JPS60232708A - カレントミラ−回路における温度補償法 - Google Patents
カレントミラ−回路における温度補償法Info
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- JPS60232708A JPS60232708A JP59088976A JP8897684A JPS60232708A JP S60232708 A JPS60232708 A JP S60232708A JP 59088976 A JP59088976 A JP 59088976A JP 8897684 A JP8897684 A JP 8897684A JP S60232708 A JPS60232708 A JP S60232708A
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- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明け、基準電流と基準電圧とを作成するカレントミ
ラー回路に関する。
ラー回路に関する。
背景技術
第１図は、先行技術のカレントミラー回路の電気回路図
である。この回路は、トランジスタＱ１のコレクタに流
れる基準電流１１の電流値を中心にトランジスタＱ１の
エミッタに接続さｒ−る可変抵抗Ｒ１の設定抵抗値によ
って指数関数的にトランジスタＱ２のコレクタに流れる
出力電流ＩＯを変化させるものである。前基準電流１１
け、トランジスタＱ１５のエミッタおよびトランジスタ
Ｑ１９のエミッタに与えられる基準電圧Ｖｃｃ２．なら
びにトランジスタＱ２０のエミッタに接続される抵抗Ｒ
１１を構成要素として設定さ力る。トランジスタＱ１６
〜Ｑ１８のエミッタからの基準電圧ＥＨ，）ランジスタ
Ｑ１５のエミッタに与える電圧Ｖｃｃ２？）ランジスタ
Ｑ１５〜Ｑ１８に用いて作成している。この基準電圧Ｅ
け、抵抗Ｒ３Ｔｈ介してトランジスタＱ２のエミッタに
与えら力る。
である。この回路は、トランジスタＱ１のコレクタに流
れる基準電流１１の電流値を中心にトランジスタＱ１の
エミッタに接続さｒ−る可変抵抗Ｒ１の設定抵抗値によ
って指数関数的にトランジスタＱ２のコレクタに流れる
出力電流ＩＯを変化させるものである。前基準電流１１
け、トランジスタＱ１５のエミッタおよびトランジスタ
Ｑ１９のエミッタに与えられる基準電圧Ｖｃｃ２．なら
びにトランジスタＱ２０のエミッタに接続される抵抗Ｒ
１１を構成要素として設定さ力る。トランジスタＱ１６
〜Ｑ１８のエミッタからの基準電圧ＥＨ，）ランジスタ
Ｑ１５のエミッタに与える電圧Ｖｃｃ２？）ランジスタ
Ｑ１５〜Ｑ１８に用いて作成している。この基準電圧Ｅ
け、抵抗Ｒ３Ｔｈ介してトランジスタＱ２のエミッタに
与えら力る。
なお前記基準電圧Ｖｃｃ２としては、第２図に示すよう
なバンドギャップ型回路を用いることによって得ること
ができ、理論的に温度係数が零の電圧源が得られる。つ
まり基準電圧ＶＣＣ２を設定するトランジスタは、各温
度係数がベア間で等しくなるようにそのペア相互の動作
電流を等しく設計している。
なバンドギャップ型回路を用いることによって得ること
ができ、理論的に温度係数が零の電圧源が得られる。つ
まり基準電圧ＶＣＣ２を設定するトランジスタは、各温
度係数がベア間で等しくなるようにそのペア相互の動作
電流を等しく設計している。
第３図は、凱１図に示す可変抵抗Ｒ１の設定抵抗値ｒ】
とトランジスタＱ７〜Ｑ１０’ａコレクタに流れる出力
電流Ｉ２の電流値との関係を示すグラフである。このグ
ラフから見て明らかなように設定抵抗値ｒ】の変化によ
って出力電流■２け指数関数曲に変化している。また同
一の設定抵抗値ｒｌｌこ対して、その出力電流Ｉ２ｇ／
′ｉ回路素子の温度変化Ｓごよって変動している。たと
えば設定抵抗値ｒｌ−３０（ＫΩ〕のとき、出力電流は
温度が低くなるほど犬きくなる。このように出力電流■
２の電流値が、前記基準電流■１の電流直よりも高い場
合＃′ｉ温度上昇と共に出力電流Ｉ２の電流値が下がり
、基準電流Ｉ】の電流値よりも低い場合は温度上昇と共
に出力電流Ｉ２の電流直か上がる。
とトランジスタＱ７〜Ｑ１０’ａコレクタに流れる出力
電流Ｉ２の電流値との関係を示すグラフである。このグ
ラフから見て明らかなように設定抵抗値ｒ】の変化によ
って出力電流■２け指数関数曲に変化している。また同
一の設定抵抗値ｒｌｌこ対して、その出力電流Ｉ２ｇ／
′ｉ回路素子の温度変化Ｓごよって変動している。たと
えば設定抵抗値ｒｌ−３０（ＫΩ〕のとき、出力電流は
温度が低くなるほど犬きくなる。このように出力電流■
２の電流値が、前記基準電流■１の電流直よりも高い場
合＃′ｉ温度上昇と共に出力電流Ｉ２の電流値が下がり
、基準電流Ｉ】の電流値よりも低い場合は温度上昇と共
に出力電流Ｉ２の電流直か上がる。
この温度変化の原因は、トランジスタＱ］、Ｑ２に流す
るエミッタ電流値が異なる場合に、各ベース・エミッタ
間電圧の温度係数値に差が現わｒ。
るエミッタ電流値が異なる場合に、各ベース・エミッタ
間電圧の温度係数値に差が現わｒ。
その温度係数の差７５玉カレントミラーゲインの差トな
って現われると考えらねる。
って現われると考えらねる。
カレントミラーの出力電流ＩＯは１次の第１式と第２式
との交点でめら力る。
との交点でめら力る。
ｙ １− ｌｏｇ−・・・ｆｉ＋
ｒ２ｒ３ ＩＩ １ ｒ２
ｙ２− ｒ２＋ｒ３ ’ Ｖ ””Ｖ （ｒ２＋ｒ３
Ｅ ”）・・・（２） ｙ ＋ ｋＴ Ｑ ・・・（３） ただしｒ２．ｒ３け抵抗Ｒ２，Ｒ３の抵抗値１ｍけカレ
ントミラーゲイン、Ｉｌけ基準電流、Ｅけ基準電圧、１
０−ｍ１１．Ｑけ電子の電荷密度。
Ｅ ”）・・・（２） ｙ ＋ ｋＴ Ｑ ・・・（３） ただしｒ２．ｒ３け抵抗Ｒ２，Ｒ３の抵抗値１ｍけカレ
ントミラーゲイン、Ｉｌけ基準電流、Ｅけ基準電圧、１
０−ｍ１１．Ｑけ電子の電荷密度。
ｋｌ−ｔホルンマン定数、Ｔけ絶対温度である。
目 的
本発明の目的は、上述の技術的課題全解決し。
温度ドリフト１ｉ７補償し、温度変化に対して出力電流
、＠圧が変化しないカレントミラー回路ケ提供すること
である。
、＠圧が変化しないカレントミラー回路ケ提供すること
である。
実施例
第４図は１本発明の一実施例の電気回路図である。トラ
ンジスタＱｌｌのエミッタにけ、抵抗Ｒ４Ｙ介して電源
電圧ＶＣＣが与えらねる。トランジスタＱｌｌのベース
は、トランジスタＱ２７のエミッタとトランジスタＱ１
２〜Ｑ１４の各ベースとに接続さ力る。トランジスタＱ
２７のベースはトランジスタＱｌｌのコレクタに接続さ
力４．トランジスタＱｌｌのコレクタと接地間には定電
流が流力る。トランジスタＱｌ ２． Ｑｌ ３１７）
エミッタにけ抵抗Ｒ５ケ介して電源電圧ＶＣＣが与えら
れる。トランジスタＱ１２．Ｑ１３のコレクタは、トラ
ンジスタＱ１５のコレクタおＸびベース、ならびにトラ
ンジスタＱ１６〜Ｑ１Ｂ（Ｆ）各ペースニ接続される。
ンジスタＱｌｌのエミッタにけ、抵抗Ｒ４Ｙ介して電源
電圧ＶＣＣが与えらねる。トランジスタＱｌｌのベース
は、トランジスタＱ２７のエミッタとトランジスタＱ１
２〜Ｑ１４の各ベースとに接続さ力る。トランジスタＱ
２７のベースはトランジスタＱｌｌのコレクタに接続さ
力４．トランジスタＱｌｌのコレクタと接地間には定電
流が流力る。トランジスタＱｌ ２． Ｑｌ ３１７）
エミッタにけ抵抗Ｒ５ケ介して電源電圧ＶＣＣが与えら
れる。トランジスタＱ１２．Ｑ１３のコレクタは、トラ
ンジスタＱ１５のコレクタおＸびベース、ならびにトラ
ンジスタＱ１６〜Ｑ１Ｂ（Ｆ）各ペースニ接続される。
トランジスタＱｌ ２．Ｑ１３け、）ランジスタＱ２７
のエミッタ電位により制御される。基準電圧Ｖｃｃ２１
；ｊトランジスタＱ１５のエミッタに与えら７． トラ
ンジスタＱ１６〜Ｑ１８のエミッタからの基準電圧Ｅ＃
″ｉ抵抗Ｒ抵抗弁３？介ランジスタＱ２のエミッタに与
えられ、る。トランジスタＱ］５とトランジスタＱ１６
〜Ｑ］８とによって、カレントミラー回路が形成される
。
のエミッタ電位により制御される。基準電圧Ｖｃｃ２１
；ｊトランジスタＱ１５のエミッタに与えら７． トラ
ンジスタＱ１６〜Ｑ１８のエミッタからの基準電圧Ｅ＃
″ｉ抵抗Ｒ抵抗弁３？介ランジスタＱ２のエミッタに与
えられ、る。トランジスタＱ］５とトランジスタＱ１６
〜Ｑ］８とによって、カレントミラー回路が形成される
。
トランジスタＱ１４のエミッタには抵抗Ｒ６に介して電
源電圧Ｖｃｃ が与えら力、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位により制御される電流がラ−イン１３に流れる
。トランジスタＱ１９’！’）コレクタとベースとけ接
続され、そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接
続１−する。トランジスタＱ１９のエミッタは基準電圧
Ｖｃｃ２が与えら力。
源電圧Ｖｃｃ が与えら力、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位により制御される電流がラ−イン１３に流れる
。トランジスタＱ１９’！’）コレクタとベースとけ接
続され、そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接
続１−する。トランジスタＱ１９のエミッタは基準電圧
Ｖｃｃ２が与えら力。
トランジスタＱ２０のエミッタはダイオードＤおよび抵
抗Ｒ１１？介して接地される。トランジスタＱ１９とト
ランジスタＱ２（Ｉとによって、カレントミラー回路が
形成σれる。トランジスタＱ２０のコレクタは、ライン
１４に介してトランジスタＱ２１〜Ｑ２５のコレクタに
そわそわ接続される。トランジスタＱ２８のエミッタは
、トランジスタＱ２１〜Ｑ２６のベースにそれぞれ接続
される。トランジスタＱ２８のベースは、トランジスタ
Ｑ２］〜Ｑ２５のコレクタにそ力ぞね接続される。トラ
ンジスタＱ２１〜Ｑ２５のエミッタには。
抗Ｒ１１？介して接地される。トランジスタＱ１９とト
ランジスタＱ２（Ｉとによって、カレントミラー回路が
形成σれる。トランジスタＱ２０のコレクタは、ライン
１４に介してトランジスタＱ２１〜Ｑ２５のコレクタに
そわそわ接続される。トランジスタＱ２８のエミッタは
、トランジスタＱ２１〜Ｑ２６のベースにそれぞれ接続
される。トランジスタＱ２８のベースは、トランジスタ
Ｑ２］〜Ｑ２５のコレクタにそ力ぞね接続される。トラ
ンジスタＱ２１〜Ｑ２５のエミッタには。
抵抗Ｒ７を介して電源電圧ＶＣＣが与えら名−る。
トランジスタＱ２６のエミッタにけ、抵抗Ｒ８’？介し
て電、源電圧ＶＣＣが与えら力る。トランジスタＱ２６
のコレクタは、ライン１５に介してトランジスタＱ１の
コレクタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続され
る。トランジスタＱ１のベースけ、トランジスタＱ２９
のエミツク訃よびトランジスタＱ２のベースに接続され
る。トランジスタＱ１のエミッタは、可変抵抗Ｒ１？介
して接地される。トランジスタＱ２のエミッタは、抵抗
Ｒ２’に介して接地さ力る。トランジスタＱ】とトラン
ジスタＱ２とにより、カレントミラー回路が形成される
。
て電、源電圧ＶＣＣが与えら力る。トランジスタＱ２６
のコレクタは、ライン１５に介してトランジスタＱ１の
コレクタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続され
る。トランジスタＱ１のベースけ、トランジスタＱ２９
のエミツク訃よびトランジスタＱ２のベースに接続され
る。トランジスタＱ１のエミッタは、可変抵抗Ｒ１？介
して接地される。トランジスタＱ２のエミッタは、抵抗
Ｒ２’に介して接地さ力る。トランジスタＱ】とトラン
ジスタＱ２とにより、カレントミラー回路が形成される
。
トランジスタＱ３のエミッタには、抵抗Ｒ’１介して電
源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トランジスタＱ３のベー
スは、トランジスタＱ４．Ｑ５のベースおよびトランジ
スタＱ３０のエミッタに接続さ力る。トランジスタＱ３
のコレクタは、トランジスタＱ３０のベースおＸひトラ
ンジスタＱ２のコレクタ５こ接続される。トランジスタ
Ｑ４およびＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコレ
クタおよびトランジスタＱ３１のベースに接続さハる。
源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トランジスタＱ３のベー
スは、トランジスタＱ４．Ｑ５のベースおよびトランジ
スタＱ３０のエミッタに接続さ力る。トランジスタＱ３
のコレクタは、トランジスタＱ３０のベースおＸひトラ
ンジスタＱ２のコレクタ５こ接続される。トランジスタ
Ｑ４およびＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコレ
クタおよびトランジスタＱ３１のベースに接続さハる。
トランジスタＱ６のベースは、トランジスタＱ３】のエ
ミッタおよびトランジスタＱ７〜ＱＩＯの各ベースニ接
ｔａ Ｇ ｈる。トランジスタＱ６のエミッタに、抵抗
Ｒ１２を介して接地さねる。トランジスタＱ７〜ＱＩＯ
の各エミッタは、抵抗Ｒ］３’ｒ介して接地される。ト
ランジスタＱ７〜Ｑ１０のコレクタには、電源電圧Ｖｃ
ｃが与えらｈる。
ミッタおよびトランジスタＱ７〜ＱＩＯの各ベースニ接
ｔａ Ｇ ｈる。トランジスタＱ６のエミッタに、抵抗
Ｒ１２を介して接地さねる。トランジスタＱ７〜ＱＩＯ
の各エミッタは、抵抗Ｒ］３’ｒ介して接地される。ト
ランジスタＱ７〜Ｑ１０のコレクタには、電源電圧Ｖｃ
ｃが与えらｈる。
ここで第４図に示す回路の基本的な動作を説明する。ラ
インｌｌＩこ流りる電流はトランジスタＱ２７のエミッ
タ電位により決足さね、その電流はトランジスタＱ１５
とトランジスタＱ１６〜Ｑ】８とによるカレントミラー
ゲインによｈ３倍にてい倍さｒ、ライン１２にけライン
７２】Ｉこ誇れる電流の３倍の電流が流ねる。またライ
ン１３に流ねるＮ流はトランジスタＱ２７のエミッタ電
位により決定され、その電流はトランジスタＱ１９とト
ランジスタＱ２０とによるカレントミラー動作により、
同じ大きさの電流ケライン１４に流す。トランジスタＱ
］、 ６〜Ｑ］８のエミッタからの基準電圧Ｅに基づ
く電圧はトランジスタＱ２’７）エミッタのバイアス電
圧となる。
インｌｌＩこ流りる電流はトランジスタＱ２７のエミッ
タ電位により決足さね、その電流はトランジスタＱ１５
とトランジスタＱ１６〜Ｑ】８とによるカレントミラー
ゲインによｈ３倍にてい倍さｒ、ライン１２にけライン
７２】Ｉこ誇れる電流の３倍の電流が流ねる。またライ
ン１３に流ねるＮ流はトランジスタＱ２７のエミッタ電
位により決定され、その電流はトランジスタＱ１９とト
ランジスタＱ２０とによるカレントミラー動作により、
同じ大きさの電流ケライン１４に流す。トランジスタＱ
］、 ６〜Ｑ］８のエミッタからの基準電圧Ｅに基づ
く電圧はトランジスタＱ２’７）エミッタのバイアス電
圧となる。
ライン１４に流力る電流によりトランジスタＱ２８のエ
ミッタ電位が決定され、そｆｌｌど基づいてトランジス
タＱ２６のコレクタ電流か流れる。このコレクタ電流は
、ライン１５に流力、後段回路の基準電流１１となる。
ミッタ電位が決定され、そｆｌｌど基づいてトランジス
タＱ２６のコレクタ電流か流れる。このコレクタ電流は
、ライン１５に流力、後段回路の基準電流１１となる。
この基準電流１１けトランジスタＱ１とトランジスタＱ
２とにＩリカレントミラー動作さね一１可変抵抗Ｒ１で
決定される電流がラインｒ６に流ねる。このライン１６
に流わる出力電流１０けトランジスタＱ４．Ｑ５とトラ
ンジスタＱ７．Ｑ８．Ｑ９．ＱＩＯとにより８倍にてい
倍され、ラインｌ！７には出力電流ＩＯを８倍した出力
電流１２が流ねる。この出力電流Ｉ２け、比較器などの
基準電流に用いられる。
２とにＩリカレントミラー動作さね一１可変抵抗Ｒ１で
決定される電流がラインｒ６に流ねる。このライン１６
に流わる出力電流１０けトランジスタＱ４．Ｑ５とトラ
ンジスタＱ７．Ｑ８．Ｑ９．ＱＩＯとにより８倍にてい
倍され、ラインｌ！７には出力電流ＩＯを８倍した出力
電流１２が流ねる。この出力電流Ｉ２け、比較器などの
基準電流に用いられる。
この第４図に示す回路は、トランジスタＱ１とトランジ
スタＱ２とによるカレントミラー回路の温度特性を補償
するため、ライン１５に流ねる基準電流１１に温度特性
を持たせている。カレントミラー回路のトランジスタＱ
２’７）コレクタのライン１６に流れる出力電流ＩＯは
、前記第１式と第２式との交点でめられる。ラインｌ！
５に流れる基ｆｌＡ電流１１よりも大きい電流域におい
て、ライン１６に流れる出力電流１ｆＯの温度特性全補
償するためには、第１式と第２式との関係から温度が上
昇するにつれて基準電、流１１が増加するようにすねば
よい。また出力電流ＩＯの小さい電流域においては、基
準電流１１の変化に対する影響は少ないため、温度特性
ケこれ以と悪化させることはない。
スタＱ２とによるカレントミラー回路の温度特性を補償
するため、ライン１５に流ねる基準電流１１に温度特性
を持たせている。カレントミラー回路のトランジスタＱ
２’７）コレクタのライン１６に流れる出力電流ＩＯは
、前記第１式と第２式との交点でめられる。ラインｌ！
５に流れる基ｆｌＡ電流１１よりも大きい電流域におい
て、ライン１６に流れる出力電流１ｆＯの温度特性全補
償するためには、第１式と第２式との関係から温度が上
昇するにつれて基準電、流１１が増加するようにすねば
よい。また出力電流ＩＯの小さい電流域においては、基
準電流１１の変化に対する影響は少ないため、温度特性
ケこれ以と悪化させることはない。
したがって出力電流ＩＯの大電流域においてのみ温度特
性の補償金すわばよいので、温度と昇と共に基準電流１
１’に増加させる。そのためにトランジスタＱ２０のエ
ミッタと抵抗Ｒ１１との間に。
性の補償金すわばよいので、温度と昇と共に基準電流１
１’に増加させる。そのためにトランジスタＱ２０のエ
ミッタと抵抗Ｒ１１との間に。
ダイオードＩｎ挿入している。
ダイオードＤの順方向電圧降下値ＶＦの温度係数△ＶＦ
け１次の′＠４式のようになる。
け１次の′＠４式のようになる。
△Ｖ Ｆ ニー ２．０ ｍＶ／℃−ｆ４１第１式に示
すように温度が上昇すると共に△ＶＦが減少する。した
がって順方向電圧降下値ＶＦけ。
すように温度が上昇すると共に△ＶＦが減少する。した
がって順方向電圧降下値ＶＦけ。
ｉ度り昇につ若て小さくなる。ダイオードＤＤ順方向電
圧降下が小さくなると、抵抗Ｒ１１に与えら力る電圧が
増加する。こ力によってトランジスタＱ２８のベース電
位およびトランジスタＱ２６のベース電位が以前Ｉり下
がり、ライン７’５？流ハる基率電流工１が増加する。
圧降下が小さくなると、抵抗Ｒ１１に与えら力る電圧が
増加する。こ力によってトランジスタＱ２８のベース電
位およびトランジスタＱ２６のベース電位が以前Ｉり下
がり、ライン７’５？流ハる基率電流工１が増加する。
温度り昇するにつれて基準電流１１が増加するが、トラ
ンジスタＱ１、Ｑ２の前記温度特性の関係からラインｅ
６に流れる出力電流を一定に保つことができる。したが
って大電流域における出力電流１２も一定に保つことが
でき、温度変化全補償することができる。
ンジスタＱ１、Ｑ２の前記温度特性の関係からラインｅ
６に流れる出力電流を一定に保つことができる。したが
って大電流域における出力電流１２も一定に保つことが
でき、温度変化全補償することができる。
第５図は１本発明の他の実施例の電気回路図である。男
５図にお論で、前記第】図に示す構成要素に対応するも
のには同一の参照符を付す。トランジスタＱｌｌのエミ
ッタにけ、抵抗Ｒ４？介して電源電圧ＶＣＣが与えられ
る。トランジスタＱ１１のベースは、トランジスタＱ２
７のエミッタとトランジスタＱ］２〜Ｑ１４の各ベース
とに接続さ力る。トランジスタＱ２７のベースはトラン
ジスタＱｌｌのコレクタに接続され、トランジスタＱｌ
ｌのコレクタと接地間には定電流が流力る。
５図にお論で、前記第】図に示す構成要素に対応するも
のには同一の参照符を付す。トランジスタＱｌｌのエミ
ッタにけ、抵抗Ｒ４？介して電源電圧ＶＣＣが与えられ
る。トランジスタＱ１１のベースは、トランジスタＱ２
７のエミッタとトランジスタＱ］２〜Ｑ１４の各ベース
とに接続さ力る。トランジスタＱ２７のベースはトラン
ジスタＱｌｌのコレクタに接続され、トランジスタＱｌ
ｌのコレクタと接地間には定電流が流力る。
トランジスタＱ１２．Ｑ１３のエミッタには抵抗Ｒ５？
介して電源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トランジスタＱ
１２．Ｑ１３のコレクタは、トランジスタＱ１５のコレ
クタおよびベース、ならびにトランジスタＱ１６〜Ｑ１
８の各ベースに接続すｈる。トランジスタＱｌ ２．Ｑ
１３ｕ、）ランジスタＱ２７のエミッタ電位により制御
される。基準電圧Ｖｃｃ／ｄトランジスタＱ１５のエミ
ッタに与えらネ、トランジスタＱ］６〜Ｑ１８のエミッ
タからの基準電流Ｅは抵抗Ｒ３ｆ介してトランジスタＱ
２のエミッタに与えられる。トランジスタＱ】５とトラ
ンジスタＱ］６〜Ｑ］８とによって。
介して電源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トランジスタＱ
１２．Ｑ１３のコレクタは、トランジスタＱ１５のコレ
クタおよびベース、ならびにトランジスタＱ１６〜Ｑ１
８の各ベースに接続すｈる。トランジスタＱｌ ２．Ｑ
１３ｕ、）ランジスタＱ２７のエミッタ電位により制御
される。基準電圧Ｖｃｃ／ｄトランジスタＱ１５のエミ
ッタに与えらネ、トランジスタＱ］６〜Ｑ１８のエミッ
タからの基準電流Ｅは抵抗Ｒ３ｆ介してトランジスタＱ
２のエミッタに与えられる。トランジスタＱ】５とトラ
ンジスタＱ］６〜Ｑ］８とによって。
カレントミラー回路が形成さ力る。
トランジスタＱ１４のエミッタには抵抗Ｒ６？介して電
源電圧Ｖｃｃ が与えらワ、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位によね制御される電流がライン／３に流れる。
源電圧Ｖｃｃ が与えらワ、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位によね制御される電流がライン／３に流れる。
トランジスタＱ１９のコレクタとベースとけ接続され、
そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接続される
。トランジスタＱ１９のエミッタにけ基量電圧Ｖｃｃ２
が与えら力。
そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接続される
。トランジスタＱ１９のエミッタにけ基量電圧Ｖｃｃ２
が与えら力。
トランジスタＱ２０のエミッタは抵抗Ｒ１１？介して接
地１ｔ−する。トランジスタＱ】９とトランジスタＱ２
０とによって、カレントミラー回路が形成される。トラ
ンジスタＱ２０のコレクタは、ライン／４″ｆ介してト
ランジスタＱ２］のコレクタにそれぞ力接続される。ト
ランジスタＱ２８のエミツタハ、トランジスタＱ２］、
Ｑ２６のベースにそれぞ九接続さねる。トランジスタＱ
２Ｒｆ７）ベースは、トランジスタＱ２］のコレクタに
そねそれ接続される。トランジスタＱ２１のエミッタに
け、抵抗Ｒ７を介して電源電圧ＶＣＣが与えられる。ト
ランジスタＱ２６のエミッタにけ一抵抗Ｒ８を介して電
源電圧Ｖｃｃ か与えら力ろ。トランジスタＱ２６のコ
レクタは、ライン１５？介してトランジスタＱ１のコレ
クタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続される。
地１ｔ−する。トランジスタＱ】９とトランジスタＱ２
０とによって、カレントミラー回路が形成される。トラ
ンジスタＱ２０のコレクタは、ライン／４″ｆ介してト
ランジスタＱ２］のコレクタにそれぞ力接続される。ト
ランジスタＱ２８のエミツタハ、トランジスタＱ２］、
Ｑ２６のベースにそれぞ九接続さねる。トランジスタＱ
２Ｒｆ７）ベースは、トランジスタＱ２］のコレクタに
そねそれ接続される。トランジスタＱ２１のエミッタに
け、抵抗Ｒ７を介して電源電圧ＶＣＣが与えられる。ト
ランジスタＱ２６のエミッタにけ一抵抗Ｒ８を介して電
源電圧Ｖｃｃ か与えら力ろ。トランジスタＱ２６のコ
レクタは、ライン１５？介してトランジスタＱ１のコレ
クタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続される。
トランジスタＱ１のベースは、トランジスタＱ２９のエ
ミッタおよびトランジスタＱ２のベースに接続される。
ミッタおよびトランジスタＱ２のベースに接続される。
トランジスタＱ１のエミッタは、可変抵抗Ｒ１？介して
接地さハる。トランジスタＱ２のエミッタけ。
接地さハる。トランジスタＱ２のエミッタけ。
ｉ抗Ｒ２に介して接地される。トランジスタＱｌとトラ
ンジス′りＱ２とにより、カレントミラー回路が形成さ
れる。
ンジス′りＱ２とにより、カレントミラー回路が形成さ
れる。
トランジスタＱ３のエミッタには、抵抗Ｒ９に介して電
源電圧Ｖｃｃ が与えらカる。トランジスタＱ３のベー
スは、トランジスタＱ４．Ｑ５のベースおよびトランジ
スタＱ３０のエミンタに接続される。トランジスタＱ３
カコレククは、トランジスタＱ３０のベースおよびトラ
ンジスタＱ２のコレクタに接続される。トランジスタＱ
４およびＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコレク
タおよびトランジスタＱ３］グ〕ベースに接続ζわる。
源電圧Ｖｃｃ が与えらカる。トランジスタＱ３のベー
スは、トランジスタＱ４．Ｑ５のベースおよびトランジ
スタＱ３０のエミンタに接続される。トランジスタＱ３
カコレククは、トランジスタＱ３０のベースおよびトラ
ンジスタＱ２のコレクタに接続される。トランジスタＱ
４およびＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコレク
タおよびトランジスタＱ３］グ〕ベースに接続ζわる。
トランジスタＱ６２）ベースは、トランジスタＱ３１の
エミッタおよびトランジスタＱ７〜ＱＩＯの各ベースに
接続さハる。トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ１
２ケ介して接地さ力る。トランジスタＱ７〜ＱＩＯの各
エミッタは、抵抗Ｒ１３に介して接地される。トランジ
スタＱ７〜Ｑ１０のコレクタにけ、電源ＶＣＣが与えら
力る。
エミッタおよびトランジスタＱ７〜ＱＩＯの各ベースに
接続さハる。トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ１
２ケ介して接地さ力る。トランジスタＱ７〜ＱＩＯの各
エミッタは、抵抗Ｒ１３に介して接地される。トランジ
スタＱ７〜Ｑ１０のコレクタにけ、電源ＶＣＣが与えら
力る。
この第５図に示す実施例は、躯４図に示した実施例と同
様トランジスタＱｌとトランジスタＱ２とによるカレン
トミラー回路の温度特性ケ補償するため、ライン１５に
流４る基準電流Ｉ］ヶ温度上昇と共に増加させることケ
行なっている。箪５図に示す実施例は、前記第１図１こ
示すトランジスタＱ２２〜Ｑ２５の動作１ｒ １個のト
ランジスタＱ２】で行なうものである。第１１￥１にお
けるトランジスタＱ２］〜Ｑ２５とトランジスタＱ２６
とによるカレントミラー回路のミラー幼作パランスケ崩
し、温度上昇と共ＩＣミラーゲインが増大するように定
数の設定ケ行なう。つまり軍１図におｈては、トランジ
スタＱ２］・〜Ｑ２５のそれぞれについて同一の電流が
流力るように設計していたの？。
様トランジスタＱｌとトランジスタＱ２とによるカレン
トミラー回路の温度特性ケ補償するため、ライン１５に
流４る基準電流Ｉ］ヶ温度上昇と共に増加させることケ
行なっている。箪５図に示す実施例は、前記第１図１こ
示すトランジスタＱ２２〜Ｑ２５の動作１ｒ １個のト
ランジスタＱ２】で行なうものである。第１１￥１にお
けるトランジスタＱ２］〜Ｑ２５とトランジスタＱ２６
とによるカレントミラー回路のミラー幼作パランスケ崩
し、温度上昇と共ＩＣミラーゲインが増大するように定
数の設定ケ行なう。つまり軍１図におｈては、トランジ
スタＱ２］・〜Ｑ２５のそれぞれについて同一の電流が
流力るように設計していたの？。
＠５図の実施例ではトランジスタＱ２２〜Ｑ２５を取り
去り、トランジスタＱ２１にトランジスタＱ２６より多
くの電流を流す。
去り、トランジスタＱ２１にトランジスタＱ２６より多
くの電流を流す。
トランジスタのベース・エミッタ間電圧ＶＢＨの温度係
数は１次の＠５式で表わさねる。
数は１次の＠５式で表わさねる。
ただしｋけボルツマン定数、ｑけ電子の電荷密度。
γけ定数（中１．５）、Ｖｇｏｉｊエネルギ・ギヤング
である。この第５式かられかるようにＶＢＥが大きい程
、温度係数は小さくなる。
である。この第５式かられかるようにＶＢＥが大きい程
、温度係数は小さくなる。
トランジスタＱ２１とトランジスタＱ２６との各ベース
・エミッタ間電圧ＶＢＥを比べると、トランジスタＱ２
１の方が絶えず大きくなってｂる。
・エミッタ間電圧ＶＢＥを比べると、トランジスタＱ２
１の方が絶えず大きくなってｂる。
なぜならば、トランジスタＱ２１に流れる電流はトラン
ジスタＱ２６１こ流りる電流より多くなるように設計さ
れているからである。したがってトランジスタＱ２１の
温度係数の方がトランジスタＱ２６の温度係数Ｉり本ｚ
Ｊ−ざくなり、温度上昇と共にカレントミラーゲインが
上昇する。こ４によってトランジスタＱ２６のベース電
位が下がり、ラインｌ！５に流れる基準電流Ｉ】が以前
より多く流れ、前記温度特性の関係からラインｌ！６に
流れる出力［流Ｉｎ？一定ｔど保つことができ、ライン
１７の出力電流Ｉ２も一定に保たれる。このような回路
構成により、大電流域における出力電流■２の温度によ
る変化を基準電流■］の温度による変化を用いて補償す
ることができる。
ジスタＱ２６１こ流りる電流より多くなるように設計さ
れているからである。したがってトランジスタＱ２１の
温度係数の方がトランジスタＱ２６の温度係数Ｉり本ｚ
Ｊ−ざくなり、温度上昇と共にカレントミラーゲインが
上昇する。こ４によってトランジスタＱ２６のベース電
位が下がり、ラインｌ！５に流れる基準電流Ｉ】が以前
より多く流れ、前記温度特性の関係からラインｌ！６に
流れる出力［流Ｉｎ？一定ｔど保つことができ、ライン
１７の出力電流Ｉ２も一定に保たれる。このような回路
構成により、大電流域における出力電流■２の温度によ
る変化を基準電流■］の温度による変化を用いて補償す
ることができる。
第６図は１本発明のさらに他の実施例の電気回路図であ
る。トランジスタＱｌｌのエミッタにけ。
る。トランジスタＱｌｌのエミッタにけ。
抵抗Ｒ４’ｉｚ介して電源電圧ＶＣＣが与えられる。
トランジスタＱｌｌのベースは、トランジスタＱ２７の
エミッタとトランジスタＱ１２〜Ｑ１４の各ベースとに
接続される。トランジスタＱ２７’７）ベースはトラン
ジスタＱｌｌのコレクタに接続さ７１、トランジスタＱ
ｌｌのコレクタと接地間ｌごけ定電流が流ねる。トラン
ジスタＱｌ ２．Ｑｌ ３’７）エミッタには抵抗Ｒ５
’ｉｌ−介して電源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トラン
ジスタＱ１２．Ｑ１３のコレクタは、トランジスタＱ１
５のコレクタおＩびベースならびにトランジスタＱ１６
〜Ｑ１Ｈの各ベースに接続さね−る。トランジスタＱ１
２．Ｑ１３け、トランジスタＱ２７のエミッタ電位によ
り制御される。基準電圧ＶＣＣ２けトランジスタＱ１５
のエミッタに与えらワ、トランジスタＱ１６〜Ｑ１８の
エミッタからの基準電圧ＥけダイオードＤ２および抵抗
Ｒ３’Ｔｈ介してトランジスタＱ２のエミッタに与えら
力る。トランジスタＱ１５とトランジスタＱ１６〜Ｑ］
８とによって、カレントミラー回路が形成される。
エミッタとトランジスタＱ１２〜Ｑ１４の各ベースとに
接続される。トランジスタＱ２７’７）ベースはトラン
ジスタＱｌｌのコレクタに接続さ７１、トランジスタＱ
ｌｌのコレクタと接地間ｌごけ定電流が流ねる。トラン
ジスタＱｌ ２．Ｑｌ ３’７）エミッタには抵抗Ｒ５
’ｉｌ−介して電源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トラン
ジスタＱ１２．Ｑ１３のコレクタは、トランジスタＱ１
５のコレクタおＩびベースならびにトランジスタＱ１６
〜Ｑ１Ｈの各ベースに接続さね−る。トランジスタＱ１
２．Ｑ１３け、トランジスタＱ２７のエミッタ電位によ
り制御される。基準電圧ＶＣＣ２けトランジスタＱ１５
のエミッタに与えらワ、トランジスタＱ１６〜Ｑ１８の
エミッタからの基準電圧ＥけダイオードＤ２および抵抗
Ｒ３’Ｔｈ介してトランジスタＱ２のエミッタに与えら
力る。トランジスタＱ１５とトランジスタＱ１６〜Ｑ］
８とによって、カレントミラー回路が形成される。
トランジスタＱ１４のエミッタには抵抗Ｒ６を介して電
源電圧Ｖｃｃ が与えられ、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位により制御される電流がライン１３に流しる。
源電圧Ｖｃｃ が与えられ、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位により制御される電流がライン１３に流しる。
トランジスタＱ１９のコレクタとベースとけ接続され、
そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接続される
。トランジスタＱ］９のエミッタにけ基準電圧Ｖｃｃ２
が与えられ。
そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接続される
。トランジスタＱ］９のエミッタにけ基準電圧Ｖｃｃ２
が与えられ。
トランジスタＱ２０のエミッタはダイオードＤおよび抵
抗Ｒ１１？介して接地される。トランジスタＱ１９とト
ランジスタＱ２０とによって、カレントミラー回路が形
成される。トランジスタＱ２０のコレクタけ、ラインｌ
！４ｙ−介してトランジスタＱ２１〜Ｑ２５のコレクタ
にそれぞれ接続すれる。トランジスタＱ２８のエミッタ
は、トランジスタＱ２１〜Ｑ２６のベースにそれぞ引接
続される。トランジスタＱ２８のベースは、トランジス
タＱ２１〜Ｑ２５のコレクタにそれぞれ接続される。ト
ランジスタＱ２１〜Ｑ２５のエミッタには。
抗Ｒ１１？介して接地される。トランジスタＱ１９とト
ランジスタＱ２０とによって、カレントミラー回路が形
成される。トランジスタＱ２０のコレクタけ、ラインｌ
！４ｙ−介してトランジスタＱ２１〜Ｑ２５のコレクタ
にそれぞれ接続すれる。トランジスタＱ２８のエミッタ
は、トランジスタＱ２１〜Ｑ２６のベースにそれぞ引接
続される。トランジスタＱ２８のベースは、トランジス
タＱ２１〜Ｑ２５のコレクタにそれぞれ接続される。ト
ランジスタＱ２１〜Ｑ２５のエミッタには。
抵抗Ｒ７？介して電源電圧Ｖｃｃ が与えられる。
トランジスタＱ２６のエミッタには、抵抗Ｒ８？介して
電源電圧ＶＣＣが与えられる。トランジスタＱ２６のコ
レクタは、ラインｌ！５？介してトランジスタＱ１のコ
レクタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続される
。トランジスタＱ１のベースは、トランジスタＱ２９の
エミッタおよびトランジスタＱ ？、のベースに接続さ
れる。トランジスタＱ１のエミッタは、可変抵抗Ｒ１？
介して接地さｎ、る。トランジスタＱ２のエミッタは、
抵抗Ｒ２？介して接地さ力る。トランジスタＱ１とトラ
ンジスタＱ２とにより、カレントミラー回路が形成され
る。
電源電圧ＶＣＣが与えられる。トランジスタＱ２６のコ
レクタは、ラインｌ！５？介してトランジスタＱ１のコ
レクタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続される
。トランジスタＱ１のベースは、トランジスタＱ２９の
エミッタおよびトランジスタＱ ？、のベースに接続さ
れる。トランジスタＱ１のエミッタは、可変抵抗Ｒ１？
介して接地さｎ、る。トランジスタＱ２のエミッタは、
抵抗Ｒ２？介して接地さ力る。トランジスタＱ１とトラ
ンジスタＱ２とにより、カレントミラー回路が形成され
る。
トランジスタＱ３のエミッタには、抵抗Ｒ９？介して電
源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トランジスタＱ３０のベ
ースは、トランジスタＱ４．Ｑ５ＬＤペースおよびトラ
ンジスタＱ３０のエミッタに接続きれる。トランジスタ
Ｑ３のコレクタは、トランジスタＱ３０のベースおよび
トランジスタＱ２のコレクタに接続さ力る。トランジス
タＱ４およびＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコ
レクタおよびトランジスタＱ３１のベースに接続さする
。トランジスタＱ６のベースは、トランジスタＱ３］の
エミッタおよびトランジスタＱ７〜Ｑ１０の各ベースに
接続される。トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ１
２Ｔｈ介して接地さ力る。トランジスタＱ７〜ＱＩＯの
各エミッタは、抵抗Ｒ１３を介して接地される。トラン
ジスタＱ７〜ＱｌＯのコレクタにけ、電源ＶＣＣが与え
られる。
源電圧Ｖｃｃ が与えられる。トランジスタＱ３０のベ
ースは、トランジスタＱ４．Ｑ５ＬＤペースおよびトラ
ンジスタＱ３０のエミッタに接続きれる。トランジスタ
Ｑ３のコレクタは、トランジスタＱ３０のベースおよび
トランジスタＱ２のコレクタに接続さ力る。トランジス
タＱ４およびＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコ
レクタおよびトランジスタＱ３１のベースに接続さする
。トランジスタＱ６のベースは、トランジスタＱ３］の
エミッタおよびトランジスタＱ７〜Ｑ１０の各ベースに
接続される。トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ１
２Ｔｈ介して接地さ力る。トランジスタＱ７〜ＱＩＯの
各エミッタは、抵抗Ｒ１３を介して接地される。トラン
ジスタＱ７〜ＱｌＯのコレクタにけ、電源ＶＣＣが与え
られる。
この第６図に示す実施例は、前記笥１式および第２式に
示す関係からライン１７の出力側１２がラインｌ！５に
流ｎる基準電流Ｉ］、１′りも小さい電流域における温
度特性の補償全行なうものである。第３図のグラフで示
すように温度が上昇するに従ってラインｌ！７に流れる
出力電流Ｉ２が増加するので、それを防ぐためにライン
／６に流わ、る電流ＩＯを温度上昇と共に減少させる。
示す関係からライン１７の出力側１２がラインｌ！５に
流ｎる基準電流Ｉ］、１′りも小さい電流域における温
度特性の補償全行なうものである。第３図のグラフで示
すように温度が上昇するに従ってラインｌ！７に流れる
出力電流Ｉ２が増加するので、それを防ぐためにライン
／６に流わ、る電流ＩＯを温度上昇と共に減少させる。
それにはトランジスタＱ２のエミッタ電位を温度上昇と
共に高くするようにすわばよい。そのためにトランジス
タＱ１６〜Ｑ１Ｂのエミッタと抵抗Ｒ３との間にダイオ
ードＤ２が接続される。ダイオードＤ２の温度特性は前
記第４式に示すような関係になシ、温度上昇と共薔ζダ
イオードＤ２の順方向電圧降下が小さくなる。したがっ
て、温度が高くなるにつれてトランジスタＱ２のエミッ
タの電位が高くなり、ライン／６を流ハ、る出力電流■
０が減少する方向になり、出力電流ＩＯ′（＋−−足に
保つ。この出力電流ＩＯが一足番ご保ｆＣｔすることＳ
こより、ライン１７に流れる出力電流Ｉ２が一定ｉｎ保
つことができる。
共に高くするようにすわばよい。そのためにトランジス
タＱ１６〜Ｑ１Ｂのエミッタと抵抗Ｒ３との間にダイオ
ードＤ２が接続される。ダイオードＤ２の温度特性は前
記第４式に示すような関係になシ、温度上昇と共薔ζダ
イオードＤ２の順方向電圧降下が小さくなる。したがっ
て、温度が高くなるにつれてトランジスタＱ２のエミッ
タの電位が高くなり、ライン／６を流ハ、る出力電流■
０が減少する方向になり、出力電流ＩＯ′（＋−−足に
保つ。この出力電流ＩＯが一足番ご保ｆＣｔすることＳ
こより、ライン１７に流れる出力電流Ｉ２が一定ｉｎ保
つことができる。
以上のような回路構成により、基準電流１１よりも小さ
い電流域Ｓごおける出力電流Ｉ２の温度による変化管、
トランジスタＱ２１７）エミッタに与えられる電圧の温
度による変化ケ利用して補償することが可能となる。
い電流域Ｓごおける出力電流Ｉ２の温度による変化管、
トランジスタＱ２１７）エミッタに与えられる電圧の温
度による変化ケ利用して補償することが可能となる。
第７図は１本発明の他の実施例の電気回路図である。ト
ランジスタＱｌｌのエミッタにＦｉ、抵抗Ｒ４を介して
電源電圧ＶＣＣが与えらガる。トランジスタＱ】１のベ
ースは、トランジスタＱ２７のエミッタとトランジスタ
Ｑ１２〜Ｑ１４の各ベースとに接続される。トランジス
タＱ２７１７’ｌベースはトランジスタＱｌｌのコレク
タに接続され。
ランジスタＱｌｌのエミッタにＦｉ、抵抗Ｒ４を介して
電源電圧ＶＣＣが与えらガる。トランジスタＱ】１のベ
ースは、トランジスタＱ２７のエミッタとトランジスタ
Ｑ１２〜Ｑ１４の各ベースとに接続される。トランジス
タＱ２７１７’ｌベースはトランジスタＱｌｌのコレク
タに接続され。
トランジスタＱｌｌのコレクタと接地間には定電流が流
力る。トランジスタＱ１２．Ｑ］３のエミッタ５ごに抵
抗Ｒ５を介して電源電圧ＶＣＣが与えら力る。トランジ
スタＱ１２．Ｑ１３のコレクタは、トランジスタＱＩ５
のコレクタおよびベース。
力る。トランジスタＱ１２．Ｑ］３のエミッタ５ごに抵
抗Ｒ５を介して電源電圧ＶＣＣが与えら力る。トランジ
スタＱ１２．Ｑ１３のコレクタは、トランジスタＱＩ５
のコレクタおよびベース。
ならひにトランジスタＱｌ６〜Ｑ１Ｈの各ベースに接続
される。トランジスタＱｌ ２．Ｑｌ ３Ｈ。
される。トランジスタＱｌ ２．Ｑｌ ３Ｈ。
トランジスタＱ２７のエミッタ電位により制御さｒる。
基準電圧Ｖｃｃ２ＨトランジスタＱ１５のエミッタに与
えられ、トランジスタＱ］６〜Ｑ１８のエミッタからの
基準電圧Ｅｉｊ抵抗抵抗全３ケ介トランジスタＱ２のエ
ミッタに与えられる。トランジスタＱ１５とトランジス
タＱ１６〜Ｑ１８とＳこよって、カレントミラー回路方
形成され、る。
えられ、トランジスタＱ］６〜Ｑ１８のエミッタからの
基準電圧Ｅｉｊ抵抗抵抗全３ケ介トランジスタＱ２のエ
ミッタに与えられる。トランジスタＱ１５とトランジス
タＱ１６〜Ｑ１８とＳこよって、カレントミラー回路方
形成され、る。
トランジスタＱ１４のエミッタにに抵抗Ｒ６’に介して
電源電圧ＶＣＣが与えら力、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位により制御される電流がラインｌ！３に流ネる
。トランジスタＱ１９のコレクタとベースとけ接続され
、そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接続され
る。トランジスタＱ１９のエミッタにけ基準電圧Ｖｃｃ
２が与えら７′１゜トランジスタＱ２０のエミッタはダ
イオードＤおよび抵抗Ｒ１１’に介して接地さり、る。
電源電圧ＶＣＣが与えら力、トランジスタＱ２７のエミ
ッタ電位により制御される電流がラインｌ！３に流ネる
。トランジスタＱ１９のコレクタとベースとけ接続され
、そのベースはトランジスタＱ２０のベースに接続され
る。トランジスタＱ１９のエミッタにけ基準電圧Ｖｃｃ
２が与えら７′１゜トランジスタＱ２０のエミッタはダ
イオードＤおよび抵抗Ｒ１１’に介して接地さり、る。
トランジスタＱ１９とトランジスタＱ２０とによって、
カレントミラー回路が形成さ力る。トランジスタＱ２０
のコレクタは、ラインｅ４ヶ介してトランジスタＱ２１
〜Ｑ２５のコレクタにそ力ぞ力接続さ力る。トランジス
タＱ２８のエミッタは、トランジスタＱ２１〜Ｑ２６の
ベースにそねぞｌｔ′ｌ接続される。トランジスタＱ２
８のベースは、トランジスタＱ２１〜Ｑ２５のコレクタ
にそれぞｈ接続される。トランジスタＱ２１〜Ｑ２５の
エミッタには。
カレントミラー回路が形成さ力る。トランジスタＱ２０
のコレクタは、ラインｅ４ヶ介してトランジスタＱ２１
〜Ｑ２５のコレクタにそ力ぞ力接続さ力る。トランジス
タＱ２８のエミッタは、トランジスタＱ２１〜Ｑ２６の
ベースにそねぞｌｔ′ｌ接続される。トランジスタＱ２
８のベースは、トランジスタＱ２１〜Ｑ２５のコレクタ
にそれぞｈ接続される。トランジスタＱ２１〜Ｑ２５の
エミッタには。
抵抗Ｒ７を介して電源電圧Ｖｃｃ が与えらｈる。
トランジスタＱ２６のエミッタにけ、抵抗Ｒ８を介して
電源電圧ＶＣＣが与えられる。トランジスタＱ２６のコ
レクタは、ライン１５を介してトランジスタＱ】のコレ
クタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続ラネる。
電源電圧ＶＣＣが与えられる。トランジスタＱ２６のコ
レクタは、ライン１５を介してトランジスタＱ】のコレ
クタおよびトランジスタＱ２９のベースに接続ラネる。
トランジスタＱｌのベースけ、トランジスタＱ２９のエ
ミッタおよびトランジスタＱ２の・ベースに接続される
。トランジスタＱ１のエミッタは、可変抵抗Ｒ１？：介
して接地される。トランジスタＱ２のエミッタけ、抵抗
Ｒ２を介して接地さガる。トランジスタＱ１とトランジ
スタＱ２とにより、カレントミラー回路が形成される。
ミッタおよびトランジスタＱ２の・ベースに接続される
。トランジスタＱ１のエミッタは、可変抵抗Ｒ１？：介
して接地される。トランジスタＱ２のエミッタけ、抵抗
Ｒ２を介して接地さガる。トランジスタＱ１とトランジ
スタＱ２とにより、カレントミラー回路が形成される。
トランジスタＱ３のエミッタにＨ，抵抗Ｒ９？＋７介し
て電源電圧ＶＣＣが与えらねる。トランジスタＱ３１７
）ベースは、トランジスタＱ４．Ｑ５のベースおよびト
ランジスタＱ３０のエミッタに接続さねる。トランジス
タＱ３７）コレクタは、トランジスタＱ３０のベースお
よびトランジスタＱ２のコレクタに接続される。トラン
ジスタＱ４おＩびＱ５のコレクタけ、トランジスタＱ６
のコレクタおよびトランジスタＱ３］のベースに接続さ
れる。
て電源電圧ＶＣＣが与えらねる。トランジスタＱ３１７
）ベースは、トランジスタＱ４．Ｑ５のベースおよびト
ランジスタＱ３０のエミッタに接続さねる。トランジス
タＱ３７）コレクタは、トランジスタＱ３０のベースお
よびトランジスタＱ２のコレクタに接続される。トラン
ジスタＱ４おＩびＱ５のコレクタけ、トランジスタＱ６
のコレクタおよびトランジスタＱ３］のベースに接続さ
れる。
トランジスタＱ６のベースは、トランジスタＱ３１のエ
ミッタおよびトランジスタＱ７〜ＱＩＯの各ベースに接
続される。トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ１２
？介して接地さ力る。トランジスタＱ７〜ＱＩＯの各エ
ミッタは、抵抗Ｒ］３全３ヲ介接地される。寸だトラン
ジスタＱ７〜Ｑ１０の各エミッタは、ダイオードＤ３お
よび抵抗Ｒ］４′（＋７介して接地される。トランジス
タＱ７〜ＱＩＯのコレクタにけ、電源Ｖｃｃ が与えら
れる。
ミッタおよびトランジスタＱ７〜ＱＩＯの各ベースに接
続される。トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ１２
？介して接地さ力る。トランジスタＱ７〜ＱＩＯの各エ
ミッタは、抵抗Ｒ］３全３ヲ介接地される。寸だトラン
ジスタＱ７〜Ｑ１０の各エミッタは、ダイオードＤ３お
よび抵抗Ｒ］４′（＋７介して接地される。トランジス
タＱ７〜ＱＩＯのコレクタにけ、電源Ｖｃｃ が与えら
れる。
この第７図に示す実施例は、トランジスタＱ１とトラン
ジスタＱ２とによるカレントミラー回路の出力電流ＩＯ
を８倍にてい倍（２倍×４倍）しているカレントミラー
回路の一部のパランスケ崩して犬＠流域において、トラ
ンジスタＱ６とトランジスタＱ７〜ＱＩＯとによるカレ
ントミラー回路のカレントミラーゲインに正の温度係数
ケ持たせている。つまり第１図に示す回路の抵抗Ｒ１３
に並列にダイオードＤ３と抵抗Ｒ１４との直列素子を接
続する。このような回路構成にすると、小電流域におい
てはダイオードＤ３にほとんど電流が流わず、抵抗Ｒ］
２と抵抗Ｒ１３とによって前記カレントミラーゲインが
決定される。つまりカレントミラーゲインは従来と同じ
倍率であるが。
ジスタＱ２とによるカレントミラー回路の出力電流ＩＯ
を８倍にてい倍（２倍×４倍）しているカレントミラー
回路の一部のパランスケ崩して犬＠流域において、トラ
ンジスタＱ６とトランジスタＱ７〜ＱＩＯとによるカレ
ントミラー回路のカレントミラーゲインに正の温度係数
ケ持たせている。つまり第１図に示す回路の抵抗Ｒ１３
に並列にダイオードＤ３と抵抗Ｒ１４との直列素子を接
続する。このような回路構成にすると、小電流域におい
てはダイオードＤ３にほとんど電流が流わず、抵抗Ｒ］
２と抵抗Ｒ１３とによって前記カレントミラーゲインが
決定される。つまりカレントミラーゲインは従来と同じ
倍率であるが。
大電流域においては除々にダイオードＤ３の内部抵抗が
下がり、抵抗Ｒ１３と並列に抵抗Ｒ１４が入ることにな
る。こねによってトランジスタＱ７〜ＱＩＯのエミンタ
電位が下がり、カレントミラーゲインが上昇することに
なる。またダイオードＤ３の内部抵抗は温度上昇と共に
低下するため。
下がり、抵抗Ｒ１３と並列に抵抗Ｒ１４が入ることにな
る。こねによってトランジスタＱ７〜ＱＩＯのエミンタ
電位が下がり、カレントミラーゲインが上昇することに
なる。またダイオードＤ３の内部抵抗は温度上昇と共に
低下するため。
抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１４との並列抵抗１ｆｌｌｊ低下す
る。これによって、トランジスタＱ１６とトランジスタ
Ｑ７〜ＱＩＯとによるカレントミラーゲインは増加する
ことになる。以上のような回路構成により、大電流域に
おける出力電流Ｉ２の温度による変化を出力側に接続さ
れているてい借用カレントミラー回路のカレントミラー
ゲインの温度による変化を用いて補償することが可能と
なる。しかもこのような回路は、大電流域における可変
抵抗Ｒ１の設定抵抗と出力電流Ｉ２との非線形性も補償
することができる。
る。これによって、トランジスタＱ１６とトランジスタ
Ｑ７〜ＱＩＯとによるカレントミラーゲインは増加する
ことになる。以上のような回路構成により、大電流域に
おける出力電流Ｉ２の温度による変化を出力側に接続さ
れているてい借用カレントミラー回路のカレントミラー
ゲインの温度による変化を用いて補償することが可能と
なる。しかもこのような回路は、大電流域における可変
抵抗Ｒ１の設定抵抗と出力電流Ｉ２との非線形性も補償
することができる。
効果
以上のように本発明によりば１回路素子の温度特性を補
償することができ、安定した出カケ得ることができる。
償することができ、安定した出カケ得ることができる。
＠１図は先行技術のカレントミラー回路の電気回路図、
第２図はバンドギャップ型回路の一例ケ示す電気回路図
、第３図は設定抵抗値ｒ】と出力電流Ｉ２との関係を示
すグラフ、男４図は本発明の一実施例の電気回路図、９
に５図は本発明の他の実施例の電気回路図、第６図は本
発明のさらぷこ他の実施例の電気回路図、第７図は本発
明の他の実施例の電気回路図である。 Ｑ】〜Ｑ２９・ トランジスタ、Ｒ１・・・可変抵抗。 Ｒ２−Ｒ１４・・・抵抗、Ｄ、Ｄ２．Ｄ３・・・ダイオ
ード 代理人 弁理士 西教圭一部 第２図 第３図 歓ＵＬｒ１（に０）
第２図はバンドギャップ型回路の一例ケ示す電気回路図
、第３図は設定抵抗値ｒ】と出力電流Ｉ２との関係を示
すグラフ、男４図は本発明の一実施例の電気回路図、９
に５図は本発明の他の実施例の電気回路図、第６図は本
発明のさらぷこ他の実施例の電気回路図、第７図は本発
明の他の実施例の電気回路図である。 Ｑ】〜Ｑ２９・ トランジスタ、Ｒ１・・・可変抵抗。 Ｒ２−Ｒ１４・・・抵抗、Ｄ、Ｄ２．Ｄ３・・・ダイオ
ード 代理人 弁理士 西教圭一部 第２図 第３図 歓ＵＬｒ１（に０）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１＋基準電圧を作成する第１のカレントミラー回路と
、基準電流を作成する第２のカレントミラー回路と、第
１のカレントミラー回路からの基準電圧をバイアス電圧
とし第２のカレントミラー回路からの基準電流に基づい
てカレントミラー動作を行なう第３のカレントミラー回
路と、第３のカレントミラー回路からの出力電流を予め
定めた値にてい倍する第４のカレントミラー回路とを含
み。 第２のカレントミラー回路のバイアス回路に温度上昇と
共に順方向内部抵抗が低下するダイオードを挿入して、
第４のカレントミラー回路の出力電流が第２のカレント
ミラー回路からの基準電流Ｘり大きい際、温度上昇と共
にその基準電流を増加させることを特徴とするカレント
ミラー回路における温度補償法。 ＋２１第２のカレントミラー回路の入力側のトランジス
タに出力側のトランジスタより多くの電流を流し、その
回路のミラー動作のバランスを崩し。 第４のカレントミラー回路の出力電流が第２のカレント
ミラー回路からの基準電流より大きい際。 温度上昇と共に第２のカレントミラー回路のカレントミ
ラーゲインを増大させることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のカレントミラー回路における温度補償法
。 ＋３１第１のカレントミラー回路からの基準電圧を。 温度上昇と共ｆこ順方向内部抵抗が低下するダイオード
ケ介して第３のカレントミラー回路のバイアス回路Ｓこ
与え、第４のカレントミラー回路の出力電流が第２のカ
レントミラー回路からの基準電流より小さい際、温度上
昇と共に第３のカレントミラー回路の出力電流音減少さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のカレ
ントミラー回路における温度補償法。 ＋４１８４のカレントミラー回路のバイアス回路の抵抗
に並列接続されたダイオードと抵抗との直列回路を有し
＆第４のカレントミラー回路の出力電流が第２のカレン
トミラー回路からの基準電流より大きい際、温度上昇と
共にダイオードの内部抵抗の低下により、第４のカレン
トミラー回路のカレントミラーゲイン全増大きせること
全特徴とする特許請求の範囲第１項記載のカレントミラ
ー回路における温度補償法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088976A JPS60232708A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | カレントミラ−回路における温度補償法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088976A JPS60232708A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | カレントミラ−回路における温度補償法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60232708A true JPS60232708A (ja) | 1985-11-19 |
Family
ID=13957827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59088976A Pending JPS60232708A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | カレントミラ−回路における温度補償法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60232708A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326006A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-04 | Sharp Corp | 定電流回路 |
| KR19980055018A (ko) * | 1996-12-27 | 1998-09-25 | 김광호 | 온도보상 전류 제어회로 |
-
1984
- 1984-05-02 JP JP59088976A patent/JPS60232708A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326006A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-04 | Sharp Corp | 定電流回路 |
| KR19980055018A (ko) * | 1996-12-27 | 1998-09-25 | 김광호 | 온도보상 전류 제어회로 |
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