JPS6021351A - 軟磁性材料 - Google Patents
軟磁性材料Info
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- JPS6021351A JPS6021351A JP58128711A JP12871183A JPS6021351A JP S6021351 A JPS6021351 A JP S6021351A JP 58128711 A JP58128711 A JP 58128711A JP 12871183 A JP12871183 A JP 12871183A JP S6021351 A JPS6021351 A JP S6021351A
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Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高透磁率の軟磁性材料に係り、特にアモルフ
ァス合金からなる軟磁性材料に関する。
ァス合金からなる軟磁性材料に関する。
従来より軟磁性材料として諸種の材質のものが研究、提
案され、各種の特性を有する軟磁性材料が得られている
。例えば鉄−ニッケル合金からなる二元系パーマロイや
これに例えばクロム、モリブデン、銅などの第３元素を
添加した多元系パーマロイなどがあるが、パーマロイで
は一般に透磁率ならびに飽和磁束密度を十分に高くする
ことは難しかった。
案され、各種の特性を有する軟磁性材料が得られている
。例えば鉄−ニッケル合金からなる二元系パーマロイや
これに例えばクロム、モリブデン、銅などの第３元素を
添加した多元系パーマロイなどがあるが、パーマロイで
は一般に透磁率ならびに飽和磁束密度を十分に高くする
ことは難しかった。
本発明者らは、スパッタリングなどによって得られるア
モルファス合金薄膜について諸種研究した結果、コバル
１〜を主成分とし、それにハフニウムとニオブを添加し
たＣｏ−Ｈｆ−Ｎｂの３成分系のアモルファス合金から
なり、前記ハフニウムの含有率が１原子％以上でかつ５
原子％未満、好ましくはハフニウムの含有率が１．５〜
３原子％。
モルファス合金薄膜について諸種研究した結果、コバル
１〜を主成分とし、それにハフニウムとニオブを添加し
たＣｏ−Ｈｆ−Ｎｂの３成分系のアモルファス合金から
なり、前記ハフニウムの含有率が１原子％以上でかつ５
原子％未満、好ましくはハフニウムの含有率が１．５〜
３原子％。
前記ニオブの含有率が２原子％以上、好ましくはニオブ
の含有率が４〜８原子％に規制されたものが、軟磁性材
料として優れた特性を有していることを見出した。
の含有率が４〜８原子％に規制されたものが、軟磁性材
料として優れた特性を有していることを見出した。
基板に結晶化ガラスを用い、コバルトディスク（直径１
０１．６ｍｍ、厚さ５１ＩＩＩ＋）上にハフニウムのペ
レットとニオブのペレット（いずれのペレットも縦１０
ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ１ｎｕａ）を中心より放射状に
交互に配置し、ターゲット上のペレッＩ〜の数をｒｖａ
整することにより合金組成が変えらＪしるようにする。
０１．６ｍｍ、厚さ５１ＩＩＩ＋）上にハフニウムのペ
レットとニオブのペレット（いずれのペレットも縦１０
ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ１ｎｕａ）を中心より放射状に
交互に配置し、ターゲット上のペレッＩ〜の数をｒｖａ
整することにより合金組成が変えらＪしるようにする。
そして真空度がｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒ以下の高真空にし
、アルゴンガスの雰囲気中におい′Ｃ１高周波電力２
、０ Ｗ／ｃｍ２でスパッタリングを行ない、基板上に
コバルトを主成分とするＣ ｏ −Ｈｆ−Ｎｂの３成分
系アモルファス合金薄膜を作成する。このようにして作
成された各種組成の合金材料が後述の各特性試験に使用
される。
、アルゴンガスの雰囲気中におい′Ｃ１高周波電力２
、０ Ｗ／ｃｍ２でスパッタリングを行ない、基板上に
コバルトを主成分とするＣ ｏ −Ｈｆ−Ｎｂの３成分
系アモルファス合金薄膜を作成する。このようにして作
成された各種組成の合金材料が後述の各特性試験に使用
される。
第１図は、後記の合金組成表において合金中のＮｂ含有
率Ｙが常に６．７原子％になるようにし゛Ｃ，Ｈｆ含有
Ｈｆ含有率変えた場合の磁気特性図である。
率Ｙが常に６．７原子％になるようにし゛Ｃ，Ｈｆ含有
Ｈｆ含有率変えた場合の磁気特性図である。
なお図中において曲線Ｂｓは飽和磁束密度９曲線μｅは
周波数５００ＫＨｚにおける困難軸方向の透磁率２曲線
Ｈｅは困難軸方向の保磁力である。この図から明らかな
ように、Ｈｆ含有率が０原子％のＣｏ −Ｎ ｂ ２成
分系合金は、Ｂｓは高いが、Ｈｅが高過ぎ、μｅが低い
。これにＨｆを少量添加するとＨｃが極端に下がり、μ
ｅは逆に高くなる。なお、Ｈｆの含有率がある程度以上
になると、Ｈｅは高くなり、μｅは低くなる。一方、Ｂ
ｓは極端ではないがＨｆの含有率の増大とともに低下す
る傾市にある。
周波数５００ＫＨｚにおける困難軸方向の透磁率２曲線
Ｈｅは困難軸方向の保磁力である。この図から明らかな
ように、Ｈｆ含有率が０原子％のＣｏ −Ｎ ｂ ２成
分系合金は、Ｂｓは高いが、Ｈｅが高過ぎ、μｅが低い
。これにＨｆを少量添加するとＨｃが極端に下がり、μ
ｅは逆に高くなる。なお、Ｈｆの含有率がある程度以上
になると、Ｈｅは高くなり、μｅは低くなる。一方、Ｂ
ｓは極端ではないがＨｆの含有率の増大とともに低下す
る傾市にある。
このような特性傾向のなかで、Ｂｓを余り低下すること
なく、Ｈｅを下げ、高μｅにするためには、Ｈｆの含有
率Ｘを１原子％以上でかつ５原子％未渦の範囲、好まし
くは１．５〜３原子％の範囲に規制する必要がある。こ
のことはＮｂ含有率Ｙを若干変化させても同様である。
なく、Ｈｅを下げ、高μｅにするためには、Ｈｆの含有
率Ｘを１原子％以上でかつ５原子％未渦の範囲、好まし
くは１．５〜３原子％の範囲に規制する必要がある。こ
のことはＮｂ含有率Ｙを若干変化させても同様である。
第２図は、前記合金組成表において合金中のＨｆ含有率
Ｘが常に２．２原子％になるようにして、Ｎｂ含有率Ｙ
を種々変えた場合の磁気特性図である。
Ｘが常に２．２原子％になるようにして、Ｎｂ含有率Ｙ
を種々変えた場合の磁気特性図である。
この図から明らかなように、Ｎｂ含有率が０原子％の（
： ｏＨｆ ２成分系合金も前述と同様に。
： ｏＨｆ ２成分系合金も前述と同様に。
［４５１は高いが、Ｈｃが高過ぎ、μｅが低いつこＪし
にＪすｂを少避添加ジ′ることによりＨｃが極端に下が
り、／Ｌｅが逆に高くなる。なお、Ｎｂの含有率がある
程度以しになると、Ｈｃは高くなり、μｅは代＜ ７’
４：る。一方、Ｂｓ１．を極端ではないがＮ ｂの・占
（１中の増大とどもに低下Ｊ−る傾向がある。
にＪすｂを少避添加ジ′ることによりＨｃが極端に下が
り、／Ｌｅが逆に高くなる。なお、Ｎｂの含有率がある
程度以しになると、Ｈｃは高くなり、μｅは代＜ ７’
４：る。一方、Ｂｓ１．を極端ではないがＮ ｂの・占
（１中の増大とどもに低下Ｊ−る傾向がある。
、−のような特性傾向のなかで、Ｂｓｅ余り低ｆりるこ
となく、ｌｌｃ、を］〜げ、高μｅにするためには、Ｎ
ｂの含’、ｒＴ ５４・−〜゛を２原子％以上、好まし
、くは４−８原子％の範囲に規制する必要がある。この
ことはＨｆ含ＩＴ串Ｘを若干変化させてｔｉ同様である
。
となく、ｌｌｃ、を］〜げ、高μｅにするためには、Ｎ
ｂの含’、ｒＴ ５４・−〜゛を２原子％以上、好まし
、くは４−８原子％の範囲に規制する必要がある。この
ことはＨｆ含ＩＴ串Ｘを若干変化させてｔｉ同様である
。
以上のようなことから、Ｃｏを主成分とするＧ ｏ −
Ｈｆ −Ｎ ｌ）の３成分系アモルファス合金においｒ
、Ｈｆの含有率を１原子“兄以上ｅかつ５原子ヅ１未満
、Ｎｂの含有率を２原子’Ｘ＋以上にすることにより、
飽和磁束密度を余り低下させることなく、低い保磁力と
高透磁率を有する軟磁性材料を提供することができる。
Ｈｆ −Ｎ ｌ）の３成分系アモルファス合金においｒ
、Ｈｆの含有率を１原子“兄以上ｅかつ５原子ヅ１未満
、Ｎｂの含有率を２原子’Ｘ＋以上にすることにより、
飽和磁束密度を余り低下させることなく、低い保磁力と
高透磁率を有する軟磁性材料を提供することができる。
第１図は本発明に係るＣ ｏ −Ｈｆ −Ｎ ｂ系アモ
ルファス合金中の１−１１含有率と各種磁気特性との関
係を示す特性図、第２図は前記合金中のＮｂ含有率と各
種磁気特性との関係を示す特性図である。
ルファス合金中の１−１１含有率と各種磁気特性との関
係を示す特性図、第２図は前記合金中のＮｂ含有率と各
種磁気特性との関係を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）コバルトを主成分とし、それにハフニウムとニオ
ブを添加した３成分系アモルファス合金からなり、前記
ハフニウムの含有率が１原子％以上でかつ５原子％未満
、ニオブの含有率が２原子％以上であることを特徴とす
る軟磁性材料。 （２、特許請求の範囲第（１）項記載において、前記ハ
フニラ１１の３有串が１．５〜３Ｍ子％の範囲に規制さ
れていることを特徴とする軟磁性材料。 （３）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記ニ
オブの含有率４〜８原子％の範囲に規制されていること
を特徴とする軟磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128711A JPS6021351A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 軟磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128711A JPS6021351A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 軟磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021351A true JPS6021351A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=14991536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128711A Pending JPS6021351A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 軟磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021351A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231132A (ja) * | 1985-04-04 | 1986-10-15 | Nec Corp | Ｃｏ−Ｈｆ−Ｎｂ軟磁性材料 |
| JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
| JPH01209392A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 周波数スペクトル解析装置 |
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
-
1983
- 1983-07-16 JP JP58128711A patent/JPS6021351A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231132A (ja) * | 1985-04-04 | 1986-10-15 | Nec Corp | Ｃｏ−Ｈｆ−Ｎｂ軟磁性材料 |
| JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
| JPH01209392A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 周波数スペクトル解析装置 |
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
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