JPS6068689A - セラミック回路基板 - Google Patents
セラミック回路基板Info
- Publication number
- JPS6068689A JPS6068689A JP58176284A JP17628483A JPS6068689A JP S6068689 A JPS6068689 A JP S6068689A JP 58176284 A JP58176284 A JP 58176284A JP 17628483 A JP17628483 A JP 17628483A JP S6068689 A JPS6068689 A JP S6068689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- circuit board
- ceramic circuit
- copper
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は通信機等の回路基板として用いられるセラミッ
ク回路基板に関するものである。
ク回路基板に関するものである。
従来技術と問題点
従来、配線層として銅厚膜を用いたセラミック回路基板
１１こおいて、その上に半導体素子を搭載する上′！訃
は常温で作業が行なえるアルミニウム細線の超音波ポン
ディングによってのみ配線が可能でちった。しかしこの
銅厚膜対アルミニウムのボンディングはボンディング性
が悪く信頼性が低いという欠点があった。その対策とし
ては金対金の良好なボンディング性に着目して、銅厚膜
の上に金めつきを行なえば良いが、この場合は金の電解
めっきを行なうときに、シアンを含む有毒めっき浴を用
いねばならず、大量生産時には公害問題が発生するとい
う欠点がある。このため金めつきを厚膜プロセスで行な
うことも考えられるが、この場合は焼結時に鋼中に金が
拡散してしまい表面に金がなくなってしまうという欠点
がある。
１１こおいて、その上に半導体素子を搭載する上′！訃
は常温で作業が行なえるアルミニウム細線の超音波ポン
ディングによってのみ配線が可能でちった。しかしこの
銅厚膜対アルミニウムのボンディングはボンディング性
が悪く信頼性が低いという欠点があった。その対策とし
ては金対金の良好なボンディング性に着目して、銅厚膜
の上に金めつきを行なえば良いが、この場合は金の電解
めっきを行なうときに、シアンを含む有毒めっき浴を用
いねばならず、大量生産時には公害問題が発生するとい
う欠点がある。このため金めつきを厚膜プロセスで行な
うことも考えられるが、この場合は焼結時に鋼中に金が
拡散してしまい表面に金がなくなってしまうという欠点
がある。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、銅配線層の上に金層を
厚膜法によシ形成したセラミック回路基板を提供するこ
とを目的とするものである。
厚膜法によシ形成したセラミック回路基板を提供するこ
とを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、配線層を銅で形成し
たセラミック回路基板において、銅配線層の上にニッケ
ルめっき層を介して金厚膜を形成したことを特徴とする
セラミック回路基板を提供することによって達成される
。
たセラミック回路基板において、銅配線層の上にニッケ
ルめっき層を介して金厚膜を形成したことを特徴とする
セラミック回路基板を提供することによって達成される
。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によって詳述する。
６′・３図は本発明によるセラミック回路基板を説明す
るための［と１であシ、同図において１はアルミナ等の
セラミック基板、２は銅の配線層、３はニッケル層、４
は金厚膜をそれぞれ示している。
るための［と１であシ、同図において１はアルミナ等の
セラミック基板、２は銅の配線層、３はニッケル層、４
は金厚膜をそれぞれ示している。
本実施イノ“１ｊは第３図に示す如く、銅配線層２の上
にニッケル層３を介して金の厚膜４を形成したものであ
乙。
にニッケル層３を介して金の厚膜４を形成したものであ
乙。
このように形成された本実施例は基板１に搭載した半導
体素子との配、椋に金の細線を用いてボンディングが可
能と々シ接続の信頼性が向上される。
体素子との配、椋に金の細線を用いてボンディングが可
能と々シ接続の信頼性が向上される。
次に本実節ｉｊｌの製ｉ′１方法を第１図乃至第３図を
用いて説明する。各図において、１はセラミック基板、
２は＋１１ｉ１の配線層、３はニッケル層、４は金厚膜
をそれぞれ示す。
用いて説明する。各図において、１はセラミック基板、
２は＋１１ｉ１の配線層、３はニッケル層、４は金厚膜
をそれぞれ示す。
本実施例の製造方法は先ず第１図の如くセラミック基板
１に銅の配線層２を厚膜法によシ形成する。次にＩ、（
７＜ ２図の如く銅層２の上に厚さ２μ７７１のニッケ
ル層３を電；５イめつきによシ形成する。次に窒素（Ｎ
２）又は水素（Ｎ３）中で焼成可能な金ペーストを銅の
配線層２の）】クンディングに必要な部分のニッケル層
上に印刷したのち６００〜８００℃でＮ２又はＮ２ 雰
囲気中で焼成して第３図に示す如きセラミック回路板が
得られる。なお金ペーストの焼成時に、金はニッケル層
３へ拡散するがその速度は銅へ拡散するときよシも遥か
に遅い。従って、金厚膜４はニッケル層３の上に形成さ
れる。
１に銅の配線層２を厚膜法によシ形成する。次にＩ、（
７＜ ２図の如く銅層２の上に厚さ２μ７７１のニッケ
ル層３を電；５イめつきによシ形成する。次に窒素（Ｎ
２）又は水素（Ｎ３）中で焼成可能な金ペーストを銅の
配線層２の）】クンディングに必要な部分のニッケル層
上に印刷したのち６００〜８００℃でＮ２又はＮ２ 雰
囲気中で焼成して第３図に示す如きセラミック回路板が
得られる。なお金ペーストの焼成時に、金はニッケル層
３へ拡散するがその速度は銅へ拡散するときよシも遥か
に遅い。従って、金厚膜４はニッケル層３の上に形成さ
れる。
但し金厚膜ペーストの焼成温度はニッケルへの拡散を少
なくするため通常の金厚膜ペーストの焼成温度である８
００〜１０００℃よシ２００〜４００℃低下させること
が好ましい。
なくするため通常の金厚膜ペーストの焼成温度である８
００〜１０００℃よシ２００〜４００℃低下させること
が好ましい。
実際例として、以上のように金層４の形成の終った表面
に基板温度１５０℃で金細線の熱・超音波ワイヤボンデ
ィングを行なったところ８１以上の充分な接着強度が得
られた。
に基板温度１５０℃で金細線の熱・超音波ワイヤボンデ
ィングを行なったところ８１以上の充分な接着強度が得
られた。
発明の効果
以上、詳細に説明した。ように、本発明のセラミック回
路基板は配線層に銅を用いその上にニッケル層を介して
金厚膜を形成することによシ鋼中への金の拡散を防止し
、かつ無公害にて製造でき、金対金のワイヤボンディン
グが可能となるといつた効果大なるものでちる。
路基板は配線層に銅を用いその上にニッケル層を介して
金厚膜を形成することによシ鋼中への金の拡散を防止し
、かつ無公害にて製造でき、金対金のワイヤボンディン
グが可能となるといつた効果大なるものでちる。
第１図乃至第３図は本発明によるセラミック回路基板の
製造工程を説明するだめの図である。 図面において、１・・・セラミック基板、２・・・銅の
配線層、３・・・ニッケル層、４・・・金厚膜をそれぞ
れ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之
製造工程を説明するだめの図である。 図面において、１・・・セラミック基板、２・・・銅の
配線層、３・・・ニッケル層、４・・・金厚膜をそれぞ
れ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 】、 配線層を銅で形成したセラミック回路基板におい
て、銅配線層の上にニッケルめっきを介して全厚ルエを
形成したことを特徴とするセラミック回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176284A JPS6068689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | セラミック回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176284A JPS6068689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | セラミック回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068689A true JPS6068689A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16010886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176284A Pending JPS6068689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | セラミック回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068689A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020048A (en) * | 1996-10-02 | 2000-02-01 | Denso Corporation | Thick film circuit board and method of forming wire bonding electrode thereon |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58176284A patent/JPS6068689A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020048A (en) * | 1996-10-02 | 2000-02-01 | Denso Corporation | Thick film circuit board and method of forming wire bonding electrode thereon |
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