JPS6088401A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
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- JPS6088401A JPS6088401A JP58196337A JP19633783A JPS6088401A JP S6088401 A JPS6088401 A JP S6088401A JP 58196337 A JP58196337 A JP 58196337A JP 19633783 A JP19633783 A JP 19633783A JP S6088401 A JPS6088401 A JP S6088401A
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- Japan
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- varistor
- voltage
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- nonlinear resistor
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズ、静電気などを吸収もしくは除去するＳ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ３を主成分とする電圧依存性非直線抵抗体を得るた
めの磁器組成物に関するものである。
ズ、静電気などを吸収もしくは除去するＳ ｒ Ｔ ｉ
Ｏ３を主成分とする電圧依存性非直線抵抗体を得るた
めの磁器組成物に関するものである。
従来例の構成とその問題点。
従来、各種電子機器、電気機器における異常高電圧（以
下サージ走呼ぶ）の吸収、雑音の除去。
下サージ走呼ぶ）の吸収、雑音の除去。
火花消去などのために電圧依存性非直線抵抗特性を有す
るＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる０Ｉ−（ｖ／Ｃ）ａ ここで、工は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、ａは電圧非直線指数である。
るＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる０Ｉ−（ｖ／Ｃ）ａ ここで、工は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、ａは電圧非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系ハ＋）スタ
ではαが６０にもおよぶものがある。このような・バリ
スタはサージのように比較的高い電圧の吸収に優れた性
能を有しているが、誘電率が低く固有静電容散が小さい
ため、バリスタ電圧以下の低い電圧の吸収（例えばノイ
ズなど）に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損
失角（Ｌａｎδ）も５〜１０％と大きい。
ではαが６０にもおよぶものがある。このような・バリ
スタはサージのように比較的高い電圧の吸収に優れた性
能を有しているが、誘電率が低く固有静電容散が小さい
ため、バリスタ電圧以下の低い電圧の吸収（例えばノイ
ズなど）に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損
失角（Ｌａｎδ）も５〜１０％と大きい。
一方、これらのノイズなどの除去には組成や焼成条件を
適当に選択することにより、見かけの誘電率が５ Ｘ
１０４〜６×１０４程度でｔａｎδが１係前後の半導体
磁器コンデンサが利用されている。しかし、この半導体
磁器コンデンサはサージなどによりある限度以上の電流
が素子に印加されると破壊したり、コンデンサとしての
機能を果たさなくなったりする。
適当に選択することにより、見かけの誘電率が５ Ｘ
１０４〜６×１０４程度でｔａｎδが１係前後の半導体
磁器コンデンサが利用されている。しかし、この半導体
磁器コンデンサはサージなどによりある限度以上の電流
が素子に印加されると破壊したり、コンデンサとしての
機能を果たさなくなったりする。
上記のような理由で電気機器、電子機器においては、サ
ージ吸収やノイズ除去などの目的のためには、通常バリ
スタとコンデンサ及び他の部品（例えばコイル）とを組
み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよう
な構成になっているＯ 第１図は一般的な従来のノイズフィルタ回路を示し、第
２図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示しており、１
はコイル、２はコンデンサ、３はバリスタである。
ージ吸収やノイズ除去などの目的のためには、通常バリ
スタとコンデンサ及び他の部品（例えばコイル）とを組
み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよう
な構成になっているＯ 第１図は一般的な従来のノイズフィルタ回路を示し、第
２図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示しており、１
はコイル、２はコンデンサ、３はバリスタである。
しかし、このような第２図に示す構成は機器内部におけ
る部品点数が多くなる上に機器の小形化動向に相反する
という欠点を有していた。
る部品点数が多くなる上に機器の小形化動向に相反する
という欠点を有していた。
発明の目的
本発明は」−記のような従来のサージ吸収、ノイズ除去
における欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の
機能を有し、１個の素子でサージ吸収及びノイズ除去が
可能な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な磁器
組成物を提供することを目的としている。
における欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の
機能を有し、１個の素子でサージ吸収及びノイズ除去が
可能な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な磁器
組成物を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明は上記のような目的を達成するために、５ｒＴｉ
○３（以下第１成分と呼ぶ）を９９．９９８〜ｓ ｓ、
０００ｍ ｏ １ ％ と、Ｎｂ２Ｏ，、Ｔａ２０６
．ＷＯ３，Ｌａ２Ｏ３゜Ｃｅ０２ ｒ Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ
２Ｏ３，Ｐｒ６Ｏ１１，Ｓｍ２Ｏ３，Ｅｕ２Ｏ３゜５Ｃ
２０３，Ｄｙ２Ｏ３の内の少なくとも１種以上の金属酸
化物（以下第２成分と呼ぶ）を０．００１〜６．０００
ｍｏ１％と、Ｈｆ０２（以下第３成分と呼ぶ）を０．０
０１〜７．００１つｍｏｌ係含有してなる１１Ｌ圧依存
性非直線抵抗体磁器組成物、及び上記第１成分を９９．
９’９７〜８１．０００ｍｏ１％ と、」二記第２成分
の少なくとも１種以、」二の金属酸化物を０．００１〜
５． ＯＯＯｍｏｌ係と、Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，Ａｇ
２Ｏ，ＣｕＯ９Ｍｒ＋０２．ＳｉＯ２゜Ｃｏ２Ｏ３，Ｎ
ｉ０２Ｍ００３．Ｂｅ０９Ｆｅ２０３．Ｌ１２０．Ｃｒ
２Ｏ３゜Ｚ ｒｏ２． ＰｂＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ，Ｔ ｉｏ２． ＺｎＯ，Ｐ２Ｏ６゜５ｂ２０３ｒ
Ｖ２Ｏ５ｔ Ｎａ２Ｏ，ＳｒＯの内の少なくとも１種以
−にの金属酸化物（以下第４成分と呼ぶ）を０．００１
〜７．○ＯＯｍｏ１ ％含有してなる電圧依存組性非直
線抵抗体磁器組成物に係わるものである。
○３（以下第１成分と呼ぶ）を９９．９９８〜ｓ ｓ、
０００ｍ ｏ １ ％ と、Ｎｂ２Ｏ，、Ｔａ２０６
．ＷＯ３，Ｌａ２Ｏ３゜Ｃｅ０２ ｒ Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ
２Ｏ３，Ｐｒ６Ｏ１１，Ｓｍ２Ｏ３，Ｅｕ２Ｏ３゜５Ｃ
２０３，Ｄｙ２Ｏ３の内の少なくとも１種以上の金属酸
化物（以下第２成分と呼ぶ）を０．００１〜６．０００
ｍｏ１％と、Ｈｆ０２（以下第３成分と呼ぶ）を０．０
０１〜７．００１つｍｏｌ係含有してなる１１Ｌ圧依存
性非直線抵抗体磁器組成物、及び上記第１成分を９９．
９’９７〜８１．０００ｍｏ１％ と、」二記第２成分
の少なくとも１種以、」二の金属酸化物を０．００１〜
５． ＯＯＯｍｏｌ係と、Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，Ａｇ
２Ｏ，ＣｕＯ９Ｍｒ＋０２．ＳｉＯ２゜Ｃｏ２Ｏ３，Ｎ
ｉ０２Ｍ００３．Ｂｅ０９Ｆｅ２０３．Ｌ１２０．Ｃｒ
２Ｏ３゜Ｚ ｒｏ２． ＰｂＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ，Ｔ ｉｏ２． ＺｎＯ，Ｐ２Ｏ６゜５ｂ２０３ｒ
Ｖ２Ｏ５ｔ Ｎａ２Ｏ，ＳｒＯの内の少なくとも１種以
−にの金属酸化物（以下第４成分と呼ぶ）を０．００１
〜７．○ＯＯｍｏ１ ％含有してなる電圧依存組性非直
線抵抗体磁器組成物に係わるものである。
実施例の説明
以下に本発明を実施例を上げて具体的に説明する０
８ｒＣＯ３及びＴ １０２をＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ３にな
るようにそれぞれ秤量配合し、ボールミルで１５時間攪
拌混合し、これを乾燥し、次に粉砕し、その後１２００
°Ｃ５３時間焼成し、再び粉砕してＳｒＴ ｉ○３（第
１成分）を作製した。
るようにそれぞれ秤量配合し、ボールミルで１５時間攪
拌混合し、これを乾燥し、次に粉砕し、その後１２００
°Ｃ５３時間焼成し、再び粉砕してＳｒＴ ｉ○３（第
１成分）を作製した。
次に、上記第１成分にＮｂ２Ｏ６，Ｔａ２０６．ＷＯ３
゜Ｌ ａ ２０３．ＣｅＯ２，Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，
Ｐｒ６０１゜、Ｓｍ２ｏ３゜Ｓｃ ２０３．Ｄｙ２Ｑ３
の内から選択された少なくとも１種以上の金属酸化物
（第２成分）と、ＨＩＯ２（第３成分）と、Ａｌ２Ｏ３
，Ｂ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ｃｕｏ２ＭｒＩｏ２゜ＳｉＯ２
１ＣＯ２０３，Ｎｉ０２Ｍ００３ＪＦｅ２ｏ３．Ｌｉ２
Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３゜ＺｒＯ２，ＰｂＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，ＴｉＯ２，Ｚｎ○、Ｐ２Ｏ５，５ｂ２０３゜Ｐ
２Ｏ６，Ｎａ２Ｏ，ＳｒＯの内から選択された少なくと
も１種以上の金属酸化物（第４成分）を下記の第１表に
示す配合比率になるように秤量配合した。
゜Ｌ ａ ２０３．ＣｅＯ２，Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，
Ｐｒ６０１゜、Ｓｍ２ｏ３゜Ｓｃ ２０３．Ｄｙ２Ｑ３
の内から選択された少なくとも１種以上の金属酸化物
（第２成分）と、ＨＩＯ２（第３成分）と、Ａｌ２Ｏ３
，Ｂ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ｃｕｏ２ＭｒＩｏ２゜ＳｉＯ２
１ＣＯ２０３，Ｎｉ０２Ｍ００３ＪＦｅ２ｏ３．Ｌｉ２
Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３゜ＺｒＯ２，ＰｂＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，ＴｉＯ２，Ｚｎ○、Ｐ２Ｏ５，５ｂ２０３゜Ｐ
２Ｏ６，Ｎａ２Ｏ，ＳｒＯの内から選択された少なくと
も１種以上の金属酸化物（第４成分）を下記の第１表に
示す配合比率になるように秤量配合した。
次に、ボールミルで２０時間攪拌混合した。
（ただし、水溶性物質を用いる場合はエチルアルコール
などを用いて攪拌混合した。）次に、これを転線した後
粉砕し、１０〜ＩＥｉ量係のポリビニルアルコールなど
の有機結合剤を混入して造粒し、成型圧約２． Ｏ／ｃ
ｌ で１０φ（＋＋＋ｍ）ｘｉ ｔ （＋ｎ＋ｎ）の円
板状に成形した。
などを用いて攪拌混合した。）次に、これを転線した後
粉砕し、１０〜ＩＥｉ量係のポリビニルアルコールなど
の有機結合剤を混入して造粒し、成型圧約２． Ｏ／ｃ
ｌ で１０φ（＋＋＋ｍ）ｘｉ ｔ （＋ｎ＋ｎ）の円
板状に成形した。
これらの円板をＮ２（９６容積％）＋Ｈ２（５容積％）
の還元雰囲気で約１３５０”０．４時間焼成した。
の還元雰囲気で約１３５０”０．４時間焼成した。
次に、空気中で１１００°Ｃ，３時間の熱処理を行った
。こうして得られた第３図に示す焼成体４は出発片れＩ
とほぼ同じ組成てあった。
。こうして得られた第３図に示す焼成体４は出発片れＩ
とほぼ同じ組成てあった。
」二記焼成体４の両平面に銀などの導電性ペーストを塗
布し、５５０″Ｃ″ｒ：焼付けることにより電極５．６
を形成した。
布し、５５０″Ｃ″ｒ：焼付けることにより電極５．６
を形成した。
上記の操作によって得られた素子の特性を以下の第２表
に示す。
に示す。
（以下余白）
ここで、素子のバリスタとしての特性評価は上述した電
圧−電流特性式 ％式％） （ただし、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定
数、αは非直線指数）におけるαとＣによって行うこと
が可能である。しかし、Ｃの正確な測定が困難であるた
め、本発明においては１ｍＡのバリスタ電流を流した時
の単位厚み当りのバリスタ電圧（以下” １ ｍＡ／−
と叶ぶ）の値と、ａ−１／１Ｏｑ（ｖｌ。ｍＡ／■１ｍ
Ａ）〔たたし、■１０ｍＡは１ｏｍＡのバリスタ電流を
流した時のバリスタ′眠圧、■１ｍＡは１ｍＡのバリス
タ電流を流した時のパリ、スタ電圧）の値によりバリス
タとしての特性評価を行っている。また、コンデンサと
しての特性評価は測定周波数１ｋＨｘＫおける誘電率ε
、誘電損失角ｔａｎδで行っている。
圧−電流特性式 ％式％） （ただし、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定
数、αは非直線指数）におけるαとＣによって行うこと
が可能である。しかし、Ｃの正確な測定が困難であるた
め、本発明においては１ｍＡのバリスタ電流を流した時
の単位厚み当りのバリスタ電圧（以下” １ ｍＡ／−
と叶ぶ）の値と、ａ−１／１Ｏｑ（ｖｌ。ｍＡ／■１ｍ
Ａ）〔たたし、■１０ｍＡは１ｏｍＡのバリスタ電流を
流した時のバリスタ′眠圧、■１ｍＡは１ｍＡのバリス
タ電流を流した時のパリ、スタ電圧）の値によりバリス
タとしての特性評価を行っている。また、コンデンサと
しての特性評価は測定周波数１ｋＨｘＫおける誘電率ε
、誘電損失角ｔａｎδで行っている。
以上に示したように、第３成分が含まれない場合は誘電
率、αが小さく実用的でない。また、第３成分は含むが
第４成分を含まない場合、αはやや小さいが実用上問題
はない程度である。また、第３．第４成分両方を含む場
合は誘電率、ａ共に大きい。
率、αが小さく実用的でない。また、第３成分は含むが
第４成分を含まない場合、αはやや小さいが実用上問題
はない程度である。また、第３．第４成分両方を含む場
合は誘電率、ａ共に大きい。
捷た、第３．第４成分の両方を含まない場合誘電率は太
きいが、Ｌａ口δが著しく太きい。
きいが、Ｌａ口δが著しく太きい。
従って、第２成分、第３成分を含むことによりバリスタ
及びコンデンサとしての基本的特性を得ることができ、
その上に第４成分を添加することによりαをさらに大き
くすることができる。
及びコンデンサとしての基本的特性を得ることができ、
その上に第４成分を添加することによりαをさらに大き
くすることができる。
このような効果が現われるのは第２成分が○、○ｏ１〜
７．０００ｍｏ１％の範囲であり、７．０００ｍｏｌ係
を超えるとｔａｎδが著しく大きくなる。寸だ、第３成
分、第４成分が０．００１〜７． ＯＯＱｍｏ １ ％
の範囲では誘’ｊＥ率、α共に大きいものが得られるが
、７．００Ｑｍｏ１％を超えると誘電率が小さくなり、
バリスタ電圧が著しく大きくなり、実用的でなくなる。
７．０００ｍｏ１％の範囲であり、７．０００ｍｏｌ係
を超えるとｔａｎδが著しく大きくなる。寸だ、第３成
分、第４成分が０．００１〜７． ＯＯＱｍｏ １ ％
の範囲では誘’ｊＥ率、α共に大きいものが得られるが
、７．００Ｑｍｏ１％を超えると誘電率が小さくなり、
バリスタ電圧が著しく大きくなり、実用的でなくなる。
なお、上記実施例では第２．第４成分の組合せは一部し
か示さなかったが、それぞれ複数種類の物質を組合せて
規定した添加量の範囲内であれば同様の効果があること
を確認した。
か示さなかったが、それぞれ複数種類の物質を組合せて
規定した添加量の範囲内であれば同様の効果があること
を確認した。
以上述べたように、主成分として、５ｒＴｉ０３を用い
、第２成分、第３成分を添加することにより、バリスタ
及びコンデンサとしての基本的特性を得ることができる
。さらに、第４成分を添加することにより、誘電率、α
共に大きな素子を得ることができる。上記の素子を使用
して第４図に示すような回路を作り、第６図に示すよう
なノイズ入力Ａに対して出力状況を調べた結果、第６図
の出力状況曲線Ｂに示すようにノイズをおさえることか
できた。第４図で７は本発明の素子、８はコイルである
。
、第２成分、第３成分を添加することにより、バリスタ
及びコンデンサとしての基本的特性を得ることができる
。さらに、第４成分を添加することにより、誘電率、α
共に大きな素子を得ることができる。上記の素子を使用
して第４図に示すような回路を作り、第６図に示すよう
なノイズ入力Ａに対して出力状況を調べた結果、第６図
の出力状況曲線Ｂに示すようにノイズをおさえることか
できた。第４図で７は本発明の素子、８はコイルである
。
寸た第１図に示す従来のフィルタ回路の出力状況）１第
６図の出力状況曲線Ｃの通りであり、十分にノイズを除
去していない。第２図に示す従来のバリスタを含むフィ
ルタ回路では本発明による素子を用いた第４図の回路に
類似した効果が得られるが、バリスタを別個に必要とす
るため部品点数が多くなる。
６図の出力状況曲線Ｃの通りであり、十分にノイズを除
去していない。第２図に示す従来のバリスタを含むフィ
ルタ回路では本発明による素子を用いた第４図の回路に
類似した効果が得られるが、バリスタを別個に必要とす
るため部品点数が多くなる。
発明の効果
以上述べたように本発明による磁器組成物を利用した素
子は、従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有
し、しかも旧パルス特性に優れているため、従来のノイ
ズフィルタ回路を簡略化し、小形、高性能、低コスト化
に寄与するものであり、各種電気機器、電子機器のサー
ジ吸収、ノイズ除去に利用が可能であり、その実用上の
価値は極めて大きい。
子は、従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有
し、しかも旧パルス特性に優れているため、従来のノイ
ズフィルタ回路を簡略化し、小形、高性能、低コスト化
に寄与するものであり、各種電気機器、電子機器のサー
ジ吸収、ノイズ除去に利用が可能であり、その実用上の
価値は極めて大きい。
第１図、第２図はそれぞれ従来におけるノイズフィルタ
回路を示す回路図、第３図は本発明による磁器組成物を
用い／Ｃ素子の断面図、第４図は第３図の素子を用いた
ノイズフィルタ回路を示す回路図、第６図は本発明と従
来のノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力ノイズ
の状況を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第 ３ 図 第 ４ 図 第５図 一用遼Ｆ（Ｍ／７Ｚ）
回路を示す回路図、第３図は本発明による磁器組成物を
用い／Ｃ素子の断面図、第４図は第３図の素子を用いた
ノイズフィルタ回路を示す回路図、第６図は本発明と従
来のノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力ノイズ
の状況を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第 ３ 図 第 ４ 図 第５図 一用遼Ｆ（Ｍ／７Ｚ）
Claims (1)
- （１） ＳｒＴ ｉｏ３ を９９．９９８〜８８．ＯＯ
Ｏｍｏ １ ％ 、と、Ｎｂ２Ｏ６，Ｔａ２０６．ＷＯ
３，Ｌａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３゜Ｐ
ｒ ｅｏｌｌ ？ Ｓ！ｆ１２０ａ ｔ Ｅｕ ２０
３，５ｃ２０３．Ｄｙ２Ｏ３の内の少なくとも１種以上
の金属酸化物を０．００１〜５．ＯＯＯｍｏ１％と、Ｈ
ｆＯ２を０．００１〜７．０００ｍ０１％含有してなる
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。 （Ｊ Ｓ ｒＴ ｚ Ｏ３を９９．９９７〜８１．ＯＯ
Ｏｍｏ１％と、Ｎｂ２ｏ５．Ｔａ２０６．ｖ？０３．Ｌ
ａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３゜Ｐｒ６Ｏ
１１，Ｓｍ２Ｏ３，Ｅｕ２Ｏ３，５ｃ２０３．Ｄｙ２Ｏ
３，の内の少なくとも１種以上の金属酸化物を０．００
１〜５． ＯＯＯｍｏ１％と、ＨｆＯ２を０．００１〜
７．ＯＯＯｍｏ１％と、Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ２，Ａｇ２
Ｏ，Ｃｕ０２ＭｎＯ２，５１ｏ２．Ｃｏ２Ｏ３゜Ｎｉｏ
９ＭｏＯ３，Ｂｅ０９Ｆｅ２０３．Ｌ１２０．Ｃｒ２Ｏ
３，ＺｒＯ２，Ｐｂ０２Ｂａｏ、ＣａＯ９Ｍｇｏ、Ｔｉ
Ｏ２，ＺｎＯ９Ｐ２０６，５ｂ２０３．Ｙ２Ｏ６゜Ｎ
ａ２０ ｔ Ｓ ｒＯｔ の内の少なくとも１種以上を
０．００１〜７．ＯＯＯｍｏｌ ％含有してなる電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196337A JPS6088401A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196337A JPS6088401A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088401A true JPS6088401A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16356148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58196337A Pending JPS6088401A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088401A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282412A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
| US4942079A (en) * | 1987-06-19 | 1990-07-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Ceramic and circuit substrate and electronic circuit substrate by use thereof |
| US4952538A (en) * | 1987-07-02 | 1990-08-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Ceramic and circuit substrate and electronic circuit substrate by use thereof |
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| US5006957A (en) * | 1987-05-20 | 1991-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor porcelain substrate, dielectric porcelain substrate and capacitor employing the composition |
| US5034260A (en) * | 1987-07-02 | 1991-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Ceramic and circuit substrate and electronic circuit substrate by use thereof |
| US5041327A (en) * | 1987-06-19 | 1991-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Ceramic and circuit substrate and electronic circuit substrate by use thereof |
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| US5521130A (en) * | 1994-07-27 | 1996-05-28 | Korea Institute Of Science & Technology | Dielectric material for high frequencies |
| CN102789858A (zh) * | 2012-07-23 | 2012-11-21 | 深圳甲艾马达有限公司 | 强震感直流微型电动机 |
| CN108409325A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-08-17 | 湖南先导电子陶瓷科技产业园发展有限公司 | 一种超低温烧结的高q值微波介质陶瓷材料制备工艺及产品 |
| CN108947521A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-07 | 华蓥市职业教育培训中心 | 一种压敏电阻材料的制备方法 |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP58196337A patent/JPS6088401A/ja active Pending
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