JPS60229209A - 複合型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

複合型磁気ヘッドの製造方法

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JPS60229209A
JPS60229209A JP8527284A JP8527284A JPS60229209A JP S60229209 A JPS60229209 A JP S60229209A JP 8527284 A JP8527284 A JP 8527284A JP 8527284 A JP8527284 A JP 8527284A JP S60229209 A JPS60229209 A JP S60229209A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、複合型磁気ヘッドに関し、特に高保磁力テー
プに対して優れた記録再生特性を有し。
しかも量産性に優れた複合型磁気ヘッドに関する。
〔発明の背景〕
磁気記録技術の高度化、特に磁気記録の高密度化に対す
る要請は、今日極めて強いものがある。
この要請に応えるためには、磁気記録媒体の保磁力He
を大きくすることが有利であることは良く知られている
が、高保磁力の磁気記録媒体に信号を記録するためには
1強さが大きく、かつ鋭い分布を持つ磁場が必要となる
ところが、従来から広く用いられている高透磁率フェラ
イト材料を磁気ヘッドに用いる場合には。
その飽和磁束密度Bsが5500ガウス以下であるため
、得られる記録磁界の強さに限界があり、特に最近開発
されつつある高保磁力磁気テープを用いた場合には記録
が不充分になるという問題があった。
一方、飽和磁束密度の大きい材料としてFe−Al1−
8i系合金、Fa−Ni系合金、Fe−8i系合金或は
非晶質磁性合金等の金属磁性材料が挙げられるが、これ
らの金属磁性材料を単独で磁気ヘッドに用いた場合には
、摩耗速度が大きいため磁気ヘッドの寿命が短く、又、
ヘッド製造が困難である等の欠点があった。
この欠点を解決するために、磁気ヘッドの磁気記録媒体
摺動面を少なくとも金属磁性材料と高透磁率フェライト
とで構成し、かつ作動ギャップ近傍を飽和磁束密度の高
い金属磁性材料で構成した複合型磁気ヘッドが提案され
ている(例えば公開−許公報昭和56年159818号
、公開特許公報昭和58年155513号、公開特許公
報昭和58年175122号)。
上記の如き複合型磁気ヘッドは1作動ギャップ近傍を飽
和磁束密度の大きな金属磁性体で構成するため記録特性
に優れ、又、磁気記録媒体摺動面のその他の部分の少な
くとも一部を耐摩耗性、及び高周波における透磁率に優
れた高透磁率フエラ □イトで構成するために再生感度
が高く、シかも耐摩耗性にも優れたものである。
ところで、上記の如き複合型磁気ヘッドの製造の際には
、高透磁率フェライトのギャップ形成面と平行な面に溝
を形成する工程が含まれる。
例えば、第1図は公開特許公報昭和56年159818
号の明細書に記載された複合型磁気ヘッドの製造工程図
である。
まず、第1図(イ)において、高透磁率フェライト1の
ギャップ形成面と平行な面2に溝3を形成する。
次に、(ロ)において、上記の溝3に高透磁率フェライ
トよりも飽和磁束密度の高い磁性体であるところの金属
磁性体薄板4を挿入し、それをA−A’の位置で切断し
、磁気へラドコア半休ブロック5及び5′を作製する。
次に、(ハ)及び(ニ)に示す如く、上記の磁気へラド
コア半休ブロック5及び5′に巻線窓用溝6.接着用溝
7,7’ 、 トラック幅規制溝8゜ギャップ形成面9
,9′を加工する。
次に、ギャップ材をギャップ形成面に被着した後、磁気
へラドコア半休ブロック5及び5′を接合して、(ホ)
に示す如き接合ブロック10を作製する。
次に、(ホ)の二点鎖線で示す部分を、切断することに
よって、複合型磁気ヘッド11が得られる。
次に、第2図は、複合型磁気ヘッドの製造工程を示す第
2の例であり、公開特許公報58年175122号に示
されたものである。
まず、第2図(イ)において、高透磁率フェライト12
のギャップ形成面と平行な面13に溝14を形成する。
次に、(ロ)において、ギャップ形成面と平行な面13
に、高透磁率フェライトより飽和磁束密度の高い磁性材
として、金属磁性材15をスパッタリングによって被着
する。
次に、(ハ)に示す如く、溝14の中に金属磁性材15
が残るようにギャップ形成面と平行な面13を研削、研
磨し2次に、(ニ)に示す如くトラック幅規制溝16を
形成する。
次に、(ホ)の一点鎖線部分を切断して、磁気ヘッドコ
ア半休ブロック17.17’ を作製する。
次に、(へ)に示す如く、磁気ヘッドコア半休ブロック
17.17’ を接合して接合ブロック18とし。
破線部分を切断することによって複合型磁気ヘッド19
を得る。
次に、第3図は、複合型磁気ヘッドの製造工程の第3の
例を示す図であり、公開特許公報昭和58年15551
3号に記載されているものである。
まず、第3図(イ)において、高透磁率フェライト材ラ
イトャップ形成面と平行な面21に、溝22を形成する
次に、(ロ)において、ギャップ形成面と平行な面21
に、高透磁率フェライトより飽和磁束密度の高い磁性材
として金属磁性材23をスパッタリングにより被着する
次に、(ハ)において、溝22を埋めるようにガラス2
4を溶融付着させる。
次に、(ニ)において、ギャップ形成面25を切削、研
磨する。
次に、(ホ)において2巻線窓用溝26を形成したもの
を磁気へラドコア半休ブロック27とする。
なお1巻線窓用溝26を形成しなかったものを磁気ヘッ
ドコア半休ブロック27′ とする。
次に、(へ)及び(ト)に示す様に、磁気へラドコア半
休ブロック27と27′ とを接合して接合ブロック2
8を作製し、破線部分を切断することによって複合型磁
気ヘッド29を得る。
以上説明した如く、高透磁率フェライトとそれより飽和
磁束密度の高い磁性材との複合型磁気ヘッドの製造工程
には、高透磁率フェライトのギャップ形成面と平行な面
に溝を形成する工程が含まれることが多い。
第1図の例においては、溝3は金属磁性薄板を挿入する
ための溝であり、この溝の幅が金属磁性薄板より大きい
時には、金属磁性薄板と高透磁率フェライトとの間に隙
間を生じるため、金属磁性薄板と高透磁率フェライトと
の磁気抵抗が増大し。
ヘッド特性が劣化する。
又、溝の幅が小さい時には、金属磁性薄板が挿入出来ず
、従って溝の幅の寸法は高精度が要求される。
又、第1図の溝8及び第2図の溝16は、トラック幅寸
法を決める溝であるため、溝の位置及び寸法は、高精度
が要求される。
又、第2図の溝14及び第3図の溝22には、飽和磁束
密度の高い金属磁性体が被着されるので、溝の面は、高
精度に平滑であることが要求される。
この溝の面の凹凸が大きい場合には、被着された金属磁
性体の膜構造が乱れるため、透磁率が減少してヘッド特
性が劣化するという問題を生ずる。
上記の様に、高透磁率フェライトを用いた複合型磁気ヘ
ッドにおいては、ギャップ形成面と平行な面に溝加工を
高精度で行なう必要がある。
しかし、フェライト材料は、一般に脆く、溝形成の工程
の際に2割れや欠けを生じ易いため2寸法精度を高くシ
、加工面の平滑な溝加工を小止り良く行うことは非常に
困難であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の如き問題を解決し、高透磁率フェライト
の溝加工を高精度で行なうことが出来。
量産性及びヘッド特性に優れた複合型磁気ヘッドを提供
することを目的とする。
(発明の慨要〕 上記の目的を達成するため本発明においては。
高透磁率フェライトの単結晶を用い、溝加工を行なう高
透磁率フェライト単結晶のギャップ形成面と平行な面や
溝の方向を特定することによって溝加工の際の割れや欠
けの発生を防ぎ1寸法精度の高い加工面の平滑な溝を実
現する様に構成したものである。
なお、高透磁率フェライトの多結晶を用いた場合には、
溝加工の際に結晶粒の脱落等を生ずるため好ましくない
以下、詳細に説明する。
本発明者等は、高透磁率フェライトの単結晶に溝加工を
施した場合に、加工すべき結晶面と溝の結晶方位とによ
って、溝周囲に生ずる割れ、欠けの大きさ及び数が著し
く異なることを見出した。
この知見に基づいて本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、高透磁率フェライト単結晶の(110)面もしくは
その面の性質を失わない範囲内で傾斜した面をギャップ
形成面と平行にするか、又は(110)面もしくはその
面の性質を失わない範囲内で傾斜した面を磁気テープ摺
動面と平行にする様に構成する。
更に、高透磁率フェライト単結晶の(110)面もしく
はその面の性質を失わない範囲内で傾斜した面をギャッ
プ形成面と平行にする場合には。
(100)面、(110)面もしくはそれらの面の性質
を失わない範囲内で傾斜した面を磁気テープ摺動面と平
行にすることがより好ましい。
又、高透磁率フェライト単結晶の(110)面もしくは
その面の性質を失わない範囲内で傾斜した面を磁気記録
媒体摺動面と平行にする場合には。
高透磁率フェライト単結晶の(100)面。
(110)面もしくはそれらの面の性質を失わない範囲
内で傾斜した面をギャップ形成面と平行にすることがよ
り好ましい。
なお上記の(110)面とは、(110)面。
(101)面、(iot)面、(101)面。
又、(100)面とは、(100)面、(010)面、
(001)面、(〒00)面、(OlO)面。
(001)面を含む表現である。
又、それらの面の性質を失わない範囲内で傾斜した面と
は、後記の実施例に示す如く、特性上はぼ同等の範囲2
例えば±15°以内で傾斜した面を示す。
〔実施例〕
以下、実施例に基づいて本発明を説明する。
高透磁率フェライト単結晶に溝加工を施した場合におい
て、溝側面に生ずる割れや欠けの大きさが、溝加工を施
す結晶面及び結晶方位によってどの様に変化するかを測
定した。
高透磁率フェライト単結晶としては、Mn−Znフェラ
イト単結晶を用い、第4図に示す如く、溝■ 加工用として2粒度# 2000のダイヤモンド砥石3
0を用いて2幅20−2深さ20.の溝を加工した。
そして、第4図における加工面31を(100)面とし
た時の加工後の溝の周囲に生じた欠けの最大値と溝の加
工方向32との関係を第5図に示す。
第5図から判る様に、(100)面を加工面とした場合
には、加工方向を<110>方向とした場合に最も欠け
が小さく、<100>方向で最大となる。
又、第6図に示す如く、加工面を<1 i o>面とし
た場合には、あらゆる加工方向で欠けは小、さく、その
中でも、<100>方向及び<110>方向が最も小さ
くなる。
第7図に示す如く、加工面を(111)面とした場合に
は、加工方向の方位が同一であっても。
方向を逆方向、即ち、180°回転した方向にした場合
には、欠けの大きさが非常に異なって来る方位がある。
即ち、第7図の実線及び破線は、同一方位で逆方向に加
工した場合の特性であり、(211)方向を加工方向と
した場合には、欠けが非常に小さい場合(破線)と、欠
けが非常に大きくなる場合(実線 破線″の180°回
転した方向)とがある。
従って、この方向に溝加工を行なう場合には。
工程管理が困難になる。
なお、第7図から判る様に、<110>方向を加工方向
にした場合には、欠けが比較的小さく。
逆方向に加工した場合でも、欠けの大きさには変化が生
じない。
従って、(111)面を加工面とする場合には。
加工方向を<110>方向にすれば良い。
又、第8図に示す如<、(211)面を加工面とした場
合には、第7図の場合と同様に、ある方位の正方向と逆
方向で欠けの大きさが大幅に異なって来る。
なお、この場合においても、<110>方向を加工方向
とすれば、方向の正・逆に係らず、比較的欠けの小さい
加工状態を得ることが出来る。
以上説明した様に、高透磁率フェライト単結晶に溝加工
を行なう場合には、(110)面を加工面とする場合、
及び<110>方向を加工方向とする場合に欠けの小さ
い加工状態を得ることが出来る。
そして、これらの内でも(110)面を加工面とする場
合には、<100>方向及び<110>方向を加工方向
とする場合に、特に欠けが小さくなる。
又、(110>方向を加工方向とする場合には。
(100)面及び(110)面を加工面とする場合が特
に欠けを小さくすることが出来る。
前記の複合型磁気ヘッドにおいて、高透磁率フェライト
単結晶に溝加工を施す面は、第1図(イ)における面2
.第2図(イ)における面13.あるいは第3図(イ)
における面21等であり、これらの面は、複合型磁気ヘ
ッドにおいて、ギャップ形成面と平行な面である。
又、溝加工を行なう方向は、いずれも複合型磁気ヘッド
の磁気記録媒体摺動面、すなわち第1図(ホ)における
面33.第2図(へ)における面34゜第3図(ト)に
おける面35にほぼ直角な方向である。
従って、高透磁率フェライト単結晶のほぼ(110)面
をギャップ形成面とほぼ平行になる様にするか、或は、
(110)面を磁気記録媒体摺動面とほぼ平行にするこ
とによりギャップ形成面とほぼ平行な面に設けられ、か
つ、磁気記録媒体落動面とほぼ直角方向に加工される溝
を、欠けあるいは割れが少なく、かつ、溝面を平滑に加
工することが出来る。
従って、この様にして形成された溝を有する高透磁率フ
ェライト単結晶を用い、高透磁率フェライトよりも飽和
磁束密度の高い磁性体を複合して磁気ヘッドを構成した
場合には、ヘッド特性に優れ、かつ、量産性にも優れた
複合型磁気ヘッドを得ることが出来る。
なお、前記第5図〜第8図の特性からも明らかな様に、
結晶方位が±15°程度ずれてもその効果はほぼ変わら
ない。
従って、前記の(1′10)面等に正確に一致させなく
ても、その面の性質を失わない範囲内の傾斜、即ち、±
15°程度以内の傾斜であればほぼ同様の効果が得られ
る。
又2本発明に用いる高透磁率フェライト単結晶としては
、実施例にも示した如<、Mn−Znフェライト単結晶
が一般に用いられるが、Ni−Znフェライト単結晶等
を用いても本発明の効果は同様である。
又2本発明に用いるギャップ近傍を構成する飽和磁束密
度の高い磁性体としては、Fe−A(L系。
Fa−8i系、Fe−An−8i系、Fe−Ni系、F
e−N系等の結晶質、或はFe、Co、Ni、B、C,
・Aal Sig P HGe、 Tip V r C
r、 Mr、 Y 、Zr。
Nb、Mo、Hf、Ta、W、Cu、Ru、Rh+ P
d。
Agl Re、 Os、 I r、 P tt Au、
希土類元素等を含む非晶質磁性合金等の金属磁性材を用
いることができる。
なお、結晶質の金属磁性材は、バルク材から切断あるい
は圧延等の方法によって作製された薄板の形状で用いる
ことが出来、又、結晶質、非晶質の金属磁性材は、溶湯
急冷法(スプラットグーリング)によって作製された薄
板の形状であるか。
九入いt+1バッ々11ソd#、盲か墓薔浜筈の蒲■形
成技術によって作製された薄膜の状態で用いることがで
きる。
[発明の効果〕 以上説明した如く本発明においては、高透磁率フェライ
ト単結晶とそれより飽和磁束密度の高い磁性材とを複合
した複合型磁気ヘッドにおいて。
高透磁率フェライト単結晶のギャップ形成面や磁気記録
媒体摺動面に平行な面を選択することによって複合型磁
気ヘッドの製造工程において、欠けや割れの少ない溝加
工を行なうことが出来る。
そのため、量産性に優れ、しかもヘッド特性にも優れた
複合型磁気ヘッドを実現することが出来るという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図及び第3図はそれぞれ複合型磁気ヘッド
の製造工程を示す図、第4図は高透磁率フェライト単結
晶の加工方法を示す図、第5図。 第6図、第7図及び第8図はそれぞれ高透磁率フェライ
ト単結晶の加工面及び加工方向と欠けの大きさとの関係
を示す図である。 符号の説明 1 、12.20・・・高透磁率フェライト2、13.
21・・・ギャップ形成面と平行な面3.14.22・
・・溝 4・・・金属磁性薄板 5.5′・・・磁気へラドコア半休ブロック6.26・
・・巻線窓用溝 7.7′・・・接着用溝 8.16・・・トラック幅規制溝 17、17’・・・磁気へラドコア半休ブロック27、
27’・・・磁気へッドコア半休ブロック代理人弁理士
 中村純之M 1P1図 り (ホ) 矛2Pffi (ホ) 第3図 (イ) CA′) < ト) −1’4図 jF5図 16図 才8図 第1頁の続き @)Int、CI、’ 識別記号 庁内整理番号G 1
1 B 5/23 6647−5D@発明者 1藤 實
弘 国峙市東 央研究所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ギャップ形成面と平行な面に溝を設けられた高透磁
    率フェライト単結晶で形成された磁気コアの少なくとも
    作動ギャップ近傍に、上記高透磁率フェライト単結晶よ
    りも飽和磁束密度の高い磁性体が設けられている複合型
    磁気ヘッドにおいて。 上記高透磁率フェライト単結晶の(110)面もしくは
    その面の性質を失わない範囲内で傾斜した面を上記複合
    型磁気ヘッドのギャップ形成面と平行にしたことを特徴
    とする複合型磁気ヘッド。 2、上記の溝は、上記磁性体及び記録トラック部を設け
    るために上記高透磁率フェライト単結晶面に設けられた
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の複合型磁気ヘッド。 3、上記高透磁率フェライト単結晶の(100)面、(
    110)面もしくはそれらの面の性質を失わない範囲内
    で傾斜した面を磁気記録媒体摺動面と平行にしたことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の複
    合型磁気ヘッド。 4、ギャップ形成面と平行な面に溝を設けられた高透磁
    率フェライト単結晶で形成された磁気コアの少なくとも
    作動ギャップ近傍に、上記高透磁率フェライト単結晶よ
    りも飽和磁束密度の高い磁性体が設けられている複合型
    磁気ヘッドにおいて。 上記高透磁率フェライト単結晶の(110)面もしくは
    その面の性質を失わない範囲内で傾斜した面を上記複合
    型磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面と平行にしたことを
    特徴とする複合型磁気ヘッド。 5、上記の溝は、上記磁性体及び記録トラック部を設け
    るために上記高透磁率フェライト単結晶面に設けられた
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載
    の複合型磁気ヘッド。 6、上記高透磁率フェライト単結晶の(100)面、(
    111面もしくはそれらの面の性質を失わない範囲内で
    傾斜した面をギャップ形成面と平行にしたことを特徴と
    する特許請求の範囲第4項または第5項記載の複合型磁
    気ヘッド。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS57152617U (ja) * 1981-03-18 1982-09-25

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