JPS6028028A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6028028A JPS6028028A JP13442583A JP13442583A JPS6028028A JP S6028028 A JPS6028028 A JP S6028028A JP 13442583 A JP13442583 A JP 13442583A JP 13442583 A JP13442583 A JP 13442583A JP S6028028 A JPS6028028 A JP S6028028A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非磁性基材面に高保磁力を有する磁性薄膜を
被着形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
被着形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
近年、長時間録画や８％ビデオ用等のテープの小型化等
の要求に応えうる高密度磁気記録媒体として金属磁性薄
膜の秀れた磁気特性が注目されている。従来、このよう
な磁性金属薄膜材料としてコバルト又はコバルト・ニッ
ケル合金が利用されていたが、これ等の磁性薄膜社耐酸
化性や耐摩耗性が劣る欠点があった。
の要求に応えうる高密度磁気記録媒体として金属磁性薄
膜の秀れた磁気特性が注目されている。従来、このよう
な磁性金属薄膜材料としてコバルト又はコバルト・ニッ
ケル合金が利用されていたが、これ等の磁性薄膜社耐酸
化性や耐摩耗性が劣る欠点があった。
そこで本出願人は、これ等の特性が優れた磁性材料とし
て知られている窒化鉄に着目し、これ等の特性を有する
とともに保磁力が少なくとも６００エルステツドの鉄及
び窒化鉄からなる磁性薄膜の製造方法を提案した（ｆｒ
ｕｉｔ昭５７−１９７１４９゜ この方法は％ １０−” Ｔｏｒｒ以下の窒素ガス中で
鉄蒸気を１０８以上イオン化しくイオン化率η）、該窒
素ガスを鉄及び鉄イオンに対して５〜５０％イオン化し
、非磁性基材面に対し５０度以上の入射角で斜方入射蒸
着をするものであるが、成膜速度を上げたとき、被蒸着
面に飛来する窒素イオンと鉄及び鉄イオンとの相対比率
（ξ）が減少し、磁性薄膜の保磁力れ著しく減少する。
て知られている窒化鉄に着目し、これ等の特性を有する
とともに保磁力が少なくとも６００エルステツドの鉄及
び窒化鉄からなる磁性薄膜の製造方法を提案した（ｆｒ
ｕｉｔ昭５７−１９７１４９゜ この方法は％ １０−” Ｔｏｒｒ以下の窒素ガス中で
鉄蒸気を１０８以上イオン化しくイオン化率η）、該窒
素ガスを鉄及び鉄イオンに対して５〜５０％イオン化し
、非磁性基材面に対し５０度以上の入射角で斜方入射蒸
着をするものであるが、成膜速度を上げたとき、被蒸着
面に飛来する窒素イオンと鉄及び鉄イオンとの相対比率
（ξ）が減少し、磁性薄膜の保磁力れ著しく減少する。
該相対比率を一定に・保つために成膜速度に対応させて
窒素ガス圧を高（（１０−３Ｔｏｒｒ以上）しても、鉄
及び鉄イオンの平均自由行程が短くなり、直進性が失わ
れて入射角が分散し、衣１の保磁力特性（単位エルステ
ッド）に示すように成膜速度νが速いところでは所期の
保磁力（例えば６００エルステツド）が得られず％ｔｆ
ｃ鉄蒸発用電子ビーム用フィラメントの寿命が極端に短
くなると共に該フイラメンＦの近傍で異常放電が発生し
やすい不都合が生じた。
窒素ガス圧を高（（１０−３Ｔｏｒｒ以上）しても、鉄
及び鉄イオンの平均自由行程が短くなり、直進性が失わ
れて入射角が分散し、衣１の保磁力特性（単位エルステ
ッド）に示すように成膜速度νが速いところでは所期の
保磁力（例えば６００エルステツド）が得られず％ｔｆ
ｃ鉄蒸発用電子ビーム用フィラメントの寿命が極端に短
くなると共に該フイラメンＦの近傍で異常放電が発生し
やすい不都合が生じた。
表 １
（単位エルステッド）
以下本発明の実施例を図面につき説明する。
本発明の製造方法を実施するためｒｃｒｊＡ面に示すよ
うな装置を使用した。
うな装置を使用した。
を収容したるつぼ（２）と該鉄（１）に対し電子ビーム
を照射してこれを蒸発させる電子ビーム放射源（３）と
鉄蒸気をイオン化するための熱電子放射フィラメント（
４）及びイオン化ｖＬ視（５）と、鉄イオン及び窒素イ
オン数を計かすするためのイオン捕集用電極（６）と、
膜厚計（７）と、パルプ（８）を介して流入する窒素ガ
スをイオン化すると共に該窒素イオンを加速する例えば
フリーマン型イオン銃（９）とから成り、例えばＩ Ｏ
’−’Ｔｏｒｒに減圧された兵窒檜（図示せず）内に配
置した。
を照射してこれを蒸発させる電子ビーム放射源（３）と
鉄蒸気をイオン化するための熱電子放射フィラメント（
４）及びイオン化ｖＬ視（５）と、鉄イオン及び窒素イ
オン数を計かすするためのイオン捕集用電極（６）と、
膜厚計（７）と、パルプ（８）を介して流入する窒素ガ
スをイオン化すると共に該窒素イオンを加速する例えば
フリーマン型イオン銃（９）とから成り、例えばＩ Ｏ
’−’Ｔｏｒｒに減圧された兵窒檜（図示せず）内に配
置した。
鉄及び窒化鉄を蒸着する被着基材例えばガラス板（イ）
を板面が入射角θが５０度になるようにイオン捕集用電
極（６）上に！置した。
を板面が入射角θが５０度になるようにイオン捕集用電
極（６）上に！置した。
先ず＾空槽内をＩ Ｏ”−’Ｔｏｒｒ ４Ｃ減圧し、鉄
（１）に電子ビームを照射して蒸発させ、膜厚計（７）
によｐ測定した成膜速度νが所定の速度例えはｌＯ〜−
となるように電子ビーム放射源（３）の出力を詭整し１
次に熱電子放射フィラメント（４）に通電すると共にイ
オン化電極（６）ニ正電位を印加してイオン捕集用電極
（６）に流れる電流から１秒当ｊ）ｌａｌ＆に飛来する
鉄イオン数ｔを測定し、ｔ＝４ＸｌＯ”個／ ａｉ 、
ａｍすなわち前記成膜速度から換算した鉄及び鉄イオ
ン数置＝ ８ Ｘ １０１’個／ ｄ 、 ｗｃＫ対し
て−となるようにイオン化電極（５）の正電位を設Ｚｔ
） 定して鉄及び鉄イオン数に対する鉄のイオン化率ηを５
％とした。次にイオン銃（９）によ多窒素イオンをガラ
ス板０１面に向けて照射し、このときイオン捕集用電極
（６）に流れる電流からめたイオン数が例えは１２ Ｘ
Ｉ Ｏ１４個／ ｔｒＡ 、 ｓｃすなわち該イオン
数から前記ｔを減じて得た窒素イオン数ｎ ＝ ４ Ｘ
ｌ Ｏ”個の前記ｍに対する割合ξが５％となるよう
に窒素イオン照射量をｍ整した。
（１）に電子ビームを照射して蒸発させ、膜厚計（７）
によｐ測定した成膜速度νが所定の速度例えはｌＯ〜−
となるように電子ビーム放射源（３）の出力を詭整し１
次に熱電子放射フィラメント（４）に通電すると共にイ
オン化電極（６）ニ正電位を印加してイオン捕集用電極
（６）に流れる電流から１秒当ｊ）ｌａｌ＆に飛来する
鉄イオン数ｔを測定し、ｔ＝４ＸｌＯ”個／ ａｉ 、
ａｍすなわち前記成膜速度から換算した鉄及び鉄イオ
ン数置＝ ８ Ｘ １０１’個／ ｄ 、 ｗｃＫ対し
て−となるようにイオン化電極（５）の正電位を設Ｚｔ
） 定して鉄及び鉄イオン数に対する鉄のイオン化率ηを５
％とした。次にイオン銃（９）によ多窒素イオンをガラ
ス板０１面に向けて照射し、このときイオン捕集用電極
（６）に流れる電流からめたイオン数が例えは１２ Ｘ
Ｉ Ｏ１４個／ ｔｒＡ 、 ｓｃすなわち該イオン
数から前記ｔを減じて得た窒素イオン数ｎ ＝ ４ Ｘ
ｌ Ｏ”個の前記ｍに対する割合ξが５％となるよう
に窒素イオン照射量をｍ整した。
以上のＸ空槽内の設定条件が安定したｖｋ１ガラス板叫
を覆うシャッタを開いて１００秒間蒸着し、膜厚が１ｏ
ｏｏ；の薄膜を作成した。
を覆うシャッタを開いて１００秒間蒸着し、膜厚が１ｏ
ｏｏ；の薄膜を作成した。
以上と同じ要領によシ成膜速度ν：１０Ａ／ｓｃ＊２０
Ａ ／ ｓｅｅ 、 ５０＾／ｍ、１０−０＾／就及
び２００λ／紅のそれぞれについて、入射角度０を５０
度及び８０度にして前記η：５％、１０％。
Ａ ／ ｓｅｅ 、 ５０＾／ｍ、１０−０＾／就及
び２００λ／紅のそれぞれについて、入射角度０を５０
度及び８０度にして前記η：５％、１０％。
２０Ｘとξ：５Ｎ、１０％、２０％、５０％。
１００Ｘとを組合せた条件で膜厚１０００Ａの薄膜を作
成した。
成した。
そしてこれ等の薄Ｊ［４Ｃついて被着基材面に平行ＫＩ
Ｏキロエルステッドの外部磁界を印加して保磁力Ｈｃ
を試料振動型磁力計によシ測定した。
Ｏキロエルステッドの外部磁界を印加して保磁力Ｈｃ
を試料振動型磁力計によシ測定した。
その結果を嚢２に示す。
表２から明らかなように、ガラス板面に対し鉄の蒸気を
入射角５０度の斜方から蒸着した場合において、鉄蒸気
ｋｌＯ，Ｘ及び２ＯＮイオン化し。
入射角５０度の斜方から蒸着した場合において、鉄蒸気
ｋｌＯ，Ｘ及び２ＯＮイオン化し。
イオン銃（９）からガラス板面に向けて鉄及び鉄イオン
に対する窒素イオンの割合ξを５％〜５０％変化させて
窒素イオンを照射したとき、ξが５Ｘでは６００〜６３
０エルステツド、ξが１０〜５０Ｘでは６９０〜７２０
エルステツドの範囲の保磁力が成膜速度（１０〜２００
λ／（６））に関係なく得られた。
に対する窒素イオンの割合ξを５％〜５０％変化させて
窒素イオンを照射したとき、ξが５Ｘでは６００〜６３
０エルステツド、ξが１０〜５０Ｘでは６９０〜７２０
エルステツドの範囲の保磁力が成膜速度（１０〜２００
λ／（６））に関係なく得られた。
入射角を８０度にした場合において、鉄蒸気を５％、１
０％及び２０％イオン化し、ξを５〜１００％変化させ
て窒素イオンを照射したときη：５％及びξ：５％では
８１０〜８２０エルステツド、η：５９６及びξ：ｌＯ
〜５０％では９４０〜９６０エルステツド、η：１０％
及ヒ２０％並びにξ：５％では１０００〜１０３０エル
ステッド、４２１０％及び２０％並びに０２１０％〜５
０％では１２３０〜１２５０エルステツド、η：５％及
びξ二１０ＯＮでは７８０〜８１０エルステツド、η：
１０Ｘ及び２０％並びにξ：１００Ｎで社９００〜９７
０エルステッドの範囲の保磁力が成膜速度（１０〜２０
０人／臓）に影響を受けずに得られた。
０％及び２０％イオン化し、ξを５〜１００％変化させ
て窒素イオンを照射したときη：５％及びξ：５％では
８１０〜８２０エルステツド、η：５９６及びξ：ｌＯ
〜５０％では９４０〜９６０エルステツド、η：１０％
及ヒ２０％並びにξ：５％では１０００〜１０３０エル
ステッド、４２１０％及び２０％並びに０２１０％〜５
０％では１２３０〜１２５０エルステツド、η：５％及
びξ二１０ＯＮでは７８０〜８１０エルステツド、η：
１０Ｘ及び２０％並びにξ：１００Ｎで社９００〜９７
０エルステッドの範囲の保磁力が成膜速度（１０〜２０
０人／臓）に影響を受けずに得られた。
このように本発明によるとｔＥＵ、５０度以上の入射角
で斜方入射蒸着金して鉄及び窒化鉄を非磁性基材面に被
着形成する製造方法において、蒸発させた鉄分子に電界
管かけてその５％以上をイオン化するとともに、イオン
銃により窒素分子を前記鉄分子及び鉄イオンに対し５〜
１００％の範囲でイオン化し該窒素イオｙを前記非磁性
基材面に照射するようにしたから、耐酸化性及び耐磨耗
性の優れた鉄及び窒化鉄から成り、保磁力が６００工ル
ステツド以上の磁性薄膜が速い成膜速度で非磁性基材面
に被着形成できると共に、鉄蒸発用電子ビーム用フィラ
メントの寿命が短かくなることがなく、また該フィラメ
ントの近傍で放電が発生しないため故障が発生しない等
の効果を有する。
で斜方入射蒸着金して鉄及び窒化鉄を非磁性基材面に被
着形成する製造方法において、蒸発させた鉄分子に電界
管かけてその５％以上をイオン化するとともに、イオン
銃により窒素分子を前記鉄分子及び鉄イオンに対し５〜
１００％の範囲でイオン化し該窒素イオｙを前記非磁性
基材面に照射するようにしたから、耐酸化性及び耐磨耗
性の優れた鉄及び窒化鉄から成り、保磁力が６００工ル
ステツド以上の磁性薄膜が速い成膜速度で非磁性基材面
に被着形成できると共に、鉄蒸発用電子ビーム用フィラ
メントの寿命が短かくなることがなく、また該フィラメ
ントの近傍で放電が発生しないため故障が発生しない等
の効果を有する。
図面は本発明の製造方法を実施するための装置の線図な
示す。 （１）・・・鉄、（２）・・・るつぼ、（３）・・・電
子ビーム放射源、 （４）・・・熱電子放射フィラメント、（５）・・・イ
オン化電極、（６）・・・イオン捕集用電極。 （９）・・・イオン銃。 特許出願人 太陽誌電株式会社 − 外２る
示す。 （１）・・・鉄、（２）・・・るつぼ、（３）・・・電
子ビーム放射源、 （４）・・・熱電子放射フィラメント、（５）・・・イ
オン化電極、（６）・・・イオン捕集用電極。 （９）・・・イオン銃。 特許出願人 太陽誌電株式会社 − 外２る
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ５０度以上の入射角で斜方入射蒸着をして鉄及び脅化鉄
を非磁性基材面に被着形成する式の製造方法において、
蒸発させた鉄分子に電界をかけてその５Ｘ以上をイオン
化するとともに、イオン銃によシ窒素分子を前記鉄分子
及び鉄イ。 オンに対し５〜１００Ｘの範囲でイオン化し該窒素イオ
ンを前記非磁性基材面に照射することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13442583A JPS6028028A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13442583A JPS6028028A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028028A true JPS6028028A (ja) | 1985-02-13 |
| JPH0334621B2 JPH0334621B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=15128077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13442583A Granted JPS6028028A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160068944A1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Northwestern University | Chemically pure zero-valent iron nanofilms from a low-purity iron source |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP13442583A patent/JPS6028028A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160068944A1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Northwestern University | Chemically pure zero-valent iron nanofilms from a low-purity iron source |
| US9738966B2 (en) * | 2014-09-04 | 2017-08-22 | Northwestern University | Chemically pure zero-valent iron nanofilms from a low-purity iron source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334621B2 (ja) | 1991-05-23 |
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