JPS602692A - 銀メツキ方法 - Google Patents
銀メツキ方法Info
- Publication number
- JPS602692A JPS602692A JP9158383A JP9158383A JPS602692A JP S602692 A JPS602692 A JP S602692A JP 9158383 A JP9158383 A JP 9158383A JP 9158383 A JP9158383 A JP 9158383A JP S602692 A JPS602692 A JP S602692A
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- JP
- Japan
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- time
- plating
- silver
- current
- pulses
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- Granted
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は鉄および／またはニッケルを含有する合金材へ
密着性の良好な銀被膜を形成するだめの銀メツキ方法に
関する。
密着性の良好な銀被膜を形成するだめの銀メツキ方法に
関する。
ＩＣ用リードフレーム材としては一般に４２アロイ、５
２アロイ等の鉄ニツケル合金、１９４７０イ等の銅〜鉄
合金が用いられている。ＩＣ用リードフレームはＩＣＥ
子搭載部およびワイヤーボンド部に金、銀等の貴金属を
被着して使用に供されているが、この貴金属被膜は５０
０℃、５分間の加熱でフクレを生じないような密着性を
有することが要求される。従来、上記のような鉄および
／またけニッケルを含有する合金材に銀を直接メッキし
ても充分々密着力が得られないとされておシ銀メッキを
施す前に金、優、銅等を簿く下地メッキする所謂ストラ
イクメッキ処理を行なうのが一般的であった。
２アロイ等の鉄ニツケル合金、１９４７０イ等の銅〜鉄
合金が用いられている。ＩＣ用リードフレームはＩＣＥ
子搭載部およびワイヤーボンド部に金、銀等の貴金属を
被着して使用に供されているが、この貴金属被膜は５０
０℃、５分間の加熱でフクレを生じないような密着性を
有することが要求される。従来、上記のような鉄および
／またけニッケルを含有する合金材に銀を直接メッキし
ても充分々密着力が得られないとされておシ銀メッキを
施す前に金、優、銅等を簿く下地メッキする所謂ストラ
イクメッキ処理を行なうのが一般的であった。
ところがこのようなストライクメッキを施してあっても
銀メッキ被膜が加熱検査でフクレを生じることがある。
銀メッキ被膜が加熱検査でフクレを生じることがある。
この主なる原因は下地メッキに用いるメッキ浴は金属成
分濃度がＪ〜５り／ｌと小さく、また濃度の最適範囲が
狭いため最適条件をはずれ易いからと考えられる。この
ためストライクメッキ浴■成の管理には細心の注意を払
っている。
分濃度がＪ〜５り／ｌと小さく、また濃度の最適範囲が
狭いため最適条件をはずれ易いからと考えられる。この
ためストライクメッキ浴■成の管理には細心の注意を払
っている。
しかしながらこのような配慮は密着性そのものを改善す
るものでは々く、単にバラツキを小さくするだめの配慮
に過ぎない。このため密着性そのものを本質的に改善す
る何らかの手段が必要であることが痛感されていた。
るものでは々く、単にバラツキを小さくするだめの配慮
に過ぎない。このため密着性そのものを本質的に改善す
る何らかの手段が必要であることが痛感されていた。
本発明者らは上記要請に応えるべくさらに多数のメッキ
条件を逐次検討した結果、メッキ電流波２− 形とその供給方法を組合せることによってストライクメ
ッキをし々〈ても充分密着性のｌｌ好な銀メッキ被嘆が
イ１１られることを見出して本発明に到達した。即ち本
発明は、鉄および７寸たけニッケルを含有する合金材へ
銀をメッキするに際し、電解電流としてリップルのある
直流電流を用いかつ該電流を周期的に中断して印力口す
ることを特徴とする。
条件を逐次検討した結果、メッキ電流波２− 形とその供給方法を組合せることによってストライクメ
ッキをし々〈ても充分密着性のｌｌ好な銀メッキ被嘆が
イ１１られることを見出して本発明に到達した。即ち本
発明は、鉄および７寸たけニッケルを含有する合金材へ
銀をメッキするに際し、電解電流としてリップルのある
直流電流を用いかつ該電流を周期的に中断して印力口す
ることを特徴とする。
ここで、リップルのある直流電流とけ、三相半波整流、
三相全波整流等によって得られる電流であって、波形に
小波（リップル）または脈動を有するものである。脈動
率は三相半波で１８〜２１％、三相全波で４〜４．５に
と々る。本発明はかかるリップルのある直流電流を周期
的に中断して印力口する。この中断の周期はＯＮ時間４
〜３３ミリ秒、 ＯＦＦ時間１．６５〜２３ミリ秒の範
囲内に設定踵しかもこの０８時間はＯＦ’Ｆ時間の７倍
乃至丁Ｘ ＯＦＦＦＦ時間＋３０ミリ範囲に々るように
設定することが好ましい。
三相全波整流等によって得られる電流であって、波形に
小波（リップル）または脈動を有するものである。脈動
率は三相半波で１８〜２１％、三相全波で４〜４．５に
と々る。本発明はかかるリップルのある直流電流を周期
的に中断して印力口する。この中断の周期はＯＮ時間４
〜３３ミリ秒、 ＯＦＦ時間１．６５〜２３ミリ秒の範
囲内に設定踵しかもこの０８時間はＯＦ’Ｆ時間の７倍
乃至丁Ｘ ＯＦＦＦＦ時間＋３０ミリ範囲に々るように
設定することが好ましい。
リップルのない、即ち哀正の矩形パルス波形の直流電流
では加熱ツク１ノは音域とならず、密着性は不充分であ
る。従ってリップルが何らかの作用をしていることは侭
かであるが、この作用が何であるかは未だ明らかで力い
。中断の周期も１だメッキの密着性向上に寄与している
。中断の周期があまり長く力ると密着性が低下すること
からこのことは明らかである。壕だ０８時間がＯＦＦ時
間の一以下塘たは２ Ｘ ＯＦＦ時間＋３０ミリ秒以上
になるとやはり密着性が低下することが判った。
では加熱ツク１ノは音域とならず、密着性は不充分であ
る。従ってリップルが何らかの作用をしていることは侭
かであるが、この作用が何であるかは未だ明らかで力い
。中断の周期も１だメッキの密着性向上に寄与している
。中断の周期があまり長く力ると密着性が低下すること
からこのことは明らかである。壕だ０８時間がＯＦＦ時
間の一以下塘たは２ Ｘ ＯＦＦ時間＋３０ミリ秒以上
になるとやはり密着性が低下することが判った。
リップルのある直流電流を周期的に中断する回路は簡単
に構成し得るが、整流方式をたとえば六相半波整流とし
、リップルの数をパルスカウンターで数えながら一定の
パルス数だけＯＮ状態を保った後一定のパルス数だけＯ
ＦＦするよう々回路構成にすれば比較的安価な電源回路
とすることができる。
に構成し得るが、整流方式をたとえば六相半波整流とし
、リップルの数をパルスカウンターで数えながら一定の
パルス数だけＯＮ状態を保った後一定のパルス数だけＯ
ＦＦするよう々回路構成にすれば比較的安価な電源回路
とすることができる。
本発明法はメッキ浴として通常のシアン浴、中性浴何れ
も使用できる。本発明により、ストライクメッキを施さ
なくても密着性の良好な銀被膜が得られ、ストライクメ
ッキ工程を省略することができた。また、本発明による
と従来の釧ストライク銀メッキ方式に比べ銀メツキ時の
陰（グミ流密度（Ｄｋ）を幾分高くできることが判った
。即ち、従来法によると最大２０ Ａ／ａｍ２が限度で
あったＤｋ値を本発明法では３ ｏＡｙｃｔｍ２まで高
めてもメッキ外観等が何ら変化々い。従って本発明法に
よればストライクメッキ工程を省略できるばかりでなく
、銀メツキ工程自体の時間短縮をももたらし得るという
予期され力い効果が得られる。
も使用できる。本発明により、ストライクメッキを施さ
なくても密着性の良好な銀被膜が得られ、ストライクメ
ッキ工程を省略することができた。また、本発明による
と従来の釧ストライク銀メッキ方式に比べ銀メツキ時の
陰（グミ流密度（Ｄｋ）を幾分高くできることが判った
。即ち、従来法によると最大２０ Ａ／ａｍ２が限度で
あったＤｋ値を本発明法では３ ｏＡｙｃｔｍ２まで高
めてもメッキ外観等が何ら変化々い。従って本発明法に
よればストライクメッキ工程を省略できるばかりでなく
、銀メツキ工程自体の時間短縮をももたらし得るという
予期され力い効果が得られる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例
二重星形六相半波整流回路と、パルスカウンター回路と
、０８時間のパルス数及びＯＦＦ時間のパルス数を設定
するデジタルスイッチ２個で構成したメッキ用電源回路
を噴流型部分メッキ装陥に接続した。この部分メッキ装
置は開口を有するマスク板と抑圧板で被メッキ材を水子
に挾持し、該マスク板の開口に向けて下方からメッキ液
を噴射する形式の装置であって、メッキ液の噴射と殆ん
ど同時に陰極となる被メッキ材と不溶性陽極との間に通
電するように々っている。メッキ浴はＡｇ６０２／ｌ、
遊離シアン８０り／ｌとし、浴温を６０℃とした。マス
ク板として５ ｗｓ Ｘ ７ ｍｍの開口を１月に１２
ケ有するものを用い、被メッキ材として２５隠ｘ２００
ＩＩＩＩＩＩの４２７０イ板を用い、４２了ロイ板をア
ルカリ脱脂、塩酸洗浄した後メッキに供し、平均陰極電
流密度］ ５．５ Ａ／（／ＩＩ＋”で銀を約７μ電着
せしめた。銀メッキした４２アロイ板を５００℃で５分
間加熱後、４０倍の実体顕微鏡で観察してフクレの有無
とその位置を調べて合否を判定した。
、０８時間のパルス数及びＯＦＦ時間のパルス数を設定
するデジタルスイッチ２個で構成したメッキ用電源回路
を噴流型部分メッキ装陥に接続した。この部分メッキ装
置は開口を有するマスク板と抑圧板で被メッキ材を水子
に挾持し、該マスク板の開口に向けて下方からメッキ液
を噴射する形式の装置であって、メッキ液の噴射と殆ん
ど同時に陰極となる被メッキ材と不溶性陽極との間に通
電するように々っている。メッキ浴はＡｇ６０２／ｌ、
遊離シアン８０り／ｌとし、浴温を６０℃とした。マス
ク板として５ ｗｓ Ｘ ７ ｍｍの開口を１月に１２
ケ有するものを用い、被メッキ材として２５隠ｘ２００
ＩＩＩＩＩＩの４２７０イ板を用い、４２了ロイ板をア
ルカリ脱脂、塩酸洗浄した後メッキに供し、平均陰極電
流密度］ ５．５ Ａ／（／ＩＩ＋”で銀を約７μ電着
せしめた。銀メッキした４２アロイ板を５００℃で５分
間加熱後、４０倍の実体顕微鏡で観察してフクレの有無
とその位置を調べて合否を判定した。
０８時間のパルス数とＯＦＦ時間のパルス数の設足毎に
合否をまとめて第１図に示す。第１図において、Ｏ印は
フクレが全く認められなかった場合、Δ印はメッキエリ
アの端部に直径２０μ以下のフクレが２ヶ以内であった
場合、ｘ印はメッキエリアの中央部に７タレが１ヶ以上
存在した場合でかつΔ印の基準をも満足し々い場合を示
す。
合否をまとめて第１図に示す。第１図において、Ｏ印は
フクレが全く認められなかった場合、Δ印はメッキエリ
アの端部に直径２０μ以下のフクレが２ヶ以内であった
場合、ｘ印はメッキエリアの中央部に７タレが１ヶ以上
存在した場合でかつΔ印の基準をも満足し々い場合を示
す。
第１図の結果から０８時間のパルス数は１．５〜１０
、ＯＦＦ時間のパルス数は０．５〜７の範囲内でかつ０
８時間のパルス数はＯＦＦ時間のパルス数の１ 丁乃至−，−ｘ ｏｒｒ’ｔｖ時間パルス時間パルス量
＋９１当であることが判る。とれを時間に換算すると、
Ｉパルス３３３ミリ秒であるかｒつ、ＯＮ時間け４〜３
３ミリ秒、ＯＦ’Ｆ時間は１．６５〜２３ミリ秒でかつ
ＯＲ１４ 時間は０ＦＴｉ’時間の７乃至Ｔ Ｘ ＯＦＦ時間＋３
０ミリ秒の範囲と々る。
、ＯＦＦ時間のパルス数は０．５〜７の範囲内でかつ０
８時間のパルス数はＯＦＦ時間のパルス数の１ 丁乃至−，−ｘ ｏｒｒ’ｔｖ時間パルス時間パルス量
＋９１当であることが判る。とれを時間に換算すると、
Ｉパルス３３３ミリ秒であるかｒつ、ＯＮ時間け４〜３
３ミリ秒、ＯＦ’Ｆ時間は１．６５〜２３ミリ秒でかつ
ＯＲ１４ 時間は０ＦＴｉ’時間の７乃至Ｔ Ｘ ＯＦＦ時間＋３
０ミリ秒の範囲と々る。
第１図はＯＮ時間のパルス数とＯＢ″Ｆ時間のパルス数
の関係における７クレの有無の合否判定結果を示すグラ
フである。 特許出願人： 住友金屑鉱山株式会社 代理人： 弁理士海 津 保 三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 ７− 第１図 ＯＦＦ σ１開 ノψノＬ２ナタ二
の関係における７クレの有無の合否判定結果を示すグラ
フである。 特許出願人： 住友金屑鉱山株式会社 代理人： 弁理士海 津 保 三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 ７− 第１図 ＯＦＦ σ１開 ノψノＬ２ナタ二
Claims (1)
- 鉄および／またはニッケルを含有する合金材に銀メッキ
を施す方法において、電解電流としてリッノルのある直
流電流を用いかつ該電流を周期的に中断して印加するこ
とを特徴とする銀メツキ方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9158383A JPS602692A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 銀メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9158383A JPS602692A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 銀メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602692A true JPS602692A (ja) | 1985-01-08 |
| JPH0148354B2 JPH0148354B2 (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=14030564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9158383A Granted JPS602692A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 銀メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602692A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186494A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 銀メツキ法 |
| KR20050019555A (ko) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | 주식회사 비에스텍 | 은 콜로이드 용액 생성과 동시에 은도금을 하는 방법 |
| JP2005320631A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 改善されたメッキ方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58113386A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 銀めつき方法 |
-
1983
- 1983-05-26 JP JP9158383A patent/JPS602692A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58113386A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 銀めつき方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186494A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 銀メツキ法 |
| KR20050019555A (ko) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | 주식회사 비에스텍 | 은 콜로이드 용액 생성과 동시에 은도금을 하는 방법 |
| JP2005320631A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 改善されたメッキ方法 |
| KR101185194B1 (ko) | 2004-04-26 | 2012-09-24 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 개선된 도금 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148354B2 (ja) | 1989-10-18 |
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