JPS6022332A - 半導体装置の試験方法 - Google Patents

半導体装置の試験方法

Info

Publication number
JPS6022332A
JPS6022332A JP58132254A JP13225483A JPS6022332A JP S6022332 A JPS6022332 A JP S6022332A JP 58132254 A JP58132254 A JP 58132254A JP 13225483 A JP13225483 A JP 13225483A JP S6022332 A JPS6022332 A JP S6022332A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
static electricity
case
generated
testing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58132254A
Other languages
English (en)
Inventor
Kokichi Sawada
沢田　功「きち」
Heihachi Matsumoto
松本　平八
Yoshihiro Sato
佐藤　好洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58132254A priority Critical patent/JPS6022332A/ja
Publication of JPS6022332A publication Critical patent/JPS6022332A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置に静電気を加え、静電気破壊強度
を検査する試験方法に関する。
〔従来技術〕
従来の半導体装置の静電破壊強度試頑方法を、第１図に
回路図で示す。図において、（１）は被試験の半導体装
置、（２）は直流電圧源、（３）はコンデンサ、（４）
は切換スイッチである。
従来の試験方法は、次のようにしていた。
まず、切換スイッチ（４）を直流電圧源（２）側に入れ
、コンデンサ（３）を充電する。つぎに、スイッチ（４
）を半導体装置（１）側に入れ、コンデンサ（３）から
半導体装置（１）に放電する。ここで、半導体装置（１
）の故障の有無を検査する。仁のようにして、直流電圧
源（２）の電圧を次第に上げてはコンデンサ（３）から
の放電電圧を高くしていき、半導体装置（１）が故障に
至るまで繰返していく。
上記従来の試験方法では、半導体装置ｆｌ）の実際の取
扱い中に発生する静電破壊故障と故障内容が異なる場合
が多く、実状に即した正確な静電破壊強度が検査できな
いという欠点があった。
〔発明の概要〕
この発明は静電気を発生しやすい非導電性材の収納ケー
ス内に半導体装置を入れ、振動させて静電気を発生させ
、この静電気に対する破壊強度を検査するようにし、実
使用と一致した条件で試験ができる半導体装置の試験方
法を提供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例による半導体装置の試験方法
を、第２図により説明する。静電気の発生しやすいプラ
スチック製の収納ケース（ｉｔ）に半導体装置（１）を
入れる。図では、この収納ケースＱ０は半導体装置（１
）の運搬用の場合を示している。収納ケー゛スα１を左
右に振動することによシ、内部の半導体装置（１）を長
手方向に往復移動させる。すると１収納ケース（１呻と
半導体装置（１）のパッケージ（１ａ）との摩擦によシ
、収納ケース（ＩＩに静電気が発生する。
発生静電気量は振動速度や回数によシ、調整ができる。
所定回転振動させた後、半導体装置（１）の故障の有無
を計測装置（図示は略す）により検査するＯ なお、上記実施例では、収納ケースＱｌはチューブ状を
なす運搬用の場合を示したが、非導電性材からなシ、摩
擦によシ靜電気を発生するケースであれば、形状は種々
のものであってもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明の方法によれば、非導電性材か
らなる収納ケース内に半導体装置を入れ、振動させて発
生する静電気に対する半導体装置の破壊の有無を検査す
るようにしたので、実使用と一致した試験が行なえる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の試験方法を示す回路図、第
２図はこの発明の一実施例による半導体装置の試験方法
を示す収納ケース部の斜視図であるＯ １・・・半導体装ｆｆｉ、ｌａ・・・パッケージ、１０
・・・収納ケース なお、図中同一符号は同−又は和尚部分を示す０代理人
　大岩増雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 他物体との摩擦により静電気を発生しやすい非導電性材
    からなる収納ケースに半導体装置を入れ、所定回数の移
    動撮動させて静電気を発生させ、上記半導体装置の故障
    の有無を検査する半導体装置の試験方法。
JP58132254A 1983-07-18 1983-07-18 半導体装置の試験方法 Pending JPS6022332A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58132254A JPS6022332A (ja) 1983-07-18 1983-07-18 半導体装置の試験方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58132254A JPS6022332A (ja) 1983-07-18 1983-07-18 半導体装置の試験方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6022332A true JPS6022332A (ja) 1985-02-04

Family

ID=15076970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58132254A Pending JPS6022332A (ja) 1983-07-18 1983-07-18 半導体装置の試験方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6022332A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5478663A (en) * 1977-12-05 1979-06-22 Nec Corp Resin-sealed semiconductor device
JPS5780577A (en) * 1980-11-06 1982-05-20 Mitsubishi Electric Corp Testing method of semiconductor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5478663A (en) * 1977-12-05 1979-06-22 Nec Corp Resin-sealed semiconductor device
JPS5780577A (en) * 1980-11-06 1982-05-20 Mitsubishi Electric Corp Testing method of semiconductor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7508050A (nl) Werkwijze en inrichting voor het bepalen van de plaats van een fout in een elektrische leiding.
JPS6022332A (ja) 半導体装置の試験方法
KR920015498A (ko) 반도체 소자의 검사장치 및 검사방법
DE69022925D1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zum Test derselben.
US2171303A (en) Resonant vibration fatigue tester
SU586854A3 (ru) Устройство дл измерени толщины текстильных материалов
US4954772A (en) Test method of an electrostatic breakdown of a semiconductor device and an apparatus therefor
JPS6239932B2 (ja)
US1611224A (en) Method and apparatus for measuring frequency
JPS60145636A (ja) 半導体装置の試験方法
JPH05190637A (ja) 半導体集積回路の試験方法
JPH05249180A (ja) 静電破壊試験装置
JP2800959B2 (ja) トランジスタ特性検査装置
JPH02213778A (ja) 集積回路装置の検査装置
JPS5991361A (ja) 電子部品内異物粒子検出装置
SU485352A1 (ru) Устройство дл испытани образца торкрет-бетона на осевое раст жение
JPH0420882A (ja) 半導体装置の耐圧試験装置
Szilard Review of conventional testing techniques
JPS6144370A (ja) 静電気破壊試験方法
JPS5977330A (ja) グロスリ−ク試験装置
JP2850877B2 (ja) 半導体集積回路測定方法及び装置
JPH079379Y2 (ja) Ｉｃウエハ試験用自動プローバ
JPH0424079U (ja)
JPS594478Y2 (ja) 静電気除去装置
SU1170532A1 (ru) Устройство для контроля емкости химического источника тока