JPS60247227A - 透過型エレクトロクロミツク表示装置 - Google Patents
透過型エレクトロクロミツク表示装置Info
- Publication number
- JPS60247227A JPS60247227A JP59102808A JP10280884A JPS60247227A JP S60247227 A JPS60247227 A JP S60247227A JP 59102808 A JP59102808 A JP 59102808A JP 10280884 A JP10280884 A JP 10280884A JP S60247227 A JPS60247227 A JP S60247227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- electrode
- layer
- color
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は新規な透過型エレクトロクロミック（以下、「
エレクトロクロミック」をＥＣと略す）表示装置に関す
る。
エレクトロクロミック」をＥＣと略す）表示装置に関す
る。
（発明の背景）
乾電池程度の電圧を印加することによって発色し、逆電
圧を印加することによっ”ζ元の無色透明に消色するＥ
Ｃ表示装置（以下、ＥＣＤと略す）は、日の字型のセブ
ンセグメントを用いた数字その他の表示手段として利用
すべく実用化にむけて盛んに研究されている。その１つ
として−ＯＢ 、 Ｍｏ（％等の還元発色性ＥＣ物質を
用いたＥＣＤがある。
圧を印加することによっ”ζ元の無色透明に消色するＥ
Ｃ表示装置（以下、ＥＣＤと略す）は、日の字型のセブ
ンセグメントを用いた数字その他の表示手段として利用
すべく実用化にむけて盛んに研究されている。その１つ
として−ＯＢ 、 Ｍｏ（％等の還元発色性ＥＣ物質を
用いたＥＣＤがある。
これらのＥＣ物質が発色するには、電子（ｅ−）とカチ
オン（Ｘ＋）の同時注入が必要とされ、発色・消色に伴
う反応式は次のように信じられている。
オン（Ｘ＋）の同時注入が必要とされ、発色・消色に伴
う反応式は次のように信じられている。
消色時：ＷＯ３＋ｎｅ ＋ｎＸ
↓↑ ↓↑
発色時： ＸｎＷＯ３
そして、カチオン（Ｘ”）としては、イオン半径の小さ
く移動の容易なＨが主として使用されている。これらの
カチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印加
され電場が形成されたときカチオンが生ずればよいので
、特にＨ＋の場合には水がカチオン供給源として利用さ
れる。水は電場の中で Ｈ２０→Ｈ＋０１（− に従って分解する。水は極く微量で十分であるらしく、
大気中から自然にＷＯ３層に取り込まれる量の水分でし
ばしば間に合う。
く移動の容易なＨが主として使用されている。これらの
カチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印加
され電場が形成されたときカチオンが生ずればよいので
、特にＨ＋の場合には水がカチオン供給源として利用さ
れる。水は電場の中で Ｈ２０→Ｈ＋０１（− に従って分解する。水は極く微量で十分であるらしく、
大気中から自然にＷＯ３層に取り込まれる量の水分でし
ばしば間に合う。
しかしながら、単にＷＯ３層を一対の電極で挟んで電圧
を印加して発色させても、容易に消色することができな
い。何故ならば、消色しようとして逆電圧を印加しても
陰極に通じた電極側から電子（ｅ〜）が流入して来るの
で、もしＨ”があれば、ＷＯ３＋ ｎｅ ＋ ｎｌｌ
→１ｌｎＷｏ３の反応か起こって着色するからである。
を印加して発色させても、容易に消色することができな
い。何故ならば、消色しようとして逆電圧を印加しても
陰極に通じた電極側から電子（ｅ〜）が流入して来るの
で、もしＨ”があれば、ＷＯ３＋ ｎｅ ＋ ｎｌｌ
→１ｌｎＷｏ３の反応か起こって着色するからである。
そのため、ＷＯ，層と一方の電極との間に絶縁層例えば
５ｉ０２． ＭｇＦ、を設けたＥＣＤが提案された（特
公昭５２−４６０９８号）。このＥＣＤの絶縁層は、電
子の移動はできないが、ＯＨ−イオンの移動は自由であ
り、このＯＨ″″イオンが電気を運び、絶縁層と電極と
の間で ２０Ｈ−Ｈ２Ｏ＋ （１／ ２ ） ０２↑＋２ｅ−の
反応に従って電子を陽極側に放出しているものと思われ
る。
５ｉ０２． ＭｇＦ、を設けたＥＣＤが提案された（特
公昭５２−４６０９８号）。このＥＣＤの絶縁層は、電
子の移動はできないが、ＯＨ−イオンの移動は自由であ
り、このＯＨ″″イオンが電気を運び、絶縁層と電極と
の間で ２０Ｈ−Ｈ２Ｏ＋ （１／ ２ ） ０２↑＋２ｅ−の
反応に従って電子を陽極側に放出しているものと思われ
る。
つまり発色時には、
（陰極側） ＷＯ３＋ｎｅ ＋ｎＨ−＝ｔｌｎＷＯ３（
陽極側）ｎ（ＯＨ−）→ ｎＨ２Ｏ＋ （ｎ ／２ ） ０２１ ＋２ｎｅ−とい
う反応が推定され、消色時には、 （陽極側） Ｈｎｌ’１０３ →ＷＯ，＋ｎｅ−＋ｎＨ
”（陰極側）ｎ１１２０＋２ｎｅ−→ ｎＯＨ”−＋ （ｎ ／２ ） Ｈ２↑という反応が生
じるものと推定される。
陽極側）ｎ（ＯＨ−）→ ｎＨ２Ｏ＋ （ｎ ／２ ） ０２１ ＋２ｎｅ−とい
う反応が推定され、消色時には、 （陽極側） Ｈｎｌ’１０３ →ＷＯ，＋ｎｅ−＋ｎＨ
”（陰極側）ｎ１１２０＋２ｎｅ−→ ｎＯＨ”−＋ （ｎ ／２ ） Ｈ２↑という反応が生
じるものと推定される。
これらの式からも明らかであるが、現実にも特公昭５２
−４６０９８号は駆動により水が消費されるので大気中
から速やかに水が供給されないと発色しなくなり、また
、駆動に伴って０２ガスや■２ガスが放出されるので層
間剥離を生じるという欠点があった。
−４６０９８号は駆動により水が消費されるので大気中
から速やかに水が供給されないと発色しなくなり、また
、駆動に伴って０２ガスや■２ガスが放出されるので層
間剥離を生じるという欠点があった。
そのため、ＷＯ３層の隣に「イオン良導体である電子絶
縁層／酸化発色性ＥＣ層」を設けた全固体型ＥＣＤが提
案された（特開昭５６−４６７９号）。これは酸化発色
性ＥＣ層として水酸化イリジウム又は水酸化ニッケルを
使用し、同３の発色時に、陽極側で Ｉｒ （Ｏｎ） ｍ ＋ ｎ （ＯＨ″″）（無色透明
） ↓ Ｔｒ （Ｏｌｌ） １−ｐＨ□０＋ｑＨ２０＋ ｒ （
ｅ−）と反応し、−０３の消色時に陰極側で Ｉｒ （Ｏｌｌ） １２− ｐｉ２ｏ＋ｑｌ１２ｏ＋
ｒ （ｅ−）↓ Ｔｒ （０旧１１＋ｎ（ＯＨ″″） と反応するものと考えられている。従って、水が再生さ
れるので水が消費されず、また１１２ガスや０２ガスの
発生もない。
縁層／酸化発色性ＥＣ層」を設けた全固体型ＥＣＤが提
案された（特開昭５６−４６７９号）。これは酸化発色
性ＥＣ層として水酸化イリジウム又は水酸化ニッケルを
使用し、同３の発色時に、陽極側で Ｉｒ （Ｏｎ） ｍ ＋ ｎ （ＯＨ″″）（無色透明
） ↓ Ｔｒ （Ｏｌｌ） １−ｐＨ□０＋ｑＨ２０＋ ｒ （
ｅ−）と反応し、−０３の消色時に陰極側で Ｉｒ （Ｏｌｌ） １２− ｐｉ２ｏ＋ｑｌ１２ｏ＋
ｒ （ｅ−）↓ Ｔｒ （０旧１１＋ｎ（ＯＨ″″） と反応するものと考えられている。従って、水が再生さ
れるので水が消費されず、また１１２ガスや０２ガスの
発生もない。
しかしながら、水酸化イリジウム又は水酸化ニッケル層
を使用すると、長時間の高温耐久性試験に供した場合、
消色時にも色が残り、元の無色透明にならず、そのため
発消色のコントラストが低下することが判った。
を使用すると、長時間の高温耐久性試験に供した場合、
消色時にも色が残り、元の無色透明にならず、そのため
発消色のコントラストが低下することが判った。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は、水酸化イリジウム又は水酸化
ニッケル層を使用したときの欠点、即ち長時間の高温耐
久性試験に供したときのコントラストの低下を改善する
ことにある。
ニッケル層を使用したときの欠点、即ち長時間の高温耐
久性試験に供したときのコントラストの低下を改善する
ことにある。
（発明の概要）
本発明者らは鋭意研究の結果、水酸化イリジウム又は水
酸化ニッケル層と対向電極との２層に代えて、’Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｒｂ＋Ｐｔ＋Ｐｄ及びＮｉから選ばれた一種また
は二種以上の金属それ自体又はその酸化物もしくは水酸
化物からなる分散質と透明固体導電性分散媒とからなり
、真空薄膜形成技術または厚膜法で形成さた透明電極」
を使用することによって、水酸化イリジウム層の持つ前
記欠点が解消されることを見い出し、本発明を成すに至
った。
酸化ニッケル層と対向電極との２層に代えて、’Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｒｂ＋Ｐｔ＋Ｐｄ及びＮｉから選ばれた一種また
は二種以上の金属それ自体又はその酸化物もしくは水酸
化物からなる分散質と透明固体導電性分散媒とからなり
、真空薄膜形成技術または厚膜法で形成さた透明電極」
を使用することによって、水酸化イリジウム層の持つ前
記欠点が解消されることを見い出し、本発明を成すに至
った。
従って、本発明は、透明表示電極（Ａ）、還元発色性エ
レクトロクロミック層（Ｂ）、必要に応して透明イオン
導電層（Ｃ）、及び対向電極（Ｄ）からなるエレクトロ
クロミック表示装置に於いて、前記対向電極（Ｄ）とし
て、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ及び旧から選ばれた
一種または二種以上の金属それ自体又はその酸化物もし
くは水酸化物からなる分散質（Ｄ １１）と透明固体導
電性分散媒（Ｄ １２）とからなり、真空薄膜形成技術
または厚膜法で形成された透明分散電極（Ｄｌ）を使用
し、かつ前記（Ｂ）、（Ｃ）及び（ＤＩ）の少なくとも
一層が前記（Ｂ）の発色に必要なカチオン又は電圧印加
によってカチオンを放出するカチオン供給源を含むこと
を特徴とするＥＣＤを提供する。
レクトロクロミック層（Ｂ）、必要に応して透明イオン
導電層（Ｃ）、及び対向電極（Ｄ）からなるエレクトロ
クロミック表示装置に於いて、前記対向電極（Ｄ）とし
て、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ及び旧から選ばれた
一種または二種以上の金属それ自体又はその酸化物もし
くは水酸化物からなる分散質（Ｄ １１）と透明固体導
電性分散媒（Ｄ １２）とからなり、真空薄膜形成技術
または厚膜法で形成された透明分散電極（Ｄｌ）を使用
し、かつ前記（Ｂ）、（Ｃ）及び（ＤＩ）の少なくとも
一層が前記（Ｂ）の発色に必要なカチオン又は電圧印加
によってカチオンを放出するカチオン供給源を含むこと
を特徴とするＥＣＤを提供する。
本発明に於いて使用される透明表示電極（Ａ）としては
、例えば５ｎ０２． Ｉｎ２Ｏ３、ＴＴＯ（Ｉｎ、Ｏ，
に５％程度の５ｎ０２を混入させたもの）等が挙げられ
る。電極（Ａ）の厚さとしては、透明度及び抵抗にもよ
るが、一般には０．０１〜０．５μｍである。従って、
電極（Ａ）は一般には、真空蒸着、反応性蒸着、イオン
ブレーティング、反応性イオンブレーティング、スパッ
タリング等の真空薄膜形成技術で作られるが、場合によ
っては有機金属化合物例えば金属アルコラードまたはそ
のオリゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成する
、いわゆる厚膜法で作ってもよい。
、例えば５ｎ０２． Ｉｎ２Ｏ３、ＴＴＯ（Ｉｎ、Ｏ，
に５％程度の５ｎ０２を混入させたもの）等が挙げられ
る。電極（Ａ）の厚さとしては、透明度及び抵抗にもよ
るが、一般には０．０１〜０．５μｍである。従って、
電極（Ａ）は一般には、真空蒸着、反応性蒸着、イオン
ブレーティング、反応性イオンブレーティング、スパッ
タリング等の真空薄膜形成技術で作られるが、場合によ
っては有機金属化合物例えば金属アルコラードまたはそ
のオリゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成する
、いわゆる厚膜法で作ってもよい。
還元発色性ＥＣ層（Ｂ）は既に知られているように非晶
質−０３又はＭｏｏＢが使用される。これらのＥＣ層は
真空薄膜形成技術により、一般に０．０１〜数μｍの厚
さに形成される。
質−０３又はＭｏｏＢが使用される。これらのＥＣ層は
真空薄膜形成技術により、一般に０．０１〜数μｍの厚
さに形成される。
透明イオン導電層（Ｃ）は、本発明０ＥＣＤにメモリ性
即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が保
持される性質をもたせるために必要に応じて設けられる
もので、その具体的材料としては次のものが例示される
。
即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が保
持される性質をもたせるために必要に応じて設けられる
もので、その具体的材料としては次のものが例示される
。
■少量の水分を含む酸化タンタル（Ｔａｚ％ ）、酸化
ニオブ（Ｎｂ、０５ ） 、酸化ジルコニウム（Ｚｒ０
２）酸化チタン（Ｔｉ０２） 、酸化ハフニウム（Ｉｌ
ｆＯ２）、酸化イツトリウム（Ｙ、Ｏ，） 、酸化ラン
タン（Ｌａ２０３）、酸化珪素（Ｓ１０２＞ 、フッ化
マグネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれらの混
合物質（これらの物質は、電子に対して絶縁体であるが
、プロトン（Ｈ＋）及びヒドロキシイオン（Ｏｌｌ−）
に対しては良導体である。）； ■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、Ｎａ５Ｚｒ２Ｓ＋２Ｐ０，２、Ｎａ１４．
（Ｚｒｓｔｘｐ３−ＸＯ，、、Ｎ ａ ｓ Ｙ Ｓ ＋
＋ ０１２、ｌｌｂＡｇ、Ｉ、等の固体電解質； ■水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えばメタクリ
ル酸β−ヒドロキシエチルと２−アクリルアミド−２−
メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタクリ
ル酸メチル共重合体のような含水ビニル重合体、含水ポ
リエステルなど；■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸
、酢酸、酪酸、しゅう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、′水酸化カリウムのようなアルカリ
の水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウ
ム、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液； ■半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をゲル化剤例
えばポリビニルアルコール、ＣＭＣ，寒天、ゼラチン等
でゲル化させたもの； などが挙げられる。
ニオブ（Ｎｂ、０５ ） 、酸化ジルコニウム（Ｚｒ０
２）酸化チタン（Ｔｉ０２） 、酸化ハフニウム（Ｉｌ
ｆＯ２）、酸化イツトリウム（Ｙ、Ｏ，） 、酸化ラン
タン（Ｌａ２０３）、酸化珪素（Ｓ１０２＞ 、フッ化
マグネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれらの混
合物質（これらの物質は、電子に対して絶縁体であるが
、プロトン（Ｈ＋）及びヒドロキシイオン（Ｏｌｌ−）
に対しては良導体である。）； ■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、Ｎａ５Ｚｒ２Ｓ＋２Ｐ０，２、Ｎａ１４．
（Ｚｒｓｔｘｐ３−ＸＯ，、、Ｎ ａ ｓ Ｙ Ｓ ＋
＋ ０１２、ｌｌｂＡｇ、Ｉ、等の固体電解質； ■水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えばメタクリ
ル酸β−ヒドロキシエチルと２−アクリルアミド−２−
メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタクリ
ル酸メチル共重合体のような含水ビニル重合体、含水ポ
リエステルなど；■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸
、酢酸、酪酸、しゅう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、′水酸化カリウムのようなアルカリ
の水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウ
ム、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液； ■半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をゲル化剤例
えばポリビニルアルコール、ＣＭＣ，寒天、ゼラチン等
でゲル化させたもの； などが挙げられる。
従って、透明イオン導電層（Ｃ）は、真空薄膜形成技術
、厚膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成され
る。（Ｃ）層の厚さは材料によってｏ、ｏｏｉ μｍ−
ＩＮ位まで様々となる。
、厚膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成され
る。（Ｃ）層の厚さは材料によってｏ、ｏｏｉ μｍ−
ＩＮ位まで様々となる。
対向電極は、本発明に於いては分散質（Ｄｌｌ）と透明
固体導電性分散媒（Ｄ Ｉ２）とから成る透明分散電極
（Ｄｌ）を使用するが、まず分散質（Ｄｌｌ）について
説明する。
固体導電性分散媒（Ｄ Ｉ２）とから成る透明分散電極
（Ｄｌ）を使用するが、まず分散質（Ｄｌｌ）について
説明する。
分散質（Ｄ １１）は、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ
及びＮｉから選ばれた一種または二種以上の金属それ自
体又はその酸化物もしくは水酸化物からなるが、なかで
も酸化物もしくは水酸化物が好ましい。
及びＮｉから選ばれた一種または二種以上の金属それ自
体又はその酸化物もしくは水酸化物からなるが、なかで
も酸化物もしくは水酸化物が好ましい。
分散媒（Ｄ １２）としては、例えばＳｎＯ２＋ Ｉｎ
２Ｏ３゜ＩＴＯ，ＺｎＯ等の透明固体導電性化合物が使
用される。
２Ｏ３゜ＩＴＯ，ＺｎＯ等の透明固体導電性化合物が使
用される。
このような透明分散電極（Ｄｌ）の製造法を説明すれば
次の通りである。以下の説明でり、は分散質（Ｄ １１
）を構成する金属単体を、Ｍｌｏはその酸化物を意味し
、Ｍｌは分散媒（Ｄｌ２）を構成する金属単体を、Ｍ、
０はその酸化物を意味する。
次の通りである。以下の説明でり、は分散質（Ｄ １１
）を構成する金属単体を、Ｍｌｏはその酸化物を意味し
、Ｍｌは分散媒（Ｄｌ２）を構成する金属単体を、Ｍ、
０はその酸化物を意味する。
（ｉ）抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波加熱又はレー
ザービーム加熱による真空蒸着：（ｉ−ａ）非反応性の
場合 蒸発源材料として ◎Ｍ、、ＭＩＯ ０Ｍｌ０゜ を使用する。
ザービーム加熱による真空蒸着：（ｉ−ａ）非反応性の
場合 蒸発源材料として ◎Ｍ、、ＭＩＯ ０Ｍｌ０゜ を使用する。
（ｉ−ｂ）反応性の場合
０２ガスの存在下に活性化手段（例えば高周波印加又は
加熱）と共に、 蒸発源材料として ◎Ｍ、、 Ｍｌｏ ０Ｍ２．Ｍ２０ を使用する。
加熱）と共に、 蒸発源材料として ◎Ｍ、、 Ｍｌｏ ０Ｍ２．Ｍ２０ を使用する。
（ｉｉ ）高周波スパッタリング：
（ｉｉ −ａ ）非反応性の場合
不活性ガスの存在下に、多元又は複合ターゲットとして
、 １ ◎Ｍ、 、 Ｍ、 ０ ０Ｍｌ０ を使用する。
、 １ ◎Ｍ、 、 Ｍ、 ０ ０Ｍｌ０ を使用する。
（ｉｉ−ｂ）反応性の場合
０２ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在下に、多
元又は複合ターゲットとして、０Ｍ１． Ｍ、 ０ ０Ｍ２．Ｍ２０ を使用する。
元又は複合ターゲットとして、０Ｍ１． Ｍ、 ０ ０Ｍ２．Ｍ２０ を使用する。
（ｉｉｉ ）直流スパッタリング：
０□ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在下に、多
元又は複合ターゲットとして、０Ｍ１ ０Ｍ２ を使用する。
元又は複合ターゲットとして、０Ｍ１ ０Ｍ２ を使用する。
（ｉｖ ）その他
前記（ｉ） 、（ｉｉ） 、（ｉｉｉ）のいずれかの方
法で、ＭｌとＭｌとの混合金属薄膜を形成した後、加熱
例えば２５０〜３００ ”ｃに加熱することにより酸化
して、ＭｌとＭ２Ｏとの分 ２ 散層（Ｄｌ）又はＭｌｏとＭ２Ｏとの分散層（ＤＩ）に
変える。この方法が可能なＭｌとしては、Ｓｎ、 Ｉｎ
などが挙げられる。
法で、ＭｌとＭｌとの混合金属薄膜を形成した後、加熱
例えば２５０〜３００ ”ｃに加熱することにより酸化
して、ＭｌとＭ２Ｏとの分 ２ 散層（Ｄｌ）又はＭｌｏとＭ２Ｏとの分散層（ＤＩ）に
変える。この方法が可能なＭｌとしては、Ｓｎ、 Ｉｎ
などが挙げられる。
なお、先にＭｌｏは酸化物を意味すると述べたが、水が
Ｍｌｏの近くに存在する場合には、Ｍｌｏ ・Ｈ，０は
Ｍｌ （ＯＨ）２とも書けることから理解されるように
、酸化物ではなく水酸化物とも受け取れる。従って、分
散質（Ｄｌｌ）を構成する金属の酸化物と水酸化物とは
厳密に区別されるものではない。
Ｍｌｏの近くに存在する場合には、Ｍｌｏ ・Ｈ，０は
Ｍｌ （ＯＨ）２とも書けることから理解されるように
、酸化物ではなく水酸化物とも受け取れる。従って、分
散質（Ｄｌｌ）を構成する金属の酸化物と水酸化物とは
厳密に区別されるものではない。
ともかく分散質（Ｄｌｌ）は透明分散媒（Ｄ １２）中
に極微粒状態で分散していることが必要で、そのために
分散層（ＤＩ）の製造には、上述の真空薄膜形成技術を
利用することが好ましい。また、分散層（ＤＩ）は有機
金属化合物例えば金属アルコラードまたはそのオリゴマ
ーの混合液を塗布し、焼成して被膜を形成する厚膜法で
形成してもよい。
に極微粒状態で分散していることが必要で、そのために
分散層（ＤＩ）の製造には、上述の真空薄膜形成技術を
利用することが好ましい。また、分散層（ＤＩ）は有機
金属化合物例えば金属アルコラードまたはそのオリゴマ
ーの混合液を塗布し、焼成して被膜を形成する厚膜法で
形成してもよい。
これにより、透明な分散電極（Ｄｌ）が得られる。
透明分散層（Ｄｌ）の膜厚としては、一般に０゜００５
μｍ〜１１■位あれば十分である。
μｍ〜１１■位あれば十分である。
先に述べたように還元発色性ＥＣ層（Ｂ）の発３
色にはカチオンが必要であり、層（Ｂ）、層（Ｃ）及び
層（Ｄｌ）の少なくとも１層にはカチオンまたは電圧印
加によりカチオンを放出するカチオン供給源を含ませる
ことが必要であるが、層（Ｂ）および層（Ｄｌ）に含ま
せる場合にはカチオンは実用上プロトン（Ｈ＋）に限ら
れ、カチオン供給源は実用上、水（Ｈ２Ｏ）に限られる
。水の場合には、ＥＣＤの製造時に格別含有させること
をしなくとも、しばしば大気中から自然に層中に侵入す
る。
層（Ｄｌ）の少なくとも１層にはカチオンまたは電圧印
加によりカチオンを放出するカチオン供給源を含ませる
ことが必要であるが、層（Ｂ）および層（Ｄｌ）に含ま
せる場合にはカチオンは実用上プロトン（Ｈ＋）に限ら
れ、カチオン供給源は実用上、水（Ｈ２Ｏ）に限られる
。水の場合には、ＥＣＤの製造時に格別含有させること
をしなくとも、しばしば大気中から自然に層中に侵入す
る。
こうして本発明０ＥＣＤが構成される。本発明のＥＣＤ
は、一般には表示電極（Ａ）、ＥＣ層（Ｂ）、場合によ
りイオン導電層（Ｃ）、分散電極（Ｄｉ）の３層又は４
層構造からなるが、第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すような
構造であってもよい。
は、一般には表示電極（Ａ）、ＥＣ層（Ｂ）、場合によ
りイオン導電層（Ｃ）、分散電極（Ｄｉ）の３層又は４
層構造からなるが、第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すような
構造であってもよい。
図中、（Ｅ）は補助電極である。
このＥＣＤに１．０〜１．８ボルト程度の直流電圧を印
加すると０．０１〜数秒で青色に発色し、この発色状態
は（Ｃ）層が存在する場合には電圧印加を止めても比較
的長時間保持され、同程度の逆電圧４ を印加すると、発色に要した時間よりやや短時間で元の
無色透明に戻る。時間はかかるが電極（Ａ）と（Ｄｌ）
を短絡しても消色する。
加すると０．０１〜数秒で青色に発色し、この発色状態
は（Ｃ）層が存在する場合には電圧印加を止めても比較
的長時間保持され、同程度の逆電圧４ を印加すると、発色に要した時間よりやや短時間で元の
無色透明に戻る。時間はかかるが電極（Ａ）と（Ｄｌ）
を短絡しても消色する。
以下、実施例により、本発明を具体的に説明する。
（実施例１）
ガラス基板（Ｓ）を用意し、その上に下記条件：蒸発源
：金属Ｓｒ＋、金属Ｒｈの２元系真空度： ５ ＸＩＯ
Ｔｏｒｒ ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温度＝２０°Ｃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化レテニ
ウムを分散質（Ｄｌｌ）とし酸化スズを分散媒（Ｄｌ２
）とする膜厚７００人の透明分散電極（Ｄｌ）を形成さ
せた。この分散電極（Ｄｌ）は、分散質（Ｄｌｌ）の割
合は２０重量％であり、シート抵抗は５００Ω／口であ
った。
：金属Ｓｒ＋、金属Ｒｈの２元系真空度： ５ ＸＩＯ
Ｔｏｒｒ ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温度＝２０°Ｃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化レテニ
ウムを分散質（Ｄｌｌ）とし酸化スズを分散媒（Ｄｌ２
）とする膜厚７００人の透明分散電極（Ｄｌ）を形成さ
せた。この分散電極（Ｄｌ）は、分散質（Ｄｌｌ）の割
合は２０重量％であり、シート抵抗は５００Ω／口であ
った。
次にその上に下記条件：
蒸発源： Ｔａ２％
真空度：５Ｘ１０−≦ Ｔｏｒｒ
５
４
０□分圧： ４ ＸＩＯＴｏｒｒ
基板温度：１５０℃
の下に真空蒸着により、膜厚５０００人の透明イオン導
電層（Ｃ）を形成させた。
電層（Ｃ）を形成させた。
その上に更に下記条件：
蒸発源：ＷＯ２
真空度： ５ ＸＩＯＴｏｒｒ
Ａｒ分圧： ４ ｘｌｏ−” Ｔｏｒｒ基板温度：１５
０°Ｃ の下に真空蒸着により、膜厚５００〇への透明な非晶胃
弱０３層（Ｂ）を形成させた。
０°Ｃ の下に真空蒸着により、膜厚５００〇への透明な非晶胃
弱０３層（Ｂ）を形成させた。
最後に一０３層（Ｂ）の上に下記条件：蒸発源： Ｉｎ
２０Ｂ と５ｎ０２との混合物真空度： ５ ｘｉｏ
Ｔｏｒｒ 計分圧： ３ ｘｉｏ−’ Ｔｏｒｒ 基板温度：１５０°Ｃ の下に高周波イオンブレーティングにより、膜厚２５０
０人の透明表示電極（Ａ）を形成させた。
２０Ｂ と５ｎ０２との混合物真空度： ５ ｘｉｏ
Ｔｏｒｒ 計分圧： ３ ｘｉｏ−’ Ｔｏｒｒ 基板温度：１５０°Ｃ の下に高周波イオンブレーティングにより、膜厚２５０
０人の透明表示電極（Ａ）を形成させた。
こうして、第１図に示す構造を有するＥＣＤが得られた
。このＥＣＤをエポキシ樹脂で封１トした６ 後、電極（Ａ）、（ＤＩ）を通じて１．４ボルトの発色
電圧を印加すると、４００ ｍ５ｅｃで青色に発色し、
発色時の透過率（Ｔｃ）は波長λ−６００ｎｍで２０％
であり、この発色状態は電圧印加を止めても保持された
。次に−１，４ボルトの消色電圧を印加すると、３５０
ｍ５ｅｃで元の無色透明に戻り、消色時の透過率（Ｔ
ｂ）は８０％であった。
。このＥＣＤをエポキシ樹脂で封１トした６ 後、電極（Ａ）、（ＤＩ）を通じて１．４ボルトの発色
電圧を印加すると、４００ ｍ５ｅｃで青色に発色し、
発色時の透過率（Ｔｃ）は波長λ−６００ｎｍで２０％
であり、この発色状態は電圧印加を止めても保持された
。次に−１，４ボルトの消色電圧を印加すると、３５０
ｍ５ｅｃで元の無色透明に戻り、消色時の透過率（Ｔ
ｂ）は８０％であった。
（実施例２）
実施例１で用いたガラス基板（Ｓ）を用意し、その上に
下記条件： 蒸発源： Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ□との混合焼結体（ＩＴ
Ｏ）と金属Ｒｈの混合ターゲット 真空度： ５ ｘｌＯＴｏｒｒ Ａｒ分圧：’ ５ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ基板温度：室
温 の下に高周波スパッタリングにより、金属Ｒｈを分散質
（Ｄｌｌ）とし、Ｉｎ２Ｏ３と５ｎ０２との混合物を分
散媒（Ｄｌ２）とする膜厚約５００人の透明分散電極（
Ｄｉ）を形成した。この透明分散電極（ＤＩ）は分散質
（Ｄ １１）の割合が２５％であり、シート抵７ 抗は１８０Ω／口であった。
下記条件： 蒸発源： Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ□との混合焼結体（ＩＴ
Ｏ）と金属Ｒｈの混合ターゲット 真空度： ５ ｘｌＯＴｏｒｒ Ａｒ分圧：’ ５ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ基板温度：室
温 の下に高周波スパッタリングにより、金属Ｒｈを分散質
（Ｄｌｌ）とし、Ｉｎ２Ｏ３と５ｎ０２との混合物を分
散媒（Ｄｌ２）とする膜厚約５００人の透明分散電極（
Ｄｉ）を形成した。この透明分散電極（ＤＩ）は分散質
（Ｄ １１）の割合が２５％であり、シート抵７ 抗は１８０Ω／口であった。
以下、実施例１と同様に透明イオン導電層（Ｃ＞ 、
ｗｏ、層（Ｂ）及び表示電極（Ａ）を形成させ、ＥＣＤ
を作成した。
ｗｏ、層（Ｂ）及び表示電極（Ａ）を形成させ、ＥＣＤ
を作成した。
エポキシ樹脂で封止後、発消色テストを行うと、＋１．
４ ｖで２５０ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｃ＝２５％であり、
−１，４Ｖで２００ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｂ＝７５％（λ
−６００ ｎｍ）であった。
４ ｖで２５０ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｃ＝２５％であり、
−１，４Ｖで２００ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｂ＝７５％（λ
−６００ ｎｍ）であった。
（比較例１）
厚さ０．１５μｍのＩＴＯ対向電極（Ｄ）の形成された
ガラス基板（Ｓ）を用意し、その電極（Ｄ）の上に下記
条件： 蒸発源：金属Ｉｒ 真空度： ５ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ −十 ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温度：２０℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムだけからなる膜厚７００人の透明ＥＣ層を形成させ
た。
ガラス基板（Ｓ）を用意し、その電極（Ｄ）の上に下記
条件： 蒸発源：金属Ｉｒ 真空度： ５ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ −十 ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温度：２０℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、酸化イリジ
ウムだけからなる膜厚７００人の透明ＥＣ層を形成させ
た。
その後、実施例１と同様に（Ｃ）、（Ｂ）及び８
（Ａ＞層を積層してＥＣＤを作成し封止したところ、得
られたＥＣＤは発色電圧印加前から、やや褐色に着色し
ており、大気中で±１．５４ルー・のＯｏｊ。
られたＥＣＤは発色電圧印加前から、やや褐色に着色し
ており、大気中で±１．５４ルー・のＯｏｊ。
５１１ｚ交流電圧を５００分印加しても、完全には無色
透明にならなかった。消色した後、発消色テストを行っ
たところ、１５０ ｍ５ｅｃでＴｃ ＝ １５％、 １
００ ｍ５ｅｃでＴｂ ＝ ５０％であった。
透明にならなかった。消色した後、発消色テストを行っ
たところ、１５０ ｍ５ｅｃでＴｃ ＝ １５％、 １
００ ｍ５ｅｃでＴｂ ＝ ５０％であった。
（高温耐久性試験）
実施例１．２及び比較例１で作成した封止ＥＣＤを、コ
ントラスト比をめた上で８０℃、２００時間の高温耐久
性試験に供し、その後コントラスト比をめた。この結果
を下記第１表に示す。尚、コントラスト比は次のように
めた。
ントラスト比をめた上で８０℃、２００時間の高温耐久
性試験に供し、その後コントラスト比をめた。この結果
を下記第１表に示す。尚、コントラスト比は次のように
めた。
コントラスト比−１ｏｇ （ＴＩ／Ｔ２）Ｔ１−消色時
の飽和透過率（％） Ｔ２−発色時の飽和透過率（％） 測定波長λ−６００ｎｍ 第１表（高温耐久性試験データ） （発明の効果） 以上の通り、本発明によれば、製造後に着色のない無色
透明なＥＣＤが得られ、しかも高温耐久性試験後にコン
トラストの低下の極めて少ないＥＣＤが得られる。また
、従来の水酸化イリジウムまたは水酸化ニッケル層が不
要であるので、ＥＣＤ全体の構造が簡単になる。
の飽和透過率（％） Ｔ２−発色時の飽和透過率（％） 測定波長λ−６００ｎｍ 第１表（高温耐久性試験データ） （発明の効果） 以上の通り、本発明によれば、製造後に着色のない無色
透明なＥＣＤが得られ、しかも高温耐久性試験後にコン
トラストの低下の極めて少ないＥＣＤが得られる。また
、従来の水酸化イリジウムまたは水酸化ニッケル層が不
要であるので、ＥＣＤ全体の構造が簡単になる。
第１図は、本発明の実施例１にかかるＥＣＤの断面図で
ある。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本発明の他の実施例に
がかるＥＣＤの断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ａ・・・透明表示電極 Ｂ・・・還元発色性ＥＣ層 Ｃ・・・透明イオン導電層 Ｄｌ・・・透明分散電極（対向電極） Ｅ・・・補助電極 Ｓ・・・基板 出願人 日本光学工業株式会社 代理人渡辺 隆男 １ ０
ある。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本発明の他の実施例に
がかるＥＣＤの断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ａ・・・透明表示電極 Ｂ・・・還元発色性ＥＣ層 Ｃ・・・透明イオン導電層 Ｄｌ・・・透明分散電極（対向電極） Ｅ・・・補助電極 Ｓ・・・基板 出願人 日本光学工業株式会社 代理人渡辺 隆男 １ ０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明表示電極（Ａ）、還元発色性エレクトロクロミック
層（Ｂ）、必要に応じて透明イオン導電層（Ｃ）及び対
向電極（Ｄ）からなるエレクトロクロミック表示装置に
於いて、 前記対向電極（Ｄ）として、Ｒｕ、 Ｏｓ、 Ｒｈ、
Ｐｔ、 Ｐｄ及びＮｉから選ばれた一種または二種以上
の金属それ自体又はその酸化物もしくは水酸化物からな
る分散質（Ｄｌｌ）と透明固体導電性分散媒（Ｄ Ｉ２
）とからなり、真空薄膜形成技術又は厚膜法で形成され
た透明分散電極（Ｄｌ）を使用し、かつ前記（Ｂ）、（
Ｃ）、及び（Ｄｌ）の少なくとも一層が前記（Ｂ）の発
色に必要なカチオンまたは電圧印加によってカチオンを
放出するカチオン供給源を含むことを特徴とする透過型
エレクトロクロミック表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59102808A JPS60247227A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 透過型エレクトロクロミツク表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59102808A JPS60247227A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 透過型エレクトロクロミツク表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247227A true JPS60247227A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14337348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59102808A Pending JPS60247227A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 透過型エレクトロクロミツク表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2688614A1 (fr) * | 1992-03-16 | 1993-09-17 | Schlumberger Ind Sa | Carte a memoire electronique avec affichage de la consommation du solde disponible dans sa memoire. |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59102808A patent/JPS60247227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2688614A1 (fr) * | 1992-03-16 | 1993-09-17 | Schlumberger Ind Sa | Carte a memoire electronique avec affichage de la consommation du solde disponible dans sa memoire. |
| EP0564012A1 (fr) * | 1992-03-16 | 1993-10-06 | Schlumberger Industries | Carte à mémoire électronique avec affichage du solde disponible dans sa mémoire |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4652090A (en) | Dispersed iridium based complementary electrochromic device | |
| Dautremont-Smith | Transition metal oxide electrochromic materials and displays: a review: Part 1: oxides with cathodic coloration | |
| US4824221A (en) | Electrochromic device | |
| US5011582A (en) | Method for producing electrochromic device with application of AC voltage between the electrode layers | |
| JPH04267227A (ja) | エレクトロクロミックガラス | |
| JPH01161224A (ja) | エレクトロクロミック積層体 | |
| JPS593731B2 (ja) | 輻射線反射装置 | |
| US4225216A (en) | Tungsten niobate electrochromic device | |
| US4416517A (en) | Electrochromic devices including a mica layer electrolyte | |
| JPH02199429A (ja) | エレクトロクロミック集成体 | |
| JPS60247227A (ja) | 透過型エレクトロクロミツク表示装置 | |
| Schlotter et al. | Laminated electrochromic device for smart windows | |
| JPS60263125A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
| JPS60238818A (ja) | エレクトロクロミック表示装置 | |
| JPS60222827A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
| JPS60238819A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
| CA1265603A (en) | Dispersed iridium based complementary electrochromic device | |
| JPS6186733A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
| JPH0558171B2 (ja) | ||
| JPH022526A (ja) | 新規なエレクトロクロミツク装置 | |
| JP2569439B2 (ja) | 反射型エレクトロクロミック素子の製造法 | |
| JP2621735B2 (ja) | 真空蒸着による透明な酸化イリジウム薄膜の製造方法 | |
| JPH0522916Y2 (ja) | ||
| JPS61144630A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
| JPH071624Y2 (ja) | 長辺側に電極取出し部を有するｅｃ素子 |