JPS60251584A - 磁気バブルデバイス - Google Patents
磁気バブルデバイスInfo
- Publication number
- JPS60251584A JPS60251584A JP59107382A JP10738284A JPS60251584A JP S60251584 A JPS60251584 A JP S60251584A JP 59107382 A JP59107382 A JP 59107382A JP 10738284 A JP10738284 A JP 10738284A JP S60251584 A JPS60251584 A JP S60251584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- adjacent tracks
- bubble
- ion implantation
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く童業上の利用分計〉
本発明は磁気バブルデバイスに関し、特にそのバブル転
送用トラックに関するものである。
送用トラックに関するものである。
〈従来の技術〉
磁気バブルデバイスは、ガドリウム・ガリウム・ガーネ
ッ）（ＧＧＧ）基板上にバブル用結晶となる磁性ガーネ
ットの薄膜を液相エピタキシャル成長させて形成し、こ
の磁性薄膜上にバブル転送用トラックを形成したもので
ある、−パ；辷＝鳥す兼出トヒバブル転送用トラ ツクは、Ｔ型、Ｉｆｉ、ハーフディスク型等のハーマロ
イからなる転送路パターンを蒸着等によシ複数個連続的
に形成した亀のである。このようなバブル転送用トラッ
クは往路、復路が交互に複数本配列され、例えばメジャ
ーマイナールーズのマイナーループを構成する。
ッ）（ＧＧＧ）基板上にバブル用結晶となる磁性ガーネ
ットの薄膜を液相エピタキシャル成長させて形成し、こ
の磁性薄膜上にバブル転送用トラックを形成したもので
ある、−パ；辷＝鳥す兼出トヒバブル転送用トラ ツクは、Ｔ型、Ｉｆｉ、ハーフディスク型等のハーマロ
イからなる転送路パターンを蒸着等によシ複数個連続的
に形成した亀のである。このようなバブル転送用トラッ
クは往路、復路が交互に複数本配列され、例えばメジャ
ーマイナールーズのマイナーループを構成する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
従来のパーマロイパターンを用いた磁気バブルデバイス
においては、各転送トラック間の間隔を小さくするとパ
ズルが隣のトラックに移転して情報配列が乱れ正確な情
報が記憶されなくなるためトラック間隔をある程度以上
小さくすることができず、従って高密度化、小型化が達
成されなかった。本発明の目的は、バブルが隣接するト
ラックに移転することを確実に防止してトラック間隔を
短縮しトラックの高密度配置を図シ、小型化を可能とし
た磁気バブルデバイスの提供である。
においては、各転送トラック間の間隔を小さくするとパ
ズルが隣のトラックに移転して情報配列が乱れ正確な情
報が記憶されなくなるためトラック間隔をある程度以上
小さくすることができず、従って高密度化、小型化が達
成されなかった。本発明の目的は、バブルが隣接するト
ラックに移転することを確実に防止してトラック間隔を
短縮しトラックの高密度配置を図シ、小型化を可能とし
た磁気バブルデバイスの提供である。
〈問題点を解決するための手段〉
この目的を達成するため本発明では、磁性薄膜上に複数
本のバブル転送用往路トラックおよび復路トラックを交
互に設け、各トラックは複数個のパーマロイパターンを
連続的に配置して構成した磁気バブルデバイスにおいて
、隣接する各トラック間の磁性薄膜にイオン注入帯を形
成している。
本のバブル転送用往路トラックおよび復路トラックを交
互に設け、各トラックは複数個のパーマロイパターンを
連続的に配置して構成した磁気バブルデバイスにおいて
、隣接する各トラック間の磁性薄膜にイオン注入帯を形
成している。
く作用〉
イオン注入の境界部に生ずる、バブルに対するポテンシ
ャルのグラフを第５図に示す。磁性薄膜２０に形成した
イオン注入部５０の境界からの距離Ｘをシーとし、縦軸
はバブルに作用する力に対応したポテンシャルを表わす
。境界の外側近傍ではバブルを排斥する反発ボテンシャ
ルを生じ、境界の内側近傍ではバブルを引付ける吸引ポ
テンシャルを生ずる。このようなイオン注入部の境界を
各トラック間に形成し、そのバブルに対する反発ポテン
シャルにより隣接する各トラック間でのバブルの移転を
防止する。
ャルのグラフを第５図に示す。磁性薄膜２０に形成した
イオン注入部５０の境界からの距離Ｘをシーとし、縦軸
はバブルに作用する力に対応したポテンシャルを表わす
。境界の外側近傍ではバブルを排斥する反発ボテンシャ
ルを生じ、境界の内側近傍ではバブルを引付ける吸引ポ
テンシャルを生ずる。このようなイオン注入部の境界を
各トラック間に形成し、そのバブルに対する反発ポテン
シャルにより隣接する各トラック間でのバブルの移転を
防止する。
〈実施例〉
第１図は本発明の実施例の平面図、第２図はその断面図
である。ＧＧＧ基板１上の磁性ガーネットからなる磁性
薄膜２上に酸化けい素（Ｓｉ０２）の保護層３を介して
ハーフディスク型パーマロイパターン４が複数個連続的
に形成されバブルの往路又は復路の転送用トラックを構
成する。バブルの往路および復路用トラックは第１図の
矢印に示すように交互に配列される。隣接する各トラッ
ク間の磁性薄膜２にイオン注入帯５を形成する。このイ
オン注入帯５の両側の境界に沿ってその外側近傍にバブ
ルに対する反発ポテンシャルが形成されるため、各トラ
ックを転送されるバブルが隣のトラ、りに移転するとい
りエラーは防止される。
である。ＧＧＧ基板１上の磁性ガーネットからなる磁性
薄膜２上に酸化けい素（Ｓｉ０２）の保護層３を介して
ハーフディスク型パーマロイパターン４が複数個連続的
に形成されバブルの往路又は復路の転送用トラックを構
成する。バブルの往路および復路用トラックは第１図の
矢印に示すように交互に配列される。隣接する各トラッ
ク間の磁性薄膜２にイオン注入帯５を形成する。このイ
オン注入帯５の両側の境界に沿ってその外側近傍にバブ
ルに対する反発ポテンシャルが形成されるため、各トラ
ックを転送されるバブルが隣のトラ、りに移転するとい
りエラーは防止される。
〈発明の効果〉
以上説明し念ように、本発明に係る磁気バブルデバイス
においては、隣接するトラック間にイオン注入帯を形成
してその境界部の反発ポテンシャルによりバブルの隣接
トラックへの移転を防止している。従って、エラーを起
すことなく各トラック間隔を小さくすることがてき高密
度の転送路パターン形成が可能となり磁気バブルデバイ
スの小型化が図られる。
においては、隣接するトラック間にイオン注入帯を形成
してその境界部の反発ポテンシャルによりバブルの隣接
トラックへの移転を防止している。従って、エラーを起
すことなく各トラック間隔を小さくすることがてき高密
度の転送路パターン形成が可能となり磁気バブルデバイ
スの小型化が図られる。
第１図および第２図は各々本発明に係る磁気バブルデバ
イスの一部を示す平面図および断面図であり、第３図は
イオン注入の境界部のポテンシャル状態を示す説明図で
ある。 ２・・・ａ性菌Ｌ ４・・・パーマロイパターン、５・
・・イオン注入帯。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図
イスの一部を示す平面図および断面図であり、第３図は
イオン注入の境界部のポテンシャル状態を示す説明図で
ある。 ２・・・ａ性菌Ｌ ４・・・パーマロイパターン、５・
・・イオン注入帯。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図
Claims (1)
- １、 磁性薄膜上に複数本のバブル転送用往路トラック
および復路トラックを交互に設け、各トラックは複数個
のパーマロイパターンを連続的に配置して構成した磁気
パズルデバイスにおいて、隣接する各トラック間の磁性
薄膜にイオン注入帯を形成し念ことを特徴とする磁気バ
ブルデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107382A JPS60251584A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 磁気バブルデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107382A JPS60251584A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 磁気バブルデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251584A true JPS60251584A (ja) | 1985-12-12 |
Family
ID=14457701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59107382A Pending JPS60251584A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 磁気バブルデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251584A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654688A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-14 | Fujitsu Ltd | Bubble memory element |
| JPS586578A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-14 | Nec Corp | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS5942687A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気バブル記憶用基板 |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP59107382A patent/JPS60251584A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654688A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-14 | Fujitsu Ltd | Bubble memory element |
| JPS586578A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-14 | Nec Corp | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS5942687A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気バブル記憶用基板 |
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