JPS602680A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS602680A JPS602680A JP58109136A JP10913683A JPS602680A JP S602680 A JPS602680 A JP S602680A JP 58109136 A JP58109136 A JP 58109136A JP 10913683 A JP10913683 A JP 10913683A JP S602680 A JPS602680 A JP S602680A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分解）
この発明に基板上のＳｔもしくはＳｉｎ、の微細パター
ンを得ることができるＳｔもしくは５ｉｎ２のエツチン
グ法に関する。
ンを得ることができるＳｔもしくは５ｉｎ２のエツチン
グ法に関する。
（従来技術）
従来のＳｔもしく１ｑｓｔｏ、のエツチング！１ｓｉ０
２上に７オトレジストを塗布し、所要のパターンをフォ
トレジストで形成し、フッ酸と硝酸との混合液もしくは
フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液でエツチングを
行うが、ＳｉもしくはＳｉＯ□に対し、たとえばＡＺ系
フォトレジストのようなポジ型のフォトレジストは付着
力が弱く、エツチング中にフォトレジストが剥離してし
まうという欠点がある。
２上に７オトレジストを塗布し、所要のパターンをフォ
トレジストで形成し、フッ酸と硝酸との混合液もしくは
フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液でエツチングを
行うが、ＳｉもしくはＳｉＯ□に対し、たとえばＡＺ系
フォトレジストのようなポジ型のフォトレジストは付着
力が弱く、エツチング中にフォトレジストが剥離してし
まうという欠点がある。
この、ボッ型のフォトレジストヲ使用する場合は接着助
剤を塗布した後、ボッ型のフォトレジストを塗布すると
いうように塗布工程が増え、また厚みも増すため分解能
が悪くなるという欠点がある。
剤を塗布した後、ボッ型のフォトレジストを塗布すると
いうように塗布工程が増え、また厚みも増すため分解能
が悪くなるという欠点がある。
そこで、ＳｔもしくはＳｉｎ、に対する付着力が優れた
ネガ型のフォトレジストが広く使用さ几ているが、ボン
型の７オトレソストと比べて分解能が悪く、またエツチ
ング後のレジスト除去がポジ型のフォトレジストのよう
にアセトンなどの有機溶剤で除去できないという欠点が
あった。
ネガ型のフォトレジストが広く使用さ几ているが、ボン
型の７オトレソストと比べて分解能が悪く、またエツチ
ング後のレジスト除去がポジ型のフォトレジストのよう
にアセトンなどの有機溶剤で除去できないという欠点が
あった。
（発明の目的）
この発明は上記従来の欠点を除去するためになさルたも
ので、ホ） ＩＪソ工程が容易でかつ微細パターンが形
成できるとともに、絶縁基板上に多数のＴＦＴ回路を形
成するときに利用できるエツチング方法を提供すること
を目的とする。
ので、ホ） ＩＪソ工程が容易でかつ微細パターンが形
成できるとともに、絶縁基板上に多数のＴＦＴ回路を形
成するときに利用できるエツチング方法を提供すること
を目的とする。
（発明の構成）
この発明のエツチング方法は、基板上に形成さｉｔたＳ
ｉあるいニＳｉｏ２層上にＩｎ、Ｏ，とＳｎＯ２の混合
膜を形成し、ホトリソエツチング法によシこのＩｎ２Ｏ
３とＳｎｕｇの混合膜を所定のパターンに形成した後フ
ッ酸と硝酸の混合液もしくはフッ酸とフッ化アンモニウ
ムの混合液でＳｉもしくＵＳｉＯ２のエツチングを行う
ようにしたものである。
ｉあるいニＳｉｏ２層上にＩｎ、Ｏ，とＳｎＯ２の混合
膜を形成し、ホトリソエツチング法によシこのＩｎ２Ｏ
３とＳｎｕｇの混合膜を所定のパターンに形成した後フ
ッ酸と硝酸の混合液もしくはフッ酸とフッ化アンモニウ
ムの混合液でＳｉもしくＵＳｉＯ２のエツチングを行う
ようにしたものである。
（実施例）
以下、この発明のエツチング方法の実施例について図面
に基づき説明する。第１図（ａ）ないし第１図（ｅ）は
それぞれその一実施例の工程説明図である。
に基づき説明する。第１図（ａ）ないし第１図（ｅ）は
それぞれその一実施例の工程説明図である。
まず、第１図（ａ）に示すごとく基板１上に形成された
ＳｔまたはＳｉＯ２膜２上にＩｎ２Ｏ，とＳｎＯ，の混
合膜（以後ＩＴＯと呼ぶ）３を膜厚略５００Ａ〜略３０
００＾の厚さに電子ビーム蒸着法またはス／やツタ法で
形成し、このＩＴＯ膜３上に第１図６）に示すととくポ
ー／ｙ型フオトレソストヲ数１０００＾〜略２μｍの膜
厚に塗布し、露光、現像を行ってレジストパターン４を
形成する。
ＳｔまたはＳｉＯ２膜２上にＩｎ２Ｏ，とＳｎＯ，の混
合膜（以後ＩＴＯと呼ぶ）３を膜厚略５００Ａ〜略３０
００＾の厚さに電子ビーム蒸着法またはス／やツタ法で
形成し、このＩＴＯ膜３上に第１図６）に示すととくポ
ー／ｙ型フオトレソストヲ数１０００＾〜略２μｍの膜
厚に塗布し、露光、現像を行ってレジストパターン４を
形成する。
ＩＴＯｉａ上にはＡＺ系フォトレジストなどは容易に塗
布できる。途布法はスピンナ、あるいはロールコータな
ど一般的に普及した方法でよい。
布できる。途布法はスピンナ、あるいはロールコータな
ど一般的に普及した方法でよい。
レジストパターン４が形成できたら、次にＩＴＯＴａＯ
２ツチングし、第１図（ｅ）に示すごとくレジストパタ
ーン４．！：ＩＴＯ膜３のパターンを形成する。
２ツチングし、第１図（ｅ）に示すごとくレジストパタ
ーン４．！：ＩＴＯ膜３のパターンを形成する。
このＩＴＯＴａＯ２ツチングはＦｅｃＡ３Ｈｃｔの混合
液をほぼ４０℃に加熱して行うとほぼ５００人／分のエ
ツチング速度でエツチングできる。ＩＴＯＴａＯ２明で
あるため、エツチング状態を観察しながらのエツチング
は難しいから、エツチング時間によυエツチングを制御
する。ＨｃＬのみのエッチ液ではエツチング速度が速す
ぎるため時間によるエツチング制御は難しい。
液をほぼ４０℃に加熱して行うとほぼ５００人／分のエ
ツチング速度でエツチングできる。ＩＴＯＴａＯ２明で
あるため、エツチング状態を観察しながらのエツチング
は難しいから、エツチング時間によυエツチングを制御
する。ＨｃＬのみのエッチ液ではエツチング速度が速す
ぎるため時間によるエツチング制御は難しい。
ＩＴＯＴａＯ２る所要のパターンを形成したら、次に第
１図（ｄ）に示すごとく、レジストパターン４を除去し
、Ｓｉまたは５ＩＯ２ｆｒエツチングする。ボッ型フォ
トレジスト４の除去はネガ型と比べて非常に容易で専用
リムーバを略８０℃に加熱して使用するとよいが、特に
ＡＺ系レジストの場合はアセトンで容易に除去できる。
１図（ｄ）に示すごとく、レジストパターン４を除去し
、Ｓｉまたは５ＩＯ２ｆｒエツチングする。ボッ型フォ
トレジスト４の除去はネガ型と比べて非常に容易で専用
リムーバを略８０℃に加熱して使用するとよいが、特に
ＡＺ系レジストの場合はアセトンで容易に除去できる。
Ｓｉのエツチング液として、７ツ酸と硝酸の混合液に希
釈剤として酢酸を混ぜた溶液を使用するとＳｉの結晶方
位依存が無視できる。Ｓｉｎ、、のエツチング液はフッ
酸またはフッ酸とフッ化アンモニウム水溶液の混合液を
用いる。
釈剤として酢酸を混ぜた溶液を使用するとＳｉの結晶方
位依存が無視できる。Ｓｉｎ、、のエツチング液はフッ
酸またはフッ酸とフッ化アンモニウム水溶液の混合液を
用いる。
ところが、ＩＴＯＴａＯ２ッ酸、硝酸、酢酸、フッ化ア
ンモニウム水溶液およびこれらの混合液に対し反応は起
らず、したがってエツチングされない。ＳｔまたはＳｉ
ｎ、のエツチングが終ると第１図（ｅ）に示すごとく、
ＩＴＯ膜３’ｔ ＨｃｔあるいはＨｃＬとＦｅｃｔ３の
混合液でエツチングし、基板１上に所要のパターンにノ
臂ターニングされたＳｔまたは５ｉｎ２膜２が残る。Ｓ
ｉおよび５ｉＯ１はＨｅＡ 、 Ｆｅａｔｓおよびこれ
らの混合液ではエツチングさｎない。
ンモニウム水溶液およびこれらの混合液に対し反応は起
らず、したがってエツチングされない。ＳｔまたはＳｉ
ｎ、のエツチングが終ると第１図（ｅ）に示すごとく、
ＩＴＯ膜３’ｔ ＨｃｔあるいはＨｃＬとＦｅｃｔ３の
混合液でエツチングし、基板１上に所要のパターンにノ
臂ターニングされたＳｔまたは５ｉｎ２膜２が残る。Ｓ
ｉおよび５ｉＯ１はＨｅＡ 、 Ｆｅａｔｓおよびこれ
らの混合液ではエツチングさｎない。
第１図（ｄ）において、Ｓｌまたは５ｉ０２のエツチン
グ前にレジスト４を除去したが、エツチング後に除去し
てもＳｉまたは５ｉｎ２のエツチングには何ら問題は生
じない。
グ前にレジスト４を除去したが、エツチング後に除去し
てもＳｉまたは５ｉｎ２のエツチングには何ら問題は生
じない。
なお、ＩＴＯＴａＯ２１膜あるいは５ｉｎ２に対し、付
着性はよく、またＩＴＯＴａＯ２し、ボッ型フォトレジ
ストの付着性はよいので、エツチング中に剥離するとい
うト、ラブルは生じない。
着性はよく、またＩＴＯＴａＯ２し、ボッ型フォトレジ
ストの付着性はよいので、エツチング中に剥離するとい
うト、ラブルは生じない。
以上説明したように、上記実施例では、Ｓｌまた［８１
０２のエツチングマスクとしてＩ’ｌ’Ｏｉ３’に使用
しているため、ホトリソエツチング工程はボッ型フォト
レジストで行えるため、微細ｉＲパターン得られ、かつ
レジストの除去が容易であるという利点がある。
０２のエツチングマスクとしてＩ’ｌ’Ｏｉ３’に使用
しているため、ホトリソエツチング工程はボッ型フォト
レジストで行えるため、微細ｉＲパターン得られ、かつ
レジストの除去が容易であるという利点がある。
また、多層膜の最上膜のＳｉまたｔｍｓｉ０２膜のエツ
チングを行うとき、下層膜の状態を観察しながらエツチ
ングを行いたい場合などＩＴＯＴａＯ２明であるため、
可能であるという利点がある。
チングを行うとき、下層膜の状態を観察しながらエツチ
ングを行いたい場合などＩＴＯＴａＯ２明であるため、
可能であるという利点がある。
なお、ＩＴＯＴａＯ２りに５ｎ０２またｕ Ｉｎ１０３
を用いてもよい。
を用いてもよい。
（発明の効果）
以上のように、この発明のエツチング方法によれば、基
板上に形成されたＳｉまたはＳｉＯ２膜上にＩｎ２Ｏ３
とＳｎＯ２の混合膜を形成し、ホトリソエツチング法に
よりこのＩｎ２Ｏ，と５ｎ０３の混合膜を所定のノリー
ンに形成した後、フッ酸と硝酸の混合液もしくはフッ酸
とフッ化アンモニウムの混合液でＳｔもしくは５ｉｎ２
のエツチングを行うようにしたので、ホ） ＩＪソ工程
が容易でかつ微細パターンが形成できるとともに絶縁基
板上に多数のＴＰＴ回路を形成するときに利用できる。
板上に形成されたＳｉまたはＳｉＯ２膜上にＩｎ２Ｏ３
とＳｎＯ２の混合膜を形成し、ホトリソエツチング法に
よりこのＩｎ２Ｏ，と５ｎ０３の混合膜を所定のノリー
ンに形成した後、フッ酸と硝酸の混合液もしくはフッ酸
とフッ化アンモニウムの混合液でＳｔもしくは５ｉｎ２
のエツチングを行うようにしたので、ホ） ＩＪソ工程
が容易でかつ微細パターンが形成できるとともに絶縁基
板上に多数のＴＰＴ回路を形成するときに利用できる。
第１図（ａ）ないし第１図（ｃ）はそれぞれこの発明の
エツチング方法の一実施例の工程説明図である。 １・・・基板、２・・・Ｓｌ″！、たはＳｉｎ、膜、３
・・・ＩＴＯ膜、４・・・レジストパターン。 第１Ｅ 手続補正書（方式） ％式％ エツチング方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 イ ５、補正命令の日付 昭和５８年９月２７日（発送日）
［６、補正の対象 （ 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 吻ヒ緋呵〒通−一 （１）明細書７頁１１行「第、１４図（Ｃ）」を「第１
図手続補正書 昭和５３年１１月１１日 子許庁長官若杉和夫殿 、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１０９１３６ 号ｉ１発明の
名称 エツチング方法 ）、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ［１代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）５、
補正の対象 明細１の発明の詳細な説明の欄 乙補正の内容 別紙の通り ７ 補正の内容 １）明細１４頁１０行ｒ Ｆｅｃｔ３ＨｃｔＪ ’ｋ
ｒ ＦｅＣｔｓとＨＣｌＪと訂正する。 ２）同４頁１５行「ＨＣｔＪをｒＨｃｔＪと訂正する。 ３）同５頁１４行および１５行ｒ ＨｃｔあるいはＨｃ
ｌとＦｅｅｔｓ Ｊ ｆ ｒ ＨＣＩＪ’＞るいはＨＣ
ｌとにｔ３ゴと訂正する。 ４）同５頁１７行ｒ ｌ−１ｃｔ、 ＦｅＣ１３Ｊ ｋ
ｒ ＨＣＬ 。 ＦｅＣ１３Ｊと訂正する。 ４３６−
エツチング方法の一実施例の工程説明図である。 １・・・基板、２・・・Ｓｌ″！、たはＳｉｎ、膜、３
・・・ＩＴＯ膜、４・・・レジストパターン。 第１Ｅ 手続補正書（方式） ％式％ エツチング方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 イ ５、補正命令の日付 昭和５８年９月２７日（発送日）
［６、補正の対象 （ 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 吻ヒ緋呵〒通−一 （１）明細書７頁１１行「第、１４図（Ｃ）」を「第１
図手続補正書 昭和５３年１１月１１日 子許庁長官若杉和夫殿 、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１０９１３６ 号ｉ１発明の
名称 エツチング方法 ）、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ［１代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）５、
補正の対象 明細１の発明の詳細な説明の欄 乙補正の内容 別紙の通り ７ 補正の内容 １）明細１４頁１０行ｒ Ｆｅｃｔ３ＨｃｔＪ ’ｋ
ｒ ＦｅＣｔｓとＨＣｌＪと訂正する。 ２）同４頁１５行「ＨＣｔＪをｒＨｃｔＪと訂正する。 ３）同５頁１４行および１５行ｒ ＨｃｔあるいはＨｃ
ｌとＦｅｅｔｓ Ｊ ｆ ｒ ＨＣＩＪ’＞るいはＨＣ
ｌとにｔ３ゴと訂正する。 ４）同５頁１７行ｒ ｌ−１ｃｔ、 ＦｅＣ１３Ｊ ｋ
ｒ ＨＣＬ 。 ＦｅＣ１３Ｊと訂正する。 ４３６−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成されたＳｔあるいはＳｉｎ、層上にＩｎ２
Ｏ。 とＳ ｎｏ２の混合膜を形成し、ホトリソエツチング法
によシこのＩｎ２Ｏ，と５ｎ０２の混合膜を所要のパタ
ーンに形成した後、フッ酸と硝酸の混合液もしくはフッ
酸とフッ化アンモニウムの混合液でＳｉもしくはＳｉＯ
２のエツチングを行うことを特徴とするエツチング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109136A JPS602680A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109136A JPS602680A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602680A true JPS602680A (ja) | 1985-01-08 |
| JPS6217031B2 JPS6217031B2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=14502496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58109136A Granted JPS602680A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6134695A (en) * | 1996-08-07 | 2000-10-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Code image data output apparatus and method |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58109136A patent/JPS602680A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6134695A (en) * | 1996-08-07 | 2000-10-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Code image data output apparatus and method |
| US6298460B1 (en) | 1996-08-07 | 2001-10-02 | Olympus Optical Co., Ltd. | Code image data output apparatus and method |
| US6574765B2 (en) | 1996-08-07 | 2003-06-03 | Olympus Optical Co., Ltd. | Code image data output apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6217031B2 (ja) | 1987-04-15 |
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