JPS60254704A - 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線低抗体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS60254704A JPS60254704A JP59111172A JP11117284A JPS60254704A JP S60254704 A JPS60254704 A JP S60254704A JP 59111172 A JP59111172 A JP 59111172A JP 11117284 A JP11117284 A JP 11117284A JP S60254704 A JPS60254704 A JP S60254704A
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- JP
- Japan
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- voltage
- varistor
- noise
- nonlinear resistor
- mol
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズ、静電気などを吸収もしくは除去するS r 1−z
Ca!T to3(0,001≦X≦o、3oo)を主
成分とする電圧依存性非直線抵抗体を得るだめの磁器組
成物に関するものでおる。
ズ、静電気などを吸収もしくは除去するS r 1−z
Ca!T to3(0,001≦X≦o、3oo)を主
成分とする電圧依存性非直線抵抗体を得るだめの磁器組
成物に関するものでおる。
従来例の構成とその問題点
従来、各種電子機器、電気機器における異常高電圧(以
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去、火花消去などの
ために電圧依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリス
タやZnO系バリスタなどが使用されていた。このよう
なバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表
わすことができる。
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去、火花消去などの
ために電圧依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリス
タやZnO系バリスタなどが使用されていた。このよう
なバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表
わすことができる。
1 − (V/C)“
ここで、■は電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定数
であシ、ぼけ電圧非直線指数である。
であシ、ぼけ電圧非直線指数である。
SiCバリスタのぼけ2〜7程度、ZnO系バリスタで
はdが60にもおよぶものがある。このようなバリスタ
はサージのように比較的高い電圧の吸収には優れた性能
を有しているが、誘電率が低く固有静電容量が小さいた
め、バリスタ電圧以下の低い電圧(例えばノイズなど)
の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損失
角(tanδ)も6〜10%と大きい。
はdが60にもおよぶものがある。このようなバリスタ
はサージのように比較的高い電圧の吸収には優れた性能
を有しているが、誘電率が低く固有静電容量が小さいた
め、バリスタ電圧以下の低い電圧(例えばノイズなど)
の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損失
角(tanδ)も6〜10%と大きい。
一方、これら低電圧のノイズなどの除去には組成や焼成
条件を適当に選択することにより、見かけの誘電率が6
×1o 〜6 X 10’程度でtanδが1%前後の
半導体磁器コンデンサが利用されている。しかし、この
ような半導体磁器コンデンサはサージなどによりある限
度以上の電流が素子に印加されると破壊したり、コンデ
ンサとしての機能を果たさなくなったシする。
条件を適当に選択することにより、見かけの誘電率が6
×1o 〜6 X 10’程度でtanδが1%前後の
半導体磁器コンデンサが利用されている。しかし、この
ような半導体磁器コンデンサはサージなどによりある限
度以上の電流が素子に印加されると破壊したり、コンデ
ンサとしての機能を果たさなくなったシする。
上記のような理由で電気機器、電子機器においては、サ
ージ吸収やノイズ除去などの目的のために通常バリスタ
とコンデンサ及び他の部品(例えばコイルなど)とを組
み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよう
な構成になっている。
ージ吸収やノイズ除去などの目的のために通常バリスタ
とコンデンサ及び他の部品(例えばコイルなど)とを組
み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよう
な構成になっている。
第1図は一般的な従来のノイズフィルタ回路を示し、第
2図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示している。こ
こで、1はコイノペ2はコンデンサ、3はバリスタであ
る。
2図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示している。こ
こで、1はコイノペ2はコンデンサ、3はバリスタであ
る。
しかし、第1図に示したノイズフィルタはサージに弱く
、第2図に示したノイズフィルタは部品点数が多く、比
較的大型となるため機器全体の小形化動向に相反し、コ
スト高になるといった欠点を有していた。
、第2図に示したノイズフィルタは部品点数が多く、比
較的大型となるため機器全体の小形化動向に相反し、コ
スト高になるといった欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記のような従来のサージ吸収、ノイズ除去に
おける欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収及びノイズ除去が可
能な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物を提供することを目的とし
ている。
おける欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収及びノイズ除去が可
能な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物を提供することを目的とし
ている。
発明の構成
本発明は上記のような目的を達成するために、5ri−
xcaxTi03(0,001≦X≦0.300)を9
5.000−99、997mo1%と、Y2O3をQ、
001−2.000 molチと、CO203をO,0
O1−2,000mo 1 %と、CuOを0.001
〜1,000mo1%含有してなる電圧依存性非直線抵
抗体磁器組成物、及び5r1−xCaxTi○3(o、
oo1≦X≦0.300 )を92.000−99.9
96 mo 1%と、Y2O3を0.001−2.00
0 mo 1 %と、CO203を0.001−2.O
OOmo1%と、Cu(>o、oo1〜1.oo。
xcaxTi03(0,001≦X≦0.300)を9
5.000−99、997mo1%と、Y2O3をQ、
001−2.000 molチと、CO203をO,0
O1−2,000mo 1 %と、CuOを0.001
〜1,000mo1%含有してなる電圧依存性非直線抵
抗体磁器組成物、及び5r1−xCaxTi○3(o、
oo1≦X≦0.300 )を92.000−99.9
96 mo 1%と、Y2O3を0.001−2.00
0 mo 1 %と、CO203を0.001−2.O
OOmo1%と、Cu(>o、oo1〜1.oo。
mo1%と、Ag2O,A12o3のうち少なくとも1
種類以上を0.001〜3.000 mo l多含有し
てなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物に係わるもの
である。
種類以上を0.001〜3.000 mo l多含有し
てなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物に係わるもの
である。
実施例の説明
以下に本発明を実施例を挙げて具体的に説明する0
8rCo3.CaCO3及びTiO2をSro、9Ca
o、1TiO3になるようにそれぞれ秤量配合し、ボー
ルミルなどで15時間攪拌混合し、これを乾燥し、粉砕
し、その後1200″Cで3時間焼成し、再び粉砕して
S ro、 9C&o、 1T to3を合成した。
o、1TiO3になるようにそれぞれ秤量配合し、ボー
ルミルなどで15時間攪拌混合し、これを乾燥し、粉砕
し、その後1200″Cで3時間焼成し、再び粉砕して
S ro、 9C&o、 1T to3を合成した。
次に、上記S To、 9Cao、 1T 103にY
2O3,Co2O3゜Cub、 Ag2O,Al2O3
を下記の第1表の組成比になるように秤量配合し、ボー
ルミルなどで16時間攪拌、混合した。
2O3,Co2O3゜Cub、 Ag2O,Al2O3
を下記の第1表の組成比になるように秤量配合し、ボー
ルミルなどで16時間攪拌、混合した。
次に、これを乾燥した後粉砕し、10〜15重量%のポ
リビニルアルコールなどの有機結合剤を加えて造粒し、
成型圧力1.0 t、乙−で10φIIEllX1tl
lの円板状に成形した。
リビニルアルコールなどの有機結合剤を加えて造粒し、
成型圧力1.0 t、乙−で10φIIEllX1tl
lの円板状に成形した。
これらの円板をN2(95容積%) + H2(5容積
%)の環元雰囲気中で約1350’C・4時間焼成した
。
%)の環元雰囲気中で約1350’C・4時間焼成した
。
次に、空気中で1100℃、3時間の熱処理を行った。
こうして得られた第3図に示す焼成体4は出発原料とほ
ぼ同じ組成であった。
ぼ同じ組成であった。
次に、上記焼成体4の平面面にAgなどの導電性ペース
トを塗布し、650℃で焼付けることにより電極5,6
を形成した。
トを塗布し、650℃で焼付けることにより電極5,6
を形成した。
上記の操作によって得られた素子の特性を以下に示す。
以1余白
ここで、素子のバリスタとしての特性評価は上述した電
圧−電流特性式 %式%) (ただし、■は電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定
数、αは非直線指数)におけるαとcK本って行うこと
が可能である。しかし、Cの正確な測定は困難であるた
め、本発明においては1 mAのバリスタ電流を流した
時の単位厚み当シのバリスタ電圧(以下 1mA/mと
呼ぶ)の値と、α= 17 log (10mA、A1
mA )(ただし、vl。mAは1omA のバリス
タ電流を流した時のバリスタ電圧、71mAは1mAの
バリスタ電流を流した時のバリスタ電圧)の値にょシバ
リスタとしての特性評価を行っている。
圧−電流特性式 %式%) (ただし、■は電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定
数、αは非直線指数)におけるαとcK本って行うこと
が可能である。しかし、Cの正確な測定は困難であるた
め、本発明においては1 mAのバリスタ電流を流した
時の単位厚み当シのバリスタ電圧(以下 1mA/mと
呼ぶ)の値と、α= 17 log (10mA、A1
mA )(ただし、vl。mAは1omA のバリス
タ電流を流した時のバリスタ電圧、71mAは1mAの
バリスタ電流を流した時のバリスタ電圧)の値にょシバ
リスタとしての特性評価を行っている。
また、コンデンサとしての特性評価は測定周波数1k)
Izにおける誘電率ε、誘電損失角tanδで行ってい
る。
Izにおける誘電率ε、誘電損失角tanδで行ってい
る。
以上に述べたように、S ro、 sC&0. I T
loaとY2O3のみの場合は誘電率は大きいが、ぼ
け小さく tonδも大きいため実用には適さない。
loaとY2O3のみの場合は誘電率は大きいが、ぼ
け小さく tonδも大きいため実用には適さない。
しかし、その上にCo2O3とCuOを加えると誘電率
はやや小さくなるが、αが大きくなると共にtanδが
小さくなり、コンデンサとバリスタの特性を同時に持つ
ことになる。この効果はCo2O3とCuOが同時に存
在する時に現われる。
はやや小さくなるが、αが大きくなると共にtanδが
小さくなり、コンデンサとバリスタの特性を同時に持つ
ことになる。この効果はCo2O3とCuOが同時に存
在する時に現われる。
さらに、Aq2o、A12o3のうち少なくとも1種類
以上を加えることによシ、αをさらに大きくすることが
できる。
以上を加えることによシ、αをさらに大きくすることが
できる。
このような効果があるのは、Y2O3が0.001〜2
.000 mo 1%の範囲であシ、0.001 mo
1%未満では半導体化が促進されず比抵抗が大きくなる
ため、v1mA/ll&が大きくなると共に誘電率が小
さくなる。
.000 mo 1%の範囲であシ、0.001 mo
1%未満では半導体化が促進されず比抵抗が大きくなる
ため、v1mA/ll&が大きくなると共に誘電率が小
さくなる。
また、2.000 mo 1%を超えるとY2O3が粒
子内部に固溶せずに粒界に偏析するため、粒界が効果的
に高抵抗化されないものとなヂ、αが小さくなると共に
誘電率が小さくなる。
子内部に固溶せずに粒界に偏析するため、粒界が効果的
に高抵抗化されないものとなヂ、αが小さくなると共に
誘電率が小さくなる。
また、CO2O3u O−001mo 1%未満では効
果を示さず、2.000 mo 1%を超えると粒界に
偏析し、粒界を低抵抗化するためαが小さくなり、ja
nδが大きくなり実用に適さない。
果を示さず、2.000 mo 1%を超えると粒界に
偏析し、粒界を低抵抗化するためαが小さくなり、ja
nδが大きくなり実用に適さない。
また、CuOは0.001 mo1%未満では効果を示
さず、1.000 mo l %を超えるとV1mA/
1ElBが太きくなシ、dは大きくなるが誘電率が小さ
くなるため実用には適さない。
さず、1.000 mo l %を超えるとV1mA/
1ElBが太きくなシ、dは大きくなるが誘電率が小さ
くなるため実用には適さない。
また、Aq20.A12o3は0.001 mol %
未満では効果を示さず、3.000 mo 1%を超え
ると71mA2櫨が大きくなり、αは大きくなるが誘電
率が小さくなるだめ実用に適さない。
未満では効果を示さず、3.000 mo 1%を超え
ると71mA2櫨が大きくなり、αは大きくなるが誘電
率が小さくなるだめ実用に適さない。
またSrをCaで置換することにより素体自体の持つ誘
電率が大きくなるため、コンデンサ特性の改善に効果が
ある。
電率が大きくなるため、コンデンサ特性の改善に効果が
ある。
実施例ではS ro、 9ca0.1T 103につい
てのみ述べだが、Sr、xCaxTie3のXの範囲が
0.001≦X≦0.300で同様の効果があることを
確認した。
てのみ述べだが、Sr、xCaxTie3のXの範囲が
0.001≦X≦0.300で同様の効果があることを
確認した。
以上述べたように本発明によれば、バリスタとコンデン
サの両方の機能を同時に得ることができる。
サの両方の機能を同時に得ることができる。
第1図に示した従来のフィルタ回路では、第6図に示し
たノイズ入力Aに対して出力状況曲線Cとなシ十分にノ
イズを除去していない。
たノイズ入力Aに対して出力状況曲線Cとなシ十分にノ
イズを除去していない。
第2図に示した従来のバリスタを含むノイズフィルタ回
路では、第6図に示したノイズ入力Aに対して出力状況
曲線Bとなシノイズは除去されるが部品点数が多く、比
較的大型でコスト高となる。
路では、第6図に示したノイズ入力Aに対して出力状況
曲線Bとなシノイズは除去されるが部品点数が多く、比
較的大型でコスト高となる。
そこで、本発明による素子を使用して第4図に示すよう
な回路を作ったところ、第6図に示したノイズ入力Aに
対して出力状況曲線Bとなシノイズを十分に除去するこ
とができた。
な回路を作ったところ、第6図に示したノイズ入力Aに
対して出力状況曲線Bとなシノイズを十分に除去するこ
とができた。
なお、第4図で7は本発明による素子、8はコイルであ
る。
る。
発明の効果
以上述べたように本発明による磁器組成物を利用した素
子は、従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有
し、しかも従来のノイズフィルタ回路を簡略化し、小形
、高性能、低コスト化に寄与するものてあり、各種電気
機器、電子機器のサージ吸収、ノイズ除去に利用可能で
あり、その実用上の価値は極めて大きい。
子は、従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有
し、しかも従来のノイズフィルタ回路を簡略化し、小形
、高性能、低コスト化に寄与するものてあり、各種電気
機器、電子機器のサージ吸収、ノイズ除去に利用可能で
あり、その実用上の価値は極めて大きい。
第1図、第2図はそれぞれ従来のノイズフィルタ回路を
示す図、第3図は本発明による磁器組成物を用いた素子
の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノイズフィル
タ回路を示す図、第5図は従来及び本発明による素子を
用(八たノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力状
況を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士中 尾 敏 男 ほか1名第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 →肩?R@ tI−1)/、!。
示す図、第3図は本発明による磁器組成物を用いた素子
の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノイズフィル
タ回路を示す図、第5図は従来及び本発明による素子を
用(八たノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力状
況を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士中 尾 敏 男 ほか1名第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 →肩?R@ tI−1)/、!。
Claims (2)
- (1) Sr1.cCa、xTiO2(0,001≦X
≦0.300)を95.000〜99.997 mo
1%と、Y2O3を0.001〜2.000mo1%と
、C02o3を0.001−2.000 mo 1 %
と、CuOを0.001−1.000 no 1%含含
有シカナル電圧依存性非直線抵抗磁器組成物。 - (2) 5i1−、Ca、Ti03(0,001≦X≦
o、3oo)を92.000〜99.996 mo l
%と、Y2O3を0.001〜2.000mo1%と
、Co2O3を0001〜2.000 mo l %と
、CuOを0.001−1.000 mol %と、A
q20.Al2O3のうち少なくとも1種類以上を0.
001〜3.000mo1%含有してなる電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111172A JPS60254704A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 |
| EP85103135A EP0157276B1 (en) | 1984-03-30 | 1985-03-18 | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
| DE8585103135T DE3563610D1 (de) | 1984-03-30 | 1985-03-18 | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
| US06/930,995 US4781859A (en) | 1984-03-30 | 1986-11-14 | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111172A JPS60254704A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254704A true JPS60254704A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14554304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59111172A Pending JPS60254704A (ja) | 1984-03-30 | 1984-05-31 | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254704A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348802A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59111172A patent/JPS60254704A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348802A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
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