JPS6020918B2 - 厚膜導体パターンの形成方法 - Google Patents
厚膜導体パターンの形成方法Info
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- JPS6020918B2 JPS6020918B2 JP10207577A JP10207577A JPS6020918B2 JP S6020918 B2 JPS6020918 B2 JP S6020918B2 JP 10207577 A JP10207577 A JP 10207577A JP 10207577 A JP10207577 A JP 10207577A JP S6020918 B2 JPS6020918 B2 JP S6020918B2
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- Japan
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- pattern
- conductor
- thick film
- film conductor
- conductor pattern
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- Expired
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路基板における厚膜導体のパターン
形成方法に関する。
形成方法に関する。
従来、厚膜導体のパターン形成法としては、所望のパタ
ーンを転写したスクリーンを利用し、印刷、焼成する方
法及び基板の全面に厚膜導体を印刷焼成し、ホトェツチ
ングによりパターン化を行う方法が探られてきた。
ーンを転写したスクリーンを利用し、印刷、焼成する方
法及び基板の全面に厚膜導体を印刷焼成し、ホトェツチ
ングによりパターン化を行う方法が探られてきた。
しかるに、前記形成方法に於て、前者は、微細パターン
の形成が難しく、実用上の最小パターン幅としては、１
００仏ｍ程度である。
の形成が難しく、実用上の最小パターン幅としては、１
００仏ｍ程度である。
一方、後者は、微細パターンの形成は可能であるが、導
体を基板全面に印刷焼成した後、不用部分の導体を除去
するために、材料の無駄が多い。
体を基板全面に印刷焼成した後、不用部分の導体を除去
するために、材料の無駄が多い。
さらに、多層配線基板等に於て、下層導体パターンが、
絶縁層より露出して形成されている場合には、上層導体
をホトェツチングするとき、下層導体もエッチングされ
るので、そのようなパターンを形成することは不可能で
あった。本発明においては、上記の欠点を除去するため
に、スクリーン印刷で所望のパターンを含む領域に厚膜
導体を形成し、しかる後、スクリーン印刷ではパターン
形成が不可能な微細パターン領域のみホトェツチングに
よりパターン形成するものである。
絶縁層より露出して形成されている場合には、上層導体
をホトェツチングするとき、下層導体もエッチングされ
るので、そのようなパターンを形成することは不可能で
あった。本発明においては、上記の欠点を除去するため
に、スクリーン印刷で所望のパターンを含む領域に厚膜
導体を形成し、しかる後、スクリーン印刷ではパターン
形成が不可能な微細パターン領域のみホトェツチングに
よりパターン形成するものである。
従って導体材料の無駄を少なくし、且つスクリーン印刷
では不可能な微細パターンの形成を可能にする厚膿導体
パターンの形成方法を提供するものである。以下実施例
に基づき、図面を参照して、本発明を詳細に説明する。
では不可能な微細パターンの形成を可能にする厚膿導体
パターンの形成方法を提供するものである。以下実施例
に基づき、図面を参照して、本発明を詳細に説明する。
第１図イ〜ハは本発明の一実施例を示す平面図であり第
１図イ′〜ハ′は前記各平面図におけるＡ一Ａ′線に沿
った断面図である。
１図イ′〜ハ′は前記各平面図におけるＡ一Ａ′線に沿
った断面図である。
所望のパターンを転写したスクリーンを使用し、絶縁基
板１上に厚膜導体２，２′を印刷焼成する（第１図イ、
イ′）。
板１上に厚膜導体２，２′を印刷焼成する（第１図イ、
イ′）。
スクリーン印刷でパターン形成が可能なパターン２は所
望の形状で、又スクリーン印刷ではパターン形成が不可
能な微細パターンは、スクリーン印刷可能な大きさで、
所望の微細パターンを含む領域に厚膜導体２′を印刷焼
成する。次に、微細パターンの形成を目的としてホトレ
ジスト３，３′を該基板上に形成する（第１図ロ、口′
）。
望の形状で、又スクリーン印刷ではパターン形成が不可
能な微細パターンは、スクリーン印刷可能な大きさで、
所望の微細パターンを含む領域に厚膜導体２′を印刷焼
成する。次に、微細パターンの形成を目的としてホトレ
ジスト３，３′を該基板上に形成する（第１図ロ、口′
）。
ホトレジスト３′は、スクリーン印刷のみでパタ−ン形
成が不可能な微細パターンの形成を行うためである。ま
た、スクリーン印刷のみでパターン形成が完了している
導体パターン２に関しては、エッチング液から保護する
ためにやはりホトレジスト３を形成する。次に、前記ホ
トレジストパターンより露出した領域の厚膿導体をエッ
チングすると厚膿導体２′の部分の微細パターン２″と
なる。
成が不可能な微細パターンの形成を行うためである。ま
た、スクリーン印刷のみでパターン形成が完了している
導体パターン２に関しては、エッチング液から保護する
ためにやはりホトレジスト３を形成する。次に、前記ホ
トレジストパターンより露出した領域の厚膿導体をエッ
チングすると厚膿導体２′の部分の微細パターン２″と
なる。
しかる後前記ホトレジスト３，３′を除去すれば、所望
の導体パターンを有する回路基板が得られる（第１図ハ
、ハ′）。またト第２図イ〜ホは多層配線基板の上層導
体パターン形成に、本発明を適用した場合の一実施例の
各工程を示す平面図であり、第２図イ′〜ホ′は各平面
図のＢ−Ｂ′線に沿った断面図を示す。
の導体パターンを有する回路基板が得られる（第１図ハ
、ハ′）。またト第２図イ〜ホは多層配線基板の上層導
体パターン形成に、本発明を適用した場合の一実施例の
各工程を示す平面図であり、第２図イ′〜ホ′は各平面
図のＢ−Ｂ′線に沿った断面図を示す。
まず絶縁基板１上に下層導体２を形成し、しかる後絶縁
層４を形成する（第２図イ、イ′）。
層４を形成する（第２図イ、イ′）。
次に、上層導体５をスクリーン印刷により、所望のパタ
ーンを含む領域に形成する（第２図口、。′）。次に、
上層導体の微細パターン形成を目的として、ホトレジス
トパターン６を形成する（第２図ハ、ハ′）。
ーンを含む領域に形成する（第２図口、。′）。次に、
上層導体の微細パターン形成を目的として、ホトレジス
トパターン６を形成する（第２図ハ、ハ′）。
この時、スクリーン印刷のみで、パターン形成が完了し
ている上層導体パターン及び、絶縁層より露出している
下層導体パターンを含む領域にもホトレジスト５を形成
し、導体エッチング液に対して保護する。次に厚膜導体
エッチング液によりホトレジストより露出した厚膜導体
をエッチング除去した後、ホトレジストをハクリすれば
所望の導体パターンを有する二層配線基板が得られる（
第２図二、ニ′）。
ている上層導体パターン及び、絶縁層より露出している
下層導体パターンを含む領域にもホトレジスト５を形成
し、導体エッチング液に対して保護する。次に厚膜導体
エッチング液によりホトレジストより露出した厚膜導体
をエッチング除去した後、ホトレジストをハクリすれば
所望の導体パターンを有する二層配線基板が得られる（
第２図二、ニ′）。
以上のごとく本発明によれば、厚膿導体材料の無駄をな
くし、且つ微細な導体パターンの形成を可能にするもの
である。
くし、且つ微細な導体パターンの形成を可能にするもの
である。
また多層配線構造においても、上層導体を下層導体に影
響与えること無く形成可能であるため、パターン設計の
自由度を増加させるものである。
響与えること無く形成可能であるため、パターン設計の
自由度を増加させるものである。
第１図イ〜ハは本発明により厚膜導体パターンを形成し
た場合の各工程を示す平面図、第１図イ′〜ハ′は前記
各平面図におけるＡ−Ａ′線で切断した断面図、第２図
イ〜二は本発明により二層配線基板の上層導体パターン
を形成した場合の各工程を示す平面図、第２図イ′〜二
′は前記各平面図におけるＢ−Ｂ′で切断した断面図で
ある。 １……絶縁基板、２，２′，２″・・・・・・（第１層
目）導体配線、３，３′，６…・・・ホトレジスト、４
・・・・・・絶縁層、５・・・・・・第２層目導体配線
。 第１図第２図
た場合の各工程を示す平面図、第１図イ′〜ハ′は前記
各平面図におけるＡ−Ａ′線で切断した断面図、第２図
イ〜二は本発明により二層配線基板の上層導体パターン
を形成した場合の各工程を示す平面図、第２図イ′〜二
′は前記各平面図におけるＢ−Ｂ′で切断した断面図で
ある。 １……絶縁基板、２，２′，２″・・・・・・（第１層
目）導体配線、３，３′，６…・・・ホトレジスト、４
・・・・・・絶縁層、５・・・・・・第２層目導体配線
。 第１図第２図
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に、厚膜導体を選択的にスクリーン印刷
、焼成して第１のパターンを形成し、しかる後、前記厚
膜導体の一部分をホトエツチングして所望の第２のパタ
ーンを得ることを特徴とする厚膜導体パターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10207577A JPS6020918B2 (ja) | 1977-08-24 | 1977-08-24 | 厚膜導体パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10207577A JPS6020918B2 (ja) | 1977-08-24 | 1977-08-24 | 厚膜導体パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5435359A JPS5435359A (en) | 1979-03-15 |
| JPS6020918B2 true JPS6020918B2 (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=14317640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10207577A Expired JPS6020918B2 (ja) | 1977-08-24 | 1977-08-24 | 厚膜導体パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020918B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938006U (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | 株式会社名南製作所 | ベニヤ単板の連続切断装置における搬送ロ−ル |
| KR101051590B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2011-07-22 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
-
1977
- 1977-08-24 JP JP10207577A patent/JPS6020918B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5435359A (en) | 1979-03-15 |
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