JPH04102313A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04102313A JPH04102313A JP22028590A JP22028590A JPH04102313A JP H04102313 A JPH04102313 A JP H04102313A JP 22028590 A JP22028590 A JP 22028590A JP 22028590 A JP22028590 A JP 22028590A JP H04102313 A JPH04102313 A JP H04102313A
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- JP
- Japan
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- wafer
- fork
- core tube
- semiconductor manufacturing
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 29
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に気相成長に用いる
ＬＰＧＶＤ装置に関する。
ＬＰＧＶＤ装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置、特にＬＰＧＶＤ装置は
、ボートにウェハーを立てて炉芯管に入れ、炉芯管の一
端から他端に向けて膜成長用ガスを流し、気相成長を行
なうようになっていた。
、ボートにウェハーを立てて炉芯管に入れ、炉芯管の一
端から他端に向けて膜成長用ガスを流し、気相成長を行
なうようになっていた。
上述した従来の半導体製造装置は、横型炉芯管を使用し
、斜め渭ボートにウェハーを立てて気相成長するので、
膜成長用ガスがウェハーに均一に接触せず、ウェハー面
内で膜厚のばらつきが発生し、その結果製品の歩留りが
著しく低下するという問題点があった。
、斜め渭ボートにウェハーを立てて気相成長するので、
膜成長用ガスがウェハーに均一に接触せず、ウェハー面
内で膜厚のばらつきが発生し、その結果製品の歩留りが
著しく低下するという問題点があった。
本発明の半導体製造装置は、炉芯管内でウェハーを回転
させることにより、膜成長用ガスをウェハーに均一に接
触させて膜成長することで、ウェハー面内の膜厚ばらつ
きをなくすことを目的とし、ウェハーを炉芯管に出し入
れするためのフォークに、ウェハーと接触してウェハー
を回転させる回転治具を設けている。
させることにより、膜成長用ガスをウェハーに均一に接
触させて膜成長することで、ウェハー面内の膜厚ばらつ
きをなくすことを目的とし、ウェハーを炉芯管に出し入
れするためのフォークに、ウェハーと接触してウェハー
を回転させる回転治具を設けている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１の正面断面図、第２図はその
側面断面図である。炉芯管１の内部に、フオーク２を設
置し、フォーク２にウェハー３をのせ、フォーク２に設
けられた棒状の回転治具５にウェハー３を接触させ、回
転駆動用モーター６により回転治具５を回転させてウェ
ハー３を回転させ、気相成長を行なう。このように、ウ
ェハーを回転させることにより、膜成長用ガスがウェハ
ーに均一に接触し、ウェハー面内の膜厚のばらつきがな
くなる。
側面断面図である。炉芯管１の内部に、フオーク２を設
置し、フォーク２にウェハー３をのせ、フォーク２に設
けられた棒状の回転治具５にウェハー３を接触させ、回
転駆動用モーター６により回転治具５を回転させてウェ
ハー３を回転させ、気相成長を行なう。このように、ウ
ェハーを回転させることにより、膜成長用ガスがウェハ
ーに均一に接触し、ウェハー面内の膜厚のばらつきがな
くなる。
第３図は第２図の回転部の拡大図を示しており、ウェハ
ー又はウェハーを収納したカセットを、回転治具５の上
にのせて炉芯管１に出し入れするフォーク２に回転駆動
用モーター６を設置した場合を示す。
ー又はウェハーを収納したカセットを、回転治具５の上
にのせて炉芯管１に出し入れするフォーク２に回転駆動
用モーター６を設置した場合を示す。
また、第４図は本発明の実施例２の部分斜視図て゛、蓋
４にフォーク２を固定し、このフォーク２にボートをの
せ、ウェハー３を蓋４を貫通する回転治具５に接触させ
、ウェハー回転駆動用モーター６からの動力で回転治具
５を回転させながら気相成長するものである。こうする
とボートが直接炉芯管に触れることがなく出し入れ可能
であり、しかもウェハーを回転させながら成長させる為
、ごみ低減に大きな効果があり、ウェハー内の膜厚も均
一に成長できるという利点を有する。
４にフォーク２を固定し、このフォーク２にボートをの
せ、ウェハー３を蓋４を貫通する回転治具５に接触させ
、ウェハー回転駆動用モーター６からの動力で回転治具
５を回転させながら気相成長するものである。こうする
とボートが直接炉芯管に触れることがなく出し入れ可能
であり、しかもウェハーを回転させながら成長させる為
、ごみ低減に大きな効果があり、ウェハー内の膜厚も均
一に成長できるという利点を有する。
以上説明したように本発明は、炉芯管内でウェハーを回
転させることによって膜成長用ガスがウェハーに均一に
接触し、その結果ウェハー面内の膜厚ばらつきをなくす
ことができる。
転させることによって膜成長用ガスがウェハーに均一に
接触し、その結果ウェハー面内の膜厚ばらつきをなくす
ことができる。
第１図は本発明の実施例１の正面断面図、第２図は第１
図の側面断面図、第３図は第２図の回転部の拡大図、第
４図は本発明の実施例２の部分斜視図である。
図の側面断面図、第３図は第２図の回転部の拡大図、第
４図は本発明の実施例２の部分斜視図である。
Claims (1)
- 横型炉芯管にウェハーを立てて挿入し気相成長を行なう
半導体製造装置において、ウェハーを炉芯管に出し入れ
するためのフォークに、ウェハーと接触してウェハーを
回転させる回転治具を設けたことを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22028590A JPH04102313A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22028590A JPH04102313A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102313A true JPH04102313A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16748779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22028590A Pending JPH04102313A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04102313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022180738A (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-07 | 信越エンジニアリング株式会社 | 基板処理装置及び成膜基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP22028590A patent/JPH04102313A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022180738A (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-07 | 信越エンジニアリング株式会社 | 基板処理装置及び成膜基板の製造方法 |
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