JPS60213021A - アモルフアス膜の形成方法 - Google Patents
アモルフアス膜の形成方法Info
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- JPS60213021A JPS60213021A JP59069475A JP6947584A JPS60213021A JP S60213021 A JPS60213021 A JP S60213021A JP 59069475 A JP59069475 A JP 59069475A JP 6947584 A JP6947584 A JP 6947584A JP S60213021 A JPS60213021 A JP S60213021A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
- H10P14/3202—Materials thereof
- H10P14/3204—Materials thereof being Group IVA semiconducting materials
- H10P14/3208—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
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- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
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- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１、産業上の利用分野
本発明はアモルファス半襟弁膜の形成方法に関し、更に
詳述すれば、化学組成の異なる複数層からなるアモルフ
ァス積層半幸牛膜の形成方法に関する。
詳述すれば、化学組成の異なる複数層からなるアモルフ
ァス積層半幸牛膜の形成方法に関する。
２、従来技術
従来、電子写真感光体として、Ｓ ｅ−、又はＳｅにＡ
ｓ、 Ｔｅ、 Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣ
ｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られて
いる。 しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、
熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。
ｓ、 Ｔｅ、 Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣ
ｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られて
いる。 しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、
熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。
一方、アモルファスシリコン（ａ−５ｔ）を母材として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
ａ−Ｓｔは、Ｓｉ −３ｉ の結合手が切れたいわゆ
るダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因し
てエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。
るダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因し
てエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。
このために、熱励起担体のホンピング伝導が生じて暗
抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップさ
れて光導電性が悪くなっている。 そこで、上記欠陥を
水素原子（Ｈ）で補償してＳｔにＨを結合させることに
よって、ダングリングボンドを埋めることが行われる。
抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップさ
れて光導電性が悪くなっている。 そこで、上記欠陥を
水素原子（Ｈ）で補償してＳｔにＨを結合させることに
よって、ダングリングボンドを埋めることが行われる。
このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ −
５ｔ ： Ｈと称する。）は、可視及び赤外領域の光を
照射すると抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光
層として極めて優れた特性を有している。
５ｔ ： Ｈと称する。）は、可視及び赤外領域の光を
照射すると抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光
層として極めて優れた特性を有している。
第１図には、上記のａ −５ｉ ： Ｈを母材としたａ
−５ｉ系悪感光を組込んだ電子写真複写機が示されてい
る。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には
、原稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆
うプラテンカバー４とが配されている。 原稿台３の下
方では、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１
ミラーユニツト７からなる工学走査台が図面左右方向へ
直線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体と
の光 。
−５ｉ系悪感光を組込んだ電子写真複写機が示されてい
る。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には
、原稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆
うプラテンカバー４とが配されている。 原稿台３の下
方では、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１
ミラーユニツト７からなる工学走査台が図面左右方向へ
直線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体と
の光 。
路長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿゛台３側か
らの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担
持体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射する
ようになっている。 ドラム９の周囲には、コロナ帯電
器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリー
ニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各
給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写機１８はド
ラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され
、トレイ３５へ排紙される。 定着部１９では、ヒータ
ー２２を内臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４
との間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿゛台３側か
らの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担
持体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射する
ようになっている。 ドラム９の周囲には、コロナ帯電
器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリー
ニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各
給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写機１８はド
ラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され
、トレイ３５へ排紙される。 定着部１９では、ヒータ
ー２２を内臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４
との間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。
ところで、上記のようなａ −３ｔ ｒ Ｈ層を有する
感光体として、第２図に示すように、Ａｉ！等の導電性
支持基板４１上に主として電位保持、重両輸送及び基板
４１に対する接着性向上の機能を果すアモルファス水素
化炭化珪素（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈと称する。）層４４
と、その上に光照射に応じての電荷担体（キャリア）を
発生させる機能を果ずａ−３１！Ｈ層４３を形成し、上
記２層からなるアモルファス水素化シリコン系（以下、
ａ−５ｉ系：Ｈと称する。）膜を有する感光体が考えら
れる。上記ａ−５ｉＣ： Ｈ層４４はこれに替えてアモ
ルファス水素化窒化珪素（以下、ａ −５ｉＮ ： Ｈ
と称する。）であっても良い。
感光体として、第２図に示すように、Ａｉ！等の導電性
支持基板４１上に主として電位保持、重両輸送及び基板
４１に対する接着性向上の機能を果すアモルファス水素
化炭化珪素（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈと称する。）層４４
と、その上に光照射に応じての電荷担体（キャリア）を
発生させる機能を果ずａ−３１！Ｈ層４３を形成し、上
記２層からなるアモルファス水素化シリコン系（以下、
ａ−５ｉ系：Ｈと称する。）膜を有する感光体が考えら
れる。上記ａ−５ｉＣ： Ｈ層４４はこれに替えてアモ
ルファス水素化窒化珪素（以下、ａ −５ｉＮ ： Ｈ
と称する。）であっても良い。
このような感光体（例えばドラム状）の製造方法及びそ
の装置（グロー放電装置）を第３図について説明する。
の装置（グロー放電装置）を第３図について説明する。
この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。
が垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。
基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。 な
お、図中の６２は５ＩＨａ、６３はＦｅ化合物ガスの供
給源、６４はＣＨ，等の炭化水素ガスまたはＮＨｓ、Ｎ
２等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリ
アガス供給源、６７は各流量針である。 このグロー放
電装置において、まず支持体である例えばＡＪ基板４１
の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽
５２内のガス圧が１Ｏ−ｂＴｏｒｒとなるように調節し
て排気し、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５
０℃（望ましくは１５０〜３００℃）−に加熱保持する
。 次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして
、ＳｉＨ４ガス、及びＣＨａ （またはＮ Ｈｓ、ｌを
適宜ガス混合室６９を経由して真空槽５２内に導入し、
例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源
５６により高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨ，）を印
加する。 これによって、上記各反応ガスを電極５７と
基板４１との間でグロー放電分解し、基板４１上にａ−
３ｉＣ：Ｈ（またはａ −５ＩＮ ： Ｈ）層を被着さ
せ、次いで、ガス供給源６４からのＣＨ，（またはＮＨ
ｌ等の）ガス供給を停止し、真空槽５２内の雰囲気を５
ｉＨａの゛みとして上記ａ−３ｉＣ：Ｈ（またはａ −
５ｉＮ ： Ｈ）層上にａ −３ｔ ： Ｈ層を被着さ
せ、第２図に示した、基板４１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ（ま
たはａ −５ｉＮ ： Ｈ）層４４とａ −５ｔ ：
Ｈ層４３とからなる積層膜が形成された感光体を得る。
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。 な
お、図中の６２は５ＩＨａ、６３はＦｅ化合物ガスの供
給源、６４はＣＨ，等の炭化水素ガスまたはＮＨｓ、Ｎ
２等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリ
アガス供給源、６７は各流量針である。 このグロー放
電装置において、まず支持体である例えばＡＪ基板４１
の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽
５２内のガス圧が１Ｏ−ｂＴｏｒｒとなるように調節し
て排気し、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５
０℃（望ましくは１５０〜３００℃）−に加熱保持する
。 次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして
、ＳｉＨ４ガス、及びＣＨａ （またはＮ Ｈｓ、ｌを
適宜ガス混合室６９を経由して真空槽５２内に導入し、
例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源
５６により高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨ，）を印
加する。 これによって、上記各反応ガスを電極５７と
基板４１との間でグロー放電分解し、基板４１上にａ−
３ｉＣ：Ｈ（またはａ −５ＩＮ ： Ｈ）層を被着さ
せ、次いで、ガス供給源６４からのＣＨ，（またはＮＨ
ｌ等の）ガス供給を停止し、真空槽５２内の雰囲気を５
ｉＨａの゛みとして上記ａ−３ｉＣ：Ｈ（またはａ −
５ｉＮ ： Ｈ）層上にａ −３ｔ ： Ｈ層を被着さ
せ、第２図に示した、基板４１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ（ま
たはａ −５ｉＮ ： Ｈ）層４４とａ −５ｔ ：
Ｈ層４３とからなる積層膜が形成された感光体を得る。
真空槽５２の底部には拡大された内径を有する排気室５
４が設けてあって、真空槽５２の排気側の内容積を大き
くし、内部の圧力を所定の圧力とするように内部に導入
された上記反応ガスを排気口５８からバタフライバルブ
５９によって排出量を調節しながら外部に吸引するに当
って、均一な吸引がなされるようにしである。
４が設けてあって、真空槽５２の排気側の内容積を大き
くし、内部の圧力を所定の圧力とするように内部に導入
された上記反応ガスを排気口５８からバタフライバルブ
５９によって排出量を調節しながら外部に吸引するに当
って、均一な吸引がなされるようにしである。
ところが、ペテロ接合でａ−３ｊＣ：Ｈ（またはａ −
３ｉＮ ： Ｈ）層上にａ −Ｓｉ ｓ Ｈ層を形成す
るに当り、上記のように操作条件を急激に変化させると
、第２図に示すａ−５ｉＣ：Ｈ（またはａ −ＳｉＮ：
Ｈ）層４４とａ −Ｓｔ ： ８層４３との境界面４２
′ に於ける両者の接着が不完全であって膜剥れが起り
易く、更に機能上の観点からはキャリア移動の障害とな
り易く、その結果、例えば電子写真的には残電現象が起
って所謂カプリやメモリー等が生じて鮮明な画像が得ら
れなくなるようになり易い。
３ｉＮ ： Ｈ）層上にａ −Ｓｉ ｓ Ｈ層を形成す
るに当り、上記のように操作条件を急激に変化させると
、第２図に示すａ−５ｉＣ：Ｈ（またはａ −ＳｉＮ：
Ｈ）層４４とａ −Ｓｔ ： ８層４３との境界面４２
′ に於ける両者の接着が不完全であって膜剥れが起り
易く、更に機能上の観点からはキャリア移動の障害とな
り易く、その結果、例えば電子写真的には残電現象が起
って所謂カプリやメモリー等が生じて鮮明な画像が得ら
れなくなるようになり易い。
３、発明の目的
本発明は化学組成の異なる複数層からなるアモルファス
半ｎ膜の有する上記のような問題点を解消した積層アモ
ルファス半毒尋膜の形成方法を提供することを目的とし
ている。
半ｎ膜の有する上記のような問題点を解消した積層アモ
ルファス半毒尋膜の形成方法を提供することを目的とし
ている。
４、発明の構成及び作用効果
即ち、本発明は、反応ガスのグロー放電分解によって化
学組成の異なる複数層からなるアモルファス奉希俸膜を
形成する方法に於いて、−の層の形成に続いて操作条件
の内の少なくとも高周波供給電力を漸次変化させてから
引続き他の−の層の形成に移ることを特徴とするアモル
ファス半＃彬膜の形成方法に係る。
学組成の異なる複数層からなるアモルファス奉希俸膜を
形成する方法に於いて、−の層の形成に続いて操作条件
の内の少なくとも高周波供給電力を漸次変化させてから
引続き他の−の層の形成に移ることを特徴とするアモル
ファス半＃彬膜の形成方法に係る。
発明者は研究を重ねた結果、例えば、ａ −５ｉＣ：Ｈ
またはａ −５ｉＮ ： Ｈ層上にａ −５ｉ ： ８
層を積層するに当り、成膜操作条件中の高周波供給電力
が低くなる程形成される上記膜中へのｃｌＩ４ガスやＮ
Ｈ３ガスが分解して生成するＣまたはＮの取込み量が低
下しく従って、高周波供給電力を途中から漸次低下させ
ると、形成される膜中のＣまたはＮ’ＩＨまたはａ −
５ｉＮ ： Ｈ膜とａ −５ｉ ： Ｈ膜との間に上記
のＣまたはＮ含有量が漸次低下する層（中間層）を形成
し、前記のような問題点を解消することに成功した。
またはａ −５ｉＮ ： Ｈ層上にａ −５ｉ ： ８
層を積層するに当り、成膜操作条件中の高周波供給電力
が低くなる程形成される上記膜中へのｃｌＩ４ガスやＮ
Ｈ３ガスが分解して生成するＣまたはＮの取込み量が低
下しく従って、高周波供給電力を途中から漸次低下させ
ると、形成される膜中のＣまたはＮ’ＩＨまたはａ −
５ｉＮ ： Ｈ膜とａ −５ｉ ： Ｈ膜との間に上記
のＣまたはＮ含有量が漸次低下する層（中間層）を形成
し、前記のような問題点を解消することに成功した。
高周波供給電力の制御に併せて、ＣＢ、またはＮＨｓへ
ガスの供給量等信の操作条件をも制御して上記のような
積層膜を形成することができることは言う迄もない。
ガスの供給量等信の操作条件をも制御して上記のような
積層膜を形成することができることは言う迄もない。
本発明は上記の知見からなされたものである。
５、実施例
大１舅上
第３図に示した装置を使用し、容積比でＳ ｉ Ｉｆ
。
。
１００部、ｃｏ、 ２０部、Ａｒ ２００部の混合ガス
を真空槽５２に導入し、反応圧を０．５ Ｔｏｒｒ 、
高周波供給電力を２００Ｗとして基板４１上に１５０分
（ｔｌ）かけてａ−ＳｉＣ：８層を形成し、引続き高周
波供給電力を２００Ｗから５０ Ｗへと１０分（ｔ２）
かけて徐々に低下させてからＣＨ４供給源６４からのＣ
Ｈ４供給を停止し、反応圧を０．５ Ｔｏｒｒに維持、
その状態を６０分（ｔ、）保持し、第４図に示すように
基板４１上にａ −５ｉＣ： Ｈ層４４、ａ−５ｒ：８
層４３及び両者の間にＣ含有量が前者のそれから後者の
それへと連続的に減少する中間層４２とからなる水素化
アモルファスシリコン系膜を形成した。
を真空槽５２に導入し、反応圧を０．５ Ｔｏｒｒ 、
高周波供給電力を２００Ｗとして基板４１上に１５０分
（ｔｌ）かけてａ−ＳｉＣ：８層を形成し、引続き高周
波供給電力を２００Ｗから５０ Ｗへと１０分（ｔ２）
かけて徐々に低下させてからＣＨ４供給源６４からのＣ
Ｈ４供給を停止し、反応圧を０．５ Ｔｏｒｒに維持、
その状態を６０分（ｔ、）保持し、第４図に示すように
基板４１上にａ −５ｉＣ： Ｈ層４４、ａ−５ｒ：８
層４３及び両者の間にＣ含有量が前者のそれから後者の
それへと連続的に減少する中間層４２とからなる水素化
アモルファスシリコン系膜を形成した。
このようにして得られた感光体のＣ含有量は、オージェ
電子分光分析による分析結果を示す第５図に見られるよ
うに、ａ−ＳｉＣ：Ｈ層４４では、例えばほぼ１０原子
％、ａ −Ｓｔ ： Ｈ膜では０、中間層４２では１０
原子％から０へ漸次若しくは連続的に低下していて断続
的な変化は認められなかった。同図の横軸には製膜の経
過時間と共に形成された膜に直角方向の寸法が併記しで
ある。
電子分光分析による分析結果を示す第５図に見られるよ
うに、ａ−ＳｉＣ：Ｈ層４４では、例えばほぼ１０原子
％、ａ −Ｓｔ ： Ｈ膜では０、中間層４２では１０
原子％から０へ漸次若しくは連続的に低下していて断続
的な変化は認められなかった。同図の横軸には製膜の経
過時間と共に形成された膜に直角方向の寸法が併記しで
ある。
また、基板４１とａ−５ｉＣ：Ｈ層４４との間の、ａ−
５ｉＣ： Ｈ層４４と中間層４２との間の、中間層４２
とａ −３ｔ ： ８層４３との間の膜付きは、いずれ
も良好であった。
５ｉＣ： Ｈ層４４と中間層４２との間の、中間層４２
とａ −３ｔ ： ８層４３との間の膜付きは、いずれ
も良好であった。
亥電貫主
中間層形成時に高周波供給電力を２００ Ｗから５゜Ｗ
に徐々に低下させると共に、ＣＩ’１４供給源６４から
のＣＨ４供給量を徐々に絞り、その他の条件は前記実施
例１に於けると同様にして基板４１上にａ −５ｉＣ課
：Ｈ層４４、中間層４２及びａ −Ｓｉ ： ８層４３
からなる積層膜を形成した。
に徐々に低下させると共に、ＣＩ’１４供給源６４から
のＣＨ４供給量を徐々に絞り、その他の条件は前記実施
例１に於けると同様にして基板４１上にａ −５ｉＣ課
：Ｈ層４４、中間層４２及びａ −Ｓｉ ： ８層４３
からなる積層膜を形成した。
得られた感光体のＣ含有量分析の結果は、前記第５図に
示したと同様の結果であり、上記各層間の膜付きは極め
て良好であった。
示したと同様の結果であり、上記各層間の膜付きは極め
て良好であった。
ル較勇
ａ−５ｉＣ：Ｈ層形成後、直ちに高周波供給電力を２０
０Ｗから５０Ｗに変えると共に、ＣＨ，ガス供給を停止
してａ −５ｉ ： ８層を形成し、その他の条件は前
記実施例１に於けると同様にして基板４１上にａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ層４４とａ −３ｔ ： ８層４３との２層から
なる積層膜を形成し、第２図に示した感光体とし得られ
た感光体のＣ含有量は、第５図中に破線で示すように、
ａ−５ｉＣ：Ｈ層の１０原子％からａ−３ｉ：Ｈ層の０
へと急激に変化していた。また、基板４１とａ−３ＩＣ
：Ｈ層４４との間の膜付きは良好であったが、ａ −５
ｉＣ： Ｈ層４４とａ −Ｓｉ ： ８層４３との間の
膜付きは、ａ −３ｔ ： ８層４３の部分的な剥離が
生じ、良好ではなかった。
０Ｗから５０Ｗに変えると共に、ＣＨ，ガス供給を停止
してａ −５ｉ ： ８層を形成し、その他の条件は前
記実施例１に於けると同様にして基板４１上にａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ層４４とａ −３ｔ ： ８層４３との２層から
なる積層膜を形成し、第２図に示した感光体とし得られ
た感光体のＣ含有量は、第５図中に破線で示すように、
ａ−５ｉＣ：Ｈ層の１０原子％からａ−３ｉ：Ｈ層の０
へと急激に変化していた。また、基板４１とａ−３ＩＣ
：Ｈ層４４との間の膜付きは良好であったが、ａ −５
ｉＣ： Ｈ層４４とａ −Ｓｉ ： ８層４３との間の
膜付きは、ａ −３ｔ ： ８層４３の部分的な剥離が
生じ、良好ではなかった。
なお、残電現象について、初期表面電位を６００■に帯
電し、ハロゲンランプを光源として６２０ｎｍ以上の波
長をカントし、６Ｉｌｕｘ−ｓｅｃの露光後の残留電位
を測定したところ、上記比較例では７０Ｖであり、前記
実施例１及び２ではいずれも３０ＶとＡ以下に低下して
いる。このように、本発明の方法によって得られるアモ
ルファス半導体膜は、従来法によって得られるそれに較
べてカブリやメモリーが極めて少なく、鮮明な画像が得
られることが容易に理解できよう。
電し、ハロゲンランプを光源として６２０ｎｍ以上の波
長をカントし、６Ｉｌｕｘ−ｓｅｃの露光後の残留電位
を測定したところ、上記比較例では７０Ｖであり、前記
実施例１及び２ではいずれも３０ＶとＡ以下に低下して
いる。このように、本発明の方法によって得られるアモ
ルファス半導体膜は、従来法によって得られるそれに較
べてカブリやメモリーが極めて少なく、鮮明な画像が得
られることが容易に理解できよう。
以上の結果から、本発明の方法、即ちａ −５ｉＣ：８
層形成に続いて製膜操作条件の内の高周波供給電力を漸
次低下して中間層を形成し、引続きａ−ＳｔｉＨ層を形
成する方法によるときは、中間層ではＣ含有量がａ−５
ｉＣ：Ｈ層のそれからａ −３ｉ：Ｈ層のそれへと漸次
低下しているので、各層間の膜付きが良好であり、得ら
れる感光体には前述したような従来法による機能上の不
都合を生ずる虞れがないことが解る。
層形成に続いて製膜操作条件の内の高周波供給電力を漸
次低下して中間層を形成し、引続きａ−ＳｔｉＨ層を形
成する方法によるときは、中間層ではＣ含有量がａ−５
ｉＣ：Ｈ層のそれからａ −３ｉ：Ｈ層のそれへと漸次
低下しているので、各層間の膜付きが良好であり、得ら
れる感光体には前述したような従来法による機能上の不
都合を生ずる虞れがないことが解る。
なお、前記実施例１に於ける操作は、高周波電源５６（
第３図参照）にタイマー回路を接続して高周波供給電力
をプログラム制御することができる。
第３図参照）にタイマー回路を接続して高周波供給電力
をプログラム制御することができる。
また、同じ〈実施例１に於いて、第６図に示すように、
真空槽５２内の反応ガスのＣまたはＮ含有量をガスクロ
マトグラフィー８１で分析し、その検出量を制御部９１
内の比較制御回路９２に送り、比較制御回路９２はこの
信号と設定電圧９３とを受けて予め設定されたプログラ
ムに対応する信号を高周波電源５６の出力制御回路５６
ａに送り、高周波供給電力をプログラム制御することが
できる。
真空槽５２内の反応ガスのＣまたはＮ含有量をガスクロ
マトグラフィー８１で分析し、その検出量を制御部９１
内の比較制御回路９２に送り、比較制御回路９２はこの
信号と設定電圧９３とを受けて予め設定されたプログラ
ムに対応する信号を高周波電源５６の出力制御回路５６
ａに送り、高周波供給電力をプログラム制御することが
できる。
ガスクロマトグラフィー８１の分析結果と高周波電源の
出力制御回路５６ａの制御動作は、２ペン記録計９４に
記録される。
出力制御回路５６ａの制御動作は、２ペン記録計９４に
記録される。
この制御方式は、同一組成の混合ガスを真空槽５２内に
供給していても、真空槽５２内の反応ガス中のＣＨ４ま
たはＮＨ３から生成するＣまたはＮの膜中に取込まれる
量が前述のように高周波供給電力によって変化するので
、反応ガス中の残りのＣまたはＮの量と高周波供給電力
とは一定の関係にあることを利用した制御方式である。
供給していても、真空槽５２内の反応ガス中のＣＨ４ま
たはＮＨ３から生成するＣまたはＮの膜中に取込まれる
量が前述のように高周波供給電力によって変化するので
、反応ガス中の残りのＣまたはＮの量と高周波供給電力
とは一定の関係にあることを利用した制御方式である。
また、第４図に示した本発明の方法によって得られる感
光体の表面に、第７図に示すようにａ −３ｉ：Ｈ層４
３上にＣまたＮ含有量が０から漸増してａ−３ｉＣ：Ｈ
またはａＳｉＮ：）（層のＣまたはＮ含有量に至る第２
の中間層４５を挟んで第２のａ −５ｉＣ：Ｈまたはａ
−３ｉＮ ： Ｈ層４６を設け、この層４６によって
感光体表面への吸着物質の影響を低減させ、沿面方向の
電気伝導度の変化を少なくして画像流れのない安定した
特性を付与することができる。上記中間層４５と表面の
層４６とは、実施例１または２の操作の逆の操作（高周
波供給電力を２０Ｗから漸次２００ Ｗに上昇、或いは
このような高周波供給電力の上昇と同時にＣＨ４若しく
はＮＨ，ガスの供給量をＯから漸次２０ｃｃ／ｓ＋ｉｎ
に増大する。）を行うことによって形成できる。
光体の表面に、第７図に示すようにａ −３ｉ：Ｈ層４
３上にＣまたＮ含有量が０から漸増してａ−３ｉＣ：Ｈ
またはａＳｉＮ：）（層のＣまたはＮ含有量に至る第２
の中間層４５を挟んで第２のａ −５ｉＣ：Ｈまたはａ
−３ｉＮ ： Ｈ層４６を設け、この層４６によって
感光体表面への吸着物質の影響を低減させ、沿面方向の
電気伝導度の変化を少なくして画像流れのない安定した
特性を付与することができる。上記中間層４５と表面の
層４６とは、実施例１または２の操作の逆の操作（高周
波供給電力を２０Ｗから漸次２００ Ｗに上昇、或いは
このような高周波供給電力の上昇と同時にＣＨ４若しく
はＮＨ，ガスの供給量をＯから漸次２０ｃｃ／ｓ＋ｉｎ
に増大する。）を行うことによって形成できる。
以上、基板上にａ−ＳｉＣ：）（層、中間層、ａ−Ｓｉ
：Ｈ層の順に積層半導体膜を形成する方法について説明
したが、基板上にａ −３ｉ ｓ Ｈ層、中間層ａ−３
ｉＣ：Ｈ層の順に積層半導体膜を形成することもできる
。この場合は、高周波供給電力を例えば２０Ｗから漸次
２００Ｗに増大させてＣまたはＮ含有量が漸次増加する
ように中間層を形成すれば良い。
：Ｈ層の順に積層半導体膜を形成する方法について説明
したが、基板上にａ −３ｉ ｓ Ｈ層、中間層ａ−３
ｉＣ：Ｈ層の順に積層半導体膜を形成することもできる
。この場合は、高周波供給電力を例えば２０Ｗから漸次
２００Ｗに増大させてＣまたはＮ含有量が漸次増加する
ように中間層を形成すれば良い。
上記実施例はいずれもアモルファスシリコン系積層半導
体膜の形成についての例であるが、本発明はアモルファ
スシリコン系積層半導体膜υ外にも、例えばアモルファ
スシリコン−ゲルマニウム系積層半導体膜の形成にも適
用可能である。
体膜の形成についての例であるが、本発明はアモルファ
スシリコン系積層半導体膜υ外にも、例えばアモルファ
スシリコン−ゲルマニウム系積層半導体膜の形成にも適
用可能である。
６、発明の詳細
な説明したように本発明の方法によるときは、ｌ−の層
の形成に続いて操作条件の内の少なくとも高周波供給電
力を漸次変化させてから引続き他の−の層の形成に移る
方法によっているので、アモルファス半巻体膜を構成す
る各層間の膜付き性が良好であって、しかも、例えば残
電現象に起因するカブリやメモリー等が起る虞れがなく
、鮮明な画像が安定して得られる。
の形成に続いて操作条件の内の少なくとも高周波供給電
力を漸次変化させてから引続き他の−の層の形成に移る
方法によっているので、アモルファス半巻体膜を構成す
る各層間の膜付き性が良好であって、しかも、例えば残
電現象に起因するカブリやメモリー等が起る虞れがなく
、鮮明な画像が安定して得られる。
第１図は電子写真複写機の概略断面図である。
第２図は従来の感光体の断面図である。
第３図〜第７図は本発明の実施例を示し、第３図はグロ
ー放電分解装置の概略断面図、第４図は本発明の方法に
よって得られた感光体の断面図、 第５図は第４図に示す感光体中のＣ含有量の位置による
変化を示すグラフ、 第６図は自動制御を本発明に適用した例を示す概略ブロ
ック図、 第７図は本発明の方法によって得られた他の感光体の断
面図である。 なお、図面に示された符号に於いて、 ４１・・・基板 ４２．４５・・・中間層 ４３・・・ａ−８ｉ：Ｈ層 ４４．４６−−−ａ−ＳｉＣ：Ｈまたはａ−３ｉＮ：Ｈ
層 ５１・・・グロー放電分解装置 ５２・・・真空槽 ５３・・・電極 ５５・・・ヒーター ５６・・・高周波電源 ５９・・・バタフライバルブ ６２．６５．６６・・・ガス供給源 ８１・・・ガスクロマトグラフィー ９１・・・制御部 である。 代理人 弁理士 連環、宏（他１名） 第４図 第５図 ＦＩＪｒＪｌＣ分） 一一一 −お Ｑ １４ １５ す鑑 （ｐｍ）
ー放電分解装置の概略断面図、第４図は本発明の方法に
よって得られた感光体の断面図、 第５図は第４図に示す感光体中のＣ含有量の位置による
変化を示すグラフ、 第６図は自動制御を本発明に適用した例を示す概略ブロ
ック図、 第７図は本発明の方法によって得られた他の感光体の断
面図である。 なお、図面に示された符号に於いて、 ４１・・・基板 ４２．４５・・・中間層 ４３・・・ａ−８ｉ：Ｈ層 ４４．４６−−−ａ−ＳｉＣ：Ｈまたはａ−３ｉＮ：Ｈ
層 ５１・・・グロー放電分解装置 ５２・・・真空槽 ５３・・・電極 ５５・・・ヒーター ５６・・・高周波電源 ５９・・・バタフライバルブ ６２．６５．６６・・・ガス供給源 ８１・・・ガスクロマトグラフィー ９１・・・制御部 である。 代理人 弁理士 連環、宏（他１名） 第４図 第５図 ＦＩＪｒＪｌＣ分） 一一一 −お Ｑ １４ １５ す鑑 （ｐｍ）
Claims (1)
- １、反応ガスのグロー放電分解によって化学組成の異な
る複数層からなるアモルファス半襟体膜を形成する方法
に於いて、−の層の形成に続いて操作条件の内の少なく
とも高周波供給電力を漸次変化させてから引続き他の−
の層の形成に移ることを特徴とするアモルファス中ｅ膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59069475A JPS60213021A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | アモルフアス膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59069475A JPS60213021A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | アモルフアス膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60213021A true JPS60213021A (ja) | 1985-10-25 |
Family
ID=13403740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59069475A Pending JPS60213021A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | アモルフアス膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60213021A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281338A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシヤル成長方法 |
| US6252295B1 (en) | 2000-06-19 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Adhesion of silicon carbide films |
-
1984
- 1984-04-07 JP JP59069475A patent/JPS60213021A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281338A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシヤル成長方法 |
| US6252295B1 (en) | 2000-06-19 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Adhesion of silicon carbide films |
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