JPS60249419A - トランジスタの駆動回路 - Google Patents
トランジスタの駆動回路Info
- Publication number
- JPS60249419A JPS60249419A JP59105518A JP10551884A JPS60249419A JP S60249419 A JPS60249419 A JP S60249419A JP 59105518 A JP59105518 A JP 59105518A JP 10551884 A JP10551884 A JP 10551884A JP S60249419 A JPS60249419 A JP S60249419A
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- JP
- Japan
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- transistor
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- trm
- collector
- reverse bias
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
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- Electronic Switches (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、スイッチング動作を行うトランジスタの駆動
回路に関し、特にトランジスタのオフのための逆バイア
ス回路を改良したトランジスタの駆動回路に関する。
回路に関し、特にトランジスタのオフのための逆バイア
ス回路を改良したトランジスタの駆動回路に関する。
トランジスタをスイッチング、動作させて使用すること
は広く行なわれている。このようにトランジスタをスイ
ッチング動作させるには、一般にベース電流を制（？ｌ
することが行なわれており、そのため駆動回路が必要で
ある。この駆動回路には、スイッチング動作を円湯に効
率良く行なうための工夫がなされている。
は広く行なわれている。このようにトランジスタをスイ
ッチング動作させるには、一般にベース電流を制（？ｌ
することが行なわれており、そのため駆動回路が必要で
ある。この駆動回路には、スイッチング動作を円湯に効
率良く行なうための工夫がなされている。
第１図は従来のトランジスタ駆動回路の構成図であり、
ＤＣ−ＤＣコンバータに適用した例のものである。
ＤＣ−ＤＣコンバータに適用した例のものである。
ＤＣ−ＤＣコンバータは周知の如くトランスの一次巻線
ＴＩとスイッチングトランジスタＴＲＭとを電源Ｅ１に
対し直列に接続し、一方二次巻線Ｔ２はダイオードＤｉ
及び平滑回路を構成するコンデンサＣＬを介し負荷ＲＬ
に接続される。更に二次側の検出巻線Ｔ３はダイオード
Ｄ２及び平滑回路を構成するコンデンサＣＤを介し検出
抵抗ＲＤに接続され、検出抵抗ＲＤは制御回路Ｃ０ＮＴ
の増幅回路ＡＭＰに接続され、パルス幅変調回路ＰＷＭ
の出力によってスイッチングトランジスタＴＲＭの駆動
回路ＤＲＶを制御する様に構成される。従って、ＤＣ−
ＤＣコンバータは、トランジスタＴＲＭをオンすること
により、−次巻線Ｔ１にエネルギーを蓄積し、トランジ
スタＴＲＭをオフすることにより、二次巻線Ｔ２にダイ
オードＤ１の順方向に電流が流れ、平滑回路のコンデン
サＣＬを介し負荷ＲＬに電源が供給される。これととも
に検出巻線Ｔ３にも電流が流れ検出抵抗ＲＤと同一の電
圧が付与され、制御回路Ｃ０ＮＴの増幅回路ＡＭＰは基
準電位ＶＲと検出抵抗ＲＤの検出電位との差を取り、Ｐ
ＷＭ （パルス幅変調回路）回路に与え、パルス幅変調
回路ＰＷＭは増幅回路ＡＭＰの電位差に応してスイッチ
ングトランジスタＴＲＭのオン／オフのデユーティ比を
変えるべく駆動回路ＤＲＶを制御する。これによって負
荷（出力）側の出力電圧を一定に制御する。
ＴＩとスイッチングトランジスタＴＲＭとを電源Ｅ１に
対し直列に接続し、一方二次巻線Ｔ２はダイオードＤｉ
及び平滑回路を構成するコンデンサＣＬを介し負荷ＲＬ
に接続される。更に二次側の検出巻線Ｔ３はダイオード
Ｄ２及び平滑回路を構成するコンデンサＣＤを介し検出
抵抗ＲＤに接続され、検出抵抗ＲＤは制御回路Ｃ０ＮＴ
の増幅回路ＡＭＰに接続され、パルス幅変調回路ＰＷＭ
の出力によってスイッチングトランジスタＴＲＭの駆動
回路ＤＲＶを制御する様に構成される。従って、ＤＣ−
ＤＣコンバータは、トランジスタＴＲＭをオンすること
により、−次巻線Ｔ１にエネルギーを蓄積し、トランジ
スタＴＲＭをオフすることにより、二次巻線Ｔ２にダイ
オードＤ１の順方向に電流が流れ、平滑回路のコンデン
サＣＬを介し負荷ＲＬに電源が供給される。これととも
に検出巻線Ｔ３にも電流が流れ検出抵抗ＲＤと同一の電
圧が付与され、制御回路Ｃ０ＮＴの増幅回路ＡＭＰは基
準電位ＶＲと検出抵抗ＲＤの検出電位との差を取り、Ｐ
ＷＭ （パルス幅変調回路）回路に与え、パルス幅変調
回路ＰＷＭは増幅回路ＡＭＰの電位差に応してスイッチ
ングトランジスタＴＲＭのオン／オフのデユーティ比を
変えるべく駆動回路ＤＲＶを制御する。これによって負
荷（出力）側の出力電圧を一定に制御する。
このようなスイッチング動作を行なうトランジスタの駆
動回路ＤＲＶとしては、トランジスタＴＲＭのベースに
ベース電流を供給するための駆動電源Ｅ２と第１のトラ
ンジスタＴＲＩと、ベース抵抗Ｒ１及びＲ２と、トラン
ジスタＴＲＭのベース・エミッタ間を逆バイアスする第
２のトランジスタＴＲ２と、ツェナーダイオードＺＤＩ
とコンデンサＣ２の並列回路と抵抗Ｒ３とで構成され、
更にベース抵抗Ｒ１と並列に立上り／立下り特性を改善
するだめのスピードアンプコンデンサＣＩが設けられて
いる。第２図の動作説明図（波形図）に示す如（、トラ
ンジスタＴＲＭをオンするには第１のトランジスタＴＲ
Ｉをオンして駆動電源Ｅ２よりベース抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ
２を介しトランジスタＴＲＭにベース電流ＩＢを流し、
トランジスタＴＲＭをオンする。逆にトランジスタＴＲ
Ｍをオフするには、第１のトランジスタＴＲ１をオフし
、第２のトランジスタＴＲ２をオンし、トランジスタＴ
ＲＭのベース・エミッタ間にコンデンサＣ１の蓄積電圧
を逆バイアス電圧として付与してトランジスタＴＲＭの
逆ベース電流−ＩＢを流すことによってトランジスタＴ
ＲＭをオフする。前述のパルス幅変調回路ＰＷＭは両ト
ランジスタＴＲ１，ＴＲ２のオン／オフを制御してトラ
ンジスタＴＲＭのデユーティレシオを変える。
動回路ＤＲＶとしては、トランジスタＴＲＭのベースに
ベース電流を供給するための駆動電源Ｅ２と第１のトラ
ンジスタＴＲＩと、ベース抵抗Ｒ１及びＲ２と、トラン
ジスタＴＲＭのベース・エミッタ間を逆バイアスする第
２のトランジスタＴＲ２と、ツェナーダイオードＺＤＩ
とコンデンサＣ２の並列回路と抵抗Ｒ３とで構成され、
更にベース抵抗Ｒ１と並列に立上り／立下り特性を改善
するだめのスピードアンプコンデンサＣＩが設けられて
いる。第２図の動作説明図（波形図）に示す如（、トラ
ンジスタＴＲＭをオンするには第１のトランジスタＴＲ
Ｉをオンして駆動電源Ｅ２よりベース抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ
２を介しトランジスタＴＲＭにベース電流ＩＢを流し、
トランジスタＴＲＭをオンする。逆にトランジスタＴＲ
Ｍをオフするには、第１のトランジスタＴＲ１をオフし
、第２のトランジスタＴＲ２をオンし、トランジスタＴ
ＲＭのベース・エミッタ間にコンデンサＣ１の蓄積電圧
を逆バイアス電圧として付与してトランジスタＴＲＭの
逆ベース電流−ＩＢを流すことによってトランジスタＴ
ＲＭをオフする。前述のパルス幅変調回路ＰＷＭは両ト
ランジスタＴＲ１，ＴＲ２のオン／オフを制御してトラ
ンジスタＴＲＭのデユーティレシオを変える。
このような従来のトランジスタ駆動回路ＤＲＶによれば
、トランジスタＴＲＭのオフにおける蓄積時間及び立下
り時間Ｔ２はコンデンサＣ１の逆バイアス電圧に依存す
る。
、トランジスタＴＲＭのオフにおける蓄積時間及び立下
り時間Ｔ２はコンデンサＣ１の逆バイアス電圧に依存す
る。
従って、逆バイアス電圧を大とすれば蓄積時間及び立下
り時間を短くすることができる。
り時間を短くすることができる。
このためには、コンデンサＣ１の蓄積電圧を高くすれば
よ（、従って駆動電源Ｅ２の電圧を高くすればよい。
よ（、従って駆動電源Ｅ２の電圧を高くすればよい。
しかしながら、駆動電源Ｅ２の電圧を高くすることば、
ベース抵抗Ｒ１の消費電力が大きくなるため効率が下が
る問題があった。しかもトランジスタＴＲＭのベース・
エミッタ間の逆耐圧は低いことから、逆バイアス電圧を
高くすることができず。このためトランジスタＴＲＭの
蓄積時間及び立下り時間の短縮を図ることができず高周
波動作が難しくなるという問題もあった。
ベース抵抗Ｒ１の消費電力が大きくなるため効率が下が
る問題があった。しかもトランジスタＴＲＭのベース・
エミッタ間の逆耐圧は低いことから、逆バイアス電圧を
高くすることができず。このためトランジスタＴＲＭの
蓄積時間及び立下り時間の短縮を図ることができず高周
波動作が難しくなるという問題もあった。
本発明の目的は、ベース回路の消費電力を減少し、しか
も蓄積時間及び立下り時間を短縮することができるトラ
ンジスタの駆動回路を提供するにある。
も蓄積時間及び立下り時間を短縮することができるトラ
ンジスタの駆動回路を提供するにある。
上述の目的の達成のため、本発明は、スイッチングトラ
ンジスタのベース・エミッタ間に駆動電圧を印加して該
スイッチングトランジスタをオンするための第１のトラ
ンジスタと、該スイッチングトランジスタのコレクタ・
ベース間に逆ハイアスミ圧を印加して該スイッチングト
ランジスタをオフするための第２及び第３のトランジス
タとを有することを特徴としている。
ンジスタのベース・エミッタ間に駆動電圧を印加して該
スイッチングトランジスタをオンするための第１のトラ
ンジスタと、該スイッチングトランジスタのコレクタ・
ベース間に逆ハイアスミ圧を印加して該スイッチングト
ランジスタをオフするための第２及び第３のトランジス
タとを有することを特徴としている。
また本発明の実施態様においては、前記第３のトランジ
スタのコレクタと前記第１のトランジスタのエミッタ間
に電源Ｅ３が設けられ、該第３のトランジスタのベース
に直列に第２のツェナーダイオードＺＤ２を接続し、該
第２のツェナーダイオードＺＤ２の他端を第１のツェナ
ーダイオードに接続し、前記第３のトランジスタのエミ
ッタと前記スイッチングトランジスタのコレクタ間にダ
イオードを接続したことを特徴としている。
スタのコレクタと前記第１のトランジスタのエミッタ間
に電源Ｅ３が設けられ、該第３のトランジスタのベース
に直列に第２のツェナーダイオードＺＤ２を接続し、該
第２のツェナーダイオードＺＤ２の他端を第１のツェナ
ーダイオードに接続し、前記第３のトランジスタのエミ
ッタと前記スイッチングトランジスタのコレクタ間にダ
イオードを接続したことを特徴としている。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例構成図であり、図中、第１図
と同一のものは同一の記号で示してあり、Ｒ３は逆バイ
アス用電源であり、トランジスタＴＲＭのコレクタ・ベ
ース間に逆バイアス電圧を与えるためのもの、ＴＲ３は
第３のトランジスタであり、トランジスタＴ’ＲＭのコ
レクタ・ベース間に逆バイアス用電源Ｅ３の逆バイアス
電圧をがける（供給する）ためのもの、ツェナーダイオ
ードＺＤ２はＴＲＩ及びＴＲＭがオン時ＴＲ３をオンに
ならないようにするためのものであり、ダイオードＤ３
はトランジスタＴＲＭのコレクタと第３のトランジスタ
ＴＲ３のエミッタとの間に設けられ、第３のトランジス
タＴＲ３を保護するためのものである。
と同一のものは同一の記号で示してあり、Ｒ３は逆バイ
アス用電源であり、トランジスタＴＲＭのコレクタ・ベ
ース間に逆バイアス電圧を与えるためのもの、ＴＲ３は
第３のトランジスタであり、トランジスタＴ’ＲＭのコ
レクタ・ベース間に逆バイアス用電源Ｅ３の逆バイアス
電圧をがける（供給する）ためのもの、ツェナーダイオ
ードＺＤ２はＴＲＩ及びＴＲＭがオン時ＴＲ３をオンに
ならないようにするためのものであり、ダイオードＤ３
はトランジスタＴＲＭのコレクタと第３のトランジスタ
ＴＲ３のエミッタとの間に設けられ、第３のトランジス
タＴＲ３を保護するためのものである。
本発明では、トランジスタＴＲＭをオンするための駆動
電源Ｅ２とは別に逆バイアス用電源Ｅ３が設けられ、こ
の逆バイアス用電源Ｅ３の逆バイアスは第３のトランジ
スタＴＲ３によってトランジスタＴＲＭのコレクタ・ベ
ース間に与えられるよう構成されている。このようにト
ランジスタＴＲＭのコレクタ・ベース間に逆バイアスを
付与するようにしたのは、トランジスタの特性としてコ
レクタ・ベース間の逆耐圧かベース・エミッタ間の逆耐
圧よりはるかに大きく、コレクタ・エミッタ間の逆耐圧
のほとんどがコレクタ・ベース間の逆耐圧であるからで
ある。
電源Ｅ２とは別に逆バイアス用電源Ｅ３が設けられ、こ
の逆バイアス用電源Ｅ３の逆バイアスは第３のトランジ
スタＴＲ３によってトランジスタＴＲＭのコレクタ・ベ
ース間に与えられるよう構成されている。このようにト
ランジスタＴＲＭのコレクタ・ベース間に逆バイアスを
付与するようにしたのは、トランジスタの特性としてコ
レクタ・ベース間の逆耐圧かベース・エミッタ間の逆耐
圧よりはるかに大きく、コレクタ・エミッタ間の逆耐圧
のほとんどがコレクタ・ベース間の逆耐圧であるからで
ある。
次に、第３図実施例構成の動作について第４図番部波形
図によって説明する。尚、ＤＣ−ＤＣコンバータとして
の動作は第１図と同一であるから説明を省略する。
図によって説明する。尚、ＤＣ−ＤＣコンバータとして
の動作は第１図と同一であるから説明を省略する。
トランジスタＴＲＭをオンするには、第１のトランジス
タＴＲＩをオンする。第１のトランジスタＴＲＩがオン
すると、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が低下
しオフするから、逆バイアスルート（トランジスタＴＲ
Ｍのベース・コレクタ間のルート）は遮断される。一方
、第１のトランジスタＴＲＩのオンによって駆動電源Ｅ
２より抵抗Ｒ１及びＲ２を介しトランジスタＴＲＭのベ
ースにベース電流ＩＢが与えられ、スピードアノプコン
デン′＋０１の動作によってトランジスタＴＲＭは急速
に立上りオンする。
タＴＲＩをオンする。第１のトランジスタＴＲＩがオン
すると、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が低下
しオフするから、逆バイアスルート（トランジスタＴＲ
Ｍのベース・コレクタ間のルート）は遮断される。一方
、第１のトランジスタＴＲＩのオンによって駆動電源Ｅ
２より抵抗Ｒ１及びＲ２を介しトランジスタＴＲＭのベ
ースにベース電流ＩＢが与えられ、スピードアノプコン
デン′＋０１の動作によってトランジスタＴＲＭは急速
に立上りオンする。
次にトランジスタＴＲＭをオフするには、第１のトラン
ジスタＴＲＩをオフする。第１のトランジスタＴＲＩの
オフによって駆動電源Ｅ２からトランジスタＴＲＭのベ
ースへのルートが遮断され、トランジスタＴＲＭへのベ
ース電流ＩＢがカットされる。第１のトランジスタＴＲ
１のオフによってベース電流ｒＢがカントされても、ト
ランジスタＴＲＭはオフにならず、小数キャリアの存在
によってコレクタ電流が流れ続け、所定時間経過後オフ
となる。この時間Ｔ２’を蓄積時間及び立下り時間とい
う。一方、第１のトランジスタＴＲＩのオフによって第
２のトランジスタＴＲ２及び第３のトランジスタＴＲ３
は抵抗Ｒ３を介して流入する電流によりオンとなりトラ
ンジスタＴＲＭのコレクタ・ベース間に逆バイアス電源
Ｅ３による逆バイアスが付与される。従って、トランジ
スタＴＲＭの蓄積時間に逆ベース電流−ＩＢが抵抗Ｒ１
、逆バイアス用電源Ｅ３、第３のトランジスタＴＲ３、
第３のダイオードＤ３を介しトランジスタＴＲＭのコレ
クタに流れる。これによってトランジスタＴＲＭの小数
キャリアは急速に引抜かれて、トランジスタＴＲＭはオ
フする。
ジスタＴＲＩをオフする。第１のトランジスタＴＲＩの
オフによって駆動電源Ｅ２からトランジスタＴＲＭのベ
ースへのルートが遮断され、トランジスタＴＲＭへのベ
ース電流ＩＢがカットされる。第１のトランジスタＴＲ
１のオフによってベース電流ｒＢがカントされても、ト
ランジスタＴＲＭはオフにならず、小数キャリアの存在
によってコレクタ電流が流れ続け、所定時間経過後オフ
となる。この時間Ｔ２’を蓄積時間及び立下り時間とい
う。一方、第１のトランジスタＴＲＩのオフによって第
２のトランジスタＴＲ２及び第３のトランジスタＴＲ３
は抵抗Ｒ３を介して流入する電流によりオンとなりトラ
ンジスタＴＲＭのコレクタ・ベース間に逆バイアス電源
Ｅ３による逆バイアスが付与される。従って、トランジ
スタＴＲＭの蓄積時間に逆ベース電流−ＩＢが抵抗Ｒ１
、逆バイアス用電源Ｅ３、第３のトランジスタＴＲ３、
第３のダイオードＤ３を介しトランジスタＴＲＭのコレ
クタに流れる。これによってトランジスタＴＲＭの小数
キャリアは急速に引抜かれて、トランジスタＴＲＭはオ
フする。
前述の如くトランジスタＴＲＭのコレクタ・ベース間の
逆耐圧はベース・エミッタ間の逆耐圧の１０倍以上であ
るので、逆バイアス用電源Ｅ３の逆バイアスを充分高く
することができるので、第４図に示す様にベース電流は
、第１のトランジスタＴＲＩのオフによって逆ベース電
流〜ＴＢに向きを変えた後急速に零に近づく。また駆動
電源Ｅ２はトランジスタＴＲＭをオンさせるに充分な電
圧でよいから、ベース抵抗Ｒ】の消費電力も減少する。
逆耐圧はベース・エミッタ間の逆耐圧の１０倍以上であ
るので、逆バイアス用電源Ｅ３の逆バイアスを充分高く
することができるので、第４図に示す様にベース電流は
、第１のトランジスタＴＲＩのオフによって逆ベース電
流〜ＴＢに向きを変えた後急速に零に近づく。また駆動
電源Ｅ２はトランジスタＴＲＭをオンさせるに充分な電
圧でよいから、ベース抵抗Ｒ】の消費電力も減少する。
前述の説明では、逆バイアス用電源Ｅ３と駆動電源Ｅ２
とを設けているが、電源Ｅ１の電圧をツェナーダイオー
ド等で降圧して駆動電圧を得てもよい。またスピードア
ップコンデンサＣＩは、従来の如く逆バイアス電圧付与
の働きをしなくてよく、立上り特性を改善するために働
くから、立上り特性に厳密なものが要求されない場合に
は、削除してもよい。またＤＣ−ＤＣコンバータの例で
説明したが、これ以外のものにも適用できる。
とを設けているが、電源Ｅ１の電圧をツェナーダイオー
ド等で降圧して駆動電圧を得てもよい。またスピードア
ップコンデンサＣＩは、従来の如く逆バイアス電圧付与
の働きをしなくてよく、立上り特性を改善するために働
くから、立上り特性に厳密なものが要求されない場合に
は、削除してもよい。またＤＣ−ＤＣコンバータの例で
説明したが、これ以外のものにも適用できる。
以上本発明を一実施例により説明したが、本発明は本発
明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこ
れらを排除するものではない。
明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこ
れらを排除するものではない。
以上説明した様に、本発明によれば、スイッチングトラ
ンジスタのベース・エミッタ間に駆動電圧を印加して該
スイッチングトランジスタをオンするための第１のトラ
ンジスタと、該スイッチングトランジスタのコレクタ・
ベース間に逆バイアス電圧を印加して該スイッチングト
ランジスタをオフするための第２及び第３のトランジス
タとを有することを特徴としているので、スイッチング
トランジスタをオフするための逆バイアスは当該スイッ
チングトランジスタの逆耐圧の高いコレクタ・ベース間
に与えるようにしているから、第１に高い逆バイアスを
付与でき、トランジスタの蓄積時間及び立下り時間を短
縮することができるという効果を奏し、高周波駆動が可
能となる。また、駆動電源は、トランジスタを駆動する
に充分な大きさの電圧で済むので、ベース抵抗の消費電
力が減少するという効果も奏し、従って高周波駆動して
も消費電力が減少し、回路全体の効率も改善しうる。
ンジスタのベース・エミッタ間に駆動電圧を印加して該
スイッチングトランジスタをオンするための第１のトラ
ンジスタと、該スイッチングトランジスタのコレクタ・
ベース間に逆バイアス電圧を印加して該スイッチングト
ランジスタをオフするための第２及び第３のトランジス
タとを有することを特徴としているので、スイッチング
トランジスタをオフするための逆バイアスは当該スイッ
チングトランジスタの逆耐圧の高いコレクタ・ベース間
に与えるようにしているから、第１に高い逆バイアスを
付与でき、トランジスタの蓄積時間及び立下り時間を短
縮することができるという効果を奏し、高周波駆動が可
能となる。また、駆動電源は、トランジスタを駆動する
に充分な大きさの電圧で済むので、ベース抵抗の消費電
力が減少するという効果も奏し、従って高周波駆動して
も消費電力が減少し、回路全体の効率も改善しうる。
第１図は従来のトランジスタ駆動回路構成図、第２図は
従来構成による各部波形図、第３図は本発明の一実施例
構成図、第４図は第３図稿成による各部波形図である。 図中、Ｔ ＲＭ−スイッチングトランジスタ、ＴＲ１−
第１のトランジスタ１、ＴＲ２−第２のトランジスタ、
ＴＲ３−第３のトランジスタ、Ｅ２−駆動電源、Ｅ３−
逆バイアス用電源。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 山 谷 晧 榮 第１図 ｔ 第２図
従来構成による各部波形図、第３図は本発明の一実施例
構成図、第４図は第３図稿成による各部波形図である。 図中、Ｔ ＲＭ−スイッチングトランジスタ、ＴＲ１−
第１のトランジスタ１、ＴＲ２−第２のトランジスタ、
ＴＲ３−第３のトランジスタ、Ｅ２−駆動電源、Ｅ３−
逆バイアス用電源。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 山 谷 晧 榮 第１図 ｔ 第２図
Claims (2)
- （１） スイッチングトランジスタのベース・エミ、
ツタ間に駆動電圧を印加して該スイッチングトランジス
タをオンするための第１のトランジスタと、該スイッチ
ングトランジスタのコレクタ・ベース間に逆バイアス電
圧を印加して該スイッチングトランジスタをオフするた
めの第２及び第３のトランジスタとを有することを特徴
とするトランジスタの駆動回路。 - （２）前記第３のトランジスタのコレクタと前記第１の
トランジスタのエミッタ間に電源Ｅ３が設けられ、該第
３のトランジスタのベースに直列に第２のツェナーダイ
オードを接続し、該第２のツェナーダイオードの他端を
第１のツェナーダイオードに接続し、前記第３のトラン
ジスタのエミッタと前記スイッチングトランジスタのコ
レクタ間にダイオードを接続したことを特徴とする特許
請求の範囲第（％）項のトランジスタの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105518A JPS60249419A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | トランジスタの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105518A JPS60249419A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | トランジスタの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249419A true JPS60249419A (ja) | 1985-12-10 |
Family
ID=14409817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59105518A Pending JPS60249419A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | トランジスタの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249419A (ja) |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP59105518A patent/JPS60249419A/ja active Pending
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