JPS61117108A - 窒化珪素微粉末の製造方法 - Google Patents
窒化珪素微粉末の製造方法Info
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- JPS61117108A JPS61117108A JP23803484A JP23803484A JPS61117108A JP S61117108 A JPS61117108 A JP S61117108A JP 23803484 A JP23803484 A JP 23803484A JP 23803484 A JP23803484 A JP 23803484A JP S61117108 A JPS61117108 A JP S61117108A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、窒化珪素微粉末の製造方法に関する発明であ
る。更に詳しくはハロゲン及び酸素を含まない有機珪素
化合物、具体的には一般式が、（１）Ｒｚｌ、−ｚ（Ｓ
ｉ）ｆｉ（式中、Ｒは少なくとも一個が水素原子であり
、他が水素原子、アルキル基、アリル基、またはフェニ
ル基である、但しＲが同時に水素である場合を除く、ｎ
は１〜４の正数である）で示されるＳｉＨ結合を有する
シラン化合物またはポリシラン化合物、或６いは一般式
がＲ３Ｓｉ＋Ｒ″−Ｒ２ＳｉセτＲ（式中Ｒはその少な
くとも一個が水素原子であり、他が水素原子、アルキル
基、アリル基、またはフェニル基である、Ｒ・ はメチ
レン基、エチレン基またはフェニレン基、ｍは１〜２１
１７）正ａテである）で示されるＳｉＨ結合を有するポ
リカルボシラン化合物または、（２）一般式が＋１１と
同じであるが、ＳｉＨ結合を有しないポリシラン化合物
、またはポリカルボシラン化合物をアンモニアの存在下
で気相反応させることを特徴とする窒化珪素微粉末の製
造方法に関する発明である。
る。更に詳しくはハロゲン及び酸素を含まない有機珪素
化合物、具体的には一般式が、（１）Ｒｚｌ、−ｚ（Ｓ
ｉ）ｆｉ（式中、Ｒは少なくとも一個が水素原子であり
、他が水素原子、アルキル基、アリル基、またはフェニ
ル基である、但しＲが同時に水素である場合を除く、ｎ
は１〜４の正数である）で示されるＳｉＨ結合を有する
シラン化合物またはポリシラン化合物、或６いは一般式
がＲ３Ｓｉ＋Ｒ″−Ｒ２ＳｉセτＲ（式中Ｒはその少な
くとも一個が水素原子であり、他が水素原子、アルキル
基、アリル基、またはフェニル基である、Ｒ・ はメチ
レン基、エチレン基またはフェニレン基、ｍは１〜２１
１７）正ａテである）で示されるＳｉＨ結合を有するポ
リカルボシラン化合物または、（２）一般式が＋１１と
同じであるが、ＳｉＨ結合を有しないポリシラン化合物
、またはポリカルボシラン化合物をアンモニアの存在下
で気相反応させることを特徴とする窒化珪素微粉末の製
造方法に関する発明である。
近年、エンジニアリングセラミックスとして注目をあび
ている窒化珪素や炭化珪素等の非酸化系セラミックスは
高温強度や耐熱衝撃性などの高温特性に優れているため
に、その製造方法や応用に関する研究が盛んに行われて
いる。
ている窒化珪素や炭化珪素等の非酸化系セラミックスは
高温強度や耐熱衝撃性などの高温特性に優れているため
に、その製造方法や応用に関する研究が盛んに行われて
いる。
なかでも窒化珪素は１）機械的強度が大きく、高温にお
いてもその強度を保持する、２）耐熱衝撃性に優れてい
る、３）化学的に安定であり耐腐食性がよい、４）熱膨
張率が極めて小さい等の特徴を有しているため特に注目
されている。しかしながら高温高応力材料としての窒化
珪素焼結体には高温時における物理的、化学的な安定性
と信頼性が厳に要求されており、とりわけ窒化珪素焼結
体にとって重要な因子である熱的、機械的特性はその原
料に大きく影響されるため、原料窒化珪素はできるだけ
不純物を含まず、しかも微細でありかつ結晶質の場合は
α相含有率の高いものが望まれている。
いてもその強度を保持する、２）耐熱衝撃性に優れてい
る、３）化学的に安定であり耐腐食性がよい、４）熱膨
張率が極めて小さい等の特徴を有しているため特に注目
されている。しかしながら高温高応力材料としての窒化
珪素焼結体には高温時における物理的、化学的な安定性
と信頼性が厳に要求されており、とりわけ窒化珪素焼結
体にとって重要な因子である熱的、機械的特性はその原
料に大きく影響されるため、原料窒化珪素はできるだけ
不純物を含まず、しかも微細でありかつ結晶質の場合は
α相含有率の高いものが望まれている。
従来、窒化珪素の主な製法としては下記の方法が知られ
ている。
ている。
（１）金属珪素粉末を窒素またはアンモニアガス中で高
温に加熱して窒化する方法。
温に加熱して窒化する方法。
（２）シリカ粉末とカーボンとの混合物を窒素中で高温
に加熱して還元と窒化とを同時に行う方法。
に加熱して還元と窒化とを同時に行う方法。
（３）常温または低温で四塩化珪素とアンモニアを反応
させ、生成したシリコンアミドあるいはシリコンイミド
を分離した後窒素またはアンモニア雰囲気中で高温に加
熱するアミドあるいはイミドの熱分解法。
させ、生成したシリコンアミドあるいはシリコンイミド
を分離した後窒素またはアンモニア雰囲気中で高温に加
熱するアミドあるいはイミドの熱分解法。
（４）四塩化珪素とアンモニアとを高温で気相反応させ
る方法。
る方法。
しかし、これらの方法はそれぞれ次の様な解決すべき問
題点を有している。
題点を有している。
（１）については、現在工業的に用いられている方法で
はあるが、この方法では微細な粉末が得難く。
はあるが、この方法では微細な粉末が得難く。
この方法で得た生成物は、これを長時間粉砕する必要が
ある。このため原料Ｓｉ中に含まれているＦｅ。
ある。このため原料Ｓｉ中に含まれているＦｅ。
Ｃａ、 ＡＩ、等の不純物が窒化後も残ったり、粉砕過
程で不純物が混入する。
程で不純物が混入する。
（２）の方法は高純度品を得るためには、原料として充
分精製されたシリカ粉末及びカーボン粉末を用いる必要
があるばかりでなく得られる生成物はα型窒化珪素、β
型窒化珪素、シリコンオキシナイトライド（ＳｉｚＯＮ
ｚ）および炭化珪素などの混合系であり、しかも粒径及
び粒径のバラツキを小さくすることが困難である等の欠
点がある。
分精製されたシリカ粉末及びカーボン粉末を用いる必要
があるばかりでなく得られる生成物はα型窒化珪素、β
型窒化珪素、シリコンオキシナイトライド（ＳｉｚＯＮ
ｚ）および炭化珪素などの混合系であり、しかも粒径及
び粒径のバラツキを小さくすることが困難である等の欠
点がある。
（３）の方法には液相法と気相法とがあるが、いずれの
方法もシリコンアミドやシリコンイミドと共に大量の塩
化アンモニウムが副生ずる。このため生成物の分離や熱
分解工程における塩化アンモニウムを除去するわずられ
しさや腐食あるいは溶媒使用に依る不純物の混入が起こ
り易い。また、シリコンアミドやシリコンイミドを熱分
解して得られる粉末の粒径や結晶型を微小粒子にしたり
、整った等軸的な粒状粒子とするには限界がある。
方法もシリコンアミドやシリコンイミドと共に大量の塩
化アンモニウムが副生ずる。このため生成物の分離や熱
分解工程における塩化アンモニウムを除去するわずられ
しさや腐食あるいは溶媒使用に依る不純物の混入が起こ
り易い。また、シリコンアミドやシリコンイミドを熱分
解して得られる粉末の粒径や結晶型を微小粒子にしたり
、整った等軸的な粒状粒子とするには限界がある。
これらの中では（４）の気相法が原料を蒸留等で極めて
高純度に精製出来るという理由から高品質の物が得られ
ると言われている。
高純度に精製出来るという理由から高品質の物が得られ
ると言われている。
この（４）の気相法は、一般に四塩化珪素とアンモニア
を６００℃〜１５００°Ｃにおいて気相反応せしめ、非
晶質の窒化珪素微粉末を得る方法である。
を６００℃〜１５００°Ｃにおいて気相反応せしめ、非
晶質の窒化珪素微粉末を得る方法である。
通常はこの生成物を原料として成形、焼結し、窒化珪素
焼結体を得るが、この他に例えば非晶質の窒化珪素粉末
を積極的に合成し、次いでこれを窒素或いはアンモニア
中で高温に保持することにより、α相含有率が高い結晶
質粉末を得る方法も知られている。
焼結体を得るが、この他に例えば非晶質の窒化珪素粉末
を積極的に合成し、次いでこれを窒素或いはアンモニア
中で高温に保持することにより、α相含有率が高い結晶
質粉末を得る方法も知られている。
しかしながら、四塩化珪素とアンモニアを原料とする限
りにおいてこの方法は生産規模の拡大につれて操作性、
設備等の点から様々な制約を受ける。例えば四塩化珪素
とアンモニアの反応が速いためにガス供給管の出口で反
応が起こり出口部分が閉塞し、長期の連続運転が困難な
事や、（３）の方法と同様に副生ずる塩化アンモニウム
の除去のわずられしさと塩化アンモニウムにより起こる
装置の腐食等が挙げられる。また、たとえ製造工程での
欠点を克服出来たとしても塩化アンモニウムを完全に除
くことは困難を極め、装置上の特別な工夫やわづられし
い除去工程を経た後であっても、微量の塩素は残存し、
結晶質窒化珪素粉末を得る際にβ晶化したり、成形、焼
結工程において悪影響を及ぼす等の欠点を有していた。
りにおいてこの方法は生産規模の拡大につれて操作性、
設備等の点から様々な制約を受ける。例えば四塩化珪素
とアンモニアの反応が速いためにガス供給管の出口で反
応が起こり出口部分が閉塞し、長期の連続運転が困難な
事や、（３）の方法と同様に副生ずる塩化アンモニウム
の除去のわずられしさと塩化アンモニウムにより起こる
装置の腐食等が挙げられる。また、たとえ製造工程での
欠点を克服出来たとしても塩化アンモニウムを完全に除
くことは困難を極め、装置上の特別な工夫やわづられし
い除去工程を経た後であっても、微量の塩素は残存し、
結晶質窒化珪素粉末を得る際にβ晶化したり、成形、焼
結工程において悪影響を及ぼす等の欠点を有していた。
本発明者等は気相反応により窒化珪素を製造する方法に
おいて、より汎用の原料を用いて、しかも塩化アンモニ
ウムを副生ぜずに塩素を含まない高純度の窒化珪素を得
ることについて鋭意研究を行った。その結果、ハロゲン
及び酸素を含まない有機珪素化合物をアンモニアおよび
水素、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスあるい
は非酸化性ガス雰囲気下で気相反応を行うことによって
、非晶質あるいは部分的に結晶化した窒化珪素微粉末が
得られる事を見出し、更に必要に応じて上記の方法で得
られた微粉末を不活性ガスまたは非酸化性ガス雰囲気下
で結晶化させることにより、α相の含存率が高い結晶質
粉末が得られることを見出して本発明を完成するに至っ
た。
おいて、より汎用の原料を用いて、しかも塩化アンモニ
ウムを副生ぜずに塩素を含まない高純度の窒化珪素を得
ることについて鋭意研究を行った。その結果、ハロゲン
及び酸素を含まない有機珪素化合物をアンモニアおよび
水素、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスあるい
は非酸化性ガス雰囲気下で気相反応を行うことによって
、非晶質あるいは部分的に結晶化した窒化珪素微粉末が
得られる事を見出し、更に必要に応じて上記の方法で得
られた微粉末を不活性ガスまたは非酸化性ガス雰囲気下
で結晶化させることにより、α相の含存率が高い結晶質
粉末が得られることを見出して本発明を完成するに至っ
た。
本発明方法に使用される原料は大量にしかも安価に製造
されるものであり、またシリコン工業あるいは半導体工
業において副生物として大量に産するものである。
されるものであり、またシリコン工業あるいは半導体工
業において副生物として大量に産するものである。
また本発明によれば使用される原料が塩素を含まないの
で、従来の気相反応と異なり塩化アンモニウムを副生ず
ることがない。
で、従来の気相反応と異なり塩化アンモニウムを副生ず
ることがない。
従って本発明方法の場合は長期の連続運転が可能であり
、更に塩化アンモニウムあ除去工程が不要になるだけで
なく、装置の腐食対策や高級材料を使用する必要がない
等の利点を有する。
、更に塩化アンモニウムあ除去工程が不要になるだけで
なく、装置の腐食対策や高級材料を使用する必要がない
等の利点を有する。
更に原料は蒸留または昇華等の操作によって容易に精製
することが出来るので本発明方法によって得られた生成
物は極めて高い純度の物である。
することが出来るので本発明方法によって得られた生成
物は極めて高い純度の物である。
また得られた生成物は従来法の様に塩化アンモニウムの
除去が必要で無いのでそのまま成形、焼結工程へ供給す
ることが出来るという利点を有する。しかもこの工程の
条件により結晶化の割合を制御することが出来るのみな
らず、得られた結晶質微粉末はα相の含有量が高いもの
である。
除去が必要で無いのでそのまま成形、焼結工程へ供給す
ることが出来るという利点を有する。しかもこの工程の
条件により結晶化の割合を制御することが出来るのみな
らず、得られた結晶質微粉末はα相の含有量が高いもの
である。
本発明方法においては、原料としては一般式が（１）一
般式が、Ｒ２□ｚ（Ｓｉ）−（式中、Ｒは少なくとも一
個が水素原子であり、他が水素原子、アルキル基、アリ
ル基、またはフェニル基である、但しＲが同時に水素で
ある場合を除く、ｎは１〜４の正数である）で示される
ＳｉＨ結合を有するシラン化合物またはポリシラン化合
物、或いは一般式がＲ３Ｓ ｉ ＋Ｒ”−Ｒ２Ｓｉ六Ｒ
（式中Ｒはその少なくとも一個が水素原子であり、他が
水素原子、アルキル基、アリル基、またはフェニル基で
ある、Ｒ′ はメチレン基、エチレン基またはフェニレ
ン基、ｍは１〜２の正数でである）で示されるＳｉＨ結
合を有するポリカルボシラン化合物または（２）一般式
が（１）と同シであるが、ＳｉＨ結合を有しないポリシ
ラン化合物、またはポリカルボシラン化合物が用いられ
る。
般式が、Ｒ２□ｚ（Ｓｉ）−（式中、Ｒは少なくとも一
個が水素原子であり、他が水素原子、アルキル基、アリ
ル基、またはフェニル基である、但しＲが同時に水素で
ある場合を除く、ｎは１〜４の正数である）で示される
ＳｉＨ結合を有するシラン化合物またはポリシラン化合
物、或いは一般式がＲ３Ｓ ｉ ＋Ｒ”−Ｒ２Ｓｉ六Ｒ
（式中Ｒはその少なくとも一個が水素原子であり、他が
水素原子、アルキル基、アリル基、またはフェニル基で
ある、Ｒ′ はメチレン基、エチレン基またはフェニレ
ン基、ｍは１〜２の正数でである）で示されるＳｉＨ結
合を有するポリカルボシラン化合物または（２）一般式
が（１）と同シであるが、ＳｉＨ結合を有しないポリシ
ラン化合物、またはポリカルボシラン化合物が用いられ
る。
これらの化合物としては例えば次の様なものがＣＨ３−
５ｉＱ−Ｓｉ−ＣＨ３、 等があげられる。
５ｉＱ−Ｓｉ−ＣＨ３、 等があげられる。
これらの原料は通常の蒸留や昇華なとにより極めて高純
度に生成される。また気相反応へ供給する場合、これら
の原料が２種以上混合されていてもさしつかえない。
度に生成される。また気相反応へ供給する場合、これら
の原料が２種以上混合されていてもさしつかえない。
これらの原料はあらかじめガス化させて反応管へ導き、
同時にＮＨ３をＲ２、Ａｒ、 Ｈｅなどの不活性または
非酸化性ガスと混合して供給される。
同時にＮＨ３をＲ２、Ａｒ、 Ｈｅなどの不活性または
非酸化性ガスと混合して供給される。
ＮＨ，の量は用いる原料によって異なるが通常は珪素化
合物に対して１〜５０倍で供給するのが適当である。
合物に対して１〜５０倍で供給するのが適当である。
有機珪素化合物とアンモニアの高温での反応については
明らかではないが、ＮＨ３が１０００℃以上では急激に
分解すること、及びＮｌ（、の代わりにＮ２を使用する
と窒化が進行しないこと、更に反応のオフガス分析から
炭化水素類が検出されることからＮＨ３の分解により生
成するＮＨあるいはＮＮ２等の活性種がケイ素を攻撃し
、連鎖的に反応が進行するものと考えられる。
明らかではないが、ＮＨ３が１０００℃以上では急激に
分解すること、及びＮｌ（、の代わりにＮ２を使用する
と窒化が進行しないこと、更に反応のオフガス分析から
炭化水素類が検出されることからＮＨ３の分解により生
成するＮＨあるいはＮＮ２等の活性種がケイ素を攻撃し
、連鎖的に反応が進行するものと考えられる。
従って使用するＮ）！３ ｆｆｉの少ない場合は生成物
中に炭素が混入して来る様になるので好ましくない。
中に炭素が混入して来る様になるので好ましくない。
また多すぎる場合はいたずらにＮＨ，を消費することに
なり経済的に好ましくない。またＮ２を同伴させること
は、加水素分解により珪素化合物中の炭素成分をメタン
、エタン等の炭化水素として系外へ排出するのに有効で
あり、不活性なＡｒやＨｅ等のガスは反応における原料
の分圧を変化させたり、反応時間を制御するために重要
である。
なり経済的に好ましくない。またＮ２を同伴させること
は、加水素分解により珪素化合物中の炭素成分をメタン
、エタン等の炭化水素として系外へ排出するのに有効で
あり、不活性なＡｒやＨｅ等のガスは反応における原料
の分圧を変化させたり、反応時間を制御するために重要
である。
本発明方法において、反応温度は８００℃〜１５００℃
の範囲で選択するのが適当であり、８００ ’Ｃより低
いときには反応の進行が不充分であるために生成量が低
く、逆に１５００℃を超える場合は、装置上の制約と多
大のエネルギーを要するために経済的でない。原料ガス
の分圧及び反応時間は生成物の粒径や収率等を考慮して
決められるが、原料ガスの分圧は０．０１〜数ａｔｍ
、反応時間は１２０〜０．０１ｓｅｃ、で実施するのが
好ましい。
の範囲で選択するのが適当であり、８００ ’Ｃより低
いときには反応の進行が不充分であるために生成量が低
く、逆に１５００℃を超える場合は、装置上の制約と多
大のエネルギーを要するために経済的でない。原料ガス
の分圧及び反応時間は生成物の粒径や収率等を考慮して
決められるが、原料ガスの分圧は０．０１〜数ａｔｍ
、反応時間は１２０〜０．０１ｓｅｃ、で実施するのが
好ましい。
これらの値より原料ガスの分圧が低（、反応時間が長い
場合は反応装置が不必要に大型化して工業的には不利と
なり、逆にこれらの値より反応分圧が大きかったり２反
応時間が短くなる場合は実質的に反応が進行しなかった
り、または生成物中に炭素量が多くなったりする場合が
あるので好ま ゛しくない。
場合は反応装置が不必要に大型化して工業的には不利と
なり、逆にこれらの値より反応分圧が大きかったり２反
応時間が短くなる場合は実質的に反応が進行しなかった
り、または生成物中に炭素量が多くなったりする場合が
あるので好ま ゛しくない。
具体的な実施方法としては、例えば原料が液体の場合に
は所定の液量を予熱器に導入してガス化させ、所定量の
アンモニア及び不活性ガスあるいは非酸化性ガスとを十
分に均一に混合したのち、外部加熱式の反応管へ導く、
反応管の形式は空塔あるいは充填塔式の流通型が用いら
れるが、ガス ”の流れが脈動あるいは乱脈にな
らず均一に加熱される構造とすることが生成微粉末の均
一性を得るために重要である。
は所定の液量を予熱器に導入してガス化させ、所定量の
アンモニア及び不活性ガスあるいは非酸化性ガスとを十
分に均一に混合したのち、外部加熱式の反応管へ導く、
反応管の形式は空塔あるいは充填塔式の流通型が用いら
れるが、ガス ”の流れが脈動あるいは乱脈にな
らず均一に加熱される構造とすることが生成微粉末の均
一性を得るために重要である。
生成した微粉末は冷却後、捕集器へ導かれるが塩化アン
モニウムの副生かないので、この場合の集塵器としては
通常用いられている濾過方式の集塵器、電気集塵器、サ
イクロン等を適宜用いることが可能である。
モニウムの副生かないので、この場合の集塵器としては
通常用いられている濾過方式の集塵器、電気集塵器、サ
イクロン等を適宜用いることが可能である。
この様にして得られた生成微粉末はＸ線回折ではピーク
が認められない非晶質かあるいはわずかにピークが認め
られる部分的に結晶化した非晶質であり、粒径のそろっ
た０、５μｍ以下の球状粒子である。また炭素成分は焼
結体製造にとって悪影響を及ぼさない程度にしか含まれ
ないものである。
が認められない非晶質かあるいはわずかにピークが認め
られる部分的に結晶化した非晶質であり、粒径のそろっ
た０、５μｍ以下の球状粒子である。また炭素成分は焼
結体製造にとって悪影響を及ぼさない程度にしか含まれ
ないものである。
通常はこの窒化珪素微粉末を何等の工程も経ずにそのま
ま成形、焼結工程へと供給するが、必要に応じて更に焼
成をおこない結晶化することも可能である。
ま成形、焼結工程へと供給するが、必要に応じて更に焼
成をおこない結晶化することも可能である。
結晶化の際の雰囲気はＮｚ 、ＮＨ：ｌ 、Ｈｚ 、Ａ
ｒ、Ｈｅ等の不活性または非酸化性ガスが使用される。
ｒ、Ｈｅ等の不活性または非酸化性ガスが使用される。
焼成温度は１２００°Ｃ〜１６００℃である。焼成時間
は結晶化度によっても異なるが、通常は０．５〜５時間
である。焼成の具体的実施方法については特に制限はな
く、前記生成物を坩堝または流通式反応管に充填し、非
酸化性ガスを流通させる方法が行われる。
は結晶化度によっても異なるが、通常は０．５〜５時間
である。焼成の具体的実施方法については特に制限はな
く、前記生成物を坩堝または流通式反応管に充填し、非
酸化性ガスを流通させる方法が行われる。
こうして得られた結晶質の窒化珪素微粉末は極めて高い
α相を有しており、加熱条件及び雰囲気ガスにより、球
状、ウィスカー、塊状等に変化し得るものである。
α相を有しており、加熱条件及び雰囲気ガスにより、球
状、ウィスカー、塊状等に変化し得るものである。
以下本発明方法を更に詳しく述べるが、本発明はこれら
の実施例のみに限定されるものではない。
の実施例のみに限定されるものではない。
実施例１゜
電気炉中に設置された内径２５Ｒ１長さ７００ ｍｍの
高純度アルミナ質反応管と反応管出口部に取りつけた反
応生成物捕集器とからなる装置を用い１２００℃の温度
に保持した。予め予熱器によりガス化せしめたテトラメ
チルジシランとＮＨ，及びＡｒ （体積比２．０
： １６．６ ： １．９）とを良く混合したのち１反
応管式口部から吹き込み反応させた。
高純度アルミナ質反応管と反応管出口部に取りつけた反
応生成物捕集器とからなる装置を用い１２００℃の温度
に保持した。予め予熱器によりガス化せしめたテトラメ
チルジシランとＮＨ，及びＡｒ （体積比２．０
： １６．６ ： １．９）とを良く混合したのち１反
応管式口部から吹き込み反応させた。
捕集器に捕集された微粉末は、Ｘ線回折では非品質であ
り、粒径が０．３ ミクロン以下の球状粒子であった。
り、粒径が０．３ ミクロン以下の球状粒子であった。
次にこの生成物を高純度アルミナ管に充填してＡｒ雰囲
気下１５００℃に加熱されている電気炉中で２時間熱処
理を行った。
気下１５００℃に加熱されている電気炉中で２時間熱処
理を行った。
得られた微粉末はＸ線回折ではα−Ｓｉ、Ｎ、が９５％
であり、β−５ｉ３Ｎ４が５％であった。
であり、β−５ｉ３Ｎ４が５％であった。
実施例２゜
実施例１と同一の実験方法で、ヘキサメチルジシランと
ＮＨ，及びＡｒ（体積比０．７：１１：５） とをよく
混合したのち反応させた。
ＮＨ，及びＡｒ（体積比０．７：１１：５） とをよく
混合したのち反応させた。
捕集器に捕集された生成微粉末は実施例１と同様に非晶
質であり２粒径が０．３ ミクロン以下の球状の粒子で
あった。
質であり２粒径が０．３ ミクロン以下の球状の粒子で
あった。
実施例１と同一の実験方法で、Ａｒ雰囲気下１５００℃
で３時間熱処理を行った。得られたもののＸ線回折では
α−５ｉＪ４１００％、β−５ｉＪｎが０％であった。
で３時間熱処理を行った。得られたもののＸ線回折では
α−５ｉＪ４１００％、β−５ｉＪｎが０％であった。
以上の実施例から明らかように、本発明方法によれば気
相反応のプロセスにおいて人手が容易であり、しかも安
価な有機珪素化合物を原料とすることにより、塩化アン
モニウムを副生ずることなく高純度な窒化珪素微粉末を
製造することが可能である。
相反応のプロセスにおいて人手が容易であり、しかも安
価な有機珪素化合物を原料とすることにより、塩化アン
モニウムを副生ずることなく高純度な窒化珪素微粉末を
製造することが可能である。
手続補正書
昭和６０年５月１０日
昭和５９年特許願第２３８０３４号
２、発明の名称
窒化珪素微粉末の製造方法
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都千代田区丸の内二丁目５番２号名称 三菱
瓦斯化学株式会社 代表者 長野和書 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目５番２号５゜補正の
対象 明細書 ６、補正の内容 野〕を〔産業上の利用分野〕と補正する。
瓦斯化学株式会社 代表者 長野和書 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目５番２号５゜補正の
対象 明細書 ６、補正の内容 野〕を〔産業上の利用分野〕と補正する。
（２）明細書第３頁第２行目の〔産業上の利用分野〕を
削除する。
削除する。
（３）明細書第９頁第４行目の「一般式が」を削除する
。
。
（４）明細書第１０真下から第１１行目の「昇華なと」
を「昇華など」に補正する。
を「昇華など」に補正する。
Claims (2)
- （１）一般式が、Ｒ＿２＿ｎ＿＋＿２（Ｓｉ）＿ｎ（式
中、Ｒは少なくとも一個が水素原子であり、他が水素原
子、アルキル基、アリル基、またはフェニル基である、
但しＲが同時に水素である場合を除く、ｎは１〜４の正
数である）で示されるＳｉＨ結合を有するシラン化合物
またはポリシラン化合物、或いは一般式が▲数式、化学
式、表等があります▼（式中Ｒはその少なくとも一個が
水素原子であり、他が水素原子、アルキル基、アリル基
、またはフェニル基である、Ｒはメチレン基、エチレン
基またはフェニレン基、ｍは１〜２の正数てである）で
示されるＳｉＨ結合を有するポリカルボシラン化合物ま
たは - （２）一般式が（１）と同じであるが、ＳｉＨ結合を有
しないポリシラン化合物、またはポリカルボシラン化合
物をアンモニアの存在下で気相反応させることを特徴と
する窒化珪素微粉末の製造方法
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23803484A JPS61117108A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 窒化珪素微粉末の製造方法 |
| US06/712,036 US4594330A (en) | 1984-03-22 | 1985-03-15 | Fine amorphous powder and process for preparing fine powdery mixture of silicon nitride and silicon carbide |
| DE19853510264 DE3510264A1 (de) | 1984-03-22 | 1985-03-21 | Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23803484A JPS61117108A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 窒化珪素微粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117108A true JPS61117108A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17024184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23803484A Pending JPS61117108A (ja) | 1984-03-22 | 1984-11-12 | 窒化珪素微粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134097A (en) * | 1989-06-01 | 1992-07-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. | Silicon nitride-silicon carbide composite material and process for production thereof |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP23803484A patent/JPS61117108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134097A (en) * | 1989-06-01 | 1992-07-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. | Silicon nitride-silicon carbide composite material and process for production thereof |
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