JPS60235145A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ。

ＴｅＸＳｂ等をドープした感光体、ｚｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。　
１〜かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓｔ　）　ｆ母体
として用いた電子写真感光体が近年になって提案されて
いる。　ａ−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわ
ゆるターンブリングボンドを有しており、この欠陥に起
因して工オルギーギャノプ内に多くの局在準位が存在す
る。　このために、熱励起相体のホッピング伝導が生じ
て暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラッ
プされて光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠
陥を水素原子（Ｈ）で補償してＳｔにＨを結合させるこ
とによって、ダングリングボンドを埋めることが行なわ
れる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｉ（と称する。）の暗所での抵抗率は１０６〜１０
９Ω−αであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。　Ｋりで、ａ−８ｔ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が犬きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。　しかし他方では
、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減
少するため、感光体の感光層として極めて優れた特性を
有している。

第１図には、上記のａ−８ｉ：Ｈを母材としたａ−８ｔ
系感光体を組込んだ電子写真複写機が示されている。　
この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原ａ２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方では
、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラー
ユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移
動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするだめの第２ミラーユニ、ト２０が第１ミ
ラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの
反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体
としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよう
になっている。　ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１
０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニン
グ部１４が夫々配置されでおり、給紙箱１５から各給紙
ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム
９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、ト
レイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒーター２
２を内蔵した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との
間に現像済みの複写紙を通して定着操作を折々う。

しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学柚の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がガされていない。

　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。　一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：
ＩＩと称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１
ｌ。

Ｍａｇ−Ｖｏｌ、　３５　”　（１９７８）等に記載さ
れており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこ
と、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０１２
〜１０　”Ω−ｃ１ｎ）を有すること、炭素ｋにより光
学的エネルギーギヤノブが１．６〜２．８ｅＶの範囲に
亘つて変化すること等が知られている。　但、炭素の含
有によりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不
良となるという欠点がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｔ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａ−８ｔ：
上層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−８ｉＣ：上層を電荷輸送層として設けた機能分離型
の２層構造を作成し、上層のａ−８ｔ：Ｈにより広い波
長域での光感度を得、かつａ−８ｔ：上層とへテロ接合
を形成する下層のａ−ＳｉＣ：　Ｉ−Ｉにより帯電電位
の向上を図っている。

しかしながら、ａ−８ｔ：上層の暗減衰を充分に防止で
きず、帯電電位はなお不充分であって実用性のあるもの
とはならない上に、表面にａ−８ｉ：上層が存在してい
ることにより化学的安定性や機械的強度、耐熱性等が不
良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：上層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として形成している。

　また、前記電荷輸送層のない感光体も知られている　
（特開昭５７−５２１７８号公報）。　これらの公知の
感光体に関しては、表面改質層によって暗減衰の防止、
表面の化学的安定性等の効果は期待できるものの、次の
如き問題点があることが判明Ｉ７た。

即ち、上記の如き表面改質層の構成物質であるａ−８ｉ
Ｃ：Ｈの比抵抗（暗所抵抗率）　Ｐｏは１０″Ω−ｃｎ
ｌが限界であシ、これより太きくは々らないために帯電
電位の保持性が十分ではない。　また、５ｉｎ２を表面
改質層に使用した場合、ＰＤは高くなるが、帯電極近傍
で発生した活性種（放電雰囲気中等のイオンや、分子、
原子）が表面に吸着され易く、とのだめに沿面放電が生
じて画像流れが生じ易くなる。　これに対し、、ａ−８
ｉＣ：Ｈはｓｉｏ。

の如き活性種の吸着は生じ難いが、上記の如＜ＰＤが不
充分であって帯電電位の保持能（特に高温高湿下におけ
る保持能）が悪い。

３、発明の目的 本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的強度、耐
熱性等に優れ、光感度も良好でアシ、かつ帯電電位の保
持能が良く、沿面放電も生じ難い感光体を提供するもの
である。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
る表面改質層が設けられている感光体において、前記表
面改質層が１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シリコ
ン原子と炭素原子と酸素原子との合計原子数を１ｏｏ　
ａｔｏｍｉｃ　％とする。）を含有していることを特徴
とするものである。

本発明によれば、ａ−８ｉＣ系の表面改質層（例えばア
モルファス水素化炭化シリコン（ａ　−ＳｉＣ：Ｈ）か
らなる表面改質層）を具備せしめているので、ａ−８ｉ
系悪感光の表面特性についての欠点を解消することがで
きる０　即ち、この表面改質層はａ−８ｉ系悪感光の表
面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境
性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学
種の影響防止）、表面硬度が高いことによる耐刷性の向
上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着
転写性）の向上等の機能を有するものである。

しかも、この表面改質層には、酸素が１〜２０ａｔｏｒ
ｎｊｃ％　（以下、［ａｔｏｍｉｃ％　Ｊを単に−と記
す。）含有せしめられているために、表面改質層の比抵
抗が大きく向上０＞１０”Ω−ｃｒｎ）シ、特に高温又
は高湿下での帯電電位の保持能が著しく向」ニする。

逆に、酸素原子が１チ未満ではそうした効果がなく、２
ｏ％を越えると活性種の吸着に依る画像流れが生じてし
まう。　従って、表面改質層中の酸素含有量を１〜２０
チに設定することが必須不可欠であり、２〜１０チとす
るのが好適でおる。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例によるａ−８ｉｉ電子写真感光体３９
を示すものである。　この感光体３９は例えば正帯電用
のものであって０冒等のドラム状導電性支持基板４１上
に、周期表第Ｈａ族元素（例えばホウ素）がヘビードー
プされたａ−８ｉ：ＨからなるＰ型電荷ブロッキング層
４２と、周期表第１１１ａ族元素（例えばホウ素）がラ
イトドープされたａ−８Ｌ：Ｈからなるｌ型（真性化さ
れた）電荷発生層４３と、酸素含有アモルファス水素化
炭化シリコン（０含有ａ−８ｉＣ：Ｈ）からなる表面改
質層４５とが積層された構造からなっている０　電荷発
生層４３は暗所抵抗率ρＤと光照射時の抵抗率ＰＬとの
比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視
及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。

また、周期表第■ａ族元素、例えばホウ素を流量比（Ｂ
ｚＬ／　５ｉＨ４）　＝　１〜１ｏ　ｏ　ｐｐｍでドー
ピングすることによって真性化すなわちｉ型化（固有抵
抗を１０１１〜１０１１Ω−σ）シ、高抵抗化できる０
この感光体３９においては、本発明に基いて（電荷発生
層４３上の表面改質層４５に、ＳｌとＣと０との合計原
子数に対し１〜２０％の酸素を含有せしめているので、
比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用
効果が得られる。　即ち、第３図に曲線ａで示すように
、従来の表面改質層に用いられるａ−８ｉＣ：Ｈの比抵
抗は炭素含有量に従って高められるが１０１ｓΩ−ｍ以
上になることが分っている。　これに対し、本発明に基
いて、ａ−８ｉＣ：Ｈ中に酸素を含有せしめた０含有ａ
−８ｉＣ：Ｈの場合（酸素含有量は例えば５襲）には、
曲線すで示すように、比抵抗が大きく上昇して炭素含有
量を決めることによって１０１Ω−ｏｎをはるかに上回
る値を示すことが確認された。

この０含有ａ　−ＳｉＣ：　Ｉ−Ｉ層４５は感光体の表
面を改質してａ−８ｔ系感光体を実用的に優れたものと
するために必須不可欠なものである。　即ち、表面での
電荷保持と、光照射による表面電位の減衰という電子写
真感光体としての基本的な動作を可能とするものである
。　従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定と
なり、長期間（例えばｌカ月以−ト）放置しておいても
良好な電位特性を再現できる。　これに反Ｌ、ａ　Ｓｉ
：Ｈを表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾ
ン雰囲気等の影響を受け易く、電位特性の経時変化が著
しくなる。　また、ａ−８ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いた
めに、現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩
耗性があシ、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如
く熱を付与するプロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の炭素組成を選択することが重要である。　即ち、
炭素原子含有量がＳｉ＋Ｃ十〇＝１００％としたとき１
０〜７０％であることが望゛ましい。Ｃ含有量が１０％
以上であると、上記した比抵抗が所望の値となり、かつ
光学的エネルギーギ＋ツブがは）’ｉ２．ＯｅＶ以上と
なυ、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓
効果によシ照射光はａ−８ｔ：Ｈ層（電荷発生層）４３
に到達し易くなる。

しかし、Ｃ含有量が１０％未満では、比抵抗が所望の値
以下となシ易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収さ
れ、感光体の光感度が低下し易くなる。

また、Ｃ含有量が７０チを越えると層の炭素量が多くな
り、半導体特性が失なわれ易い上にａ　−ＳＩＣ：Ｈ膜
をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低下し易い
ので、Ｃ含有量は７０チ以下とするのがよい。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４５ノ膜厚を４ｏｏＸ≦ｔ≦５
００ＯＡの範囲内（特に４００　Ｘ≦ｔ＜２ｏｏｏＸ、
）に選択することも重要である。　即ち、その膜厚が５
０＋ＩＯＡを越える場合には、残留電位ＶＲが高くなシ
すぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体として
の良好な特性を失ない易い。　また、膜厚を４００　Ａ
未満とした場合には、トンネル効果によって電荷が表面
上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低
下が生じてしまう。

電荷発生層４３については、上記の如く高抵抗化するこ
とによって電荷保持能を向上させることができる。　こ
れによって、光感度、電位保持能共に良好な電荷発生層
とすることができる。　また、上記電荷ブロッキング層
４２は、基板４１からの電子の注入を充分に防ぐには、
周期表第ＨＩａ族元素（例えばボロン）を流量比ＢＪｇ
　／　Ｓｔ　場＝１００〜５０００ｐｐｍでドープして
、Ｐ型（更には戸型）化するとよい。　上記した各層の
厚みについても適切な範囲があり、電荷発生層４２は１
０〜３０μｍ１ブ日ッキング層４２は４００〜２μｍと
するのがよい。　電荷発生層４３が１０μｍ未満である
と帯電電位が充分でなく、また３０μｍを越えることは
実用上不充分であシ、製膜にも時間がかかる。　ブロッ
キング層４２も４（ＩＯＡ未満であるとブロッキング効
果が低く、また、２μｍを越えると電荷輸送能が悪くな
多易い。　なお、上記の各層は水素を含有することが必
要である。　特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、
ダングリングボンドを補償して光導電性及び電防保持性
を向上させるために必須不可欠であって、１０〜３０　
ａｔｏｍｉｃ％であるのが望ましい。この含有量範囲は
表面改質層４５も同様である。　まし た、ブロッキング層４２の等値型を制御するだめの不純
物として、Ｐ型化のためにボロン以外にもＭｌＧａ、　
Ｉｎ、　’ｒＪ＠−の周期表第１ＩＩ　ａ族元素を使用
できる。　このブロッキング層はＮ型化し、負帯電用の
感光体とすることもでき、このためには、ＰｌＡｓ　、
５ｂＸＢｉ等の周期表第Ｖａ族元素をドープできる。　
例えば、流量比ＰＨｓ　／　５ｉＨ４＝　１ｏｏ　〜１
１０００ｐｐとしてＰをドープするのがよい。

なお、このブロッキング層４２にも、上記と同様に酸素
を所定量ドープしてその高抵抗化を図ってもよい。　ま
た、ブロッキング層４２は必ずしも不純物ドーピングに
よりＰ又はＮ型化され々くてもよい（即ち不純物はドー
プしなくてもよい）し、場合によってはブロッキング層
自体を設けなくてもよい。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　々
お、図中の６２は５ｉＩ（＜又はガス状シリコン化合物
の供給源、６３はＯ８又はガス状酸素化合物の供給源、
６４はＣ１Ｉ４等の炭化水素ガスの供給源、６５はＡｒ
等のキャリアガス供給源、６６は不純物ガス（例えばＢ
２Ｈ４又はＰＨｓ　）　供給源、６７は各流量計である
。　このグロー放電装置において、まず支持体である例
えばＭ基板４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に
配置し、真空槽５２内のガス圧が１０’　Ｔｏｒｒとな
るように調節して排気し、かつ基板４１を所定温度、特
に１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５０〜３００°Ｃ
）に加熱保持する。　次いで、高純度の不活性ガスをキ
ャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物
、及び不純物ガスを適当量希釈した混合ガス；ＳｉＨ４
又はガス状シリコン化合物、ＣＨ４，０□の混合ガスを
適宜真空槽５２内に導入し、例えば００１〜１０　Ｔｏ
ｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例
えば１３．５６ＭＨｚ）を印加する。　これによって、
上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放
電分解し、不純物ヘビードープドａ−８ｉ：Ｈ，不純物
ライトドープドａ−８ｔ：Ｈ，Ｏ含有ａ−８ｉＣ：Ｈを
上記の層４２．４３．４５として基板上に連続的に（即
ち、第２図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８Ｌ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０’Ｃとして
いるので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くする
ことができる。

なお、上記ａ−８ｔ系感光体感光層の形成時に於−て、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
代りに、或いはＨと併用してフッ素を５ｉＦａ等の形で
導入し、ａ−８ｔ：Ｆ、ａ−８ｉ：Ｈ：Ｆ。

ａ−８ｉＮ　：Ｆ、　ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、　ａ−８ｉ
Ｃ：Ｐｉ’、　ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる
。　この場合のフッ素量は０．５〜１０ａｔｏｍｉｃ％
が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

第５図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法によシ作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
によシ当該ペルジャー７１内を例えば１０１〜１０’Ｔ
ｏｒｒの高真空状態とする。　当該ペルジャー７１内に
は基板４１を配してこれをヒーター７５によ多温度１０
０〜３５０°Ｃ１好ましくは１５０〜３００°Ｃに加熱
すると共に、直流電源７６により基板１にθ〜−ｉ　０
　ＫＶ　、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印
加する。　また、出口が基板４１と対向するようペルジ
ャー７１に接続して設けた水素ガス放電管７７よシ活性
水素及び水素イオンをペルジャー７１内に導入しながら
、基板４１と対向するよう設けたシリコン蒸発源７８及
び必要あればアルミニウム蒸発源７９を加熱すると共に
各上方のシャッターＳを開き、シリコン及びアルミニウ
ムをその蒸発速度比が例えば１：１０’となる蒸発速度
で同時に蒸発させる。　これによって上記層４２．４３
を順次形成する。　かつ、引続いてアルミニウムの蒸発
は中断して新たに０２を適宜放電管７０に導入し、ここ
で活性化させてからペルジャー７１内へ導入し、同時に
図示省略した放電管を介してＣＨ４ガスを適宜導入し、
これにより上述の層４５を形成する。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第６図の如く、ガス人口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材澗と、この放電空間部材８４の他端に設け
た、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６と
より成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材８
６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによυ
、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガスが放
電空間８３においてグロー放電を生じ、これにより電子
エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子よ構成
る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口８５よ
り排出される。　この図示の例の放電空間部材８２は二
重構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、８
７．８８が冷却水入口及び出口を示す。

８９は一方の電極部材８２の冷却用フィンである。

上記の水素ガス放電管７７における電極間距離は１０〜
１５ｃｒｎであシ、印加電圧は６００Ｖ、放電空間８３
の圧力は１０　”　Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する０ グロー放電分解法により、ドラム状Ｍ支持体上に第２図
の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状Ｍ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真空
槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０’Ｔｏ
ｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所定
温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５０〜３
００°Ｃ）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧
のもとて周波数１３．５６　ＭＨＺの高周波電力を印加
し、１０分間の予備放電を行なった。　次いで、ＳｉＨ
４とＢ　＊　Ｈｓとからなる反応ガスを導入し、流量比
１：　１　：　（１，５Ｘ１０　”）の（Ａｒ　＋　Ｓ
ｉＨ４＋　Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグロー放電分解するこ
とによシ、電荷ブロッキング機能を担うＰ型のａ−８ｔ
：Ｈ層４２を６μｍ／ｈｒの堆積速度で厚さ１μｍに製
膜した。

引き続き、流量比を変えたＳｉＨ４とＢ、Ｈ，の混合ガ
スを放電分解し、厚さ１９μｍのＢライトドープドａ−
８ｔ：Ｈ層４３を形成した。　引続いて、ＢｚｉｌＰノ
供給を止め、流量比４：１：６：１の（Ａｒ＋　ＳｉＨ
４十ＣＨ，＋０□）混合ガスと共にグロー放電分解し、
厚さ１０００ＸのＯ含有量−８ｉＣ：Ｈ表面保護層４５
を更に設け、電子写真感光体を完成させた。　この感光
体を用いて、複写機（Ｕ−Ｂｉｘ３０００改造機：小西
六写真工業（株）製）によシ画像出しを行なった結果、
解像度、階調性がよく、画像濃度が高く、カプリのない
鮮明な画像が得られた。　また、２０万回の繰り返し複
写を行なっても、安定した良質左画像が続けて得られた
。

また、各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示
す結果が得られた。　これによれば、表面改質層のＯ含
有量を１〜２０チ、特に２〜１０チとすれば、感光体の
画像再生特性等が大きく向上することが分る。　なお、
画質については、◎は画像鮮明、○は画像良好、△は画
質が実用上採用可能、×は画質が実用上採用不可を夫々
示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第６図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−８ｉ系感光体の断面図、 第３図はａ　−ＳｉＣの比抵抗を比較して示すグラフ、
第４図はグロー放電装置の概略断面図、第５図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第６図はガス放電管の断面図 である。 々お、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・ａ−８ｉ系感光体４１・・・
・・・・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・
・・・・ブロッキング層４３・・・・・・・・・・・・
電荷発生層４５・・・・・・・・・・・表面改質層５５
・・・・・・・・・・・・ヒ−ｐ　−５６・・・・・・
・・・・・高周波電源５７・・・・・・・・・・・・電
極 ６２〜６６・・・・・・・・・・・各ガス供給源７０．
７７・・・・・・・・・・・・・・ガス放電管７８．７
９・・・・・・蒸発源 である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコン
   からなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又
   は７ノ素化炭化シリコンからなる表面改質層が設けられ
   ている感光体において、前記表面改質層が１〜２０　ａ
   ｔｏｍｉｃ　％の酸素（但、シリコン原子と炭素原子と
   酸素原子との合計原子数ｆ：ｌｏＯａｔｏｍｉｃ　％と
   する。）を含有していることを特徴とする感光体。 ２　表面改質層の炭素含有量が１０〜７０　ａｔｏｍｉ
   ｃ　ｑ６（但、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との
   合計原子数を１００　ａｔｏｍｉ　ｃ係とする。）であ
   る、特許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３　電荷発生層が周期表第１ＩＩ　ａ族元素のドーピン
   グによって真性化されている、特許請求の範囲の第１項
   又は第２項に記載した感光体。 ４、電荷発生層と、この電荷発生層下の基体との間に、
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
   りかつ周期表第■ａ族元素のドーピングされたＰ型電荷
   ブロッキング層が形成されている、特許請求の範囲の第
   １項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。 ５、電荷発生層と、この電荷発生層下の基体との間に、
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
   りかつ周期表第Ｖａ族元素のドーピングされたＮ型電荷
   ブロッキング層が形成されている、特許請求の範囲の第
   １項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。