JPH1049851A

JPH1049851A - ディスク状磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH1049851A
Application number: JP6747497A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Morita; 廣森田; Hiroyuki Ikeda; 裕幸池田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-03-06
Filing date: 1997-03-06
Publication date: 1998-02-20

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、再生出力を損なうことのなく、従
来との互換性が達成されるディスク状磁気記録媒体を提
供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ディスク状の非磁性支持体(1
1)と、非磁性支持体(11)上に配置されたクロムを主体と
する下地層(13)と、下地層(13)上に堆積されたコバルト
を主成分とする第１の磁気記録層(15)を含む磁気記録層
(14)を備えたディスク状磁気記録媒体であって、面内方
向の保磁力が少なくとも７００Ｏｅ以上となるように
磁気記録層(14)がスパッタリング法によって堆積されて
成ることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に係
り、特に磁気記録層がスパッタリング法等によって堆積
されて成るディスク状磁気記録媒体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】現在実用化されている磁気記録媒体は不
連続媒体を有するものが主流である。この不連続媒体の
磁気記録層はＦｅ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＣｒＯ2
等の磁性体粒子を有機樹脂からなるバインダーに混合分
散して基板上に塗布、乾燥、焼成したものである。しか
し、近年の記録媒体の高密度化に伴って磁性体が媒体中
で連続している連続薄膜媒体、即ち、保磁力の大きくな
るような磁気記録層の薄膜化が進んでおり、従来の塗布
型から、メッキ型、あるいはスパッタリング型へと成膜
方式が推移しつつある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そのような状況の下
で、磁気記録媒体に対してなされる要求は磁気記録層は
薄く、しかも十分な再生出力が得られることである。こ
のような媒体としては、コバルト系合金を磁気記録層と
するものが一般的である。この種の磁気記録媒体は通常
図７のように、非磁性の基体（１）上に平滑層（２）を
形成した上に更にＣｒを主とした下地層（３）を形成
し、その上に磁気記録層（４）が形成され、最表面に保
護、潤滑層（５）を設けた構造を有している。本発明
は、再生出力を損なうことのなく、従来との互換性が達
成されるディスク状磁気記録媒体を提供することを目的
とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載される発
明は、ディスク状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体
上に配置されたクロムを主体とする下地層と、前記下地
層上に堆積されたコバルトを主成分とする第１の磁気記
録層を含む磁気記録層を備えたディスク状磁気記録媒体
であって、面内方向の保磁力が少なくとも７００Ｏｅ
以上となるように前記磁気記録層がスパッタリング法に
よって堆積されて成ることを特徴とするディスク状磁気
記録媒体にある。

【０００５】本発明のディスク状磁気記録媒体によれ
ば、面内方向の保磁力が少なくとも７００Ｏｅ以上で
あるため、従来との互換性が確保できる。

【０００６】

【発明の実施の形態】薄膜堆積法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、鍍金
法等が利用できる。

【０００７】第１の磁気記録層は、膜厚が大きくなるの
を抑え、なおかつ良好な再生出力を得る。第２の磁気記
録層は、第１の磁気記録層の耐食性を向上させるととも
に、磁性を持つことにより膜厚増加によるスペーシング
ロスを改善する。

【０００８】第１の磁気記録層は、Ｎｉを10乃至30at%
含有する厚さ2000オングストロームを越えないＣｏ−Ｎ
ｉを主成分とする層で構成することができる。

【０００９】あるいは、第１の磁気記録層は、Ｃｏと、
Ｐｔ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｎｄ、及びＰｍの
内から選ばれた少なくとも１つの元素Ｘを主成分として
構成することができる。これらＣｏ以外の元素Ｘは5 乃
至40at% 含有され、厚さ2000オングストロームを越えな
いＣｏ−Ｘを主成分とする層である。

【００１０】あるいは、第１の磁気記録層は、Ｃｏ及び
Ｎｉに、更に、Ｆｅ、Ｐ、Ｗ、Ｐｔ、及びＣｒの内から
選ばれた少なくとも１つの元素Ｘを添加して構成するこ
とができる。Ｎｉを10乃至30at% 、添加元素Ｘを30at%
以下含有した厚さ2000オングストロームを越えないＣｏ
−Ｎｉ−Ｘを主成分とする層である。添加元素Ｘは、Ｃ
ｏ−Ｎｉ系の電磁変換特性向上のために添加され、Ｃｏ
−Ｎｉのみの磁気記録層と同じ厚みの磁気記録層を形成
した場合、飽和磁化、あるいは保磁力において優れてい
る。添加元素ＸをＦｅとした場合、Ｃｏ−Ｎｉのみの場
合に比較し、飽和磁化及び角型比に優れる。添加元素Ｘ
をＰｔ、Ｗ、Ｐとした場合、保磁力、角型比に優れる。
添加元素ＸをＣｒとした場合、保磁力を増強せしめると
ともに、耐食性を向上させる。

【００１１】第２の磁気記録層は、Ｃｒを10乃至30at%
含有する厚さ100 乃至1000オングストロームのＣｏ−Ｃ
ｒを主成分とする層である。第２の磁気記録層は、耐食
性を有する限り、薄い方がよい。

【００１２】第１の磁気記録層がＣｏ及びＮｉを主成分
とし、また第２の磁気記録層がＣｏ及びＣｒを主成分と
する場合、第１の磁気記録層の厚さを400 乃至800 オン
グストローム、第２の磁気記録層の厚さを300 乃至500
オングストロームとすることにより、極めて安定した高
密度記録媒体が得られる。

【００１３】発明者等は、Ｎｉを10乃至30at% 含有した
Ｃｏ及びＮｉを主とする第１の磁気記録層上に、Ｃｒを
10乃至30at% 含有したＣｏ及びＣｒを主とする第２の磁
気記録層を有する磁気記録媒体において、良好な再生出
力と優れた耐食性を示す第１及び第２の磁気記録層の膜
厚を種々検討した。

【００１４】まず、耐食性を調べる為に、Ｃｏ−Ｃｒよ
り成る第２の磁気記録層の厚味を100 オングストローム
乃至1000オングストロームまで変化させて、加速試験を
行った。試験は温度85℃、湿度85％の恒温槽の中に媒体
を放置し、欠陥の増加により腐食の比較を行った。結果
を図２に示す。Ｃｏ−Ｃｒの厚味が300 オングストロー
ムより薄いと著しい腐食の増大が生じた。このときＣｏ
−Ｎｉより成る第１の磁気記録層の厚味を100 オングス
トローム乃至1000オングストロームまで変化させたが腐
食状況はこの厚味によらず第２の磁気記録層のみに依存
した。また、実際の媒体では最表面に100 オングストロ
ーム乃至300 オングストロームのカーボン潤滑層を形成
するが、この有無にも依存しなかった。

【００１５】次に信号出力、Ｓ／Ｎ値から各層の厚味を
検討した。第１の磁気記録層（Ｃｏ−Ｎｉ）の厚味に対
する信号出力は図３の曲線（１８）のようになる。Ｓ／
Ｎの低下しない範囲で信号出力、さらに膜厚を選ぶと、
500 オングストローム乃至1000オングストロームの範囲
が良好となる。ここで第２の磁気記録層（Ｃｏ−Ｃｒ）
を積層すると、第２の磁気記録層自身が信号に寄与する
ので最適範囲は図３の曲線（２０）（Ｃｏ−Ｃｒ）が30
0 オングストロームのとき）のように薄い方へシフトす
る。しかしながら第２の磁気記録層が500 オングストロ
ームをこえると磁気記録層全体の厚味が増加し、記録密
度特性が急速に低下する。

【００１６】以上の検討結果から、第１の磁気記録層を
400 オングストローム乃至800 オングストローム、第２
の磁気記録層を300 オングストローム乃至500 オングス
トロームとすると極めて安定した高密度記録媒体が作成
されることも解った。

【００１７】また、第１の磁気記録層に酸素を5 乃至15
％の範囲で添加すると、磁気特性、とりわけＨｃ（保磁
力）が向上したり、高密度な記録媒体の作成が可能であ
ることが見出された。

【００１８】尚、Ｃｏ−Ｃｒ磁気記録層の下地として抵
抗磁力材料層、たとえばパーマロイ層を形成したもの
が、特開昭54-51804号公報に記載されている。しかし、
これはＣｏ−Ｃｒを垂直磁化媒体に用いたもので、下地
の抵抗磁力材料層は、垂直記録用磁気ヘッドの補助磁極
からの磁束を主磁極に集中させるように働くものであ
る。従って、下地の抵抗磁力材料層は磁気記録層として
作用するものではなく、本発明とは明確に異なるもので
ある。

【００１９】

【実施例】

（実施例１）図１は本発明の磁気記録媒体の部分断面図
である。図１において、非磁性基体（１１）として３．
５インチのアルミニウム合金製ディスクを使用し、表面
にＮｉ−Ｐ鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑層
（１２）を形成した。これに二極式高周波スパッタリン
グ装置により磁気記録層、保護層・潤滑層とを形成し
た。成膜方法、並びに成膜条件は以下の通りである。膜
厚及び磁気特性を均一にするために基板装着台は自公転
可能で、台を6rpmで回転させた。成膜は初期到達真空度
８．０×１０^-7Ｔｏｒｒで、導入Ａｒガス圧を４．０×
１０^-2Ｔｏｒｒとし、スパッタリングパワー300 Ｗ、室
温下に於いて行った。まず、磁気記録層の結晶性を良く
するための下地層（１３）としてＣｒを3000オングスト
ローム形成した。その上に、第１の磁気記録層（１５）
として、Ｃｏ−Ｎｉを約700 オングストローム、次に第
２の磁気記録層（１６）としてＣｏ−Ｃｒを同じく約70
0 オングストローム形成し、二層より成る磁気記録層
（１４）を構成した。また、最表層に300 オングストロ
ーム乃至500 オングストロームのカーボン膜からなる保
護・潤滑層（１７）を設けた。

【００２０】こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性
を測定したところ、面内保磁力700エルステッドを得、
また飽和磁化量、その他の磁気特性に関しても優れた結
果を得た。更に、電磁変換特性及びヘッドとの摩耗試験
及び環境試験を行った結果、次の特性を得た。電磁変換
特性については20ｋｂｐｉ乃至40ｋｂｐｉの高密度記録
が可能であった。磁気ヘッドとの摩耗試験では通常行な
われている２万回のコンタクト・スタート・ストップテ
ストを行ない、ディスク表面に傷のつかないことを確認
した。

【００２１】また、耐環境性についても、温度80℃、相
対湿度80％で700 時間放置したが、外観上の変化は全然
認められず欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性
が確認された。

【００２２】（実施例２）実施例１と同様に、アルミニ
ウム合金非磁性基体（１１）を用い、この表面を陽極酸
化により、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の非金属層からなる
非磁性平滑層（１２）を形成し、後は先の実施例と同様
に非磁性金属下地層（１３）、第１及び第２の磁気記録
層（１５）、（１６）及び保護・潤滑層（１７）を形成
した。この実施例においても実施例１と同様の効果を得
た。

【００２３】（実施例３）非磁性基体（１１）として
３．５インチのアルミニウム合金製ディスクを使用し、
表面にＮｉ−Ｐ鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑
層（１２）を形成した。下地層（１３）としてＣｒを30
00オングストローム形成し、その上に第１の磁気記録層
（１５）としてＳｍ16at% 含有するＣｏ−Ｓｍを約700
オングストローム、次に第２の磁気記録層（１６）とし
てＣｏ−Ｃｒを同じく約500 オングストローム形成し、
二層より成る磁気記録層（１４）を構成した。

【００２４】また、最表面に300 オングストローム乃至
500 オングストロームのカーボン膜からなる保護・潤滑
層（１７）を設けた。

【００２５】この磁気記録媒体の磁気特性を測定したと
ころ、面内保磁力800 エルステッドを得、また飽和磁化
量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。更
に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境
試験を行なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性に
ついては20ｋｂｐｉ乃至40ｋｂｐｉの高密度記録が可能
であった。磁気ヘッドとの摩耗試験では通常行なわれて
いる２万回のコンタクト・スタート・ストップテストを
行い、ディスクの表面に傷のつかないことを確認した。

【００２６】また、耐環境性についても、温度80℃、相
対湿度80％で700 時間放置したが、外観上の変化は全然
認められず欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性
が確認された。

【００２７】（実施例４）第１の磁気記録層（１５）と
して、Ｃｅ20at% 含有するＣｏ−Ｃｅを約600 オングス
トローム形成した。その他の条件は実施例３と同じとし
た。このようにして形成した媒体の磁気特性は、保磁力
750 エルステッドを得、電磁変換特性は、低域出力1.0
ｍＶ、線記録密度（Ｄ50）26ｋｂｐｉを得た。また耐食
性も実施例３と同様の結果を得た。

【００２８】（実施例５）非磁性基体（１１）として
３．５インチのアルミニウム合金製ディスクを使用し、
表面にＮｉ−Ｐ鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑
層（１２）を形成した。次に、磁気記録層の結晶性をよ
くするための下地層（１３）としてＣｒを3000オングス
トローム形成した。その上に、第１の磁気記録層（１
５）として、Ｎｉ17at% 、Ｆｅ8at%他をＣｏとする組成
でＣｏ−Ｎｉ- Ｆｅを約700 オングストローム、次に第
２の磁気記録層（１６）としてＣｏ−Ｃｒを同じく約50
0 オングストローム形成し、二層より成る磁気記録層
（１４）を構成した。また、最表面に300 オングストロ
ーム乃至500 オングストロームのカーボン膜からなる保
護・潤滑層（１７）を設けた。

【００２９】こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性
を測定したところ、面内保磁力700エルステッドを得、
また飽和磁化はＣｏ−Ｎｉ系に比較し約15％増加した。
更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環
境試験を行った結果、次の特性を得た。電磁変換特性に
ついては20ｋｂｐｉ乃至40ｋｂｐｉの高密度記録が可能
であった。また、飽和磁化の増加に伴って出力の増大が
認められた。磁気ヘッドとの摩耗試験では２万回のコン
タクト・スタート・ストップテストを行い、ディスク表
面に傷のつかないことを確認した。

【００３０】また、耐環境性についても、温度80℃、相
対湿度80％で700 時間放置したが、外観上の変化は全然
認められず欠陥個所の増加も皆無であり、十分な耐食性
が確認された。

【００３１】（実施例６）第１の磁気記録層（１５）と
して、Ｎｉ15at% 、Ｐｔ5 ％、他をＣｏとする組成のＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｐｔを約700 オングストローム形成した。そ
の他の条件は実施例５と同じとした。このようにして形
成した媒体の磁気特性は、保磁力750 エルステッドを
得、電磁変換特性は、低域出力1.0 ｍＶでＣｏ−Ｎｉ系
と同程度、線記録密度（Ｄ50）26ｋｂｐｉでＣｏＮｉ系
の22ｋｂｐｉを上回った。

【００３２】（実施例７）第１の磁気記録層（１５）と
して、Ｎｉ25at% 、Ｃｒ7 ％、他をＣｏとする組成のＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒを約700 オングストローム形成した。他
の条件は、実施例５と同じとした。このようにして作成
した媒体の特性は保磁力720 エルステッド、低域出力0.
95ｍＶ、Ｄ50 24ｋｂｐｉであり、Ｃｏ−Ｎｉ系媒体を
凌ぐものであった。

【００３３】（実施例８）図１において、非磁性基体
（１１）として３．５インチのアルミニウム合金製ディ
スクを使用し、表面にＮｉ−Ｐ鍍金及び鏡面研磨がなさ
れた非磁性平滑層（１２）を形成した。これにまず、磁
気記録層の結晶性をよくするための下地層（１３）とし
てＣｒを2000オングストローム形成した。その上に、第
１の磁気記録層（１５）としてＣｏ−Ｎｉを500 オング
ストローム、次に第２の磁気記録層（１６）としてＣｏ
−Ｃｒを400 オングストローム形成し、二層より成る磁
気記録層（１４）を構成した。また、最表層に200 オン
グストロームのカーボン膜からなる保護・潤滑層（１
７）を設けた。

【００３４】こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性
を測定したところ、面内保磁力800エルステッドを得、
また飽和磁化量、その他の磁気特性に関しても優れた結
果を得た。更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗
試験及び環境試験を行った結果、次の特性を得た。電磁
変換特性については30ｋｂｐｉの高密度記録が可能であ
った。磁気ヘッドとの摩耗試験では２万回のコンタクト
・スタート・ストップテストを行い、ディスク表面に傷
のつかないことを確認した。

【００３５】また、耐環境性についても、温度85℃、相
対湿度85％で1000時間放置したが、外観上の変化は全然
認められず欠陥個所の増加も皆無であり、十分な耐食性
が確認された。

【００３６】（実施例９）アルミニウム合金非磁性基体
（１１）を用い、この表面を陽極酸化により、アルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）の非金属層の非磁性平滑層（１２）を形
成し、後は実施例８と同様に非磁性金属下地層（１
３）、第１及び第２の磁気記録層（１５）、（１６）及
び保護・潤滑層（１７）を形成した。ただし、第１の磁
気記録層（１５）には導入Ａｒガス中に30％の酸素を混
入し、酸素を１０％含んだＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜を堆積させ
た。

【００３７】この実施例においては、面内保磁力850 エ
ルステッドを得、電磁変換特性は32ｋｂｐｉと高密度化
し、耐久性、耐食性については先の実施例と同様の効果
を得た。

【００３８】（実施例１０）図４に示すように、非磁性
基体（２２）として５．２５インチの表面平滑なガラス
を使用した。これにマグネトロン式高周波スパッタリン
グ装置により磁気記録層、保護層・潤滑層等を形成し
た。成膜方法、並びに成膜条件は以下の通りである。膜
厚及び磁気特性を均一にするために基板装着台は自公転
可能で、台を10ｒｐｍで回転させた。成膜は初期到達真
空度5.0 ×10^-7Ｔｏｒｒで、導入Ａｒガス圧を3.0 ×10
^-2Ｔｏｒｒとし、スパッタリングパワー1000Ｗ、室温下
に於いて行った。まず、磁気記録層の結晶性を良くする
ための下地層（２３）としてＣｒを3500オングストロー
ム形成した。その上に、第１の磁気記録層（２４）とし
て、Ｎｉ17at% 、Ｆｅ8at%、他をＣｏとする組成のＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅを約450 オングストローム、次に第２の磁
気記録層（２５）としてＣｏ−Ｃｒを同じく約300オン
グストローム形成し、二層より成る磁気記録層（２６）
を構成した。また、最表層に200 オングストロームのカ
ーボン膜からなる保護・潤滑層（２７）を設けた。

【００３９】こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性
を測定したところ、面内保磁力900エルステッドを得、
また飽和磁化はＣｏ−Ｎｉ系に比較し約15％増加した。
更に電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境
試験を行った結果、次の特性を得た。電磁変換特性につ
いては34ｋｂｐｉの高密度記録が可能であった。また、
飽和磁化の増加に伴って出力の増大が認められた。磁気
ヘッドとの摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート
・ストップテストを行い、ディスク表面に傷のつかない
ことを確認した。

【００４０】また、耐環境性についても、温度85℃、相
対湿度85％で1000時間放置したが、外観上の変化は全然
認められず欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性
が確認された。

【００４１】（実施例１１）図５において、非磁性基体
（３１）として3.5 インチの表面平滑なガラスを使用し
た。これにマグネトロン式高周波スパッタリング装置に
より磁気記録層、保護層・潤滑相当を形成した。成膜方
法、並びに成膜条件は以下の通りである。膜厚及び磁気
特性を均一にするために基板装着台は自公転可能で、台
を6rpmで回転させた。成膜は初期到達真空度5.0 ×10^-7
Ｔｏｒｒで、導入Ａｒガス圧を4.0 ×10^-2Ｔｏｒｒと
し、スパッタリングパワー1000Ｗ、室温下に於いて行っ
た。まず、第１の磁気記録層（３２）として、Ｓｍ16at
% 含有するＣｏ−Ｓｍを700 オングストローム、次に第
２の磁気記録層（３３）としてＣｏ−Ｃｒを同じく300
オングストローム形成し、二層より成る磁気記録層（３
４）を構成した。また、最表層に300 オングストローム
のカーボン膜からなる保護・潤滑層（３５）を設けた。

【００４２】こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性
を測定したところ、面内保磁力900エルステッドを得、
また飽和磁化量、その他の磁気特性に関しても優れた結
果を得た。更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗
試験及び環境試験を行った結果、次の特性を得た。電磁
変換特性については34ｋｂｐｉの高密度記録が可能であ
った。磁気ヘッドとの摩耗試験では２万回のコンタクト
・スタート・ストップテストを行い、ディスク表面に傷
のつかないことを確認した。

【００４３】また、耐環境性についても、温度85℃、相
対湿度85％で1000時間放置したが、外観上の変化は全然
認められず欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性
が確認された。

【００４４】（実施例１２）図６に示すように、非磁性
基体（４１）として5.25インチのアルミニウム合金製デ
ィスクを使用し、表面にＮｉ−Ｐ鍍金及び鏡面研磨がな
された非磁性平滑層（４２）を形成した。これにマグネ
トロン式高周波スパッタリング装置により磁気記録層、
保護層・潤滑層等を形成した。成膜方法、並びに成膜条
件は以下の通りである。膜厚及び磁気特性を均一にする
ために基板装着台は自公転可能で、台を10ｒｐｍで回転
させた。成膜は初期到達真空度5.0 ×10^-7Ｔｏｒｒで、
導入Ａｒガス圧を4.0 ×10^-2Ｔｏｒｒとし、スパッタリ
ングパワー1000Ｗ、室温下に於いて行った。第１の磁気
記録層（４２）として、Ｓｍ16at% 含有するＣｏ−Ｓｍ
を約700 オングストローム、次に第２の磁気記録層（４
３）としてＣｏ−Ｃｒを同じく約500 オングストローム
形成し、二層より成る磁気記録層を（４５）を構成し
た。また、最表層に300 オングストロームのカーボン膜
からなる保護・潤滑層（４６）を設けた。こうして作成
した磁気記録媒体の磁気特性を測定したところ、面内保
磁力950 エルステッドを得、また飽和磁化量、その他の
磁気特性に関しても優れた結果を得た。更に、電磁変換
特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行った
結果、次の特性を得た。電磁変換特性については36ｋｂ
ｐｉの高密度記録が可能であった。磁気ヘッドとの摩耗
試験では２万回のコンタクト・スタート・ストップテス
トを行い、ディスク表面に傷のつかないことを確認し
た。

【００４５】また、耐環境性についても、温度85℃、相
対湿度85％で1000時間放置したが、外観上の変化は全然
認められず欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性
が確認された。

【００４６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば面内方向
の保磁力が少なくとも７００Ｏｅ以上であって、従来
との互換性が達成され、しかも優れた磁気記録特性が確
保できるディスク状磁気記録媒体を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の一実施例の磁気記録媒体の部分
断面図である。

【図２】図２は第２の磁気記録層の膜厚と腐食試験によ
る欠陥の増加数との関係を示す図である。

【図３】図３は第１の磁気記録層の膜厚と信号出力との
関係を示す図である。

【図４】図４は本発明の他の実施例の磁気記録媒体の部
分断面図である。

【図５】図５は本発明の他の実施例の磁気記録媒体の部
分断面図である。

【図６】図６は本発明の他の実施例の磁気記録媒体の部
分断面図である。

【図７】図７は従来技術の磁気記録媒体の部分断面図で
ある。

【符号の説明】

(11)…非磁性基体 (12)…非磁性平滑層 (13)…非磁性金属下地層 (14)…磁気記録層 (15)…第１の磁気記録層 (16)…第２の磁気記録層 (17)…保護・平滑層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ディスク状の非磁性支持体と、前記非磁
性支持体上に配置されたクロムを主体とする下地層と、
前記下地層上に堆積されたコバルトを主成分とする第１
の磁気記録層を含む磁気記録層を備えたディスク状磁気
記録媒体であって、面内方向の保磁力が少なくとも７００Ｏｅ以上となる
ように前記磁気記録層がスパッタリング法によって堆積
されて成ることを特徴とするディスク状磁気記録媒体。
【請求項２】前記磁気記録層は、前記第１の磁気記録
層上に堆積されたコバルト及びクロムを主成分とする第
２の磁気記録層を含むことを特徴とする請求項１記載の
ディスク状磁気記録媒体。
【請求項３】前記第１の磁気記録層がコバルト及びニ
ッケルを主成分とすることを特徴とする請求項１記載の
ディスク状磁気記録媒体。
【請求項４】前記第１の磁気記録層がコバルト及びニ
ッケルに、更に、鉄、リン、タングステン、白金、及び
クロムの内から選ばれた少なくとも１種の元素を主成分
として含むことを特徴とする請求項３記載のディスク状
磁気記録媒体。
【請求項５】前記第１の磁気記録層が、白金、イット
リウム、ランタン、セリウム、プラセオジウム、サマレ
ウム、ネオジウム、プロメチウムの内から選ばれた少な
くとも１種の元素を主成分として含むことを特徴とする
請求項１記載のディスク状磁気記録媒体。
【請求項６】前記第１の磁気記録層が酸素を含むこと
を特徴とする請求項１記載のディスク状磁気記録媒体。
【請求項７】前記酸素の含有量が５at％乃至１５at％
の範囲にあることを特徴とする請求項６記載のディスク
状磁気記録媒体。
【請求項８】前記磁気記録層は室温下でのスパッタリ
ング法により堆積されてなることを特徴とする請求項１
記載のディスク状磁気記録媒体。
【請求項９】前記非磁性支持体がアルミニウム合金又
はガラスから成ることを特徴とする請求項１記載のディ
スク状磁気記録媒体。