JPS614444U - 半導体電源装置 - Google Patents

半導体電源装置

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JPS614444U
JPS614444U JP1985066323U JP6632385U JPS614444U JP S614444 U JPS614444 U JP S614444U JP 1985066323 U JP1985066323 U JP 1985066323U JP 6632385 U JP6632385 U JP 6632385U JP S614444 U JPS614444 U JP S614444U
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JP
Japan
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region
power supply
charge pump
conductivity type
semiconductor power
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Pending
Application number
JP1985066323U
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English (en)
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俊男 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS614444U publication Critical patent/JPS614444U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
i1図はこ考案の一実施例の断面図、第2図はこの考案
の他の実施例の断面図である。 図中、Qcpはチャージポンプ型素手、cおよびC′は
容量素子、101はP型シリコン単結晶基体、102,
201はN型領域、104,107はゲート電極である
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型半導体基体の一表面はチャージポンプ型素子を
    有する半導体装置において、前記表面に前記素子の他導
    電型出力領域を一端子とし、該領域近傍に伸びる絶縁ゲ
    ート膜上に設けた電極を他端子とする絶縁ゲート型容量
    素子を含み、前記チャージポンプ初素子のゲート絶縁膜
    はミ前記出力領域に接しかつ不活性領域にかけて延在す
    る高濃度一導電型領域上に設けられていることを特徴と
    する半導体電源装置。
JP1985066323U 1985-05-02 1985-05-02 半導体電源装置 Pending JPS614444U (ja)

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JP1985066323U JPS614444U (ja) 1985-05-02 1985-05-02 半導体電源装置

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JPS614444U true JPS614444U (ja) 1986-01-11

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49115780A (ja) * 1973-03-08 1974-11-05
JPS49120587A (ja) * 1973-03-19 1974-11-18
JPS50107882A (ja) * 1974-01-30 1975-08-25

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49115780A (ja) * 1973-03-08 1974-11-05
JPS49120587A (ja) * 1973-03-19 1974-11-18
JPS50107882A (ja) * 1974-01-30 1975-08-25

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