーター・ネオガント８３４、還元液としては、シ
エーリング社のりデューサー・ネオガン）ＷＡをそれぞ
れ硫酸、はう酸でｐＨ調節して使用することが出来る。
また、活性化処理の前処理には、金属薄板上あるいはス
ルーホール内壁部の汚れをとるために表面活性化剤によ
る脱脂工程及び無電解メッキにより析出する金属の密着
性向上のための粗面上のために過硫酸アンモニウム水溶
液からなるソフトエツチング工程を設けた方が良い。
ルーホール内壁部の汚れをとるために表面活性化剤によ
る脱脂工程及び無電解メッキにより析出する金属の密着
性向上のための粗面上のために過硫酸アンモニウム水溶
液からなるソフトエツチング工程を設けた方が良い。
無電解メッキの種類としては、導電性と経済性の点から
銅が好ましいが、ニッケル、鏝、金環導電体ならば何で
も良い。金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場合、
金属薄板除去→無電解メッキのプロセスをとれば通常の
無電解メッキ液が使用出来るが、無電解メッキ→金風薄
板除去のプロセスの場合は中性領域、ｐＨ＝ Ｑ〜ＩＯ
の無電解メッキ液を使用する必要がある。これらの例と
しては、ニッケルの場合日本カニゼン社製シューマー８
−６８０などがある。
銅が好ましいが、ニッケル、鏝、金環導電体ならば何で
も良い。金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場合、
金属薄板除去→無電解メッキのプロセスをとれば通常の
無電解メッキ液が使用出来るが、無電解メッキ→金風薄
板除去のプロセスの場合は中性領域、ｐＨ＝ Ｑ〜ＩＯ
の無電解メッキ液を使用する必要がある。これらの例と
しては、ニッケルの場合日本カニゼン社製シューマー８
−６８０などがある。
金属薄板をエツチング除去する方法としては、使用した
金ｆｉｌ＃板を電解する溶液を用いて、スプレー或いは
浸漬などによりエツチングする方法が用いられる。金＠
薄板としてアルミニウム、スズ、亜鉛を用いた場合は、
電解メッキ導電体をエツチングしない例えばアルカリ水
溶液でエツチングする事が好ましいが、希塩酸等の酸性
水溶液でエツチングする事も可能である。・ また、金属薄板エツチング除去後の導電体上の汚れを取
り除くために、後処理として希硝酸への漬浸を行なうこ
とが好ましい。
金ｆｉｌ＃板を電解する溶液を用いて、スプレー或いは
浸漬などによりエツチングする方法が用いられる。金＠
薄板としてアルミニウム、スズ、亜鉛を用いた場合は、
電解メッキ導電体をエツチングしない例えばアルカリ水
溶液でエツチングする事が好ましいが、希塩酸等の酸性
水溶液でエツチングする事も可能である。・ また、金属薄板エツチング除去後の導電体上の汚れを取
り除くために、後処理として希硝酸への漬浸を行なうこ
とが好ましい。
以下に本発明の態様を一層明確にするために、実施例を
あげて説明するが、本発明は以下の実施例に限定される
ものではなく、種々の変形が可能である。
あげて説明するが、本発明は以下の実施例に限定される
ものではなく、種々の変形が可能である。
実施例／
膜厚＜１０μｍアルミニウム薄板上に、イーストマンコ
ダック社製ネガ型Ｖシスト「マイクロレジスト７４７１
１０ｃｓＩＪを乾燥後、膜厚がｊａｍになる棟に塗布、
プレベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀
ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて
現像し、ポストベークして、回路部以外の部分にレジス
トを形成した。
ダック社製ネガ型Ｖシスト「マイクロレジスト７４７１
１０ｃｓＩＪを乾燥後、膜厚がｊａｍになる棟に塗布、
プレベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀
ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて
現像し、ポストベークして、回路部以外の部分にレジス
トを形成した。
次いでバーショク村山社製ビロリンメツメッキ液を用い
て、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度Ｑ、
ｊ Ａ７’ｄ−で平均膜厚２μｍ１１５メンキした後、
電流密度を／ Ａ／ｄｄに増加させ、計／θθμｍ厚の
銅を回路部に形成した。その後、デュポン社製ポリイミ
ドフィルム「カプトン」（膜厚、２すμｆｆＩ）の両面
にボスチック社製フェノール樹脂−二トリルゴム系接着
剤［ＸＡ３６４−４Ｊを乾燥後の膜厚が５９ｍになるよ
うに塗布した絶縁性基板の両側から、上記電解メッキを
行ったものをアルミニウム薄板を外側にして７５０℃で
３θ分間熱圧看して貼り付け、次にスルーホール形成部
にドリルでθ、７θ鴎りの穴をあけた。その後すでに９
に４調整済みのシューリング社製の活性化液アクチベー
ター・ネオガント８３４、還元液リデューサ−・ネオガ
ン）ＷＡを使って活性化処理し、それからアルミニウム
薄板を３６重Ｉｌ係の塩酸を水で２：３に希釈した液で
エツチング除去した。そのあと無電解メッキ（室町化学
製ＭＫ−４３０）を行ない、次い°ＣＣＣＣバーショク
社製ロリン酸鋼メツキ液を用いて、電流密度♂Ａ／ｄ−
で膜厚ｌθθμｍ（配線槽度夕本／Ｗ）鋼メッキを行っ
た。メッキ終了後、スルーホールを介して表裏パターン
間の電気抵抗を測定したところどのスルーホールも５ｍ
Ω以下であった。また、スルーホール内壁部には全くく
ぼみが見られなかった。
て、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度Ｑ、
ｊ Ａ７’ｄ−で平均膜厚２μｍ１１５メンキした後、
電流密度を／ Ａ／ｄｄに増加させ、計／θθμｍ厚の
銅を回路部に形成した。その後、デュポン社製ポリイミ
ドフィルム「カプトン」（膜厚、２すμｆｆＩ）の両面
にボスチック社製フェノール樹脂−二トリルゴム系接着
剤［ＸＡ３６４−４Ｊを乾燥後の膜厚が５９ｍになるよ
うに塗布した絶縁性基板の両側から、上記電解メッキを
行ったものをアルミニウム薄板を外側にして７５０℃で
３θ分間熱圧看して貼り付け、次にスルーホール形成部
にドリルでθ、７θ鴎りの穴をあけた。その後すでに９
に４調整済みのシューリング社製の活性化液アクチベー
ター・ネオガント８３４、還元液リデューサ−・ネオガ
ン）ＷＡを使って活性化処理し、それからアルミニウム
薄板を３６重Ｉｌ係の塩酸を水で２：３に希釈した液で
エツチング除去した。そのあと無電解メッキ（室町化学
製ＭＫ−４３０）を行ない、次い°ＣＣＣＣバーショク
社製ロリン酸鋼メツキ液を用いて、電流密度♂Ａ／ｄ−
で膜厚ｌθθμｍ（配線槽度夕本／Ｗ）鋼メッキを行っ
た。メッキ終了後、スルーホールを介して表裏パターン
間の電気抵抗を測定したところどのスルーホールも５ｍ
Ω以下であった。また、スルーホール内壁部には全くく
ぼみが見られなかった。
実施例コ
膜厚グθμｍアルミニウム薄板上に、イーストマンコダ
ツ、り社製ネ“ガ型レジスト「マイクロレジスト７４７
−１１０ｃｓｔ Ｊを乾燥後、膜厚が５μｍになる様に
塗布、プレベークして、回路パターンマスクを通して高
圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を
用いて現像し、ポストベークして、回路部以外の部分に
レジストを形成した。
ツ、り社製ネ“ガ型レジスト「マイクロレジスト７４７
−１１０ｃｓｔ Ｊを乾燥後、膜厚が５μｍになる様に
塗布、プレベークして、回路パターンマスクを通して高
圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を
用いて現像し、ポストベークして、回路部以外の部分に
レジストを形成した。
次いでバーンヨウ村山社製ビロリンメツメッキ液を用い
て、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度θ、ｊ
Ａ／ｄＦＦＩ″で平均膜厚２μｍμｍツメツキ後、電
流密度を♂ｌｙ’ｄｎｌに増加させ、計／ 、、（：
、、ＯＡｍ厚の銅を回路部に形成した。その、後１．デ
ュポン社製ポリイミドフィルム１力、プトン」膜厚２ｊ
μｍ）の両面にボスチック社製フェノール樹脂−二トリ
ルゴム系接着剤［ＸＡ３６４−４Ｊを乾燥後の膜厚が５
μｍになるように塗布した絶縁性基板の両側から、上記
電解メッキを行なったものをアルミニウム薄板を外側に
して／Ｊ−θ℃で３θ分間熱圧着して貼り付け、次にヌ
ル−ホール形成部にドリルでθ、７θｍＢの穴をあけた
。その後すでにｐＨ１１１整ずみのン二−リング社製の
活性化液アクチベーター・ネオガン）８３４、還元液リ
デューサ−・ネオガン）ＷＡを使って活性化処理し、無
電解ニッケルメッキ（日本カニゼン社製シューマーＳ−
６８０）を行なった。その後アルミニウム薄板を３３６
重ｔｓの塩酸を水で２：３に希釈した液でエツチング除
去した。次いでバーショク村山社製ビロリン酸銅メッキ
液を用いて、電流密度、ｌ’ Ａ／ｄ／で膜厚１０θμ
ｍ（配線密度５本／ｓ＋＋ ）銅メッキを行った。メッ
キ終了後、スルーホールを介して表裏パターン間の電気
抵抗を測定したところどのスルーホールも５ｍΩ以下で
あった。また、スルーホール内壁部（二は全くくぼみが
見られなかった。
て、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度θ、ｊ
Ａ／ｄＦＦＩ″で平均膜厚２μｍμｍツメツキ後、電
流密度を♂ｌｙ’ｄｎｌに増加させ、計／ 、、（：
、、ＯＡｍ厚の銅を回路部に形成した。その、後１．デ
ュポン社製ポリイミドフィルム１力、プトン」膜厚２ｊ
μｍ）の両面にボスチック社製フェノール樹脂−二トリ
ルゴム系接着剤［ＸＡ３６４−４Ｊを乾燥後の膜厚が５
μｍになるように塗布した絶縁性基板の両側から、上記
電解メッキを行なったものをアルミニウム薄板を外側に
して／Ｊ−θ℃で３θ分間熱圧着して貼り付け、次にヌ
ル−ホール形成部にドリルでθ、７θｍＢの穴をあけた
。その後すでにｐＨ１１１整ずみのン二−リング社製の
活性化液アクチベーター・ネオガン）８３４、還元液リ
デューサ−・ネオガン）ＷＡを使って活性化処理し、無
電解ニッケルメッキ（日本カニゼン社製シューマーＳ−
６８０）を行なった。その後アルミニウム薄板を３３６
重ｔｓの塩酸を水で２：３に希釈した液でエツチング除
去した。次いでバーショク村山社製ビロリン酸銅メッキ
液を用いて、電流密度、ｌ’ Ａ／ｄ／で膜厚１０θμ
ｍ（配線密度５本／ｓ＋＋ ）銅メッキを行った。メッ
キ終了後、スルーホールを介して表裏パターン間の電気
抵抗を測定したところどのスルーホールも５ｍΩ以下で
あった。また、スルーホール内壁部（二は全くくぼみが
見られなかった。
実施例３
膜厚５０μｍ亜鉛薄板上に、イーストマンゴダック社製
ネガ型レジスト［マイクロレジスト７４７−１１０ ｃ
ａｔ 」を乾燥後、膜厚が２μｍになる様に塗布、プレ
ベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ラン
プで露光し、専用の現１ｆＩＩ液およびす・−ヴス液を
用いて現律し、ポストベークして、回路部以外の部分に
レジストを形成した。
ネガ型レジスト［マイクロレジスト７４７−１１０ ｃ
ａｔ 」を乾燥後、膜厚が２μｍになる様に塗布、プレ
ベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ラン
プで露光し、専用の現１ｆＩＩ液およびす・−ヴス液を
用いて現律し、ポストベークして、回路部以外の部分に
レジストを形成した。
次いでハーンヨク村田社製ビロリン酸銅メッキ液を用層
で、亜鉛薄板を陰極とし、初め電流密度／ Ａ／ｄｍ’
で平均膜厚！μｍ銅メッキした後、電流密度なｒ Ａ／
ｄｍ″に増加させ、計ｊθμｍ厚の銅を回路部に形成し
た。その後絶縁フェス（日立化成製ＷＩ−６４０）で導
電パターン面をオーバーコートし、セメダイン社製５Ｇ
−ＥＰＯＥＦ−００８工ポキシ樹脂系接着剤を用いて、
他船薄板を外側にして２枚貼り合わせる。
で、亜鉛薄板を陰極とし、初め電流密度／ Ａ／ｄｍ’
で平均膜厚！μｍ銅メッキした後、電流密度なｒ Ａ／
ｄｍ″に増加させ、計ｊθμｍ厚の銅を回路部に形成し
た。その後絶縁フェス（日立化成製ＷＩ−６４０）で導
電パターン面をオーバーコートし、セメダイン社製５Ｇ
−ＥＰＯＥＦ−００８工ポキシ樹脂系接着剤を用いて、
他船薄板を外側にして２枚貼り合わせる。
次にスルーホール形成部にドリルでθ、７０ｗａｌｌ。
の穴をあけた。その後すてにｐＨ調整済みのシューリン
グ社製の活性化液アクテベーター・ネオガント８３４、
還元液リデューチー・ネオガン）ＷＡを使って活性化処
理し、それから亜鉛薄板を５重ｌｉ憾の水酸化ナトリク
ム水醪液でエツチング除去した。そのあと無電解銅メッ
キ（室町化学製〜に−４３０）を行ない、次いでノ九−
シヨウ村田社製ピロ４リン酸鋼メッキ液を用いて、電流
密度ｊ Ａ／ｄｎＩで膜厚ｊθμｍ（配線密度１本／、
、 ）銅メッキを行なった。メッキ終了後、スルーホー
ルを介して表裏パターン間の電気抵抗を測定したところ
どのスルーホールも１ｍΩ以下であった。また、スルー
ホール内壁部（二は全くくぼみが見られなかった。
グ社製の活性化液アクテベーター・ネオガント８３４、
還元液リデューチー・ネオガン）ＷＡを使って活性化処
理し、それから亜鉛薄板を５重ｌｉ憾の水酸化ナトリク
ム水醪液でエツチング除去した。そのあと無電解銅メッ
キ（室町化学製〜に−４３０）を行ない、次いでノ九−
シヨウ村田社製ピロ４リン酸鋼メッキ液を用いて、電流
密度ｊ Ａ／ｄｎＩで膜厚ｊθμｍ（配線密度１本／、
、 ）銅メッキを行なった。メッキ終了後、スルーホー
ルを介して表裏パターン間の電気抵抗を測定したところ
どのスルーホールも１ｍΩ以下であった。また、スルー
ホール内壁部（二は全くくぼみが見られなかった。
実施例グ
膜厚２０μｍスズ薄板上に、イーストマンゴダック社製
ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７−１１０ ｃ
ｓｔ Ｊを乾燥後、膜厚がｓ １１ｍになる様に塗布、
プレベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀
ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて
現イ象し、ポストベークして、回路部以外の部分に７ジ
ストを形成した。
ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７−１１０ ｃ
ｓｔ Ｊを乾燥後、膜厚がｓ １１ｍになる様に塗布、
プレベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀
ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて
現イ象し、ポストベークして、回路部以外の部分に７ジ
ストを形成した。
次いでハーンヨク村田社製ビロリン酸銅メッキ液を用い
て、スズ薄板を陰極とし、初め電流密度Ｏ６／Ｖｄ−で
平均膜厚Ｏ，Ｓμｍ鋼メッキした後、電流密度をｊ Ａ
７ｄｍ’に増加させ、！θμｍ厚の銅を回路部に形成し
た。その後絶縁フェス（日立化成製ＷＩ−６４０） で
導電パターン面をオーバーコートし、セメダイン社製８
Ｇ−ＢＰＯＨＰ−００８工ポキシ樹脂系接着剤を用いて
、スズ薄板を外側にして２枚貼り合わせる。次にスルー
ホール形成部にドリルで０．７θ１θの穴をあけた。そ
の後すでにｐＨ調整ずみのＶニーリング社製の活性化液
アクチペーター・ネオガント８３４．還元液リデューサ
−・ネオガン）ＷＡを使って活性化処理し、それからス
ズ薄板をｊ重量係の水酸化ナトリウム水溶液でエツチン
グ除去した。そのあと無電解鋼メッキ（室町化学製ＭＫ
−４３０）を行ない、次いでバーショウ材用社製ビロリ
ンメツメッキ液を用いて、電流密度夕Ａ／ｄｍ’で膜厚
ｊθμｍ（配線密度り呻−）銅メッキを行なった。メッ
キ終了後、スルーホールを介して表裏パターン間の゛磁
気抵抗を測定したところどのスルーホールもｊｍＱ以下
であった。
て、スズ薄板を陰極とし、初め電流密度Ｏ６／Ｖｄ−で
平均膜厚Ｏ，Ｓμｍ鋼メッキした後、電流密度をｊ Ａ
７ｄｍ’に増加させ、！θμｍ厚の銅を回路部に形成し
た。その後絶縁フェス（日立化成製ＷＩ−６４０） で
導電パターン面をオーバーコートし、セメダイン社製８
Ｇ−ＢＰＯＨＰ−００８工ポキシ樹脂系接着剤を用いて
、スズ薄板を外側にして２枚貼り合わせる。次にスルー
ホール形成部にドリルで０．７θ１θの穴をあけた。そ
の後すでにｐＨ調整ずみのＶニーリング社製の活性化液
アクチペーター・ネオガント８３４．還元液リデューサ
−・ネオガン）ＷＡを使って活性化処理し、それからス
ズ薄板をｊ重量係の水酸化ナトリウム水溶液でエツチン
グ除去した。そのあと無電解鋼メッキ（室町化学製ＭＫ
−４３０）を行ない、次いでバーショウ材用社製ビロリ
ンメツメッキ液を用いて、電流密度夕Ａ／ｄｍ’で膜厚
ｊθμｍ（配線密度り呻−）銅メッキを行なった。メッ
キ終了後、スルーホールを介して表裏パターン間の゛磁
気抵抗を測定したところどのスルーホールもｊｍＱ以下
であった。
また、スルーホ−ル形成部には全くくぼみが見られなか
った。
った。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 金属薄板上にレジストを回路部以外の所に設け、電解メ
ッキして回路部に導電体を形成し、次いで得られた導電
体番絶縁層の両面に金属薄板を外側にして貼り゛付けた
ｉ、スルーホール用穴あけを行にい、それから無電解メ
ッキのための活性化処理を行ない、その後無電解メッキ
を台なってから金属薄板を除去するか、或い゛は、金属
薄板を除去してから無電解メッキを行なった後電解メッ
キを行なう事を特徴とするスルー糸−゛ル回露の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103984A JPS60195988A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | スル−ホ−ル回路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103984A JPS60195988A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | スル−ホ−ル回路の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195988A true JPS60195988A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=12875656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5103984A Expired - Lifetime JPS60195988A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | スル−ホ−ル回路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177796A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | 旭化成株式会社 | スル−ホ−ル回路の製造方法 |
| JPS62160792A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | 旭化成株式会社 | スル−ホ−ル回路の形成法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143571A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-04-14 | Hiroki Katsuki | Keesuisosochi |
| JPS5249468A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-20 | Fujitsu Ltd | Method of producing bothhside printed circuit board |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5103984A patent/JPS60195988A/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143571A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-04-14 | Hiroki Katsuki | Keesuisosochi |
| JPS5249468A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-20 | Fujitsu Ltd | Method of producing bothhside printed circuit board |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177796A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | 旭化成株式会社 | スル−ホ−ル回路の製造方法 |
| JPS62160792A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | 旭化成株式会社 | スル−ホ−ル回路の形成法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |