JPS60235708A - 窒化珪素微粉末の製造方法 - Google Patents
窒化珪素微粉末の製造方法Info
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- JPS60235708A JPS60235708A JP9135484A JP9135484A JPS60235708A JP S60235708 A JPS60235708 A JP S60235708A JP 9135484 A JP9135484 A JP 9135484A JP 9135484 A JP9135484 A JP 9135484A JP S60235708 A JPS60235708 A JP S60235708A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化珪素微粉末の製造方法に関する発明である
。更に詳しくは一般式がＲｎ５ｉ（ＮＲ”。
。更に詳しくは一般式がＲｎ５ｉ（ＮＲ”。
Ｒ１１）ｍ（式中、Ｒ，Ｒ’ 、 Ｒ”はそれぞれ水素
、アルキル基、アリル基またはフェニル基を示す、たゾ
し、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”が同時に水素である場合を除く、ｎ
＝ｏ〜３、ｍ ＝ ４− ｎである）で表わさ第１るア
ミノシラン化合物、一般式がＲｎＳ ｉ（ＣＮ）ｍ （
式中、Ｒは水素、アルキル基、アリル基、フェニル基を
示し、ｎ−０〜３、ｍ＝４−ｎである）で表わされるシ
アノシラン化合物または一般式が（Ｒ１Ｒ’ ＋ Ｒ”
Ｓ ｌ）２ Ｎ Ｒ”’あるいはモＲＲ’ Ｓ ｊ−
ＮＲ” −） ｎ （式中、Ｒ，Ｒ’ 、 Ｒ” 、
Ｒ”’はそれぞれ水素、アルキル基、アリル基またはフ
ェニル基を示し、ｎは５または４である、ただしＲ，Ｒ
’ 、 Ｒ”、 Ｒ”’が同時に水素である場合を除く
）で表わされるシラザン化合物を気相反応させることを
特徴とする窒化珪素微粉末の製造方法に関する発明であ
る。
、アルキル基、アリル基またはフェニル基を示す、たゾ
し、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”が同時に水素である場合を除く、ｎ
＝ｏ〜３、ｍ ＝ ４− ｎである）で表わさ第１るア
ミノシラン化合物、一般式がＲｎＳ ｉ（ＣＮ）ｍ （
式中、Ｒは水素、アルキル基、アリル基、フェニル基を
示し、ｎ−０〜３、ｍ＝４−ｎである）で表わされるシ
アノシラン化合物または一般式が（Ｒ１Ｒ’ ＋ Ｒ”
Ｓ ｌ）２ Ｎ Ｒ”’あるいはモＲＲ’ Ｓ ｊ−
ＮＲ” −） ｎ （式中、Ｒ，Ｒ’ 、 Ｒ” 、
Ｒ”’はそれぞれ水素、アルキル基、アリル基またはフ
ェニル基を示し、ｎは５または４である、ただしＲ，Ｒ
’ 、 Ｒ”、 Ｒ”’が同時に水素である場合を除く
）で表わされるシラザン化合物を気相反応させることを
特徴とする窒化珪素微粉末の製造方法に関する発明であ
る。
近年、窒化珪素や炭化珪素等の非酸化系セラミックスは
高温強度や耐熱衝撃性などの高温特性に優れているため
、その製造法や応用に関する研究が盛んに行われており
、ガスタービン、ジーゼルエンジン、あるいは熱交換器
等の耐熱構造材料としてその用途が拓けつつある。
高温強度や耐熱衝撃性などの高温特性に優れているため
、その製造法や応用に関する研究が盛んに行われており
、ガスタービン、ジーゼルエンジン、あるいは熱交換器
等の耐熱構造材料としてその用途が拓けつつある。
なかでも窒化珪素は、１）機械的強度が大きく、高温に
おいてもその強度を保持する。２）−熱衝撃性に優れて
いる。３）化学的に安定であり耐腐食性がよい。４〕熱
膨張率がきわめて小さい。 などの特性を有しているた
め特に注目されている。しかしながら高温高応力材料と
ルでの窒化珪素焼結体には高温時における物理−・化学
的な安定性と信頼性が厳に要求されてＳす、とりわけ窒
化珪素焼結体にとって重要な因子である熱的１機械的特
性はその原料に大きく影響されるため、原料窒化珪素は
できるだけ不純物を含まずしかも微細でありかつ結晶質
の場合はα相含有率の高いものが望まれている。
おいてもその強度を保持する。２）−熱衝撃性に優れて
いる。３）化学的に安定であり耐腐食性がよい。４〕熱
膨張率がきわめて小さい。 などの特性を有しているた
め特に注目されている。しかしながら高温高応力材料と
ルでの窒化珪素焼結体には高温時における物理−・化学
的な安定性と信頼性が厳に要求されてＳす、とりわけ窒
化珪素焼結体にとって重要な因子である熱的１機械的特
性はその原料に大きく影響されるため、原料窒化珪素は
できるだけ不純物を含まずしかも微細でありかつ結晶質
の場合はα相含有率の高いものが望まれている。
従来、窒化珪素の主な製法としては下記の方法が知ら才
１ている。
１ている。
（１）金属珪素粉末を窒素才たはアンモニアガス中で高
温に加熱して窒化する方法。
温に加熱して窒化する方法。
（２）珪素粉末とカーボンとの混合物を窒素中で高温に
加熱して還元と窒化とを同時に行う方法。
加熱して還元と窒化とを同時に行う方法。
（３） 常温または低温で四塩化珪素とアンモニアを反
応させ、生成したシリコンアミドあるいはシリコンイミ
ドを分離した後窒素またはアンモニア雰囲気中で高温に
加熱するアミドあるいはイミドの熱分解法。
応させ、生成したシリコンアミドあるいはシリコンイミ
ドを分離した後窒素またはアンモニア雰囲気中で高温に
加熱するアミドあるいはイミドの熱分解法。
（４） 四塩化珪素とアンモニアとを高温で気相反応さ
せる方法。
せる方法。
しかし、これらの方法はそれぞれ次の様な解決すべき問
題点を有している。
題点を有している。
（１）については、現在工業的に用いられている方法で
はあるが、この方法では微細な粉末が得難く、この方法
で得た生成物は、これを長時間粉砕する必要がある。こ
のため原料Ｓｉ 中に含まれているＦｅ、 Ｃａ、 Ａ
Ｉ等の不純物が窒化後も残つたり、粉砕過程で不純物が
混入する。
はあるが、この方法では微細な粉末が得難く、この方法
で得た生成物は、これを長時間粉砕する必要がある。こ
のため原料Ｓｉ 中に含まれているＦｅ、 Ｃａ、 Ａ
Ｉ等の不純物が窒化後も残つたり、粉砕過程で不純物が
混入する。
（２）の方法は、原料として充分精製したシリカ粉末及
びカーボン粉末を用いる必要があるばかりでなく、得ら
れる生成物はα型Ｓｉ ｓＮ４． β型Ｓｉ３Ｎ４．酸
窒化珪素等の混合物であり、粒径及び粒径のバラツキを
小さくする事が困難である。
びカーボン粉末を用いる必要があるばかりでなく、得ら
れる生成物はα型Ｓｉ ｓＮ４． β型Ｓｉ３Ｎ４．酸
窒化珪素等の混合物であり、粒径及び粒径のバラツキを
小さくする事が困難である。
（３）の方法には液相法と気相法とがあるが、いずれの
方法もシリコンアミドやシリコンイミドと共に大量の塩
化アンモニウムが副生ずる。このため生成物の分離や熱
分解工程における塩化アンモニウムを除去するわずられ
しさや腐食あるいは溶媒使用に依る不純物の混入が起こ
りやすい。
方法もシリコンアミドやシリコンイミドと共に大量の塩
化アンモニウムが副生ずる。このため生成物の分離や熱
分解工程における塩化アンモニウムを除去するわずられ
しさや腐食あるいは溶媒使用に依る不純物の混入が起こ
りやすい。
また、シリコンアミドやシリコンイミドを熱分解して得
ら第１る粉末の粒径や結晶型は、微少粒子にしたり、整
った等軸的な粒状粒子とするには限界がある。
ら第１る粉末の粒径や結晶型は、微少粒子にしたり、整
った等軸的な粒状粒子とするには限界がある。
これらの中では（４）の気相法が高品質の物が得らイす
ると言わイ１ている。
ると言わイ１ている。
この（４）の気相法は、一般には四塩化珪素とアンモニ
アを６００℃〜１５ＵＯ℃において気相反応せしめ、非
晶質あるいは一部結晶賞を含む非晶質の窒化珪素粉末を
得る方法である。通常はこの生成物を原料として成形、
焼結し、窒化珪素焼結体を得るが、この他に例えば特開
昭５により、α相含有率が高い結晶質粉末を得る方法も
知られている。
アを６００℃〜１５ＵＯ℃において気相反応せしめ、非
晶質あるいは一部結晶賞を含む非晶質の窒化珪素粉末を
得る方法である。通常はこの生成物を原料として成形、
焼結し、窒化珪素焼結体を得るが、この他に例えば特開
昭５により、α相含有率が高い結晶質粉末を得る方法も
知られている。
しかしながら、四塩化珪素とアンモニアを原料とする限
りにおいてこの方法は生産規模の拡大につれ、操作性、
設備等の点か４を様々な制約５゛ をうけることになる。たとえば四塩化珪素とアンモニア
の反応が速いためガス供給管の出口でも反応が起こり出
口部分が閉塞し長期の連続運転が困難なことや、（３）
の方法と同様に晶ｌ生する塩化アンモニウムの除去のわ
ずられしさと塩化アンモニウムにより起こる装置の腐食
などが挙げられる。また、たとえ製造工程での欠点を克
服できたとしても塩化アンモニウムを完全に除くこと目
困難をきわめ、装置上の特別な工夫やわずられしい除去
工程を経たのちであっても徽鍬の塩素蚤１残イトし、結
晶質窒化珪素粉末を得る際にβ晶化したり、成形・焼結
工程において悪副生ぜずに塩素を含まない高純度の窒化
珪素を得ることについて鋭意研究を行なった。
りにおいてこの方法は生産規模の拡大につれ、操作性、
設備等の点か４を様々な制約５゛ をうけることになる。たとえば四塩化珪素とアンモニア
の反応が速いためガス供給管の出口でも反応が起こり出
口部分が閉塞し長期の連続運転が困難なことや、（３）
の方法と同様に晶ｌ生する塩化アンモニウムの除去のわ
ずられしさと塩化アンモニウムにより起こる装置の腐食
などが挙げられる。また、たとえ製造工程での欠点を克
服できたとしても塩化アンモニウムを完全に除くこと目
困難をきわめ、装置上の特別な工夫やわずられしい除去
工程を経たのちであっても徽鍬の塩素蚤１残イトし、結
晶質窒化珪素粉末を得る際にβ晶化したり、成形・焼結
工程において悪副生ぜずに塩素を含まない高純度の窒化
珪素を得ることについて鋭意研究を行なった。
＋’ｈ、：”’その結果、ハロゲンを含まない含窒素有
機珪・、１ ’゛＝ｒｍ化合物をアンモニアおよび水素、窒素、アル
、１゛１ １．１Ｊ二ごボン、ヘリウムなどの不活性ガスあるいは
非酸化性ガス雰囲気下で気相反応を行なうことによって
、非晶質あるいは部分的に結晶化した窒化珪素微粉末が
得られることを見い出し、更に必要に応じて上記の方法
で得られた微粉末を不活性ガスまたは非酸化性ガス雰囲
気下で結晶化させることにより、α相含有率が高い結晶
質粉末が得られるこ七を見い出して本発明を完成するに
至った。
機珪・、１ ’゛＝ｒｍ化合物をアンモニアおよび水素、窒素、アル
、１゛１ １．１Ｊ二ごボン、ヘリウムなどの不活性ガスあるいは
非酸化性ガス雰囲気下で気相反応を行なうことによって
、非晶質あるいは部分的に結晶化した窒化珪素微粉末が
得られることを見い出し、更に必要に応じて上記の方法
で得られた微粉末を不活性ガスまたは非酸化性ガス雰囲
気下で結晶化させることにより、α相含有率が高い結晶
質粉末が得られるこ七を見い出して本発明を完成するに
至った。
本発明によれば使用される原料が塩素を含まナイので、
従来の気相反応と異なり塩化アンモニウムを副生ずるこ
とがな（・。従って本発明方法の場合は長期の連続運転
が可能になり、更に塩化アンモニウムの除去工程が不要
になるだけでなく、装置の腐食対策や高級材質今使用す
ると 必要がない。
従来の気相反応と異なり塩化アンモニウムを副生ずるこ
とがな（・。従って本発明方法の場合は長期の連続運転
が可能になり、更に塩化アンモニウムの除去工程が不要
になるだけでなく、装置の腐食対策や高級材質今使用す
ると 必要がない。
また原料は蒸留または昇華等の操作によって容易に精製
することが出来るので本発明方法ｔこまま成形、焼結工
程へ供給することが出来るとか極めて高いものである。
することが出来るので本発明方法ｔこまま成形、焼結工
程へ供給することが出来るとか極めて高いものである。
本発明方法において、原料としては次の様な有機珪素化
合物が用いられる。
合物が用いられる。
（１） 一般式がＲｎＳ ｉ （ＮＲ’ 、 Ｒ’９ｍ
（式中、Ｒ１Ｒ’、 Ｒ１′ はそれぞれ水素、アルキ
ル基、アリル基またはフェニル基を示す、たゾし、Ｒ１
Ｒ１、Ｒ１１が同時に水素である場合を除く、ｎ＝０〜
３、ｍ＝４−ｔｌである）で表わされるアミノシラン化
合物、例えばトリメチルメチルアミノシラン、ジメチル
ビス（メチルアミノ）シラン、メチルトリス（メチルア
ミノフシラン、トリメチルジメチルアミノシラン、ジメ
チルビス（ジメチルアミノ）シラン、またはメチルトリ
ス（ジメチルアミノ）シラン等。
（式中、Ｒ１Ｒ’、 Ｒ１′ はそれぞれ水素、アルキ
ル基、アリル基またはフェニル基を示す、たゾし、Ｒ１
Ｒ１、Ｒ１１が同時に水素である場合を除く、ｎ＝０〜
３、ｍ＝４−ｔｌである）で表わされるアミノシラン化
合物、例えばトリメチルメチルアミノシラン、ジメチル
ビス（メチルアミノ）シラン、メチルトリス（メチルア
ミノフシラン、トリメチルジメチルアミノシラン、ジメ
チルビス（ジメチルアミノ）シラン、またはメチルトリ
ス（ジメチルアミノ）シラン等。
（２）一般式がＲｎＳｉ（ＣＮ）ｍ （式中、Ｒは水素
、アルキル基、アリル基、フェニル基を示し、ｎ ＝
Ｏ−５、ｍ＝４−ｎである）で表わさ１］るシアノシラ
ン化合物、例えばトリメチルシアノシラン、ジメチルジ
シアノシラン、ジメチルシアノシラン、メチルシアノシ
ラン、メチルジシアノシランまたはシアノシラン等。
、アルキル基、アリル基、フェニル基を示し、ｎ ＝
Ｏ−５、ｍ＝４−ｎである）で表わさ１］るシアノシラ
ン化合物、例えばトリメチルシアノシラン、ジメチルジ
シアノシラン、ジメチルシアノシラン、メチルシアノシ
ラン、メチルジシアノシランまたはシアノシラン等。
（５） 一般式が（Ｒ，Ｒ’、Ｒ″’５ｉ）２ＮＲ…
あるいはモＲ）υＳ ｉ −Ｎ Ｒ” ＋１１ Ｃ式中
Ｒ、Ｒ’ 、 Ｒ”、 Ｒ”’ｉ：ｔそれぞれ水素、ア
ルキル基、アリル基またはフェニル基を示し、ｎは３才
たは４である、たゾしＲ１Ｒ１，ＩＺｌ、Ｒ１′ が同
時に水素でＩ）ろ場合を除く）で表わされるシラザン化
合物、例えばｉ、１，５．３−テトラメチルジシラザン
、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、
１，１，３．ろ、５，５−ヘキサメチルシクロトリシラ
ザン、１．ろ−ジビニルー１．１，３．３−テトラメチ
ルジンラザイまたは１，１，３，３，５，５，７，７−
オクタメチルシクロテトラシラザン等。
あるいはモＲ）υＳ ｉ −Ｎ Ｒ” ＋１１ Ｃ式中
Ｒ、Ｒ’ 、 Ｒ”、 Ｒ”’ｉ：ｔそれぞれ水素、ア
ルキル基、アリル基またはフェニル基を示し、ｎは３才
たは４である、たゾしＲ１Ｒ１，ＩＺｌ、Ｒ１′ が同
時に水素でＩ）ろ場合を除く）で表わされるシラザン化
合物、例えばｉ、１，５．３−テトラメチルジシラザン
、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、
１，１，３．ろ、５，５−ヘキサメチルシクロトリシラ
ザン、１．ろ−ジビニルー１．１，３．３−テトラメチ
ルジンラザイまたは１，１，３，３，５，５，７，７−
オクタメチルシクロテトラシラザン等。
これらの原料は、通常の蒸留や昇華などにより極めて高
純度に精製される。また気相反応へ供給する場合、これ
らの原料が２８１以上混合されていてもさしつかえない
。
純度に精製される。また気相反応へ供給する場合、これ
らの原料が２８１以上混合されていてもさしつかえない
。
これらの原料はあらかじめガス化させて反応管へ導き、
同時にＮＨ３をＲ２，Ａｒ、 ｋｌｅなどの不活性また
は非酸化性ガスと混合して供給さイする。
同時にＮＨ３をＲ２，Ａｒ、 ｋｌｅなどの不活性また
は非酸化性ガスと混合して供給さイする。
ＮＨ３の量は用いる原料によって異なるが通常珪素化合
物に対し１〜５０倍で供給するのが適当である。使用す
るＮＨｓ量の少ない場合は生成物中に炭素が多く含まれ
るために本発明の目的からはずれるものである。また多
過ぎる場合はいたずらにＮＨｓを消費することになり経
済的に計ましくない。またＮ２を同伴させることは、牟
水素分解により珪素化合物中の炭素成分をメタン、エタ
ンなどの炭化水素として系外へ排出するのに有効であり
、不活性なＡｒ５Ｈｅなとのガスは反応における原料の
分圧を変化させたり、反応時間を制御するために重要で
ある。
物に対し１〜５０倍で供給するのが適当である。使用す
るＮＨｓ量の少ない場合は生成物中に炭素が多く含まれ
るために本発明の目的からはずれるものである。また多
過ぎる場合はいたずらにＮＨｓを消費することになり経
済的に計ましくない。またＮ２を同伴させることは、牟
水素分解により珪素化合物中の炭素成分をメタン、エタ
ンなどの炭化水素として系外へ排出するのに有効であり
、不活性なＡｒ５Ｈｅなとのガスは反応における原料の
分圧を変化させたり、反応時間を制御するために重要で
ある。
本発明方法において反応温度は８００”６〜１５００℃
の範囲で選択するのが適当であり、８００℃より低いと
きには反応の進行が不充分であるために生成量が低く、
逆に１５００℃を超える場合は、装置上の制約と多大の
エネルギーを要するために経済的ではない。原料ガスの
分圧および反応時間は生成物の粒径や収率等を考慮して
決められるが、原料分圧は０．０１〜数ａＩｍ、反応時
間は１２０〜０．０１ＳｅＣ，で実施するのが好ましい
。これらの値より原料分圧が低く反応時間が長い場合に
は、反応装置が大型になり工業的には不利となる。逆に
分圧が高く反応時間が短い場合には反応が進行しなかっ
たりまたは生成物中に炭素が混入するよう１こなるので
好ましくない。
の範囲で選択するのが適当であり、８００℃より低いと
きには反応の進行が不充分であるために生成量が低く、
逆に１５００℃を超える場合は、装置上の制約と多大の
エネルギーを要するために経済的ではない。原料ガスの
分圧および反応時間は生成物の粒径や収率等を考慮して
決められるが、原料分圧は０．０１〜数ａＩｍ、反応時
間は１２０〜０．０１ＳｅＣ，で実施するのが好ましい
。これらの値より原料分圧が低く反応時間が長い場合に
は、反応装置が大型になり工業的には不利となる。逆に
分圧が高く反応時間が短い場合には反応が進行しなかっ
たりまたは生成物中に炭素が混入するよう１こなるので
好ましくない。
具体的な実施方法としては、例えば原料が液体である場
合には所定の液量を予熱器に導入してガス化させ、所定
量のアンモニアおよび不活性あるいは非酸化性ガスとを
十分に均一に混合軸たのち、外部加熱式の反応管へ導く
。反応管ｉ駒形式は空塔あるいは充填塔式の流通型が用
い欅れるが、カスの流れが脈動あるいは乱脈にならず均
一に加熱される構造とすることが生成微粉末の均一性を
得るために重要である。
合には所定の液量を予熱器に導入してガス化させ、所定
量のアンモニアおよび不活性あるいは非酸化性ガスとを
十分に均一に混合軸たのち、外部加熱式の反応管へ導く
。反応管ｉ駒形式は空塔あるいは充填塔式の流通型が用
い欅れるが、カスの流れが脈動あるいは乱脈にならず均
一に加熱される構造とすることが生成微粉末の均一性を
得るために重要である。
生成した微粉末は冷却後捕集器へと導かイ］るが、塩化
アンモニウムの副生がないため材質上の制約はとくにな
く、通常用いらねでいるｔ」過方式の集塵器、電気集塵
器、サイクロン等を適宜用いることが可能である。
アンモニウムの副生がないため材質上の制約はとくにな
く、通常用いらねでいるｔ」過方式の集塵器、電気集塵
器、サイクロン等を適宜用いることが可能である。
このようにして得られる生成微粉末は、Ｘ線回折ではピ
ークが認めらねない非晶質か、あるいはわずかにピーク
が認められる部分的に結晶化した非晶質であり、粒径の
そろった０、５μｍ以下の球状粒子である。また炭素成
分は焼結体製造にとって悪影響を及ぼさない程度にしか
含まわていないものである。
ークが認めらねない非晶質か、あるいはわずかにピーク
が認められる部分的に結晶化した非晶質であり、粒径の
そろった０、５μｍ以下の球状粒子である。また炭素成
分は焼結体製造にとって悪影響を及ぼさない程度にしか
含まわていないものである。
通常は、この窒化珪素微粉末を何らの工程も経ずにその
まま成形、焼結工程へき供給するが、必要に応じて、さ
らに焼成を行ない結晶化することも１ｉ−Ｊ能である。
まま成形、焼結工程へき供給するが、必要に応じて、さ
らに焼成を行ない結晶化することも１ｉ−Ｊ能である。
結晶化の際の雰囲気はＮ２． Ｎ１−１３． Ｉ（２，
Ａｒ、 Ｈｅなどの不活性または非酸化性ガスが使用さ
イする。
Ａｒ、 Ｈｅなどの不活性または非酸化性ガスが使用さ
イする。
焼成温度ｆ；Ｊ１０００”Ｃ〜１７００Ｃ１好ましくは
１２００’Ｃ〜１６００℃である。焼成時間は結晶化度
によっても異なるが通常０．５〜５時Ｊｉｉｌである。
１２００’Ｃ〜１６００℃である。焼成時間は結晶化度
によっても異なるが通常０．５〜５時Ｊｉｉｌである。
焼成の具体的実施法については特に腔１限（まなく、前
記生成物をるつぼまたは流通式□反応管に充填し不活性
または非酸化性ガスを流通させる方法が行なわれる。
記生成物をるつぼまたは流通式□反応管に充填し不活性
または非酸化性ガスを流通させる方法が行なわれる。
こうして得らねる結晶質の窒化珪素微粉末はきわめて高
いα相を有しており、加熱条件および雰囲気ガスにより
、球状、ウィスカー、板状等に変化しうるものである。
いα相を有しており、加熱条件および雰囲気ガスにより
、球状、ウィスカー、板状等に変化しうるものである。
以下に本発明方法を更に詳述するが、本発明方法はこれ
らの実施例のみに限定されるものではない。
らの実施例のみに限定されるものではない。
実施例 １
電気炉中に設置さ第１た内径２５＋＋Ｉｍ、長さ７０Ｏ
Ｕの高純度アルミナ反応管と反応管出口に取りつけた捕
集器とからなる装置を用い、１２００℃に電気炉の温度
を保持した。あらかじめ予熱器によりカス化せしめたＣ
Ｈ３５ｉ（ＮＨＣＨ３）３とＮＨ３およびＡｒ （体積
比７．２：２０．６＝７２．２）とをよく混合したのち
、反応管に４人し反応させた。
Ｕの高純度アルミナ反応管と反応管出口に取りつけた捕
集器とからなる装置を用い、１２００℃に電気炉の温度
を保持した。あらかじめ予熱器によりカス化せしめたＣ
Ｈ３５ｉ（ＮＨＣＨ３）３とＮＨ３およびＡｒ （体積
比７．２：２０．６＝７２．２）とをよく混合したのち
、反応管に４人し反応させた。
烈１捕集器で得られた生成粉末はＸ線回折では非」質で
あり、粒径が０．４ミクロン以下の球状粒子であった。
あり、粒径が０．４ミクロン以下の球状粒子であった。
また不純物としての炭素量は１゜８１ぢであった。
次１（この生成物をアルミナ管に充填してＡｒ雰雰囲気
下列４２０℃１０ ｈｒ 熱処理を行なった。得らイま
た微粉末はＸ線回折ではα−８ｉ３Ｎ４でβ相の生成は
みられず、０．６ミクロン以下のほぼ等軸状の結晶粒子
であった。
下列４２０℃１０ ｈｒ 熱処理を行なった。得らイま
た微粉末はＸ線回折ではα−８ｉ３Ｎ４でβ相の生成は
みられず、０．６ミクロン以下のほぼ等軸状の結晶粒子
であった。
また不純物としての炭素は０．５Ｗｔ９６ であった。
実施例 ２〜６
実施例１と同一の実験方法により各種有機珪素化合物を
反応させた。実験条件および得られた結果を表１に示す
。
反応させた。実験条件および得られた結果を表１に示す
。
表 １
第１頁の続き
０発 明 者 伊 崎 寛 正 新潟市太夫浜字新害研
究所内 ０発 明 者 中野 里愛子 新潟市太夫浜字新害研究
所内 ＋１８２８地 三菱瓦斯化学株式会社新潟１８旙地 三
菱瓦斯化学株式会社新潟 手続補正ｌｌ（自：ＲＪ） 昭和５９年６１Ｊ３日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第０９１５５４号 発明の名称 窒化珪素微粉末の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内皿丁目５番２号５ 補正の
内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り補正する。
究所内 ０発 明 者 中野 里愛子 新潟市太夫浜字新害研究
所内 ＋１８２８地 三菱瓦斯化学株式会社新潟１８旙地 三
菱瓦斯化学株式会社新潟 手続補正ｌｌ（自：ＲＪ） 昭和５９年６１Ｊ３日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第０９１５５４号 発明の名称 窒化珪素微粉末の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内皿丁目５番２号５ 補正の
内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り補正する。
（２） 明細書第６頁第５行〜第６行の「特開昭５６−
４１７１２にみられるように」を削除する。
４１７１２にみられるように」を削除する。
（３）明細１ｆｆｉｔａ頁第３行の［板状Ｊを「塊状Ｊ
に補正する。
に補正する。
別紙
特許請求の範囲
一般式がＲｎＳ ｉ （ＮＲ’、 Ｒ” ）ｍ（式中、
Ｒ，Ｒ’。
Ｒ，Ｒ’。
Ｒ“ はそれぞれ水素、アルキル基、アリル基またはフ
ェニル基を示す、たりし、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”が同時に水素
である場合を除く、ｎ＝ｏ〜５、ｍ−４−〇である）で
表わされるアミノシラン化合物、一般式がＲｎＳｉ（Ｃ
Ｎ）ｍ （式中、Ｒは水素、アルキル基、アリル基、フ
ェニル基を示し、ｎ−０〜３、ｎｌ”−’４−ｎである
うで表わされるシアノンラン化合物または一般式がＣＲ
，Ｒ’、 Ｒ″Ｓ ｉ ）２ＮＲ”’あるいはモＲＩ？
Ｓｉ −ＮＲ懸Ｗ （式中、Ｒ，Ｒ’、Ｒ” ＲＩｌｌ
はそれぞれ水素、゛アルギル基、アリル基またはフェニ
ル基を示し、ｎは５または４である、たｙしＲ，Ｒ’
、 Ｒ“ ＲＩ Ｉ １が同時に水素である場合を除く
）で表わされるシラザン化合物をアンモニアの存在下で
気相反応させることを特徴とする窒化珪素微粉末の製造
方法 丁 続 補 正 古 昭和６０年５ＪＨ目１ 昭和５９年特許願第９１３５４号 ２ 発明の名（！■、 窒化珪素微粉末の製造〕り法 ３、袖１「を確る者 １旧１との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内−Ｊ−１’：］ ５５２２
号名シト −菱瓦斯化学株式会社 代表者 長野和吉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内皿： Ｕ’ １５番２可を
丞し７」を１フエニル基、メチルアミノ基等をボし」と
補正する。
ェニル基を示す、たりし、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”が同時に水素
である場合を除く、ｎ＝ｏ〜５、ｍ−４−〇である）で
表わされるアミノシラン化合物、一般式がＲｎＳｉ（Ｃ
Ｎ）ｍ （式中、Ｒは水素、アルキル基、アリル基、フ
ェニル基を示し、ｎ−０〜３、ｎｌ”−’４−ｎである
うで表わされるシアノンラン化合物または一般式がＣＲ
，Ｒ’、 Ｒ″Ｓ ｉ ）２ＮＲ”’あるいはモＲＩ？
Ｓｉ −ＮＲ懸Ｗ （式中、Ｒ，Ｒ’、Ｒ” ＲＩｌｌ
はそれぞれ水素、゛アルギル基、アリル基またはフェニ
ル基を示し、ｎは５または４である、たｙしＲ，Ｒ’
、 Ｒ“ ＲＩ Ｉ １が同時に水素である場合を除く
）で表わされるシラザン化合物をアンモニアの存在下で
気相反応させることを特徴とする窒化珪素微粉末の製造
方法 丁 続 補 正 古 昭和６０年５ＪＨ目１ 昭和５９年特許願第９１３５４号 ２ 発明の名（！■、 窒化珪素微粉末の製造〕り法 ３、袖１「を確る者 １旧１との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内−Ｊ−１’：］ ５５２２
号名シト −菱瓦斯化学株式会社 代表者 長野和吉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内皿： Ｕ’ １５番２可を
丞し７」を１フエニル基、メチルアミノ基等をボし」と
補正する。
（２）明細書第４頁第４行１１の「珪素粉末」を「シリ
カ粉末」と補正する。
カ粉末」と補正する。
（３）明細書第１０＠第３行目の１フエニル基を示し」
を１フエニル基、メチルアミノ基等を示し−１と補正す
る。
を１フエニル基、メチルアミノ基等を示し−１と補正す
る。
（４）明細書第１０頁−Ｆから第９行目の「オクタメチ
ルシクロテトラシラザン等。１を［オクタメチルシクロ
テトラシラザン等または珪素トの置換基としてＮメチル
アミノ基を有する６員環状のトリス（Ｎ−メチルアミノ
）トリーＮ−メチル−シクロトリシラサン、トリス（Ｎ
−メチルアミノ）トリーＮ−メチルートリメチルノクロ
トリノラサン等Ｃある。ｊと補正する。
ルシクロテトラシラザン等。１を［オクタメチルシクロ
テトラシラザン等または珪素トの置換基としてＮメチル
アミノ基を有する６員環状のトリス（Ｎ−メチルアミノ
）トリーＮ−メチル−シクロトリシラサン、トリス（Ｎ
−メチルアミノ）トリーＮ−メチルートリメチルノクロ
トリノラサン等Ｃある。ｊと補正する。
（５）明細書第１３頁下から第５行目のＩＯ，５７５時
間」を１０．５〜１５時間」に補正する。
間」を１０．５〜１５時間」に補正する。
（６）明細書第１５頁の１実施例２〜６］を「実施例２
〜７」と補正する。
〜７」と補正する。
（７）１表１−１に「実施例７」の結果とし一ζ次の（
１？ｆを追加する。
１？ｆを追加する。
［有機珪素化合物ニー代ＩＬ＋（ＣＩＩ＋ＮＩＩ）Ｓｉ
ＮＣＩＬ＋３−ｚ、温度＋１２００℃、時間：１．２ｓ
ｅｃ 、有機珪Ｘ：１．０ｖｏｌχ、Ｎｌｈ 濃度：１
５．３ｖｏ１χ、＾ｒ？ａ度：８３．７ｖｏｌＸ 、ｕ
Ｊ１度：０ｖｏｌχ、粒径：０．１ミクロン以下、炭素
二景１．５訂χ、熱処理温度： ］ ５５００℃時間：
２．０時間、雰囲気ガス：Ｎ２、熱処理物の形状、 ！
＋状、塊状、α／β： １００１０、炭素量０．１ Ｗ
ｔχ」（８）特許請求の範囲 別紙の通り 別紙 特許請求の範囲 １一般式がＲｎ５ｉ（ＮＲ’、Ｒ”） −（式中、Ｒ，
１１’ 、Ｒ”はそれぞれ水素、フルキル基、アリル基
、またはフェニル基を示す、ただし、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”が
同時に水素である場合を除く、ｎはＯ〜３、…２４−ｎ
である）で表されるアミノンラン化合物、一般式がＲｎ
５ｉ（ＣＮ）、 （式中、Ｒは水素、アルキル基、アリ
ル基、フェニル基を示し、ｎ・ ０〜３、ｍ・ ４−ｎ
である）で表されるシアノソラン化合物または一般式が
（Ｒ，Ｒ’、Ｒ”、Ｓｉ ） ２ＮＲ”’あるいは千Ｒ
Ｒ’５ｉ−ＮＲ”３−．１（式中ｔｉ、Ｒ’、Ｒ”、１
１”’はそれぞれアルキル基、アリル基、フェニル基ま
たは゛７ミノメチルｗ等を示し、ｎは３または４である
、ただしＲ，Ｒ’、Ｒ”、Ｒ”’ が同時に水素である
場合を除く）で表されるノラヂン化合物をアンモニアの
存在下で気相反応させることを特徴とする窒化珪素微粉
末の製迫力法」昭和６０年計月ｐ３１４ 特許庁長官殿 隻 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第９１３５４号 ２ 発明の名称 窒化珪素微粉末の製造方法 ６ 補正をする者 （Ｊ＜件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内皿丁目５番２号名称 三菱
瓦斯化学株式会社 代表者 長 野 和 占 ４代理人 住所 東京都千代ＬＩＪ区丸の内皿丁１１５市２、特許
請求の範囲 別紙のＪＩＩｌり 別紙 特許請求の範囲 一般式が Ｒｎ５ｉ（ＮＲ’、 Ｒ”）ｍ （式中、Ｒ
，Ｒ’。
ＮＣＩＬ＋３−ｚ、温度＋１２００℃、時間：１．２ｓ
ｅｃ 、有機珪Ｘ：１．０ｖｏｌχ、Ｎｌｈ 濃度：１
５．３ｖｏ１χ、＾ｒ？ａ度：８３．７ｖｏｌＸ 、ｕ
Ｊ１度：０ｖｏｌχ、粒径：０．１ミクロン以下、炭素
二景１．５訂χ、熱処理温度： ］ ５５００℃時間：
２．０時間、雰囲気ガス：Ｎ２、熱処理物の形状、 ！
＋状、塊状、α／β： １００１０、炭素量０．１ Ｗ
ｔχ」（８）特許請求の範囲 別紙の通り 別紙 特許請求の範囲 １一般式がＲｎ５ｉ（ＮＲ’、Ｒ”） −（式中、Ｒ，
１１’ 、Ｒ”はそれぞれ水素、フルキル基、アリル基
、またはフェニル基を示す、ただし、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”が
同時に水素である場合を除く、ｎはＯ〜３、…２４−ｎ
である）で表されるアミノンラン化合物、一般式がＲｎ
５ｉ（ＣＮ）、 （式中、Ｒは水素、アルキル基、アリ
ル基、フェニル基を示し、ｎ・ ０〜３、ｍ・ ４−ｎ
である）で表されるシアノソラン化合物または一般式が
（Ｒ，Ｒ’、Ｒ”、Ｓｉ ） ２ＮＲ”’あるいは千Ｒ
Ｒ’５ｉ−ＮＲ”３−．１（式中ｔｉ、Ｒ’、Ｒ”、１
１”’はそれぞれアルキル基、アリル基、フェニル基ま
たは゛７ミノメチルｗ等を示し、ｎは３または４である
、ただしＲ，Ｒ’、Ｒ”、Ｒ”’ が同時に水素である
場合を除く）で表されるノラヂン化合物をアンモニアの
存在下で気相反応させることを特徴とする窒化珪素微粉
末の製迫力法」昭和６０年計月ｐ３１４ 特許庁長官殿 隻 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第９１３５４号 ２ 発明の名称 窒化珪素微粉末の製造方法 ６ 補正をする者 （Ｊ＜件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内皿丁目５番２号名称 三菱
瓦斯化学株式会社 代表者 長 野 和 占 ４代理人 住所 東京都千代ＬＩＪ区丸の内皿丁１１５市２、特許
請求の範囲 別紙のＪＩＩｌり 別紙 特許請求の範囲 一般式が Ｒｎ５ｉ（ＮＲ’、 Ｒ”）ｍ （式中、Ｒ
，Ｒ’。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式がＲｎＳ ｉ （ＮＲ’ 、 Ｒ”）ｍ （式中
、Ｒ，Ｒ’。 Ｒ” はそれぞイ１水素、アルキル基、アリル基または
フェニル基を示す、たゾし、Ｒ，Ｒ“、Ｒ゛が同時１こ
水素である場合を除く、ｎ＝０−５、ｍ−４−ｎである
）で表わされるアミノシラン化合物、一般式がＲｎＳｉ
（ＣＮ）ｍ （式中、Ｒは水素、アルキル基、アリル基
、フェニル基を示し、ｎ＝０〜５、ｍ＝４−ｎである）
で表わされるシアノシラン化合物または一般式が（Ｒ，
Ｒ“ Ｒ１１Ｓｉ）２ＮＲ”’あるいは一！：ＲＲ’
５ｉ−ＮＲ”±ｎ （式中、Ｒ，Ｒ’、 Ｒ”、 Ｒ旧
はそれぞれ水素、アルキル基、アリル基またはフェニ
ル基を示し、ｎは３または４である、たゾしＲ，Ｒ’、
Ｒ１＋、 Ｒ２Ｈが同時に水素である場合を除く）で
表わされるシラザン化合物を気相反応させることを特徴
とする窒化珪素微粉末の製造方法
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9135484A JPS60235708A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 窒化珪素微粉末の製造方法 |
| US06/729,751 US4613490A (en) | 1984-05-08 | 1985-05-02 | Process for preparing silicon nitride, silicon carbide or fine powdery mixture thereof |
| DE19853516589 DE3516589A1 (de) | 1984-05-08 | 1985-05-08 | Verfahren zur herstellung von siliciumnitrid, siliciumcarbid oder feinen, pulverfoermigen mischungen daraus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9135484A JPS60235708A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 窒化珪素微粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235708A true JPS60235708A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0454611B2 JPH0454611B2 (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=14024054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9135484A Granted JPS60235708A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 窒化珪素微粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235708A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200813A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9135484A patent/JPS60235708A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200813A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0454611B2 (ja) | 1992-08-31 |
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