JPS60263125A - エレクトロクロミツク表示装置 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示装置Info
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- JPS60263125A JPS60263125A JP59119464A JP11946484A JPS60263125A JP S60263125 A JPS60263125 A JP S60263125A JP 59119464 A JP59119464 A JP 59119464A JP 11946484 A JP11946484 A JP 11946484A JP S60263125 A JPS60263125 A JP S60263125A
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- Japan
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- layer
- transparent
- oxide
- display device
- conductive layer
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は新規なエレクトロクロミック （以下、「エレ
クトロクロミック」をＥＣと略す）表示装置に関する。
クトロクロミック」をＥＣと略す）表示装置に関する。
（発明の背景）
乾電池程度の電圧を印加することによって発色し、逆電
圧を印加することによって元の無色透明に消色するＥＣ
表示装置（以下、ＥＣＤと略す）は、日の字型のセブン
セグメントを用いた数字その他の表示手段として利用す
べく実用化にむけて盛んに研究されている。その１つと
し、て−０３，ＭｏＯ３等の還元発色性ＥＣ物質を用い
たＥＣＤがある。
圧を印加することによって元の無色透明に消色するＥＣ
表示装置（以下、ＥＣＤと略す）は、日の字型のセブン
セグメントを用いた数字その他の表示手段として利用す
べく実用化にむけて盛んに研究されている。その１つと
し、て−０３，ＭｏＯ３等の還元発色性ＥＣ物質を用い
たＥＣＤがある。
これらのＥＣ物質が発色するには、電子（ｅ−）とカチ
オン（Ｘ＋）の同時注入が必要とされ、発色・消色に伴
う反応式は次のように信じられてい゛る。
オン（Ｘ＋）の同時注入が必要とされ、発色・消色に伴
う反応式は次のように信じられてい゛る。
消色時：賀Ｑｇ ＋ｙＨ１＋ｎＸ
↓↑ ↓ｉ
発色時：Ｘｎ誓０３
そして、カチオン（Ｘ＋）としては、イオン半径の小さ
く移動の容易なＨが主として使用されている。これらの
カチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印加
され電場が形成されたときカチオンが生ずればよいので
、特にＨの場合には水がカチオン供給源として利用され
る。水は電場の中で Ｈ２Ｏ−Ｈ” ＋ＯＨ− に従って分解する。水は極く微量で十分であるらしく、
大気中から自然に杓３層に取り込まれる量の水分でしば
しば間に合う。
く移動の容易なＨが主として使用されている。これらの
カチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印加
され電場が形成されたときカチオンが生ずればよいので
、特にＨの場合には水がカチオン供給源として利用され
る。水は電場の中で Ｈ２Ｏ−Ｈ” ＋ＯＨ− に従って分解する。水は極く微量で十分であるらしく、
大気中から自然に杓３層に取り込まれる量の水分でしば
しば間に合う。
しかしながら、単に一０３層を一対の電極で挟んで電圧
を印加して発色させても、容易に消色することができな
い。何故ならば、消色しようとして逆電圧を印加しても
陰極に通じた電極側から電子（ｅつが流入して来るので
、もしＨ＋があれば、ＷＯ３＋ ｎｅ−＋ ｎＨ” −
Ｈｎｌ［１１の反応が起こって着色するからである。
を印加して発色させても、容易に消色することができな
い。何故ならば、消色しようとして逆電圧を印加しても
陰極に通じた電極側から電子（ｅつが流入して来るので
、もしＨ＋があれば、ＷＯ３＋ ｎｅ−＋ ｎＨ” −
Ｈｎｌ［１１の反応が起こって着色するからである。
そのため、−０８層と一方の電極との間に絶縁層例えば
５ｉ０２． ＭｇＦｚを設けたＥＣＤが提案された（特
公昭５２−４６０９８号）。このＥＣＤの絶縁層は、電
子の移動はできないが、ＯＨ″″イオンの移動は自由で
あり、このＯＲ−イオンが電気を運び、絶縁層と電極と
の間で ２０１１− ８２０ ＋ （１／ ２ ） （ｌｚ ｆ
”２ｅ−の反応に従って電子を陽極側に放出している
ものと思われる。
５ｉ０２． ＭｇＦｚを設けたＥＣＤが提案された（特
公昭５２−４６０９８号）。このＥＣＤの絶縁層は、電
子の移動はできないが、ＯＨ″″イオンの移動は自由で
あり、このＯＲ−イオンが電気を運び、絶縁層と電極と
の間で ２０１１− ８２０ ＋ （１／ ２ ） （ｌｚ ｆ
”２ｅ−の反応に従って電子を陽極側に放出している
ものと思われる。
つまり発色時には、
（陰極側） ＷＯＢ ＋ｎｅ−＋ｎＨ” −４１ＪＯＢ
（陽極側）ｎ（ＯＨ”）−＝ （ｎ ／ ２ ） ）１２０ ＋ （ｎ ／ ４ ）
０２ 丁 ＋ｎｅ−という反応が推定され、消色時には
、 （陽極側） ＨｎｌｌｏＢ −ＷＯ３＋ｎｅ−＋ｎＨ”
（陰極側） ｎ）１２０ ＋ ２ｎｅ−−ｎＯＨ−＋
（ｎ ／２ ） ｏ２ｔ という反応が生じるものと推定される。
（陽極側）ｎ（ＯＨ”）−＝ （ｎ ／ ２ ） ）１２０ ＋ （ｎ ／ ４ ）
０２ 丁 ＋ｎｅ−という反応が推定され、消色時には
、 （陽極側） ＨｎｌｌｏＢ −ＷＯ３＋ｎｅ−＋ｎＨ”
（陰極側） ｎ）１２０ ＋ ２ｎｅ−−ｎＯＨ−＋
（ｎ ／２ ） ｏ２ｔ という反応が生じるものと推定される。
これらの式からも明らかであるが、現実にも特公昭５２
−４６０９８号は駆動により水が消費されるので大気中
から速やかに水が供給されないと発色しなくなり、また
、駆動に伴って０２ガスやＨ２ガスが放出されるので層
間剥離を生じるという欠点があった。
−４６０９８号は駆動により水が消費されるので大気中
から速やかに水が供給されないと発色しなくなり、また
、駆動に伴って０２ガスやＨ２ガスが放出されるので層
間剥離を生じるという欠点があった。
そのため、−０３層の隣に［イオン良導体である電子絶
縁層／酸化発色性ＥＣ）ＩＪを設けた全固体型ＥＣＤが
提案された（特開昭５６−４６７９号）。これは酸化発
色性ＥＣ層として水酸化イリジウムを使用し、罰３の発
色時に、陽極側で Ｉｒ （ＯＨ） ｍ ＋ｎ （ＯＨ−）（無色透明） ↓ Ｉｒ （ＯＨ） ｌ −ｐＨ２０＋ｑｔ１２０＋ ｒ
（ｅ″）着色種 と反応し、罰３の消色時に陰極側で Ｉｒ （ＯＨ） １− ｐＨ，Ｏ＋ｑＨ２０＋ ｒ （
ｅ−）↓ Ｉｒ （ＯＨ） ｍ ＋ｎ （ＯＨ−）と反応するもの
と考えられている。従って、水が再生されるので水が消
費されず、またＨ２ガスや０２ガスの発生もない。
縁層／酸化発色性ＥＣ）ＩＪを設けた全固体型ＥＣＤが
提案された（特開昭５６−４６７９号）。これは酸化発
色性ＥＣ層として水酸化イリジウムを使用し、罰３の発
色時に、陽極側で Ｉｒ （ＯＨ） ｍ ＋ｎ （ＯＨ−）（無色透明） ↓ Ｉｒ （ＯＨ） ｌ −ｐＨ２０＋ｑｔ１２０＋ ｒ
（ｅ″）着色種 と反応し、罰３の消色時に陰極側で Ｉｒ （ＯＨ） １− ｐＨ，Ｏ＋ｑＨ２０＋ ｒ （
ｅ−）↓ Ｉｒ （ＯＨ） ｍ ＋ｎ （ＯＨ−）と反応するもの
と考えられている。従って、水が再生されるので水が消
費されず、またＨ２ガスや０２ガスの発生もない。
しかしながら、水酸化イリジウム層を使用すると、長時
間の高温耐久性試験に供した場合、消色時にも色が残り
、元の無色透明にならず、そのため発消色のコントラス
トが低下することが判明した。
間の高温耐久性試験に供した場合、消色時にも色が残り
、元の無色透明にならず、そのため発消色のコントラス
トが低下することが判明した。
尚、水酸化イリジウムと称したが、一般の水酸化物がそ
うであるように酸化物の水和物ととらえることもできる
。しかも、水は大気中から容易にＷｌｌｌｌｉ中に浸入
する。従って、ここでは水酸化イリジウムと酸化イリジ
ウムとは厳密に区別されるものてはない。
うであるように酸化物の水和物ととらえることもできる
。しかも、水は大気中から容易にＷｌｌｌｌｉ中に浸入
する。従って、ここでは水酸化イリジウムと酸化イリジ
ウムとは厳密に区別されるものてはない。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は、水酸化ないし酸化イリジウム
層を使用したときの欠点、即ち長時間の高温耐久性試験
に供したときのコントラストの低下を改善することにあ
る。
層を使用したときの欠点、即ち長時間の高温耐久性試験
に供したときのコントラストの低下を改善することにあ
る。
（発明の概要）
本発明者らは鋭意研究の結果、水酸化ないし酸化イリジ
ウム層に代えて、水酸化ないし酸化イリジウムの少なく
とも２層とそれらの間にははさまれた透明固体導電層と
の積層物を使用することによって、水酸化ないし酸化イ
リジウム層の持つ前記欠点が解消されることを見い出し
、本発明を成すに至った。
ウム層に代えて、水酸化ないし酸化イリジウムの少なく
とも２層とそれらの間にははさまれた透明固体導電層と
の積層物を使用することによって、水酸化ないし酸化イ
リジウム層の持つ前記欠点が解消されることを見い出し
、本発明を成すに至った。
従って、本発明は、透明表示電極（Ａ）、還元発色性エ
レクトロクロミック層（Ｂ）、必要に応じて透明イオン
導電層（Ｃ）、水酸化ないし酸化イリジウムＮ （Ｄ）
及び対向電極（Ｅ）からなるエレクトロクロミック表示
装置に於いて、前記層（Ｄ）として、水酸化ないし酸化
イリジウム層（ＤＩ）の少なくとも２層とそれらの間に
配置された透明固体導電層（Ｄ２）との積層物を使用し
、かつ前記（Ｂ）、（Ｃ）、（ＤＩ）及び（Ｄ２）の少
なくとも一層が前記（Ｂ）の発色に必要なカチオン又は
電圧印加によってカチオンを放出するカチオン供給源を
含ませたことを特徴とするＥｃＤを提供する。
レクトロクロミック層（Ｂ）、必要に応じて透明イオン
導電層（Ｃ）、水酸化ないし酸化イリジウムＮ （Ｄ）
及び対向電極（Ｅ）からなるエレクトロクロミック表示
装置に於いて、前記層（Ｄ）として、水酸化ないし酸化
イリジウム層（ＤＩ）の少なくとも２層とそれらの間に
配置された透明固体導電層（Ｄ２）との積層物を使用し
、かつ前記（Ｂ）、（Ｃ）、（ＤＩ）及び（Ｄ２）の少
なくとも一層が前記（Ｂ）の発色に必要なカチオン又は
電圧印加によってカチオンを放出するカチオン供給源を
含ませたことを特徴とするＥｃＤを提供する。
本発明に於いて使用される透明表示電極（Ａ）としては
、例えば５ｎ０２．１ｎ２０３ 、 ＩＴＯ（Ｉｎ２０
３ に５％程度の５ｎ０２を混入させたもの）等が挙げ
られる。電極（Ａ）の厚さとしては、透明度及び抵抗に
もよるが、一般には１００〜５０００人である。従って
、電極（Ａ）は一般には、真空蒸着、反応性蒸着、イオ
ンブレーティング、反応性イオンブレーティング、スパ
ッタリング等の真空薄膜形成技術で作られるが、場合に
よっては有機金属化合物例えば金属アルコラードまたは
そのオリゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成す
る、いわゆる厚膜法で作ってもよい。
、例えば５ｎ０２．１ｎ２０３ 、 ＩＴＯ（Ｉｎ２０
３ に５％程度の５ｎ０２を混入させたもの）等が挙げ
られる。電極（Ａ）の厚さとしては、透明度及び抵抗に
もよるが、一般には１００〜５０００人である。従って
、電極（Ａ）は一般には、真空蒸着、反応性蒸着、イオ
ンブレーティング、反応性イオンブレーティング、スパ
ッタリング等の真空薄膜形成技術で作られるが、場合に
よっては有機金属化合物例えば金属アルコラードまたは
そのオリゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成す
る、いわゆる厚膜法で作ってもよい。
還元発色性ＥＣ層（Ｂ）は既に知られているように非晶
賞罰３又はＭｏＯ３が使用される。これらのＥＣ層は真
空薄膜形成技術により１．一般に１００〜数万人の厚さ
に形成される。
賞罰３又はＭｏＯ３が使用される。これらのＥＣ層は真
空薄膜形成技術により１．一般に１００〜数万人の厚さ
に形成される。
透明・Ｃオン導電層（Ｃ）は、本発明のＥＣＤにメモリ
性即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が
保持される性質をもたせるために必要に応じて設けられ
るもので、その具体的材料としては次のものが例示され
る。
性即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発色状態が
保持される性質をもたせるために必要に応じて設けられ
るもので、その具体的材料としては次のものが例示され
る。
■少量の水分を含む酸化タンタル（Ｔａｚ％ ）、酸化
ニオブ（Ｎｂ２０＋； ） 、酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏｌ）酸化チタン（Ｔｉ０２） 、酸化ハフニウム（ｌ
Ｉｆ０２）、酸化イツートリウム（Ｙ２０Ｓ） 、酸化
ランタン（Ｌ ａ ２０り、酸化珪素（Ｓｉ０２）、フ
ッ化マグネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれら
の混合物質（これらの物質は、電子に対して絶縁体であ
るが、プロトン（Ｈ）及びヒドロキシイオン（Ｏｌｌ
−）に対しては良導体である。）； ■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、Ｎａ５Ｚｒ２ＳｉｚＰＯ１２、Ｎａｌ、Ｘ
Ｚｒ５ｉ７Ｐ３−ス％ 、Ｎａｇ’ｉ’５ｉ４０１２、
ＲｂＡｇ４＋５−等の固体電解質； ■水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えばメタクリ
ル酸β−ヒドロキシエチルと２−アクリルアミド−２−
メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタクリ
ル酸メチル共重合体のような含水ビニル重合体、含水ポ
リエステルなど；■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸
、酢酸、酪酸、しゅう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアルカリの
水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム
、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液； ■半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をゲル化剤例
えばポリビニルアルコール、ＣＭＣ，寒天、ゼラチン等
でゲル化させたもの； などが挙げられる。
ニオブ（Ｎｂ２０＋； ） 、酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏｌ）酸化チタン（Ｔｉ０２） 、酸化ハフニウム（ｌ
Ｉｆ０２）、酸化イツートリウム（Ｙ２０Ｓ） 、酸化
ランタン（Ｌ ａ ２０り、酸化珪素（Ｓｉ０２）、フ
ッ化マグネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれら
の混合物質（これらの物質は、電子に対して絶縁体であ
るが、プロトン（Ｈ）及びヒドロキシイオン（Ｏｌｌ
−）に対しては良導体である。）； ■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、Ｎａ５Ｚｒ２ＳｉｚＰＯ１２、Ｎａｌ、Ｘ
Ｚｒ５ｉ７Ｐ３−ス％ 、Ｎａｇ’ｉ’５ｉ４０１２、
ＲｂＡｇ４＋５−等の固体電解質； ■水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えばメタクリ
ル酸β−ヒドロキシエチルと２−アクリルアミド−２−
メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メタクリ
ル酸メチル共重合体のような含水ビニル重合体、含水ポ
リエステルなど；■電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸
、酢酸、酪酸、しゅう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアルカリの
水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム
、硫酸リチウムのような固体強電解質の水溶液； ■半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をゲル化剤例
えばポリビニルアルコール、ＣＭＣ，寒天、ゼラチン等
でゲル化させたもの； などが挙げられる。
従って、透明イオン導電層（Ｃ）は、真空薄膜形成技術
、厚膜法、封入、注入、塗布、その他の手段て形成され
る。（Ｃ）層の厚さは材料によって１０人〜ｌｆ１位ま
で様々となる。
、厚膜法、封入、注入、塗布、その他の手段て形成され
る。（Ｃ）層の厚さは材料によって１０人〜ｌｆ１位ま
で様々となる。
層（Ｄ′）は、本発明に於いては水酸化ないし酸化イリ
ジウム層（Ｄｌ）の少なくとも２層とそれらの間にはさ
まれた透明固体と導電層（Ｄ２）との少なくとも３層か
ら成る。例えば、ＤＩ／Ｄ２／Ｄ３の３層、ＤＩ／Ｄ２
／ＤＩ／Ｄ２の４層、ＤＩ／Ｄ２／ＤＩ／Ｄ２／ＤＩの
５層積層物からなる。
ジウム層（Ｄｌ）の少なくとも２層とそれらの間にはさ
まれた透明固体と導電層（Ｄ２）との少なくとも３層か
ら成る。例えば、ＤＩ／Ｄ２／Ｄ３の３層、ＤＩ／Ｄ２
／ＤＩ／Ｄ２の４層、ＤＩ／Ｄ２／ＤＩ／Ｄ２／ＤＩの
５層積層物からなる。
水酸化ないし酸化イリジウム層（ＤＩ）は、Ｒｕ、Ｏｓ
、Ｐｈ、Ｐｔ、Ｐｄ又はＮｉの水酸化ないし酸化物層に
変えることもできる。
、Ｐｈ、Ｐｔ、Ｐｄ又はＮｉの水酸化ないし酸化物層に
変えることもできる。
透明固体導電層（Ｄ２）としては、■５ｎ０２．Ｉｎｘ
０３、ＩＴＯ，’ Ｚｎ０１ｉ１ノ透明導電性無ｆｉ！
！化物が使用される。
０３、ＩＴＯ，’ Ｚｎ０１ｉ１ノ透明導電性無ｆｉ！
！化物が使用される。
このような層（Ｄｌ）の製造法を例示すれば次の通りで
ある。以下の説明でＭｌは分散質（ＤＩ）を構成する金
属単体を、Ｍｌｏはその酸化物を意味する。
ある。以下の説明でＭｌは分散質（ＤＩ）を構成する金
属単体を、Ｍｌｏはその酸化物を意味する。
（ｉ）抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波加熱又はレー
ザービーム加熱による真空蒸着：（ｉ−ａ）非反応性の
場合 蒸発源材料として、Ｍｈｏを使用する。
ザービーム加熱による真空蒸着：（ｉ−ａ）非反応性の
場合 蒸発源材料として、Ｍｈｏを使用する。
（ｉ−ｂ）反応性の場合
０２ガスの存在下に活性化手段（例えば高周波印加又は
加熱）と共に、 蒸発源材料として、Ｉｌｌ、Ｍ、Ｏを使用する。
加熱）と共に、 蒸発源材料として、Ｉｌｌ、Ｍ、Ｏを使用する。
（１１）高周波スパッタリング：
（ｉｉ−ａ）非反応性の場合
不活性ガスの存在下に、ターゲットとしてＭＩＯを使用
する。
する。
（ｉｉ−ｂ）反応性の場合
０２ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在下に、タ
ーゲットとして、Ｍ、、Ｍ２Ｏを使用する。
ーゲットとして、Ｍ、、Ｍ２Ｏを使用する。
（ｉｉ）直流スパッタリング：
０２ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在下に、タ
ーゲットとして、Ｍｌを使用する。
ーゲットとして、Ｍｌを使用する。
層（Ｄｌ）の膜厚としては、一般に５０人〜ｌｆｉ位あ
れば十分てあり、層（Ｄ２）の膜厚としては一般に５０
人〜１顛位あれば十分である。
れば十分てあり、層（Ｄ２）の膜厚としては一般に５０
人〜１顛位あれば十分である。
先に述べたように還元発色性ＥＣ層（Ｂ）の発色にはカ
チオンが必要であり、層（Ｂ）、層（Ｃ）、層（Ｄｌ）
及び層（Ｄ２）と少な（とも１層にはカチオンまたは電
圧印加によりカチオンを放出するカチオン供給源を含ま
せることが必要であるが、層（Ｂ）および層（Ｄｌ）に
含ませる場合にはカチオンは実用上プロトン（Ｈ＋）に
限られ、カチオン供給源は実用上、水（Ｈ，Ｏ）に限ら
れる。
チオンが必要であり、層（Ｂ）、層（Ｃ）、層（Ｄｌ）
及び層（Ｄ２）と少な（とも１層にはカチオンまたは電
圧印加によりカチオンを放出するカチオン供給源を含ま
せることが必要であるが、層（Ｂ）および層（Ｄｌ）に
含ませる場合にはカチオンは実用上プロトン（Ｈ＋）に
限られ、カチオン供給源は実用上、水（Ｈ，Ｏ）に限ら
れる。
水の場合には、ＥＣＤの製造時に格別含有させることを
しな（とも、しばしば大気中から自然に層中に侵入する
。
しな（とも、しばしば大気中から自然に層中に侵入する
。
対向電極（Ｅ）は、表示電極（Ａ）に使用する透明導電
性材料と同様のものが使用されるが、本発明のＥＣＤが
反射型の場合には反射性の導電性材料例えば、＾ｌ、Ａ
ｇ、Ａｕなどを使用することもできる。
性材料と同様のものが使用されるが、本発明のＥＣＤが
反射型の場合には反射性の導電性材料例えば、＾ｌ、Ａ
ｇ、Ａｕなどを使用することもできる。
こうして本発明のＥＣＤが構成される。本発明のＥＣＤ
は、一般には表示電極（Ａ）、ＥＣ層（Ｂ）、場合によ
りイオン導電層（Ｃ）、積層物層（Ｄ’）及び対向電極
（Ｅ）の４層又は５層構造からなるが、第２Ａ図及び第
２Ｂ図に示すような構造であってもよい。図中、（Ｆ）
は補助電極である。
は、一般には表示電極（Ａ）、ＥＣ層（Ｂ）、場合によ
りイオン導電層（Ｃ）、積層物層（Ｄ’）及び対向電極
（Ｅ）の４層又は５層構造からなるが、第２Ａ図及び第
２Ｂ図に示すような構造であってもよい。図中、（Ｆ）
は補助電極である。
このＥＣＤに１．０〜１．８ボルト程度の直流電圧を印
加すると０．０１〜数秒で青色に発色し、この発色状態
は（Ｃ）層が存在する場合には電圧印加を止めても比較
的長時間保持され、同程度の逆電圧を印加すると、発色
に要した時間よりやや短時間て元の無色透明に戻る。時
間はかかるが電極（Ａ）と（Ｅ）を短絡しても消色する
。
加すると０．０１〜数秒で青色に発色し、この発色状態
は（Ｃ）層が存在する場合には電圧印加を止めても比較
的長時間保持され、同程度の逆電圧を印加すると、発色
に要した時間よりやや短時間て元の無色透明に戻る。時
間はかかるが電極（Ａ）と（Ｅ）を短絡しても消色する
。
以下、実施例により、本発明を具体的に説明する。
（実施例１）
厚さ１５００人のＩＴＯ透明導電層（Ｅ）の形成された
ガラス基板（Ｓ）を用意し、導電層（Ｅ）の上に下記条
件： 蒸発源：金属１ｒ ６ 真空度： ５ ＸＩＯＴｏｒｒ ４ ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温一度：２０℃ の下に高周波スパッタリングにより、膜厚３５０人の透
明な酸化イリジウム層（Ｄｌ）を形成させた。
ガラス基板（Ｓ）を用意し、導電層（Ｅ）の上に下記条
件： 蒸発源：金属１ｒ ６ 真空度： ５ ＸＩＯＴｏｒｒ ４ ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温一度：２０℃ の下に高周波スパッタリングにより、膜厚３５０人の透
明な酸化イリジウム層（Ｄｌ）を形成させた。
続いて、下記条件：
蒸発源−１３とＳｎ％との混合ｉ
真空度：５Ｘ１０−≦ Ｔｏｒｒ
０２分圧：３×１０−斗Ｔｏｒｒ
基板温度：１５０℃
の下に高周波イオンブレーティングにより、膜厚１２０
０人のＩＴＯ（Ｄ２）を形成させた。
０人のＩＴＯ（Ｄ２）を形成させた。
更に下記条件：
蒸発源：金属１ｒ
真空度： ５ ｘｉｏ−’ Ｔｏｒｒ
＾ｒ分圧’ ３ ｘｔｏ−’ Ｔｏｒｒ基板温度＝２０
℃ の下に高周波スパッタリングにより、膜厚３５０人の透
明な酸化イリジウム層（ＤＩ）を形成させた。
℃ の下に高周波スパッタリングにより、膜厚３５０人の透
明な酸化イリジウム層（ＤＩ）を形成させた。
これによりＤＩ／Ｄ２／ＤＩからなる３層構造の積層物
（Ｄｌ）とした。
（Ｄｌ）とした。
次にその上に下記条件：
蒸発ｉｌｌ ： Ｔａ２０５
真空度： ５ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ
０２分圧： ４ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ基板温度＝１５
０℃ の下に真空蒸着により、膜厚５０００人の透明イオン導
電層（Ｃ）を形成させた。
０℃ の下に真空蒸着により、膜厚５０００人の透明イオン導
電層（Ｃ）を形成させた。
その上に更に下記条件：
蒸発源：ＷＯ３
真空度： ５ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ
Ａｒ分圧： ４ ｘｔｏ Ｔｏｒｒ
基板温度：１５０℃
の下に真空蒸着により、膜厚５０００人の透明な非晶質
−０３Ｎ（Ｂ）を形成させた。
−０３Ｎ（Ｂ）を形成させた。
最後に一０３層（Ｂ）の上に下記条件・蒸発源：Ｉｎ２
０９と５ｎ０２との混合物真空度： ５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ０２分圧：３×１０−◆ Ｔｏｒｒ 基板温度：１５０℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、膜厚２５０
０人の透明表示電極（Ａ）を形成させた。
０９と５ｎ０２との混合物真空度： ５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ０２分圧：３×１０−◆ Ｔｏｒｒ 基板温度：１５０℃ の下に高周波イオンブレーティングにより、膜厚２５０
０人の透明表示電極（Ａ）を形成させた。
こうし゛て、第１図に示す構造を有するＥＣＤが得られ
た。このＥＣＤをエポキシ樹脂で封止した後、電極（Ａ
）、（Ｄｌ）を通じて１．４ボルトの発色電圧を印加す
ると、１５０ ｍｓｅｇで、青色に発色し、発色時の透
過率（Ｔｃ）は波長λ−６００ｎ＋ｎで２２％であり、
この発色状態は電圧印加を止めても保持された。次に−
１，４ボルトの消色電圧を印加すると、約１２０ ｍ５
ｅｃで元の無色透明に戻り、消色時の透過率（Ｔｂ）は
８０％であった。
た。このＥＣＤをエポキシ樹脂で封止した後、電極（Ａ
）、（Ｄｌ）を通じて１．４ボルトの発色電圧を印加す
ると、１５０ ｍｓｅｇで、青色に発色し、発色時の透
過率（Ｔｃ）は波長λ−６００ｎ＋ｎで２２％であり、
この発色状態は電圧印加を止めても保持された。次に−
１，４ボルトの消色電圧を印加すると、約１２０ ｍ５
ｅｃで元の無色透明に戻り、消色時の透過率（Ｔｂ）は
８０％であった。
（実施例２）
実施例１に於いて、蒸発源として金属１ｒに代えてＲｕ
を使用したほかは全く同様にしてＥＣＤを作成した。
を使用したほかは全く同様にしてＥＣＤを作成した。
エポキシ樹脂で封止後、発消色テストを行うと、＋１．
４ Ｖで１５０ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｃ＝２６％であり、
−１，４Ｖで１５０ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｂ＝７５％（λ
＝６００ ｎｍ）であった。
４ Ｖで１５０ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｃ＝２６％であり、
−１，４Ｖで１５０ ｍ５ｅｃ 、 Ｔｂ＝７５％（λ
＝６００ ｎｍ）であった。
（比較例１）
実施例１で用いたガラス基板（Ｓ）を用意し、その導１
１１’１（Ｄ２）の上に下記条件；蒸発ｆｉ：金属１ｒ ６ 真空度： ５ ｘｉｏ Ｔｏｒｒ ４ ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温度：２０°Ｃ の下に高周波スパッタリングにより、酸化イリジウムだ
けからなる膜厚７００人のＥＣ層（Ｄ）を形成させた。
１１’１（Ｄ２）の上に下記条件；蒸発ｆｉ：金属１ｒ ６ 真空度： ５ ｘｉｏ Ｔｏｒｒ ４ ０２分圧： ３ ＸＩＯＴｏｒｒ 基板温度：２０°Ｃ の下に高周波スパッタリングにより、酸化イリジウムだ
けからなる膜厚７００人のＥＣ層（Ｄ）を形成させた。
その後、実施例１と同様にしてＥＣＤを作成し封止し、
発消色テストを行ったところ、１５０ ｍ５ｅＣでＴｃ
＝ ２５％、 ＩＱＱ ｍ５ｅｃ ′ｔｌＴｂ＝８０
％てあった。
発消色テストを行ったところ、１５０ ｍ５ｅＣでＴｃ
＝ ２５％、 ＩＱＱ ｍ５ｅｃ ′ｔｌＴｂ＝８０
％てあった。
（高温耐久性試験）
実施例１．２及び比較例１で作成した封止ＥＣＤを、コ
ントラスト比をめた上で８０℃、 ２００ 時間の高温
耐久性試験に供し、その後コントラスト比をめた。この
結果を下記第１表に示す。尚、コントラスト比は次のよ
うにめた。
ントラスト比をめた上で８０℃、 ２００ 時間の高温
耐久性試験に供し、その後コントラスト比をめた。この
結果を下記第１表に示す。尚、コントラスト比は次のよ
うにめた。
コントラスト比＝ｌｏｇ （ＴＩ／Ｔ２）ＴＩ＝消色時
の飽和透過率（％） Ｔ２＝発色時の飽和透過率（％） 測定波長λ−６００ｎ課 第１表（高温耐久性試験デコタ） （発明の効果） 以上の通り、本発明によれば、製造後に着色のない無色
透明なＥＣＤが得られ、しかも高温耐久性試験後にコン
トラストの低下の極めて少ないＥＣＤが得られる。
の飽和透過率（％） Ｔ２＝発色時の飽和透過率（％） 測定波長λ−６００ｎ課 第１表（高温耐久性試験デコタ） （発明の効果） 以上の通り、本発明によれば、製造後に着色のない無色
透明なＥＣＤが得られ、しかも高温耐久性試験後にコン
トラストの低下の極めて少ないＥＣＤが得られる。
第１図は、本発明の実施例１にかかるＥＣＤの断面図で
ある。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本発明の他の実施例に
かかるＥＣＤの断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ａ・・・透明表示電極 Ｂ・・・還元発色性ＥＣ層 Ｃ・・・透明イオン導電層 ＤＩ・・・水酸化ないし酸化イリジウムその他の層 Ｄ２・・・透明固体導電層 ＤＩ・・・Ｉ）１／Ｄ２／Ｄｉの如き積層物Ｆ・・・補
助電極、Ｓ・・・基板 出願人 日本光学工業株式会社 代理人渡辺 隆男 第１図 第２Ａ図 第２Ｂ図
ある。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本発明の他の実施例に
かかるＥＣＤの断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ａ・・・透明表示電極 Ｂ・・・還元発色性ＥＣ層 Ｃ・・・透明イオン導電層 ＤＩ・・・水酸化ないし酸化イリジウムその他の層 Ｄ２・・・透明固体導電層 ＤＩ・・・Ｉ）１／Ｄ２／Ｄｉの如き積層物Ｆ・・・補
助電極、Ｓ・・・基板 出願人 日本光学工業株式会社 代理人渡辺 隆男 第１図 第２Ａ図 第２Ｂ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明表示電極（Ａ）、還元発色性エレクトロクロミック
層（Ｂ）、必要に応じて透明イオン導電層（Ｃ）、水酸
化ないし酸化イリジウム層（Ｄ）及び対向電極（Ｅ）か
らなるエレクトロクロミック表示装置に於いて、 前記層（Ｄ）を、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、ＰＬ、Ｐｄ
及びＮｉから選ばれた一種又は二種以上の金属の酸化物
もしくは水酸化物の透明層（ＤＩ）の少なくとも２層と
それらの間に配置された透明固体導電層（Ｄ２）との積
層物（Ｄｌ）で構成し、かつ前記（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ
ｌ）、及び（Ｄ２）の少なくとも一層が前記（Ｂ）の発
色に必要なカチオン又は電圧印加によってカチオンを放
出するカチオン供給源を含ませたことを特徴とするエレ
クトロクロミック表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119464A JPS60263125A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119464A JPS60263125A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263125A true JPS60263125A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14761986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119464A Pending JPS60263125A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263125A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210916A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | エレクトロクロミツク材料および素子 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59119464A patent/JPS60263125A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210916A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | エレクトロクロミツク材料および素子 |
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