JPS60201629A - 露光法による微細構造を有する金属薄膜の製造法 - Google Patents
露光法による微細構造を有する金属薄膜の製造法Info
- Publication number
- JPS60201629A JPS60201629A JP59060369A JP6036984A JPS60201629A JP S60201629 A JPS60201629 A JP S60201629A JP 59060369 A JP59060369 A JP 59060369A JP 6036984 A JP6036984 A JP 6036984A JP S60201629 A JPS60201629 A JP S60201629A
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- Japan
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- metal
- metal thin
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ・ 産業上の利用分野
本発明は格子状等の微細な構造を持った金属薄膜の製造
方法に関する。
方法に関する。
放射線医学などで用いられるＸ線は短波長の硬いＸ線と
呼ばれるものであるが、これと紫外線との中間には、従
来余シ注目されなかった軟Ｘ線と呼ばれる電磁波スペク
トルの領域が存在する。
呼ばれるものであるが、これと紫外線との中間には、従
来余シ注目されなかった軟Ｘ線と呼ばれる電磁波スペク
トルの領域が存在する。
この軟Ｘ線が近年ホトンファクトリーやレーザー誘起プ
ラズマ光源などの出現によって、十分な強度をもって提
供されるようになり、最近このスペクトル領域における
分光学や軟Ｘ線顕微鏡が脚光をあびようとしている。
ラズマ光源などの出現によって、十分な強度をもって提
供されるようになり、最近このスペクトル領域における
分光学や軟Ｘ線顕微鏡が脚光をあびようとしている。
本発明は、この軟Ｘ線領域で必要な透過型グレーティン
グやフレネル・ゾーンのプレートなどの光学素子の製造
法に関するものである。
グやフレネル・ゾーンのプレートなどの光学素子の製造
法に関するものである。
口、従来技術
さて、軟Ｘ線領域のグレーティングやフレネル・ゾーン
プレートはたとえば真空蒸着法あるいは電気メツキ法に
より形成された金（Ａｕ）の薄膜で作られる。
プレートはたとえば真空蒸着法あるいは電気メツキ法に
より形成された金（Ａｕ）の薄膜で作られる。
その製作工程を簡単のだめ最も単純化して説明すれば、
まず、シリコン・ウェハー上にコーティングされだＡｕ
薄膜上にレジストを塗布し、レジスト上に必要な微細パ
ターンを形成して未感光部分を除去した後、イオンエツ
チング法等でＡｕの露出面を除去してＡｕ薄膜に上記パ
ターンを転写した後、このパターンの形成された部分に
面するシリコンを裏面からエツチングによシ除去して所
要の素子が完成する。
まず、シリコン・ウェハー上にコーティングされだＡｕ
薄膜上にレジストを塗布し、レジスト上に必要な微細パ
ターンを形成して未感光部分を除去した後、イオンエツ
チング法等でＡｕの露出面を除去してＡｕ薄膜に上記パ
ターンを転写した後、このパターンの形成された部分に
面するシリコンを裏面からエツチングによシ除去して所
要の素子が完成する。
この製作工程において、レジストにパターンを形成する
方法には、いろいろあり、電子線による描画やホログラ
フィック露光などが良く用いられる方法である。
方法には、いろいろあり、電子線による描画やホログラ
フィック露光などが良く用いられる方法である。
本発明はこの中、後者のホログラフィック露光法等の光
学的露光法を用いるものに関するものである。
学的露光法を用いるものに関するものである。
所で露光法によるときは、金属表面の光反射率が高いの
で、レジスト層内では入射光が金属表面とレジスト表面
との間で繰返し反射を行い、パターンの境界線から外側
まで感光部分が広がってパターン像のにじみが生じて微
細パターン形成の障害となっていた。
で、レジスト層内では入射光が金属表面とレジスト表面
との間で繰返し反射を行い、パターンの境界線から外側
まで感光部分が広がってパターン像のにじみが生じて微
細パターン形成の障害となっていた。
へ目 的
本発明は露光法による微細パターン形成における上述問
題点を解消して解像度の高い微細パターンの露光法によ
る形成を可能にしようとするものである。
題点を解消して解像度の高い微細パターンの露光法によ
る形成を可能にしようとするものである。
二・構 成
本発明はこの金属薄膜の振幅反射率ｒを十分に小さくす
るために、金属薄膜を形成する同じ金属又は他の金属を
適当なガスを流入した低真空の雰囲気中で、金属表面に
コーティングすることにより、黒化金属の超微粒子を蒸
着しにじみの少いコントラストの高いパターンをホスト
レジストに焼きつけられるようにしたものである。
るために、金属薄膜を形成する同じ金属又は他の金属を
適当なガスを流入した低真空の雰囲気中で、金属表面に
コーティングすることにより、黒化金属の超微粒子を蒸
着しにじみの少いコントラストの高いパターンをホスト
レジストに焼きつけられるようにしたものである。
ホ・実施例
図は本発明の一実施例を示す。蒸着基板１として厚さ０
．２ｍｍのシリコンウェーハを用いる。この基板は金属
微細構造膜の製作時の支持体となるもので、後で周辺部
を残して金属微細構造膜の周縁支持枠とするものである
。シリコンウェーハを用いるのは、表面が鏡面であり、
後で不要部をエツチングで除去する際、シリコン単結晶
のエツチングの速さが方向によって異ること（異方性エ
ツチング）によシ、エツチングされた周壁部が適当な傾
斜面をなして美しく仕上って製品の商品価値を高めるか
らである。このシリコンウェーハ上に真空蒸着法で１０
００〜３００ＯＡの厚さにＡｕ層２を形成する。次に真
空度を落して１０−１〜１０ ” ＴｏｒｒでＡｕの蒸
着を行う。この蒸着は蒸着槽内の大気を排気したのち空
気または他の気体を導入しす記真空度の雰囲気ガスで行
う。この状態でＡｕ表面にはＡｕ微粒子層３が形成され
表面は黒化する。この層の厚さは２００〜３００Ａ程度
となるようにする。この厚さの管理は水晶式膜厚モニタ
ーにより測定して行っている。黒化層が形成されたらそ
の上にホトレジスト４の塗布を行う。この塗布はスピン
ナー塗布によシ行う。、この場合塗膜の厚さはスピンナ
ーの回転速度とホトレジスト溶液の粘性で決まり、０・
３〜１．０μｍの厚さに塗布する。以上で露光の準備が
完了する。その後露光？現像？イオンエツチングによる
Ａ’ｕ層のエツチングによるパターン転写、Ａｕ膜固定
用樹脂膜の蒸着、シリコンウェーハ・の周辺部を枠状に
残すエツチング除去によって微細構造を有するＡｕ薄膜
が完成する。
．２ｍｍのシリコンウェーハを用いる。この基板は金属
微細構造膜の製作時の支持体となるもので、後で周辺部
を残して金属微細構造膜の周縁支持枠とするものである
。シリコンウェーハを用いるのは、表面が鏡面であり、
後で不要部をエツチングで除去する際、シリコン単結晶
のエツチングの速さが方向によって異ること（異方性エ
ツチング）によシ、エツチングされた周壁部が適当な傾
斜面をなして美しく仕上って製品の商品価値を高めるか
らである。このシリコンウェーハ上に真空蒸着法で１０
００〜３００ＯＡの厚さにＡｕ層２を形成する。次に真
空度を落して１０−１〜１０ ” ＴｏｒｒでＡｕの蒸
着を行う。この蒸着は蒸着槽内の大気を排気したのち空
気または他の気体を導入しす記真空度の雰囲気ガスで行
う。この状態でＡｕ表面にはＡｕ微粒子層３が形成され
表面は黒化する。この層の厚さは２００〜３００Ａ程度
となるようにする。この厚さの管理は水晶式膜厚モニタ
ーにより測定して行っている。黒化層が形成されたらそ
の上にホトレジスト４の塗布を行う。この塗布はスピン
ナー塗布によシ行う。、この場合塗膜の厚さはスピンナ
ーの回転速度とホトレジスト溶液の粘性で決まり、０・
３〜１．０μｍの厚さに塗布する。以上で露光の準備が
完了する。その後露光？現像？イオンエツチングによる
Ａ’ｕ層のエツチングによるパターン転写、Ａｕ膜固定
用樹脂膜の蒸着、シリコンウェーハ・の周辺部を枠状に
残すエツチング除去によって微細構造を有するＡｕ薄膜
が完成する。
へ・効 果
本発明によれば、金属膜表面が黒化してあシ、光の反射
率が低くなっているので、ホトレジスト層内に多重反射
光が殆んど存在せず露光パターンのにじみが非常に少く
なり、鮮鋭微細なパターンを有する金属薄膜を露光法に
よって得ることが可能となった。
率が低くなっているので、ホトレジスト層内に多重反射
光が殆んど存在せず露光パターンのにじみが非常に少く
なり、鮮鋭微細なパターンを有する金属薄膜を露光法に
よって得ることが可能となった。
図面は本発明方法の一実施例を適用したＡｕ薄膜の露光
準備完了時の断面拡大図である。 １・・・シリコンウェーハ基板、２・・・Ａｕ層、３・
・・黒化層、４・・・ホトレジスト層。 代理人 弁理士 縣 浩 介
準備完了時の断面拡大図である。 １・・・シリコンウェーハ基板、２・・・Ａｕ層、３・
・・黒化層、４・・・ホトレジスト層。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 金属薄膜上に直接あるいは他の透明な物質の薄膜層を介
して塗布されたホトレジメト上に露光法により微細パタ
ーンを焼きつけるに当って金属薄膜層からの強い反射光
による微細パターンのコントラストの低下を防ぐために
金属薄膜表面に、これと同一の金属又は他の金属を適当
なガスの低真空度における蒸着による無反射黒化膜の層
を形成し、その上にホトレジスト層を形成し露光するこ
とによって、コントラストの高いホトレジストパターン
を形成し、これを金属膜に転写することを特徴とする露
光法による微細構造を有する金属薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060369A JPS60201629A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 露光法による微細構造を有する金属薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060369A JPS60201629A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 露光法による微細構造を有する金属薄膜の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201629A true JPS60201629A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13140148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060369A Pending JPS60201629A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 露光法による微細構造を有する金属薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201629A (ja) |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59060369A patent/JPS60201629A/ja active Pending
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