JPS6255653A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6255653A JPS6255653A JP60195229A JP19522985A JPS6255653A JP S6255653 A JPS6255653 A JP S6255653A JP 60195229 A JP60195229 A JP 60195229A JP 19522985 A JP19522985 A JP 19522985A JP S6255653 A JPS6255653 A JP S6255653A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent
- photomask
- transparent conductive
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣ等の［回路、液晶等を用いた表示素子な
どの電子部品、電子機器の製造に使用されるフォトリソ
グラフィ一工程で必要なフォトマスクの製造方法に関す
るものである。
どの電子部品、電子機器の製造に使用されるフォトリソ
グラフィ一工程で必要なフォトマスクの製造方法に関す
るものである。
従来の技術
透明基板上に金属薄ｖ！（以下「金属膜」と表記する）
により所定のパターンを形成したフォトマスクにＪ３い
ては、静電的な帯電や放電によって引き起こされる金属
膜の割れなどの問題を回避するために、透明基板と金ｎ
膜の間に透明導電膜が設けられている。例えば、特開昭
５７−８８０４４３Ｅ３公報に記載の方法によれば、第
３図（ａ）に示すように、透明基板１上に透明導電ｒ！
２を真空蒸着、スパッター等の方法により形成し、さら
にこの透明導電膜２上にエツチング等によりパターン化
した遮光金属膜３を形成するものである。
により所定のパターンを形成したフォトマスクにＪ３い
ては、静電的な帯電や放電によって引き起こされる金属
膜の割れなどの問題を回避するために、透明基板と金ｎ
膜の間に透明導電膜が設けられている。例えば、特開昭
５７−８８０４４３Ｅ３公報に記載の方法によれば、第
３図（ａ）に示すように、透明基板１上に透明導電ｒ！
２を真空蒸着、スパッター等の方法により形成し、さら
にこの透明導電膜２上にエツチング等によりパターン化
した遮光金属膜３を形成するものである。
また、フォトマスクの別な製造方法として、特開昭５６
−１１６０３４号公報に記載のものがあるが、この方法
は、第３図（ｂ）に示すように、透明基板１上にイオン
注入により導電性の表面層４を形成させたのち、パター
ン化した遮光金ＰＡ膜３を形成させたものである。
−１１６０３４号公報に記載のものがあるが、この方法
は、第３図（ｂ）に示すように、透明基板１上にイオン
注入により導電性の表面層４を形成させたのち、パター
ン化した遮光金ＰＡ膜３を形成させたものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、第３図（ａ）に示す方法では、透明導電
膜上の金属膜をパターン化するに際し、透明導電膜が酸
化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物を材料にしてい
るために、十分なエツチングの選択性を得にくく、金ｍ
膜の不要部分除去と同時にその下にある透明導電膜もエ
ツチング作用を受は変質したりあるいは消失したりとい
う問題がある。
膜上の金属膜をパターン化するに際し、透明導電膜が酸
化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物を材料にしてい
るために、十分なエツチングの選択性を得にくく、金ｍ
膜の不要部分除去と同時にその下にある透明導電膜もエ
ツチング作用を受は変質したりあるいは消失したりとい
う問題がある。
また、第３図（ｂ）に示す方法では、透明基板にイオン
注入により導電性の表面層を形成するので、この表面層
は物理的に強固ではあるが、十分に低い抵抗値を得るこ
とが困難である。
注入により導電性の表面層を形成するので、この表面層
は物理的に強固ではあるが、十分に低い抵抗値を得るこ
とが困難である。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明によるフォトマス
クの製造方法は、石英やガラスなどの絶縁性透明基板上
に透明導電膜を形成し、前記透明導電膜−ヒに透明絶縁
膜を形成した後、この透明絶縁膜を部分的に除去してパ
ターン化し、このパターン化した透明絶縁膜上及び前記
透明導電膜の露出部分上に金ＲｒｌＡを形成した後、こ
の金属膜を部分的に除去してパターン化するものである
。
クの製造方法は、石英やガラスなどの絶縁性透明基板上
に透明導電膜を形成し、前記透明導電膜−ヒに透明絶縁
膜を形成した後、この透明絶縁膜を部分的に除去してパ
ターン化し、このパターン化した透明絶縁膜上及び前記
透明導電膜の露出部分上に金ＲｒｌＡを形成した後、こ
の金属膜を部分的に除去してパターン化するものである
。
作用
以上の方法によれば、金属膜の不要部分をエツチングし
除去する際に、この除去される部分の下には透明絶縁膜
が形成されているため、透明導電膜が直接エツチング作
用を受けることは−ない。また、金属膜と透明絶縁膜と
では一般にエツチングの選択比を十分にとることが可能
−であるので、金属膜のパターン化の際のエツチングで
浸食され下層の透明導電膜が露出することは完全に阻止
できる。また、金属膜の必要部分の下方では、透明絶縁
膜がパターン化の際に除去されているので、金属膜と透
明導電膜との接続が確保され、十分に帯電を防止できる
ものである。
除去する際に、この除去される部分の下には透明絶縁膜
が形成されているため、透明導電膜が直接エツチング作
用を受けることは−ない。また、金属膜と透明絶縁膜と
では一般にエツチングの選択比を十分にとることが可能
−であるので、金属膜のパターン化の際のエツチングで
浸食され下層の透明導電膜が露出することは完全に阻止
できる。また、金属膜の必要部分の下方では、透明絶縁
膜がパターン化の際に除去されているので、金属膜と透
明導電膜との接続が確保され、十分に帯電を防止できる
ものである。
実施例
以下、本発明の実施例を第１図及び第２図に基づき説明
する。
する。
第１図は本発明によるフォトマスクの製造方法を示して
おり、第１図（ａ）において、１０は透明絶縁性基板で
、たとえばコーニング社製＃ ７７４０などから成る。
おり、第１図（ａ）において、１０は透明絶縁性基板で
、たとえばコーニング社製＃ ７７４０などから成る。
この基板１０上にスパッター法により透明導電膜の一例
であるＩＴＯ膜１１を形成する。ＩＴＯ膜１１の製膜に
際しては、真空槽内にＡｒガスおよび０２ガスを流量比
２０：１で導入し、ターゲットは１ｎ２０ｘ ・Ｓｎ
Ｏ２の酸化物ターゲットを用い１．基板温度はランプ加
熱で２００℃に設定し、直流にて４００Ｗのパワーを投
入してスパッターを行なう。膜厚１０００人程度のＩＴ
ＯＷｉｌｌ（シート抵抗は約１０００／ａｍ）を形成し
た後、真空を破ることなく透明絶縁膜の一例である５ｉ
Ｏ２Ｗｉ１２を形成する。スパッター装置内には２個の
ターゲットが装着できるようになっており、真空を保持
した状態で貢種の薄膜を連続して形成できるため、界面
におけるダスト等の影響を排除でき、良好な膿を形成で
きる。５ｉ０２膜１２の’１１１９に際しては、Ａｒガ
スと０２ガスの流量比を３０＝２とし、ターゲットはＳ
ｉＯ２を用い、基板温度は同様の２００℃で、無線周波
数（ＲＦ＞にて３５０Ｗのパワーを投入してスパッター
を行なった。膜厚６０Ｇ八程度の５ｉＯ２ｒＩＡ１２を
形成した後、サンプルを真空槽より取り出す。
であるＩＴＯ膜１１を形成する。ＩＴＯ膜１１の製膜に
際しては、真空槽内にＡｒガスおよび０２ガスを流量比
２０：１で導入し、ターゲットは１ｎ２０ｘ ・Ｓｎ
Ｏ２の酸化物ターゲットを用い１．基板温度はランプ加
熱で２００℃に設定し、直流にて４００Ｗのパワーを投
入してスパッターを行なう。膜厚１０００人程度のＩＴ
ＯＷｉｌｌ（シート抵抗は約１０００／ａｍ）を形成し
た後、真空を破ることなく透明絶縁膜の一例である５ｉ
Ｏ２Ｗｉ１２を形成する。スパッター装置内には２個の
ターゲットが装着できるようになっており、真空を保持
した状態で貢種の薄膜を連続して形成できるため、界面
におけるダスト等の影響を排除でき、良好な膿を形成で
きる。５ｉ０２膜１２の’１１１９に際しては、Ａｒガ
スと０２ガスの流量比を３０＝２とし、ターゲットはＳ
ｉＯ２を用い、基板温度は同様の２００℃で、無線周波
数（ＲＦ＞にて３５０Ｗのパワーを投入してスパッター
を行なった。膜厚６０Ｇ八程度の５ｉＯ２ｒＩＡ１２を
形成した後、サンプルを真空槽より取り出す。
第１図（ｂ）は、前記ＳｉＯ２膜１２をフォトリソグラ
フィー■程によりパターン化した状態を示すものである
。全面にＳｉＯ２膜１２膜形２されている段階（第１図
（ａ））でレジスＩ・、たとえばコダック社製ＫＭＲ−
７４７を塗布し、霧光、現像した後に、フッ化アンモニ
ウム（Ｎ８４ Ｆ＞とフッ化水素酸（ＨＦ）の混合液に
より５ｉ０２膜１２の不要部分をエツチングし、レジス
トを除去する。
フィー■程によりパターン化した状態を示すものである
。全面にＳｉＯ２膜１２膜形２されている段階（第１図
（ａ））でレジスＩ・、たとえばコダック社製ＫＭＲ−
７４７を塗布し、霧光、現像した後に、フッ化アンモニ
ウム（Ｎ８４ Ｆ＞とフッ化水素酸（ＨＦ）の混合液に
より５ｉ０２膜１２の不要部分をエツチングし、レジス
トを除去する。
第１図（ｃ）は、ＳｉＯ２膜１２膜形２−ン化後に金属
膜の一例であるＣｒ膜１３を形成した状態を示すもので
ある。Ｃｒ膜１３は自公転式のスパッター装置を用い、
基板温度は室温にて直流で３５０Ｗのパワーを投入し形
成する。Ｃｒ膜１３は密着性が良好で、反射率も高いの
で遮光膜としての本実施例によるフォトマスクにおける
利用では８００人程匪でよい。また、パターン化された
３ｉ０２膜１２の段差部での被覆性に関しては、自公転
式の装置で製膜しているので問題はない。
膜の一例であるＣｒ膜１３を形成した状態を示すもので
ある。Ｃｒ膜１３は自公転式のスパッター装置を用い、
基板温度は室温にて直流で３５０Ｗのパワーを投入し形
成する。Ｃｒ膜１３は密着性が良好で、反射率も高いの
で遮光膜としての本実施例によるフォトマスクにおける
利用では８００人程匪でよい。また、パターン化された
３ｉ０２膜１２の段差部での被覆性に関しては、自公転
式の装置で製膜しているので問題はない。
第１図（ｄ）は、フォトリソグラフィーエ稈により前記
Ｃｒ１ｌＲ１３をパターン化した状態を示すものである
。遮光膜パターン形成のためにＣｒ膜１３の不要部分・
をエツチングする際に用いるエツチング液は硝酸セリウ
ムアンモニウム（（Ｎ＋−１４＞２Ｃｅ （ＮＯ３）
ｓ ＞、 過塩素Ｍ （トＩ ＣＡ Ｏ＋）。
Ｃｒ１ｌＲ１３をパターン化した状態を示すものである
。遮光膜パターン形成のためにＣｒ膜１３の不要部分・
をエツチングする際に用いるエツチング液は硝酸セリウ
ムアンモニウム（（Ｎ＋−１４＞２Ｃｅ （ＮＯ３）
ｓ ＞、 過塩素Ｍ （トＩ ＣＡ Ｏ＋）。
および水（１」２０）の混合液である。
第２図は以上の方法により最終的に得られたフォトマス
クを示したものである。
クを示したものである。
発明の効果
以上述べたごとく、本発明の方法によれば、静電的な帯
電、放電にともなう破損を防ぐための透明導電膜が、遮
光金属膜をパターン化する際におけるエツチング作用か
ら保護でき、低抵抗の透明導電膜を有するフォトマスク
を得ることができるという効果がある。
電、放電にともなう破損を防ぐための透明導電膜が、遮
光金属膜をパターン化する際におけるエツチング作用か
ら保護でき、低抵抗の透明導電膜を有するフォトマスク
を得ることができるという効果がある。
第１図（ａ）−（ｄ）は本発明の一実施例に係るフォト
マスクの製造方法を段階的に示す四面図、第２図は同製
造方法により得られたフｙｔ ｔ−マスクの断面図、第
３図（ａＨｂ）はそれぞれｖ４なる従来方法により得ら
れたフォトマスクを示″！ｌ断面図である。 １０・・・透明基板、１１・・・ＩＴＯ膜（透明導電膜
）、１２・・・ＳｉＯ２膜（透明絶縁膜）、１３・・・
Ｃｒ膜（金属膜） 代理人 森 本 八 弘 第１図 第２図
マスクの製造方法を段階的に示す四面図、第２図は同製
造方法により得られたフｙｔ ｔ−マスクの断面図、第
３図（ａＨｂ）はそれぞれｖ４なる従来方法により得ら
れたフォトマスクを示″！ｌ断面図である。 １０・・・透明基板、１１・・・ＩＴＯ膜（透明導電膜
）、１２・・・ＳｉＯ２膜（透明絶縁膜）、１３・・・
Ｃｒ膜（金属膜） 代理人 森 本 八 弘 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、石英やガラスなどの絶縁性透明基板上に透明導電膜
を形成し、前記透明導電膜上に透明絶縁膜を形成した後
、この透明絶縁膜を部分的に除去してパターン化し、こ
のパターン化した透明絶縁膜上及び前記透明導電膜の露
出部分上に金属膜を形成した後、この金属膜を部分的に
除去してパターン化することよりなるフォトマスクの製
造方法。 ２、透明導電膜はＩＴＯをスパッターすることにより形
成し、透明絶縁膜はＳｉＯ＿２をスパッターすることよ
り形成し、前記ＩＴＯと前記ＳｉＯ＿２のスパッターは
同一真空槽内にて真空を破ることなく連続して形成する
ようにした特許請求の範囲第１項に記載のフォトマスク
の製造方法。 ３、金属膜としてクロムを用いる特許請求の範囲第１項
または第２項に記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195229A JPS6255653A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195229A JPS6255653A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255653A true JPS6255653A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16337621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60195229A Pending JPS6255653A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485814A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | マスクの作成方法 |
| JP2006184399A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Toppan Printing Co Ltd | 露光マスク用ブランク及びその製造方法並びに露光マスク、液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法及び液晶表示装置用カラーフィルタ |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP60195229A patent/JPS6255653A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485814A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | マスクの作成方法 |
| JP2006184399A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Toppan Printing Co Ltd | 露光マスク用ブランク及びその製造方法並びに露光マスク、液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法及び液晶表示装置用カラーフィルタ |
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