JPS60211403A - 偏光ビ−ムスプリツタ− - Google Patents
偏光ビ−ムスプリツタ−Info
- Publication number
- JPS60211403A JPS60211403A JP6840684A JP6840684A JPS60211403A JP S60211403 A JPS60211403 A JP S60211403A JP 6840684 A JP6840684 A JP 6840684A JP 6840684 A JP6840684 A JP 6840684A JP S60211403 A JPS60211403 A JP S60211403A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- thin film
- polarized light
- light
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
”産業上の利用分野”
本発明は例えば光デイスク光学系における光の透過及び
反射を行なうためのビームステリツタ−の改良に関する
ものである。
反射を行なうためのビームステリツタ−の改良に関する
ものである。
“従来技術並びに発明が解決しようとする問題点”従来
この糧のビームスプリッタ−としてハ、１ルスターの条
件を利用したものであってＰ（−光を透過させ、Ｓ偏光
を反射させるもの、或は屈折率の異なる数種類の物質の
薄膜′ｆｒ：透明基板に積層してＰ偏光とＳ偏光の透過
又は反射の際の成分比を同じくするなどの薄膜によるビ
ームスプリッタ−もすでに知らｎている。
この糧のビームスプリッタ−としてハ、１ルスターの条
件を利用したものであってＰ（−光を透過させ、Ｓ偏光
を反射させるもの、或は屈折率の異なる数種類の物質の
薄膜′ｆｒ：透明基板に積層してＰ偏光とＳ偏光の透過
又は反射の際の成分比を同じくするなどの薄膜によるビ
ームスプリッタ−もすでに知らｎている。
しかしながら、とｎらの公知ビームスプリッタ−は薄膜
の積層数が多いこと、かつ膜の構成が複雑であるため、
製作にかなりの時間と手間がかかり更に又薄膜の屈折率
を調節するのにきびしい萬等技術が要求さ扛るものであ
る。又このようなビームスプリッタ−の最大の欠点は入
射角依存性が悪いことであり、半導体レーザーから出る
ようなある広がシを持った拡散光を光源として直接使用
する場合には満足する特性を祷ることができなかった。
の積層数が多いこと、かつ膜の構成が複雑であるため、
製作にかなりの時間と手間がかかり更に又薄膜の屈折率
を調節するのにきびしい萬等技術が要求さ扛るものであ
る。又このようなビームスプリッタ−の最大の欠点は入
射角依存性が悪いことであり、半導体レーザーから出る
ようなある広がシを持った拡散光を光源として直接使用
する場合には満足する特性を祷ることができなかった。
近年第Ｓ図に示したような光デイスク光学系に用いらｆ
る光源として近赤外の半導体１／−ザー１が多くなって
きた、又部品点数を少くする意味からも半導体レーザー
１よりの光を直接ビームスプリッタ−２に入射させるこ
とが多くなシ入射角依存のないビームスプリッターが要
求さｆるようになっている。又光デイスク光学系で問題
となっている戻り光誘起の雑音の対策として、従来より
用いらｎている光アイソレーターを使用するものから、
戻り光を利用１−て雑音をなくする方法が利用さｎ始め
らｎているけｎども、この場合、レンズ３を通して光デ
イスク板４に達する透過光及び光検出器５に達する反射
光の偏光成分を最適にすることの要求がある。
る光源として近赤外の半導体１／−ザー１が多くなって
きた、又部品点数を少くする意味からも半導体レーザー
１よりの光を直接ビームスプリッタ−２に入射させるこ
とが多くなシ入射角依存のないビームスプリッターが要
求さｆるようになっている。又光デイスク光学系で問題
となっている戻り光誘起の雑音の対策として、従来より
用いらｎている光アイソレーターを使用するものから、
戻り光を利用１−て雑音をなくする方法が利用さｎ始め
らｎているけｎども、この場合、レンズ３を通して光デ
イスク板４に達する透過光及び光検出器５に達する反射
光の偏光成分を最適にすることの要求がある。
１問題点′ｔ−解決しようとするだめの手段”本発明は
上記要求を満足させるべく提案するものである。
上記要求を満足させるべく提案するものである。
即チ偏光ビームスプリッタ−において、Ｐ偏光と、Ｓ偏
光の成分比あるいは両（細光の透過率と反射率との比率
を任意に設定することを目的とし、そのために透明な偏
光スプリッターに金属薄膜と透明薄膜とを重ねて形成す
ることによって前記比率を自在に調節することを可能と
したものである。
光の成分比あるいは両（細光の透過率と反射率との比率
を任意に設定することを目的とし、そのために透明な偏
光スプリッターに金属薄膜と透明薄膜とを重ねて形成す
ることによって前記比率を自在に調節することを可能と
したものである。
光が物質の而に斜入射した場合λつの振動成分即ちＰ偏
光とＳ偏光とは互いに異なったふるまいを起して透過率
、反射率、位相等に違いが生じてくる。一般に光が金属
の而に斜入射した場合でも同じようにΩつの成分の間に
違いが生じてくることは衆知の事であＱ１金属の場合で
も透過、反射の際の偏光状態は金属のＪｆｌｌ折率が複
素屈折率ｎ −１ｋ ：但しｎは屈折率、ｋは吸収係数
になるためで、透明薄膜とは全く異なった特性を得らｎ
る。
光とＳ偏光とは互いに異なったふるまいを起して透過率
、反射率、位相等に違いが生じてくる。一般に光が金属
の而に斜入射した場合でも同じようにΩつの成分の間に
違いが生じてくることは衆知の事であＱ１金属の場合で
も透過、反射の際の偏光状態は金属のＪｆｌｌ折率が複
素屈折率ｎ −１ｋ ：但しｎは屈折率、ｋは吸収係数
になるためで、透明薄膜とは全く異なった特性を得らｎ
る。
そこで本発明は前記した金属薄膜と、透明薄膜とは異な
るふるまいを起す特性を得ることを利用し、かつ、透明
薄膜の厚み及び屈折率を設定することにより、透過、反
射の際の偏光状態を任意に調節することができ、更に上
記した偏光成分を最適にする快求に答えら几る偏光ビー
ムスデリッターケ特徴とするものである。
るふるまいを起す特性を得ることを利用し、かつ、透明
薄膜の厚み及び屈折率を設定することにより、透過、反
射の際の偏光状態を任意に調節することができ、更に上
記した偏光成分を最適にする快求に答えら几る偏光ビー
ムスデリッターケ特徴とするものである。
本発明の具体的な実施例について詳細に説明すると、偏
光ビームスプリッタ−１０は、ビームスプリッタ−基板
１１、例えば直角プリズム１１０面に金属薄膜１２を、
こｎに重ねて透明薄膜１３を形成し、こｎに接層剤１４
をもって他方の直角プリズム１１／を接合した一層より
成る本の（第１図参照）か、或は直角プリズム１１の面
に透明薄膜１３をとｆｌＫ重ねて金属薄膜１２を更にこ
ｎに重ねて透明薄膜１３を形成して、これを他方の直角
プリズム１１′が接層剤１４を介して一体化した（第２
図参照）偏光ビームスプリッタ−１０′である。このよ
うに本発明偏光ビームスプリッタ−１０，１０’は２層
か少くとも３層をもって構成さｎるものである。
光ビームスプリッタ−１０は、ビームスプリッタ−基板
１１、例えば直角プリズム１１０面に金属薄膜１２を、
こｎに重ねて透明薄膜１３を形成し、こｎに接層剤１４
をもって他方の直角プリズム１１／を接合した一層より
成る本の（第１図参照）か、或は直角プリズム１１の面
に透明薄膜１３をとｆｌＫ重ねて金属薄膜１２を更にこ
ｎに重ねて透明薄膜１３を形成して、これを他方の直角
プリズム１１′が接層剤１４を介して一体化した（第２
図参照）偏光ビームスプリッタ−１０′である。このよ
うに本発明偏光ビームスプリッタ−１０，１０’は２層
か少くとも３層をもって構成さｎるものである。
上記金属薄膜１２としてはその金属の種類は問わないが
、吸収を少なくするため可視では＾？、近赤外では＾？
、＾ｕ、Ｃｕ 等が有利な物質であり、Ａ、１３、Ｃ，
ｒ等では吸収が増加するために通常の光学系では不利と
なる。
、吸収を少なくするため可視では＾？、近赤外では＾？
、＾ｕ、Ｃｕ 等が有利な物質であり、Ａ、１３、Ｃ，
ｒ等では吸収が増加するために通常の光学系では不利と
なる。
上記金属薄膜１２と組合わさｎる透明薄［１３としては
、ＭｆＦ ２、Ｓ １０２、Ｃ６Ｆｓ、 Ａ１３２０．
．５ｉＯ１ｚｒＯ２、■１０２等が上げらｎるが、特に
５ＩＯｋ、は蒸着条件によって屈折率′ｆｒ：／、５−
コ、θ位の範囲で任意に調節できるので有利な物質であ
る。
、ＭｆＦ ２、Ｓ １０２、Ｃ６Ｆｓ、 Ａ１３２０．
．５ｉＯ１ｚｒＯ２、■１０２等が上げらｎるが、特に
５ＩＯｋ、は蒸着条件によって屈折率′ｆｒ：／、５−
コ、θ位の範囲で任意に調節できるので有利な物質であ
る。
前記第１図の二層の偏光ビームスプリッタ−１０の実施
例で、金属薄膜としてはＡ１ を使用し、Ｐ偏光に対し
てＴＩ） ： Ｒ１） ＝６ｏ：ｙ−ｏ、ｓθ：３θ、
ｙｏ：ｔｏの比率で設定した場合の各膜厚と屈折率の条
件を第１表に示す、即ち 第２図の３層の偏光ズームスプリッター１０′の実施例
における、前記同一の比率で設定した場合の各条件を第
、２表として示す。
例で、金属薄膜としてはＡ１ を使用し、Ｐ偏光に対し
てＴＩ） ： Ｒ１） ＝６ｏ：ｙ−ｏ、ｓθ：３θ、
ｙｏ：ｔｏの比率で設定した場合の各膜厚と屈折率の条
件を第１表に示す、即ち 第２図の３層の偏光ズームスプリッター１０′の実施例
における、前記同一の比率で設定した場合の各条件を第
、２表として示す。
＼
更に第３図ｎ Ｔｐ ： Ｒｐ及びＴｓ ： Ｒｓか乙
Ｏニゲ０の場合、第７図に示した入射用土〇、−〇の依
存性を示すグラフで、十二θ°の入射角の変化に対して
Ｐ％Ｓ両偏光成分とも透過率及び反射率における変化量
が極めて少ない優秀性を示している。
Ｏニゲ０の場合、第７図に示した入射用土〇、−〇の依
存性を示すグラフで、十二θ°の入射角の変化に対して
Ｐ％Ｓ両偏光成分とも透過率及び反射率における変化量
が極めて少ない優秀性を示している。
１発明の効果“
上記したように実施例として示した例より見ても金属薄
膜と透明薄膜との極めて少ない層数の組着わせで、透−
と反射の偏光状Ｍｉミラ慧に設定できるので製造も容易
であシ又多Ｉ−膜よシ成る従来 □のビームスプリッタ
ーと比較して入射角依存性が極めて改臀・さｎるもので
ある。
膜と透明薄膜との極めて少ない層数の組着わせで、透−
と反射の偏光状Ｍｉミラ慧に設定できるので製造も容易
であシ又多Ｉ−膜よシ成る従来 □のビームスプリッタ
ーと比較して入射角依存性が極めて改臀・さｎるもので
ある。
第１図は本発明の実施例を示したコ１一式の薄膜より成
る側面図、第２図は同じく３層式の薄膜より成る他の実
施例の側面図、第３図は、第９図の側面図に示したビー
ムスプリッタ−に対する入射用土〇と一〇に対する透過
率及び反射率を示したグラフ、第５図は元ディスク光学
図でおる。 符号、ｔｏ、１０’は偏光ビームスプリッタ−１１１，
１１’はビームスプリッタ−基体、１２は金属薄膜、１
３は透明薄膜をボす。 頚奪幣す廣署藍Ｉ 第４図 第５図
る側面図、第２図は同じく３層式の薄膜より成る他の実
施例の側面図、第３図は、第９図の側面図に示したビー
ムスプリッタ−に対する入射用土〇と一〇に対する透過
率及び反射率を示したグラフ、第５図は元ディスク光学
図でおる。 符号、ｔｏ、１０’は偏光ビームスプリッタ−１１１，
１１’はビームスプリッタ−基体、１２は金属薄膜、１
３は透明薄膜をボす。 頚奪幣す廣署藍Ｉ 第４図 第５図
Claims (1)
- 光の入射面に乎行に振動する成分Ｐ偏光と、入射面に垂
直に振動する成分Ｓ偏光とのａ過率及び反射率を、透明
なビームスプリッタ−基体上に、金属薄膜と透明薄膜と
を重ねて設けることによりと扛らを任意に設定し得るこ
とを特徴とする偏光ビームスプリッタ−０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6840684A JPS60211403A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 偏光ビ−ムスプリツタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6840684A JPS60211403A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 偏光ビ−ムスプリツタ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211403A true JPS60211403A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13372765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6840684A Pending JPS60211403A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 偏光ビ−ムスプリツタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211403A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166303A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-22 | Chinon Kk | ビ−ムスプリツタ− |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039562A (ja) * | 1973-08-13 | 1975-04-11 | ||
| JPS5627106A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Beam splitter |
| JPS57130001A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Canon Inc | Low polalization achromatic beam splitter |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6840684A patent/JPS60211403A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039562A (ja) * | 1973-08-13 | 1975-04-11 | ||
| JPS5627106A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Beam splitter |
| JPS57130001A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Canon Inc | Low polalization achromatic beam splitter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166303A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-22 | Chinon Kk | ビ−ムスプリツタ− |
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