JPS60217696A - セラミツク基板 - Google Patents
セラミツク基板Info
- Publication number
- JPS60217696A JPS60217696A JP7279184A JP7279184A JPS60217696A JP S60217696 A JPS60217696 A JP S60217696A JP 7279184 A JP7279184 A JP 7279184A JP 7279184 A JP7279184 A JP 7279184A JP S60217696 A JPS60217696 A JP S60217696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- plating
- film
- nickel
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はニッケルと金、あるいはニッケルのみが拡散し
た銅厚膜上に形成するオーバーコートやフォトレジスト
等の有機性被膜の密着を向上したことを特徴とした銅厚
膜セラミック基板に関する。
た銅厚膜上に形成するオーバーコートやフォトレジスト
等の有機性被膜の密着を向上したことを特徴とした銅厚
膜セラミック基板に関する。
従来、タングステン等の高温焼結導体に銅厚膜導体を形
成するためにタングステン等の高温焼結導体にニッケル
と金あるいはニッケルのみをめっき法により施して銅厚
膜との接合信頼性を踊保している。このためニッケルあ
るいは金もしくは両者の金属が、銅厚膜の中に拡散する
。
成するためにタングステン等の高温焼結導体にニッケル
と金あるいはニッケルのみをめっき法により施して銅厚
膜との接合信頼性を踊保している。このためニッケルあ
るいは金もしくは両者の金属が、銅厚膜の中に拡散する
。
この拡散部の上部は、たとえばフォトレジスト等の有機
性被膜やはんだの密着か悪く基板の構造や機能に制限が
加わり自由な設計ができない欠点かあった。
性被膜やはんだの密着か悪く基板の構造や機能に制限が
加わり自由な設計ができない欠点かあった。
本発明の目的はニッケル等のめつき金属が拡散した厚膜
銅の上にめっきにより銅を析出して、はんだの濡れ性や
フォトレジスト等の密着強度を向上することを特徴とし
た銅厚膜基板を提供することにある。
銅の上にめっきにより銅を析出して、はんだの濡れ性や
フォトレジスト等の密着強度を向上することを特徴とし
た銅厚膜基板を提供することにある。
湿式多層基板に銅厚膜を組合わせて用いる時は、タング
ステンやモリブデン・マンガン等の高温焼結導体と銅厚
膜の間にニッケルやニッケルー金等のめっきを施して接
続する方法か行なわれている。この厚膜銅ペーストの焼
成は９００〜１．１００℃の凡雰囲気焼成を行なうので
下地のニッケル等のめつき金属が厚膜銅中に拡散する。
ステンやモリブデン・マンガン等の高温焼結導体と銅厚
膜の間にニッケルやニッケルー金等のめっきを施して接
続する方法か行なわれている。この厚膜銅ペーストの焼
成は９００〜１．１００℃の凡雰囲気焼成を行なうので
下地のニッケル等のめつき金属が厚膜銅中に拡散する。
ニッケル等のめつき金属が拡散した銅厚膜は、はんだの
濡れ性が悪く、またオーバーコートやフォトレジストな
どの有機被膜を塗布し乾燥しても密着が悪い。このため
に、フォトレジストの場合には銅厚膜の一部がエツチン
グで破かいされる等の品質を低下する原因にもなる。そ
こで本発明では、上記したようなニッケル等が拡散した
銅厚膜の上に電気銅めっきや化学銅めっきを施すことで
、その性質を改善する。銅めっきのめつき厚味は目的に
よって自由に変えてよい。
濡れ性が悪く、またオーバーコートやフォトレジストな
どの有機被膜を塗布し乾燥しても密着が悪い。このため
に、フォトレジストの場合には銅厚膜の一部がエツチン
グで破かいされる等の品質を低下する原因にもなる。そ
こで本発明では、上記したようなニッケル等が拡散した
銅厚膜の上に電気銅めっきや化学銅めっきを施すことで
、その性質を改善する。銅めっきのめつき厚味は目的に
よって自由に変えてよい。
たとえば、フォトレジストのような有機被膜の場合は０
２μ程度でもよい。またはんだ付けの場合は、０．５μ
以上をめっきした方が効果がある。
２μ程度でもよい。またはんだ付けの場合は、０．５μ
以上をめっきした方が効果がある。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
第１図は、湿式多層基板の焼結後の断面を示す。
すなわち、グリーンシートの焼結体１の上に配したタン
グステン導体２に無電解ニッケルめっき３μと金めつき
０．１μを施した後に９００’Ｃ４Ｃてシンタリングを
行なった後のめっき層４を配した。
グステン導体２に無電解ニッケルめっき３μと金めつき
０．１μを施した後に９００’Ｃ４Ｃてシンタリングを
行なった後のめっき層４を配した。
めっき層４以外のタングステン導体２上はアルミナ絶縁
層３を形成しである。第２図は、銅ペーストパターン５
を印刷し乾燥した状態を示し、これを９００℃１０分の
Ｎ、雰囲気にて焼成を行なうとめっき層４が厚膜銅中に
拡散した銅パターン６となる。この上に銅めっき７を施
して基板を完成した。そこで、実験的に銅めっき膜７の
有るものと無いものについてはんだ付けを行なったとこ
ろ、めつき膜有のものが無いものの１７３の時間ではん
だが完全に濡れ、ｈ果を確認することができた。
層３を形成しである。第２図は、銅ペーストパターン５
を印刷し乾燥した状態を示し、これを９００℃１０分の
Ｎ、雰囲気にて焼成を行なうとめっき層４が厚膜銅中に
拡散した銅パターン６となる。この上に銅めっき７を施
して基板を完成した。そこで、実験的に銅めっき膜７の
有るものと無いものについてはんだ付けを行なったとこ
ろ、めつき膜有のものが無いものの１７３の時間ではん
だが完全に濡れ、ｈ果を確認することができた。
本発明によれば、銅厚膜ペーストによるパターン上に銅
めっきを施すことで、パターンのはんだ濡れ性が向上し
、オーバーコートやフォトレジストなどの有機被膜の密
着も向上できるので、信頼性が向上する。
めっきを施すことで、パターンのはんだ濡れ性が向上し
、オーバーコートやフォトレジストなどの有機被膜の密
着も向上できるので、信頼性が向上する。
第１図は湿式基板のタングステン導体にめっき膜を形成
した後の断面図、 第２図は、第１図で示した基板上に銅厚膜ペーストを印
刷・乾燥した断面図、 第３図は、第２図を焼成し、さらに厚膜銅の上に銅めっ
きを施した完成基板の断面図である。 ２・・・・・・タングステン導体。 ３・・・・・・アルミナ絶縁層。 ４・・・・・Ｎｉ、Ａｕめつぎ層。 ５・・・・・・厚膜銅ペースト印刷層。 ７・・・・・・銅めつき層。 第１図 第２図 第３口
した後の断面図、 第２図は、第１図で示した基板上に銅厚膜ペーストを印
刷・乾燥した断面図、 第３図は、第２図を焼成し、さらに厚膜銅の上に銅めっ
きを施した完成基板の断面図である。 ２・・・・・・タングステン導体。 ３・・・・・・アルミナ絶縁層。 ４・・・・・Ｎｉ、Ａｕめつぎ層。 ５・・・・・・厚膜銅ペースト印刷層。 ７・・・・・・銅めつき層。 第１図 第２図 第３口
Claims (1)
- １、 タングステンやモリブデンマンガン等の導体を配
したセラミック基板において、導体上にニッケルめっき
と金めつき、あるいはニッケルめっきのみを施して、基
板上の全体もしくはめっきを施した導体の一部に厚膜銅
ペーストを印刷等により塗布を行ない、Ｎ、雰囲気中で
焼成した基板にさらに銅めつきを施したことにより、オ
ーバーコートや、フォトレジスト等の有機性被膜の密着
やはんだ濡れ性を向上させることを特徴としたセラミッ
ク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7279184A JPS60217696A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7279184A JPS60217696A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | セラミツク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217696A true JPS60217696A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13499563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7279184A Pending JPS60217696A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | セラミツク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217696A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107087A (ja) * | 1986-05-19 | 1988-05-12 | 株式会社デンソー | 混成集積回路基板 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7279184A patent/JPS60217696A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107087A (ja) * | 1986-05-19 | 1988-05-12 | 株式会社デンソー | 混成集積回路基板 |
| US5897724A (en) * | 1986-05-19 | 1999-04-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of producing a hybrid integrated circuit |
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